JPH01145881A - 光ファイバ - Google Patents
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- JPH01145881A JPH01145881A JP63265903A JP26590388A JPH01145881A JP H01145881 A JPH01145881 A JP H01145881A JP 63265903 A JP63265903 A JP 63265903A JP 26590388 A JP26590388 A JP 26590388A JP H01145881 A JPH01145881 A JP H01145881A
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- C03B37/012—Manufacture of preforms for drawing fibres or filaments
- C03B37/014—Manufacture of preforms for drawing fibres or filaments made entirely or partially by chemical means, e.g. vapour phase deposition of bulk porous glass either by outside vapour deposition [OVD], or by outside vapour phase oxidation [OVPO] or by vapour axial deposition [VAD]
- C03B37/018—Manufacture of preforms for drawing fibres or filaments made entirely or partially by chemical means, e.g. vapour phase deposition of bulk porous glass either by outside vapour deposition [OVD], or by outside vapour phase oxidation [OVPO] or by vapour axial deposition [VAD] by glass deposition on a glass substrate, e.g. by inside-, modified-, plasma-, or plasma modified- chemical vapour deposition [ICVD, MCVD, PCVD, PMCVD], i.e. by thin layer coating on the inside or outside of a glass tube or on a glass rod
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- H01S3/063—Waveguide lasers, i.e. whereby the dimensions of the waveguide are of the order of the light wavelength
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- H01S3/06708—Constructional details of the fibre, e.g. compositions, cross-section, shape or tapering
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、螢光体の添加物を有する光ファイバ、特にフ
ァイバレーザの構成に適した光ファイバに関する。
ァイバレーザの構成に適した光ファイバに関する。
近時、0.3μm乃至4μmの波長の放射が光7アイパ
のコア内で生ずる装置について、広い範囲で多くの技術
的興味がある。これ等の装置においては、ファイバは通
常ポンプ放射といわれる励起放射で相互作用をして所望
の出力を生ずる螢光体の添加剤を有する。装置は例えば
広帯域源、超輝度源及び温度センサのような多くの形態
を有するが、レーザ作用を生ずる装置は遠距離通信にお
いて特に重要である。遠距離通信は、光発振器及び光増
巾器のような2つの別の手段でレーザ作用を用いる事が
