JPH01182324A - 含フッ素ポリイミドの製造方法 - Google Patents
含フッ素ポリイミドの製造方法Info
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- JPH01182324A JPH01182324A JP475988A JP475988A JPH01182324A JP H01182324 A JPH01182324 A JP H01182324A JP 475988 A JP475988 A JP 475988A JP 475988 A JP475988 A JP 475988A JP H01182324 A JPH01182324 A JP H01182324A
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- Polymers With Sulfur, Phosphorus Or Metals In The Main Chain (AREA)
- Macromolecular Compounds Obtained By Forming Nitrogen-Containing Linkages In General (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は誘電率、屈折率の小さい含フツ素ポリイミド及
びその製造方法に関する。
びその製造方法に関する。
ポリイミドは種々の有機ポリマーの中で耐熱性に最も優
れているため、宇宙、航空分野から電子通信分野まで幅
広く使われ始めている。特に最近では、単に耐熱性に優
れているだけでなく、用途に応じて種々の性能を合せ持
つことが期待されている。例えｄ１プリン′ト板や層間
絶縁膜などでは、誘電率が小さいことが期待され、光通
信関係特に光導波路のクラツド材には屈折率が小さいこ
とが期待されている。しかしながら、これらの性能に十
分満足のいくポリイミドは得られていない。これらの低
誘電性、低屈折性ポリイミドを得るためには、これらの
性能を発現する置換基を導入する方法が考えられる。
れているため、宇宙、航空分野から電子通信分野まで幅
広く使われ始めている。特に最近では、単に耐熱性に優
れているだけでなく、用途に応じて種々の性能を合せ持
つことが期待されている。例えｄ１プリン′ト板や層間
絶縁膜などでは、誘電率が小さいことが期待され、光通
信関係特に光導波路のクラツド材には屈折率が小さいこ
とが期待されている。しかしながら、これらの性能に十
分満足のいくポリイミドは得られていない。これらの低
誘電性、低屈折性ポリイミドを得るためには、これらの
性能を発現する置換基を導入する方法が考えられる。
例えばエポキシ樹脂においては、本発明者らは、ジャー
ナル オブ ポリマー サイエンス（Ｊｏｕｒｎａ’ｌ
ｏｆ Ｐｏｌｙｍｅｒ ５ｃｉｅｎｃｅ ） のパ
ート（Ｐａｒｔ）Ｃ１ポリマー レタース（Ｐｏｌｙｍ
ｅｒ Ｌｅｔｔｅｒａ ）第２４巻、第２４９頁（１９
８６）に示されているようにエポキシ樹脂の硬化剤に多
フツ素置換基を導入することによりこれまでのエポキシ
樹脂の中で最も低い誘を率を達成している。また特開昭
６１−４４９６９号公報で示されているように、屈折率
においても多フツ素置換基を導入することにより、これ
までのエポキシ樹脂の中で最も低い値を達成している・
このようにフッ素置換基を導入することによシ、誘電率
、屈折率の低減が期待できる。
ナル オブ ポリマー サイエンス（Ｊｏｕｒｎａ’ｌ
ｏｆ Ｐｏｌｙｍｅｒ ５ｃｉｅｎｃｅ ） のパ
ート（Ｐａｒｔ）Ｃ１ポリマー レタース（Ｐｏｌｙｍ
ｅｒ Ｌｅｔｔｅｒａ ）第２４巻、第２４９頁（１９
８６）に示されているようにエポキシ樹脂の硬化剤に多
フツ素置換基を導入することによりこれまでのエポキシ
樹脂の中で最も低い誘を率を達成している。また特開昭
６１−４４９６９号公報で示されているように、屈折率
においても多フツ素置換基を導入することにより、これ
までのエポキシ樹脂の中で最も低い値を達成している・
