JPH01155638A - 光入力デバイスのウエハテスト装置 - Google Patents

光入力デバイスのウエハテスト装置

Info

Publication number
JPH01155638A
JPH01155638A JP31444687A JP31444687A JPH01155638A JP H01155638 A JPH01155638 A JP H01155638A JP 31444687 A JP31444687 A JP 31444687A JP 31444687 A JP31444687 A JP 31444687A JP H01155638 A JPH01155638 A JP H01155638A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
optical input
wafer
light
input device
input devices
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP31444687A
Other languages
English (en)
Inventor
Hirotaka Nakamura
中村 博隆
Shinji Nakane
真司 中根
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Mitsubishi Electric Corp filed Critical Mitsubishi Electric Corp
Priority to JP31444687A priority Critical patent/JPH01155638A/ja
Publication of JPH01155638A publication Critical patent/JPH01155638A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)
  • Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は、光入力デバイスのウェハテスト装置に関す
るものである。
〔従来の技術〕
第2図(−)はグローブカードとステージとからなる従
来の光入力デバイスのウェハテスト装置を示す断面図で
ある。図において、(1]はステージ、(2jは被測定
ウェハ&(3)はグローブカードh(41は光の入幻信
号である。
また、第2図(b)は被測定光入力デバイスの分光特性
を示T。
次に動作について説明する。
従来のウェハテスト装置では、光のへカ信号(4(を琳
純に被測定ウェハ(2)に入射して行なっていた。
このよりな条件下ではシリコンチップ二の表面保護膜(
S+01や5iN)のために光の多重反射がおこり、受
光素子部のシリコンへ入射する光の強度は波長依存性を
持ち、結果として被測定光入力デバイスの分光特性は第
2図(b)のように入射波長により感度が大きく変化す
る。
〔発明が解決しようとする問題点〕
従来の光入力デバイスのウェハテスト装置は以上のよう
に構成されているので、光入力の長面保護膜での多重反
射により、被測定ウェハ(21の分光感度特性が著しく
乱れるといり問題点があった。
この発明は二記のような問題点を解消するためになされ
たもので被測定光入力デバイスの分光感度特性にベラツ
キが生じるのを防止できる光入力デバイスの9エバテス
ト装置を得ることを目的とする。
〔問題点を解決するための手段〕
この発明に係る光入力デバイスのウェハテスト装置は、
ウェハの光入力部分に光拡散板を設けたものである@ 〔作 用〕 この発明における光入力デバイスのウェハテスト装置は
グローブカードtに設けられた光拡散板により分光感度
特性のバラツキが防止され、ウェハテストの精度が向t
する。
〔実施列〕
以F、この発明の実施例を図について説明する。
m1図(a)は、この発明の一実施例による光入力デバ
イスのウェハテスト装置を示す断面図である。
図において、(1)はステージ、(2)は被測定9エバ
、(3)はグローブカード、(4)は光の入力信号、(
5)は光拡散仮である。また、第1図(b)は光拡散仮
(51を通した後の光入力デバイスの分光感度特性を示
す。
第1図(a)のような構成からなる光入力デバイスのウ
ェハテスト装置では、光入力(4)は光拡散板(5)に
よって拡散され被測定ウェハ(2)には。拡散された光
入力(6)が当るので、第1図(b)のようなバラツキ
のない分光感度特性を得る事ができる。
〔発明の効果〕
以二のように、この発明の光入りデバイスのウェハテス
ト装置に工れば、グローブカードtK表面を凹凸化した
光拡散板を設けたので1分光感度特性にバラツキが生じ
るのを防止でき、9エバテストの精度向上と、それによ
る歩留り向tが得られる効果がある。
【図面の簡単な説明】
第1図(a)、及び(b)はこの発明の実施例による光
入力デバイスの9エバテスト装置の断面図、及び被測定
先入カデ/イイスの分光感度特性を示す図、第2図(a
)、及び(b)は従来例による光入力デバイスのウェハ
テスト装置の断面図、及び被測定光入力デバイスの分光
感度特性を示す図である。 図において(1)はステージ、(2)は被測定9エバ。 (31はグローブカード、(4は光の入力信号、(5)
は光拡散板、(6)は拡散された光入力である。 なお2図中同一符号は同−又は相尚部分を示す。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1.  シリコンウェハ内に形成された受光素子を有する光入
    力デバイスのウェハテスト装置において、テスト用光源
    と光入力デバイスの間に光拡散板を設けたことを特徴と
    する光入力デバイスのウェハテスト装置。
JP31444687A 1987-12-11 1987-12-11 光入力デバイスのウエハテスト装置 Pending JPH01155638A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP31444687A JPH01155638A (ja) 1987-12-11 1987-12-11 光入力デバイスのウエハテスト装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP31444687A JPH01155638A (ja) 1987-12-11 1987-12-11 光入力デバイスのウエハテスト装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH01155638A true JPH01155638A (ja) 1989-06-19

Family

ID=18053455

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP31444687A Pending JPH01155638A (ja) 1987-12-11 1987-12-11 光入力デバイスのウエハテスト装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH01155638A (ja)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US5115124A (en) Semiconductor photosensor having unitary construction
JPS6398548A (ja) 物質濃度を測定するためのセンサ素子
US3597045A (en) Automatic wafer identification system and method
JPH01155638A (ja) 光入力デバイスのウエハテスト装置
JPS6118078A (ja) 近接パタ−ン検出装置
US2509366A (en) Light meter having reflecting means to receive light from two opposite directions
JPS59148372A (ja) 感光装置
JP3338118B2 (ja) 半導体装置の製造方法
JPH07226524A (ja) 光電変換装置
Boling et al. Monolithic wideband parallel channel detector array
JPS62201326A (ja) 測光装置
JP3256764B2 (ja) 広範囲位置ディテクター
JP3319666B2 (ja) エッジ検出装置
JPS60213830A (ja) ホトダイオ−ドアレイ
Verter et al. Infrared Properties of Molecular Cirrus
JPH04318415A (ja) Icチップ及び位置検出装置
JPS62130560A (ja) 密着型イメ−ジセンサの構造
Allen et al. Comparison of Molecular Gas and Dust Emission from the Serpens Dark Cloud Core
SU377821A1 (ru) КОГЕРЕНТНЫЙ ОПТИЧЕСКИЙ КОРРЕЛОМЕТРи~ • ^ .г ?? Л Т';V 1"г'i f"« •-:-•••'.-;•..f (^Hk:r! й-;..:'-;.-,;:'• ^'.L.
JPS63281458A (ja) 半導体受光装置及びその製造方法
JPS63153868A (ja) 光電変換装置
Jarrett et al. Molecular Gas, Infrared Emission and Visual Extinction in Heiles' Cloud 2
Fuller et al. Anatomy of a Dense Core Around a Young Low-Mass Star In B5
Leisawitz A Model for the Infrared and Radio Emission of an OB Star Cluster Environment
JPS58193426A (ja) 光検出器