理解される。然し乍ら、同じにドーグされたガラスファ
イバが複数のこのような応用及び総てのかかる応用に等
しく適している。応用物理文けん(Applied P
hysics Letters ) (1973年10
月1日発行第23巻、第7号、第388頁と第389頁
)においてストーン(5tone )とニュラス(Nu
rrus)は端部を励起化したファイバ幾何学系を有す
るネオジュームでドープされたシリカで作られたレーザ
について述べている。それ等の機構の1つは溶融しfc
sto2のジャケット内に総て包括された5102とN
b2o5の薄い受動スリーブ内に包括された溶融した5
102と Nd2O3の能動コアをする。能動コアの直
径は約800乃至15μmでサンプルの長は1crnで
ある。薄い受動スリーブの作用はコアの案内、従ってポ
ンプ効率を増加することである。
のコア内で生ずる装置について、広い範囲で多くの技術
的興味がある。これ等の装置においては、ファイバは通
常ポンプ放射といわれる励起放射で相互作用をして所望
の出力を生ずる螢光体の添加剤を有する。装置は例えば
広帯域源、超輝度源及び温度センサのような多くの形態
を有するが、レーザ作用を生ずる装置は遠距離通信にお
いて特に重要である。遠距離通信は、光発振器及び光増
巾器のような2つの別の手段でレーザ作用を用いる事が
理解される。然し乍ら、同じにドーグされたガラスファ
イバが複数のこのような応用及び総てのかかる応用に等
しく適している。応用物理文けん(Applied P
hysics Letters ) (1973年10
月1日発行第23巻、第7号、第388頁と第389頁
)においてストーン(5tone )とニュラス(Nu
rrus)は端部を励起化したファイバ幾何学系を有す
るネオジュームでドープされたシリカで作られたレーザ
について述べている。それ等の機構の1つは溶融しfc
sto2のジャケット内に総て包括された5102とN
b2o5の薄い受動スリーブ内に包括された溶融した5
102と Nd2O3の能動コアをする。能動コアの直
径は約800乃至15μmでサンプルの長は1crnで
ある。薄い受動スリーブの作用はコアの案内、従ってポ
ンプ効率を増加することである。
を有する光導波路の光源について述べている。外側のク
ラッドの屈折率は内側のクラッドの屈折率よりも小さく
、内側のクラッドの屈折率はコアの屈折率より小さい。
ラッドの屈折率は内側のクラッドの屈折率よりも小さく
、内側のクラッドの屈折率はコアの屈折率より小さい。
ポンプ放射は外側のクラッド内にある内側のクラッド層
内で始まる。ポンプ放射はコアを経て多くの通路を作)
、それによってコアによる吸収が増加する。信号はコア
内で生ずる。
内で始まる。ポンプ放射はコアを経て多くの通路を作)
、それによってコアによる吸収が増加する。信号はコア
内で生ずる。
長い間稀土類元素、例えばNd 、 Er 、及びyb
が螢光特性を生じ、光ファイバに螢光体の添加剤として
用いるのに適しているものと認識されていた。
が螢光特性を生じ、光ファイバに螢光体の添加剤として
用いるのに適しているものと認識されていた。
それ等の螢光特性は上述したレーデ装置に用いるのに特
に適している。螢光装置の作用は、異なる転移において
連続放射に対し励起状態に添加剤のイオン(或は他の基
本的な分子)を増大する為にポンプ光子を吸収してなさ
れる。レーザ装置においては、この発光は信号光子の存
在によって刺激され、従ってレーデ装置の操作は信号波
長におけ事である。この事は光増巾器の場合には小さく
送シ込まれたポンプ・臂ワーで大きな利得を得る事を意
味し、光発振器では低レーザスレッシュショルド(th
reshold ) t−意味する。
に適している。螢光装置の作用は、異なる転移において
連続放射に対し励起状態に添加剤のイオン(或は他の基
本的な分子)を増大する為にポンプ光子を吸収してなさ
れる。レーザ装置においては、この発光は信号光子の存
在によって刺激され、従ってレーデ装置の操作は信号波
長におけ事である。この事は光増巾器の場合には小さく
送シ込まれたポンプ・臂ワーで大きな利得を得る事を意
味し、光発振器では低レーザスレッシュショルド(th
reshold ) t−意味する。
〔課題を解決するための手段及び作用〕本発明によるフ
ァイバは、コアの断面上に不平等に分配された螢光体の
添加剤を有し、コアとクラッドの境界におけるよりもコ
アの中心において添加剤のより大きな濃度を有する。添
加剤の最も大きな濃度はポンプ作用中、最も高いポンプ