このようにフッ素置換基を導入することによシ、誘電率
、屈折率の低減が期待できる。
しかしながら、これまでにポリイミドにフッ素置換基を
導入して低誘を率、低屈折率を達成したという報告はな
い。
導入して低誘を率、低屈折率を達成したという報告はな
い。
本発明の目的は、従来のポリイミドでは有していなかっ
た低誘電率、低屈折率を有する含フツ素ポリイミド及び
その製造方法を提供することにめる０ 〔課題を解決するための手段〕 本発明を概説すれば、本発明の第１の発明は含フツ素ポ
リイミドに関する発明であって、下記−数式Ｉ： 〔式中又は４価の有機基、Ｙは一〇−（ＣＨりｎ（ＣＦ
ｚ）ｍＦ基（ｎは１又は２、Ｉｎは０〜１０の数を示す
）、る繰返し単位を含有していることを特徴とするＯそ
して、本発明の第２の発明は第１の発明の含フツ素ポリ
イミドの製造方法に関する発明であって、下記−数式Ｉ
： （式中Ｘは４価の有機基を示す）で表されるテトラカル
ボン酸二無水物と全反応させることを特徴とする。
た低誘電率、低屈折率を有する含フツ素ポリイミド及び
その製造方法を提供することにめる０ 〔課題を解決するための手段〕 本発明を概説すれば、本発明の第１の発明は含フツ素ポ
リイミドに関する発明であって、下記−数式Ｉ： 〔式中又は４価の有機基、Ｙは一〇−（ＣＨりｎ（ＣＦ
ｚ）ｍＦ基（ｎは１又は２、Ｉｎは０〜１０の数を示す
）、る繰返し単位を含有していることを特徴とするＯそ
して、本発明の第２の発明は第１の発明の含フツ素ポリ
イミドの製造方法に関する発明であって、下記−数式Ｉ
： （式中Ｘは４価の有機基を示す）で表されるテトラカル
ボン酸二無水物と全反応させることを特徴とする。
本発明者らは、フッ素化ポリイミドの分子構造について
種々検討し、側鎖に直鎖状のポリフルオロアルキル基を
エーテル結合を介して導入した■式の含フツ素芳香族ジ
アミンを用いることによシ、誘電率、屈折率とも従来の
ポリイミドに比較して小さい含フツ素ポリイミドが得ら
れることを明らかにした。
種々検討し、側鎖に直鎖状のポリフルオロアルキル基を
エーテル結合を介して導入した■式の含フツ素芳香族ジ
アミンを用いることによシ、誘電率、屈折率とも従来の
ポリイミドに比較して小さい含フツ素ポリイミドが得ら
れることを明らかにした。
本発明に使用できるテトラカルボン酸二無水物としては
、上記の１式で示されるもの、及びそれらの混合物はす
べてよく、例えば、又としなどがある。
、上記の１式で示されるもの、及びそれらの混合物はす
べてよく、例えば、又としなどがある。
また本発明に使用できる含フツ素芳香族ジアミンは１式
で示されるもの、及びそれらの混合物はすべてよい。ま
た一般の芳′香族ジアミン、脂肪族ジアミンと併用して
もよい。
で示されるもの、及びそれらの混合物はすべてよい。ま
た一般の芳′香族ジアミン、脂肪族ジアミンと併用して
もよい。
本発明においては、まず１式で示される含フツ素芳香族
ジアミンを含有するジアミンとテトラカルボン酸二無水
物との反応からポリアミドｔＲを製造する。この時の配
合割合はジアミン１モルに対してテトラカルボン酸二無
水物１モルが最もよいが、α９〜１．１モルの範囲でも
よい。
ジアミンを含有するジアミンとテトラカルボン酸二無水
物との反応からポリアミドｔＲを製造する。この時の配
合割合はジアミン１モルに対してテトラカルボン酸二無
水物１モルが最もよいが、α９〜１．１モルの範囲でも
よい。
反応条件は通常のポリアミド酸の重合条件と同じでよく
、−数的にはＮ−メチル−２−ピロリドン、Ｎ、Ｎ−ジ
メチルアセトアミド、Ｎ、Ｎ−ジメチルホルムアミドな
どの有機溶媒中で反応させる。
、−数的にはＮ−メチル−２−ピロリドン、Ｎ、Ｎ−ジ
メチルアセトアミド、Ｎ、Ｎ−ジメチルホルムアミドな
どの有機溶媒中で反応させる。
次に得られたポリアミド酸のイミド化によるポリイミド
の合成であるが、これも通常のポリイミドの合成法が使
用できる。
の合成であるが、これも通常のポリイミドの合成法が使
用できる。
以下実施例によシ本発明の含フツ素ポリイーミド及びそ
の製造方法について詳細に説明するが、本発明はこれら