放射の密度が期待されるファイバの領域内にある事が理
想的である。添加剤の小さい或は零の濃度は小さいポン
プ密度が期待される場所にある。
ァイバは、コアの断面上に不平等に分配された螢光体の
添加剤を有し、コアとクラッドの境界におけるよりもコ
アの中心において添加剤のより大きな濃度を有する。添
加剤の最も大きな濃度はポンプ作用中、最も高いポンプ
放射の密度が期待されるファイバの領域内にある事が理
想的である。添加剤の小さい或は零の濃度は小さいポン
プ密度が期待される場所にある。
最も大きなポンプ作用においては、ポンプ放射の最も大
きな密度がコアの中心に存在し、周辺では零でコアの中
心では最も大きな添加剤の濃度を与える事が望ましい。
きな密度がコアの中心に存在し、周辺では零でコアの中
心では最も大きな添加剤の濃度を与える事が望ましい。
コアは2つの領域、即ち外側の領域で囲まれた内側の領
域を有する事が好ましく、内側の領域は添加剤を含み、
外側の領域は実質的に添加剤を含まない。内側の領域は
コアの断面の−、即ち5乃至15チ以下に構成されてい
る。
域を有する事が好ましく、内側の領域は添加剤を含み、
外側の領域は実質的に添加剤を含まない。内側の領域は
コアの断面の−、即ち5乃至15チ以下に構成されてい
る。
ファイバは螢光体の添加剤と適合し得る任意のガラスで
構成される。かくして、例えば、ファイバは一般のケイ
酸塩、フォスフエイト及びフッ化物系、例えばZr +
Ba + La + At+ Na及びHfのフッ化
物或はシリカ系、例えばコア内の屈折率を調整する為に
G @02のような添加剤を有する5IO2で構成され
る。
構成される。かくして、例えば、ファイバは一般のケイ
酸塩、フォスフエイト及びフッ化物系、例えばZr +
Ba + La + At+ Na及びHfのフッ化
物或はシリカ系、例えばコア内の屈折率を調整する為に
G @02のような添加剤を有する5IO2で構成され
る。
特別な実施例においてはシリカファイバは(、) 溶
融点を減少する為にp2o5’1加え、屈折率の増加を
抑制する為にFを加えた5to2で形成されたクラッド
。
融点を減少する為にp2o5’1加え、屈折率の増加を
抑制する為にFを加えた5to2で形成されたクラッド
。
(b) 屈折率を増加する為にG e 02を加え、
溶融点を減少する為にP2O5を加えた5102で形成
された外側のコア領域。
溶融点を減少する為にP2O5を加えた5102で形成
された外側のコア領域。
(c) 屈折率を増加する為にkt203を加え、溶
融点を低下し失透を防止する為にP2O5を加え、ポン
プ放射と相互作用をする為に螢光体の添加剤を加えた5
i02で形成された内側のコア領域。
融点を低下し失透を防止する為にP2O5を加え、ポン
プ放射と相互作用をする為に螢光体の添加剤を加えた5
i02で形成された内側のコア領域。
を有する。
ファイバの寸法は信号波長で単一モードである事が好ま
しい。これはいくつかの例えば4以上即ち5のモードを
ポンプ周波数で維持し得る事を意味する。多くの螢光体
の添加剤は稀土類金属を含む。これ等の内張も重要なも
のは、スリー(3)レベル機構でレーザ光を発するEr
と、3及び4のレベル機構でレーデ光を発するNdであ
る。
しい。これはいくつかの例えば4以上即ち5のモードを
ポンプ周波数で維持し得る事を意味する。多くの螢光体
の添加剤は稀土類金属を含む。これ等の内張も重要なも
のは、スリー(3)レベル機構でレーザ光を発するEr
と、3及び4のレベル機構でレーデ光を発するNdであ
る。
本発明によるシリカファイバを作る1つの方法は、通常
MCvDと呼ばれる変形化学蒸着方法を用いる。MCV
Dは、終局的にファイバの操作部を形成するガラスが等
量の塩化物を基板管体の内面に層毎に蒸着される所望の
酸化物に変化する事によって作られるから、内側の蒸着
処理として知られている。通常全体で10乃至30の層
が蒸着される。
MCvDと呼ばれる変形化学蒸着方法を用いる。MCV
Dは、終局的にファイバの操作部を形成するガラスが等
量の塩化物を基板管体の内面に層毎に蒸着される所望の
酸化物に変化する事によって作られるから、内側の蒸着
処理として知られている。通常全体で10乃至30の層
が蒸着される。
最初に蒸着したガラスは孔明きであるが、この孔明き材
料は直ちに溶融して充実した層となシその上に次の層が
蒸着される。総ての層が蒸着されると、管体はロッド状
に変形されファイバ状に引かれる。
料は直ちに溶融して充実した層となシその上に次の層が
蒸着される。総ての層が蒸着されると、管体はロッド状
に変形されファイバ状に引かれる。
本発明によるファイバを作る為に、この処置はクラッド
と外側のコアを作る為に引き続いて行われる。内側のコ
アの先駆物は蒸着されるが孔明きの状態で残る。螢光体
の添加剤を含む添加剤は溶液として孔明き層に加えられ
る。溶剤を除去し、必要に応じて酸化物に変えた後、孔
明き層は固められ管体はロッド状に変形され次いでファ
イバ状に引かれる。
と外側のコアを作る為に引き続いて行われる。内側のコ
アの先駆物は蒸着されるが孔明きの状態で残る。螢光体
の添加剤を含む添加剤は溶液として孔明き層に加えられ
る。溶剤を除去し、必要に応じて酸化物に変えた後、孔
明き層は固められ管体はロッド状に変形され次いでファ
イバ状に引かれる。
孔明き層内に溶液を浸漬する事は光ファイバに添加剤を
加える多くの公知の技術の1つである。
加える多くの公知の技術の1つである。
本発明によれば小さなドープされた中心領域が大きなコ
ア内にある。MCVDの固有の1つの困難性は蒸発によ
って露出した内面から添着剤が損失する傾向がある事で
ある。この問題は本発明が軸上において添加剤の大きな
濃度を必要とするから、受は入れられない。添加剤が削
除された部分は最終の変形の直前に例えばエツチングに
よって除去され得る。変形の最終段階で更に添加剤が損
失するという危険はあるが、これは下記理由によりある
顕著な程度まで起シ得ない。即ち、 (1)露出面が非常に小さいから損失の割合は最小であ
る。
ア内にある。MCVDの固有の1つの困難性は蒸発によ
って露出した内面から添着剤が損失する傾向がある事で
ある。この問題は本発明が軸上において添加剤の大きな
濃度を必要とするから、受は入れられない。添加剤が削
除された部分は最終の変形の直前に例えばエツチングに
よって除去され得る。変形の最終段階で更に添加剤が損
失するという危険はあるが、これは下記理由によりある
顕著な程度まで起シ得ない。即ち、 (1)露出面が非常に小さいから損失の割合は最小であ
る。
(2)最終段階は顕著な損失が生ずるには非常に短かい
時間である。
時間である。
然し乍ら、我々はアルミニュームをコアの屈折率を調節
する為に用いると、添加剤の損失は顕著ではないという
事を発見した。アルミニュームは同時に螢光体の添加剤
、例えばht (No ! ) sとしてアルコールの
溶液中に加え得る。加熱中入z(No、)3はAt20
3に変化する。
する為に用いると、添加剤の損失は顕著ではないという
事を発見した。アルミニュームは同時に螢光体の添加剤
、例えばht (No ! ) sとしてアルコールの
溶液中に加え得る。加熱中入z(No、)3はAt20
3に変化する。
本発明によるファイバは、螢光体の添加剤に対して励起
放射を与える為のポンプを含む一般のファイバ装置を作
る為に用いられる。
放射を与える為のポンプを含む一般のファイバ装置を作
る為に用いられる。
図面はMCVD処理によりて準備された本発明によるフ
ァイバを示す。この7アイパはMCVD処理に用いられ
た基板管体の残シである残留層10t−有する。層10
は光作用を有さない。ファイバは又−般のクラッド1ノ
と非添加の外側領域12及び0.001〜10.0重量
パーセントの濃度のErのような螢光添加剤を含む内側
の領域13t−有するコア14t−もっている。
ァイバを示す。この7アイパはMCVD処理に用いられ
た基板管体の残シである残留層10t−有する。層10
は光作用を有さない。ファイバは又−般のクラッド1ノ
と非添加の外側領域12及び0.001〜10.0重量
パーセントの濃度のErのような螢光添加剤を含む内側
の領域13t−有するコア14t−もっている。
上述したファイバは一般のMCVD処理によって準備さ
れ、この処理中基板管体は反応ガスがその孔を経て通過
し乍らガラス吹付はレース内を回転する。操作中、以下
に述べる3つの異なった反応混合物が用いられる。
れ、この処理中基板管体は反応ガスがその孔を経て通過
し乍らガラス吹付はレース内を回転する。操作中、以下
に述べる3つの異なった反応混合物が用いられる。
約23の管体の短かい部分が伝播する炎によって反応温
度に加熱される。この部分においては塩化物は、孔のあ
いたリング状の下流炎として蒸着する酸化物に変わる。
度に加熱される。この部分においては塩化物は、孔のあ
いたリング状の下流炎として蒸着する酸化物に変わる。