実施例に限定されない。
の製造方法について詳細に説明するが、本発明はこれら
実施例に限定されない。
実施例１
ナスフラスコに６−（ＩＨ，ＩＨ−ペンタテカフルオロ
オクタノキシ）−１，３−ジアミノベン４フ＆０６１％
Ｎ−メｆルー２−ピロリドン（ＮＭＰ）６０ｆを加えた
。この混合物が均一溶液になるまで室温でかくはんした
。この溶液に３．５： ４．４’−ベンゾフェノンナト
２カルボン酸二無水物１ｈ４４ｆ′ｆｔ：加えた。この
混合物を窒素雰囲気下、室温で５日間かくはんし、ポリ
アミド酸のＮＭＰ溶液を得た。このものをアルミ板上に
流し、ドクターブレードで平たんにした後、１００℃で
１時間、２００℃で１時間、３００℃で１時間加熱キュ
アした。このアルミ板ヲ１０重ｔチＨＣ１水溶液に浸し
、アルミ板を溶解して含フツ素ポリイミドフィルムを得
た。後舊己第１表に示すように、このものの１ ｋＨｚ
での誘電率（りは五〇、屈折率（ｎＤ）はｔ５３６であ
ったＯ 比較例１ 実施例１の６−（ＩＨ，ＩＨ−バンタデヵフルオロオク
タノキシ）−１，３−ジアミノベンゼンの代）に、１．
３−ジアミノベンゼンを用いて同様の操作を行い、ポリ
イミドフィルムを得た。
オクタノキシ）−１，３−ジアミノベン４フ＆０６１％
Ｎ−メｆルー２−ピロリドン（ＮＭＰ）６０ｆを加えた
。この混合物が均一溶液になるまで室温でかくはんした
。この溶液に３．５： ４．４’−ベンゾフェノンナト
２カルボン酸二無水物１ｈ４４ｆ′ｆｔ：加えた。この
混合物を窒素雰囲気下、室温で５日間かくはんし、ポリ
アミド酸のＮＭＰ溶液を得た。このものをアルミ板上に
流し、ドクターブレードで平たんにした後、１００℃で
１時間、２００℃で１時間、３００℃で１時間加熱キュ
アした。このアルミ板ヲ１０重ｔチＨＣ１水溶液に浸し
、アルミ板を溶解して含フツ素ポリイミドフィルムを得
た。後舊己第１表に示すように、このものの１ ｋＨｚ
での誘電率（りは五〇、屈折率（ｎＤ）はｔ５３６であ
ったＯ 比較例１ 実施例１の６−（ＩＨ，ＩＨ−バンタデヵフルオロオク
タノキシ）−１，３−ジアミノベンゼンの代）に、１．
３−ジアミノベンゼンを用いて同様の操作を行い、ポリ
イミドフィルムを得た。
後記第１表に示すように、このものの１ ｋＨｇでの誘
電率は五５、屈折率（ｎＤ）は１．６７５であった。
電率は五５、屈折率（ｎＤ）は１．６７５であった。
これらの結果から、本発明の含フツ素ポリイミドフィル
ムは従来のものと比較して、低誘電率、かつ低屈折率の
性質を有していることが明らかとなった。
ムは従来のものと比較して、低誘電率、かつ低屈折率の
性質を有していることが明らかとなった。
実施例２〜１８
実施例１と同様の方法を用いて、種々のジアミンと種々
の酸無水物を等モルずり用いることによシ含フッ素ポリ
イミドフィルムを得た。第１表に用いたジアミン、及び
酸無水物の構造と合成した含７ツ累ポリイミドの１ ｋ
Ｈ２での誘電率（す、及び屈折率（ｎｎ ） ｔ−示す
◎これらの結果からも本発明の含フッ素ボリイξドフイ
ルムは、従来のポリイミドフィルムと比較して、低誘電
率、及び低屈折率の性質を示すことが明らかである。
の酸無水物を等モルずり用いることによシ含フッ素ポリ
イミドフィルムを得た。第１表に用いたジアミン、及び
酸無水物の構造と合成した含７ツ累ポリイミドの１ ｋ
Ｈ２での誘電率（す、及び屈折率（ｎｎ ） ｔ−示す
◎これらの結果からも本発明の含フッ素ボリイξドフイ
ルムは、従来のポリイミドフィルムと比較して、低誘電
率、及び低屈折率の性質を示すことが明らかである。
以上説明したように、本発明の含フツ素ポリイミドは、
誘電率％屈折率が小さいため、電子部品、光部品に使用
した場合その部品の性能を向上させる利点がある。
誘電率％屈折率が小さいため、電子部品、光部品に使用
した場合その部品の性能を向上させる利点がある。
特許出願人 日本電信電話株式会社
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、下記一般式 I ： ▲数式、化学式、表等があります▼・・・〔 I 〕 〔式中Ｘは４価の有機基、Ｙは−Ｏ−（ＣＨ＿２）＿ｎ