炎が横切ると、クラッドと外側のコアの場合、蒸着物は
溶けて基板管体の内面に薄い層を形成する。内側のコア
の場合、低い温度が用いられるから蒸着物はとけずに孔
を残す。
溶けて基板管体の内面に薄い層を形成する。内側のコア
の場合、低い温度が用いられるから蒸着物はとけずに孔
を残す。
クラッドの先駆物を形成する為に用いられる反応混合物
は5iC24を通る毎分700rILlの02とpoc
t5を通る毎分90−の02の泡立ちによって得られる
。
は5iC24を通る毎分700rILlの02とpoc
t5を通る毎分90−の02の泡立ちによって得られる
。
これ等の2つのガスの流れの混合物は毎分1.5リツタ
ーの02と毎分1.0リツターのH・で薄められる。更
に、毎分6−のCCL2F2が混合物中に含まれる。熱
い区域の温度は1600℃で、炎は毎分18ので横切る
。
ーの02と毎分1.0リツターのH・で薄められる。更
に、毎分6−のCCL2F2が混合物中に含まれる。熱
い区域の温度は1600℃で、炎は毎分18ので横切る
。
かくして、5つのクラッド層が10mの内径の基板管体
上に蒸着される。これ等は一体に溶けてP2O5とフッ
素で添加されfcsto2のクラッド層を形成する。
上に蒸着される。これ等は一体に溶けてP2O5とフッ
素で添加されfcsto2のクラッド層を形成する。
poct3から抽出されるP2O5は溶融を容易にする
5102の溶融点を減少する。P2O5はシリカの屈折
率を僅かに増加するがフッ素は屈折率を僅かに減少する
。2つの濃度を平衡させる事により、5つのクラッド層
の屈折率は純粋のシリカの屈折率と本質的に等しくなる
。かくして、poct5とccz2y2は本質的に5t
O2を含む最終製品を作る際に回答影響を有さない処理
促進剤である。
5102の溶融点を減少する。P2O5はシリカの屈折
率を僅かに増加するがフッ素は屈折率を僅かに減少する
。2つの濃度を平衡させる事により、5つのクラッド層
の屈折率は純粋のシリカの屈折率と本質的に等しくなる
。かくして、poct5とccz2y2は本質的に5t
O2を含む最終製品を作る際に回答影響を有さない処理
促進剤である。
外側のコアを形成する為に、8つの層が次に蒸着される
。各層の為に用いられた反応混合物は5tcz4を通る
毎分200ゴの02とGe C14を通る毎分200−
の02及びpoct、を通る毎分10ゴの02の泡立ち
によって得られる。
。各層の為に用いられた反応混合物は5tcz4を通る
毎分200ゴの02とGe C14を通る毎分200−
の02及びpoct、を通る毎分10ゴの02の泡立ち
によって得られる。
これ等3つのガスの流れの混合物は毎分1,5リツター
の02で薄められる。これ等の8つの層は1500℃で
共に溶融し、炎は毎分16αで横切る。
の02で薄められる。これ等の8つの層は1500℃で
共に溶融し、炎は毎分16αで横切る。
これによって屈折率を増加する為のGeO2とガラスの
溶融点を低下する事により処理を容易にする為のP2O
5を添加した5IO2よりなる外側のコア領域を形成す
る。
溶融点を低下する事により処理を容易にする為のP2O
5を添加した5IO2よりなる外側のコア領域を形成す
る。
内側のコアにおける先駆物は2つの孔明き層に蒸着され
る。反応混合物は5iCt4を通る毎分200ゴの02
とpoct5を通る毎分10−の02の泡立ちによって
得られる。そして毎分1.5リツターの02で薄められ
る。
る。反応混合物は5iCt4を通る毎分200ゴの02
とpoct5を通る毎分10−の02の泡立ちによって
得られる。そして毎分1.5リツターの02で薄められ
る。
炎が横切る率は毎分17cInでアシ、最大温度は13
00℃であるがこの温度は蒸着物を溶かすには非常に低
い。総ての泡立ち操作においては液沸け25℃である。
00℃であるがこの温度は蒸着物を溶かすには非常に低
い。総ての泡立ち操作においては液沸け25℃である。
この点において管体はレースから除去され、IM At
(NO3) 50.08 M ErCt3のエタノール
の溶液内に1時間浸漬することによって孔明き層に添加
物が加えられる。
(NO3) 50.08 M ErCt3のエタノール
の溶液内に1時間浸漬することによって孔明き層に添加
物が加えられる。
浸漬後、管体は1時間N2で乾燥され、レースに戻され
て約800℃〜1000℃で数分間加熱される。これに
よりて溶剤は蒸発する。温度はロッドに変形する為に約
1900℃に上昇する。これは又At(No3)sをA
t203に又ErC23をEr2O3に変化されるなら
ば、約10%容積のct2が02/)Isの混合物中に
加えられる。その結果約2箇の直径のコアが得られた。
て約800℃〜1000℃で数分間加熱される。これに
よりて溶剤は蒸発する。温度はロッドに変形する為に約
1900℃に上昇する。これは又At(No3)sをA
t203に又ErC23をEr2O3に変化されるなら
ば、約10%容積のct2が02/)Isの混合物中に
加えられる。その結果約2箇の直径のコアが得られた。
分散X線技術を用いた分析により、AAとErS+が中
心領域内にあることが認められた。
心領域内にあることが認められた。
大きなコアを選ぶ為の理由は簡単に説明される。
最終の目的は、例えば直径が1〜3μmの非常に小さな
内側のコア内に含まれたEr’十の添加剤を有するファ
イバである。ファイバを得る為には厚い外側のコア(8
層)、薄い内側のコア(2層)及び大きな全体の線引き
比率、即ち約1=105の長さの延びによって決まる。
内側のコア内に含まれたEr’十の添加剤を有するファ
イバである。ファイバを得る為には厚い外側のコア(8
層)、薄い内側のコア(2層)及び大きな全体の線引き
比率、即ち約1=105の長さの延びによって決まる。
中間加工体の厚さは処理を困難にし、2つの工程で引張
られる。先づ外径は7mから3.2mに減少する。即ち
軸方向の線引は1:4.8である。引張られたロッドは
シリカの管体でスリーブ化され、ファイバを得る為に1
:2.5X10’で線引きされる。この時添加剤が変形
中中間加工体の内側の層からなくなるという良く知られ
た問題がある。上述した処理中にA1203が存在し、
この成分の存在においてはEr3+の損失は生じない。
られる。先づ外径は7mから3.2mに減少する。即ち
軸方向の線引は1:4.8である。引張られたロッドは
シリカの管体でスリーブ化され、ファイバを得る為に1
:2.5X10’で線引きされる。この時添加剤が変形
中中間加工体の内側の層からなくなるという良く知られ
た問題がある。上述した処理中にA1203が存在し、
この成分の存在においてはEr3+の損失は生じない。
製品であるファイバは次の測定値を有する。
クラッド11
外径 7μm
内径 4μm
屈折率 シリl嬉8
コア 外側領域12
外径 4μm
内径 1.5μm
Er’十 含まず
コア 内側領域13
外径 1.5μm
Er” 1重量パーセント
一般特性
外径 125μm
LP、1カツトオフ 790 nm
屈折率ステップ 0.01
屈折率ステップはコアの屈折率とクラッドの屈折率との
間の差を示す。
間の差を示す。
このファイバの操作の可能な理論を次に簡単に上述した
考案は、特に3つのレベルシステムとしてレーザー光を
発する添加剤に関連する。
考案は、特に3つのレベルシステムとしてレーザー光を
発する添加剤に関連する。
3つのレベルとは
(、)基底状態、
(b)ポンプレベル
(c)上位のレーザーレベル(準安定レベルとしても知
られている)である。
られている)である。
基底状態のイオンによるポンプ光子の吸収はそのイオン
を上位のポンプレベルに伝え、そこから上位のレーザー
レベル迄非放射的に衰える。そのイオンは次いでレーザ
ー動作転位を経て基底状態に戻る。即ち信号光子を生ず
る。レーザー操作に対して必然的な分布反転を得る為に
、添加剤のイオンの半分以上を基底状態から上位のレー
ザーレベルに送る事が必要である。かくして、空間の特
別の点において、半分以下のイオンが上位のレーザーレ
ベルに送られる々らば、信号ビームはその点で薄くなる
。
を上位のポンプレベルに伝え、そこから上位のレーザー
レベル迄非放射的に衰える。そのイオンは次いでレーザ
ー動作転位を経て基底状態に戻る。即ち信号光子を生ず
る。レーザー操作に対して必然的な分布反転を得る為に
、添加剤のイオンの半分以上を基底状態から上位のレー
ザーレベルに送る事が必要である。かくして、空間の特
別の点において、半分以下のイオンが上位のレーザーレ
ベルに送られる々らば、信号ビームはその点で薄くなる
。
従って、Iンプ密度が最も高い場所、即ち軸上に螢光体
の添加剤を位置させ、ポンプ密度の低い領域に添加剤イ
オンの存在を防ぐ事が最も好ましい。
の添加剤を位置させ、ポンプ密度の低い領域に添加剤イ
オンの存在を防ぐ事が最も好ましい。
単一のモードである信号ビームは又軸上に最大の密度を
有し、励起された添加剤のイオンと重なシかくして有効
に上位のレーザーレベルを減少する。
有し、励起された添加剤のイオンと重なシかくして有効
に上位のレーザーレベルを減少する。
本発明の詳細な説明する為に、比較測定が、両者とも螢
光体としてEr を用いた2つの非常に小さいファイ
バになされた。Aとして示されたファイバは図に示すよ
うに中心のコア領域内にET!r+イオンが位置してい
る。Xとして示された比較されるべきファイバは他の標
準なEr3+の分布、即ちコアの全面に一様に分布され
たEr’十を有している。
光体としてEr を用いた2つの非常に小さいファイ
バになされた。Aとして示されたファイバは図に示すよ
うに中心のコア領域内にET!r+イオンが位置してい
る。Xとして示された比較されるべきファイバは他の標
準なEr3+の分布、即ちコアの全面に一様に分布され
たEr’十を有している。
両ファイバの詳細を表1に示す。
表 1
直径(μm) A
X全体 125 125 クラッド(11) 6.0
6.0コア(J 2) 3.5
3.5内側の領域 (13) 1
.0 なし屈折率ステップ 0.
0100±0.005 0.0095±o、oosLP
、、モードカットオフ(nm) 790
790フアイバAの場合、添加剤は内側の領域1
3内にのみ含まれる。ファイバAの場合Ers+の濃度
は全体のコアを基準にして0.45%重量或は0.03
7チ重量である。ファイバXの場合、Er3+の濃度は
全体のコア74ft基準にして0.054重量である。
X全体 125 125 クラッド(11) 6.0
6.0コア(J 2) 3.5
3.5内側の領域 (13) 1
.0 なし屈折率ステップ 0.
0100±0.005 0.0095±o、oosLP
、、モードカットオフ(nm) 790
790フアイバAの場合、添加剤は内側の領域1
3内にのみ含まれる。ファイバAの場合Ers+の濃度
は全体のコアを基準にして0.45%重量或は0.03
7チ重量である。ファイバXの場合、Er3+の濃度は
全体のコア74ft基準にして0.054重量である。
2つのファイバの性能は各々の透明度を測定する事によ
りて比較された。
りて比較された。
透明度を測定する為に、ボングツ譬ワーがその長さに沿
って大きく変化しないように短かい長さのファイバが用
いられる。試験は信号を1.5μmの波長で発射し、5
28.7μmの波長でファイバの反対端部に送る事でな
された。信号の入力と出力とはボン7″パワーのいくつ
かの値に対して測定された。
って大きく変化しないように短かい長さのファイバが用
いられる。試験は信号を1.5μmの波長で発射し、5
28.7μmの波長でファイバの反対端部に送る事でな
された。信号の入力と出力とはボン7″パワーのいくつ
かの値に対して測定された。
信号が増巾もせず或は減衰もしない特別なポンプノぐワ
ーがあり、このノ母ワーは透明度として知られている。
ーがあり、このノ母ワーは透明度として知られている。
この名称は、ファイバはこのポンジノ4ワーにおいて疑
似的に完全に透明な窓を形成するから適当と思われる。
似的に完全に透明な窓を形成するから適当と思われる。
透明度よりも大きなポンプノJ?ワーでは、ファイバは
信号ビームを増巾し、小さいポンプノクワーでは、ファ
イバは信号ビームを減衰する。透明度は本発明の性能の
直接の測定値であシ、透明度が小さければ性能は良くな
る。2つのファイバの透明度は ファイバA 0.8 mW ファイバX 1.4mW 比率 1:1.75 である。
信号ビームを増巾し、小さいポンプノクワーでは、ファ
イバは信号ビームを減衰する。透明度は本発明の性能の
直接の測定値であシ、透明度が小さければ性能は良くな
る。2つのファイバの透明度は ファイバA 0.8 mW ファイバX 1.4mW 比率 1:1.75 である。
本発明によるファイバは比較ファイバよりも更に小さい
ポンプ/4’ワーで利得を得た。
ポンプ/4’ワーで利得を得た。
図面は本発明によるファイバの断面図である。
11・・・クラッド、12・・・外側のコア、13・°
゛内側コア、14・・・コア。
゛内側コア、14・・・コア。
Claims (6)
- (1)コア内に螢光体の添加剤を含み、螢光装置を形成
するのに適した光ファイバであって、添加剤の濃度はコ
アとクラッドとの間の境界面におけるよりもコアの軸に
おける方が大きい事を特徴とする光ファイバ。 - (2)コアは内側領域とこの内側領域を包囲する外側領
域とよりなり、添加剤の殆んどが内側領域内に含まれる
請求項1記載の光ファイバ。 - (3)添加剤はコアの内側領域内に実質的に一様に分布
される請求項2記載の光ファイバ。 - (4)添加剤は稀土類元素である前記請求項の何れか1
項記載の光ファイバ。 - (5)添加剤はEr、Nd、Pr、Ho、Yb及びTm
から選ばれる請求項4記載の光ファイバ。 - (6)(a)第1の屈折率を有する第1のガラス成分か
ら形成されたクラッド領域と、 (b)クラッド領域によって包囲され、前記第1の屈折
率よりも大きな第2の屈折率を有する第2のガラス成分
より形成された外側のコア領域と、(c)前記外側のコ
ア領域によって包囲され、前記第2の屈折率に実質的に
等しい屈折率を有する第3のガラス成分で形成され、第
3のガラス成分はレーザー動作転位をなし得るEr、N
d、Pr、Ho、Tb、及びTmから選ばれた元素であ
る添加剤を有し、この添加剤の濃度は全体の第3のガラ
ス成分を基準にして前記元素の0.001〜10%重量
である内側のコア領域とよりなる光ファイバ。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| GB878724736A GB8724736D0 (en) | 1987-10-22 | 1987-10-22 | Optical fibre |
| GB8724736 | 1987-10-22 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4215123A Division JPH05283789A (ja) | 1987-10-22 | 1992-08-12 | 光ファイバ及びその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01145881A true JPH01145881A (ja) | 1989-06-07 |
| JPH07118558B2 JPH07118558B2 (ja) | 1995-12-18 |
Family
ID=10625717
Family Applications (3)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63265903A Expired - Lifetime JPH07118558B2 (ja) | 1987-10-22 | 1988-10-21 | 光ファイバ |
| JP4215123A Pending JPH05283789A (ja) | 1987-10-22 | 1992-08-12 | 光ファイバ及びその製造方法 |
| JP10296953A Pending JPH11195832A (ja) | 1987-10-22 | 1998-10-19 | 光ファイバ並びに光増幅器の製造方法 |
Family Applications After (2)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4215123A Pending JPH05283789A (ja) | 1987-10-22 | 1992-08-12 | 光ファイバ及びその製造方法 |
| JP10296953A Pending JPH11195832A (ja) | 1987-10-22 | 1998-10-19 | 光ファイバ並びに光増幅器の製造方法 |
Country Status (11)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US4923279A (ja) |
| EP (2) | EP0313209B1 (ja) |
| JP (3) | JPH07118558B2 (ja) |
| AT (2) | ATE81925T1 (ja) |
| CA (2) | CA1327845C (ja) |
| DE (2) | DE3856092T2 (ja) |
| ES (2) | ES2111006T3 (ja) |
| GB (1) | GB8724736D0 (ja) |
| GR (2) | GR3006615T3 (ja) |
| HK (1) | HK128796A (ja) |
| SG (1) | SG47966A1 (ja) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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