（ＣＦ＿２）＿ｍＦ基（ｎは１又は２、ｍは０〜１０の
数を示す）▲数式、化学式、表等があります▼基又は▲
数式、化学式、表等があります▼基を示す〕で表さ れる繰返し単位を含有していることを特徴とする含フッ
素ポリイミド。 ２、下記一般式II： ▲数式、化学式、表等があります▼・・・〔II〕 〔式中Ｙは−Ｏ−（ＣＨ＿２）＿ｎ（ＣＦ＿２）＿ｍＦ
基（ｎは１又は２、ｍは０〜１０の数を示す）、▲数式
、化学式、表等があります▼基 又は▲数式、化学式、表等があります▼基を示す〕で表
される含フッ素 芳香族ジアミンを含有するジアミンと、下記一般式：I
II ▲数式、化学式、表等があります▼・・・〔III〕 （式中Ｘは４価の有機基を示す）で表されるテトラカル
ボン酸二無水物とを反応させることを特徴とする請求項
１記載の含フッ素ポリイミドの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP475988A JPH0794554B2 (ja) | 1988-01-14 | 1988-01-14 | 含フッ素ポリイミドの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP475988A JPH0794554B2 (ja) | 1988-01-14 | 1988-01-14 | 含フッ素ポリイミドの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01182324A true JPH01182324A (ja) | 1989-07-20 |
| JPH0794554B2 JPH0794554B2 (ja) | 1995-10-11 |
Family
ID=11592819
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP475988A Expired - Lifetime JPH0794554B2 (ja) | 1988-01-14 | 1988-01-14 | 含フッ素ポリイミドの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0794554B2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04211203A (ja) * | 1990-02-13 | 1992-08-03 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 誘電体多層膜フィルタおよびその製造方法並びにこれを用いた光学要素 |
| US5354839A (en) * | 1992-04-07 | 1994-10-11 | Mitsui Toatsu Chemicals, Incorporated | Polyimide and preparation process of same |
| US5470943A (en) * | 1994-01-07 | 1995-11-28 | Mitsui Toatsu Chemicals, Inc. | Polyimide |
| KR100319489B1 (ko) * | 1999-11-25 | 2002-01-05 | 김충섭 | 과불소알킬-실록산그룹함유 고분자 및 이를 이용한 고분자분리막 |
-
1988
- 1988-01-14 JP JP475988A patent/JPH0794554B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04211203A (ja) * | 1990-02-13 | 1992-08-03 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 誘電体多層膜フィルタおよびその製造方法並びにこれを用いた光学要素 |
| US5354839A (en) * | 1992-04-07 | 1994-10-11 | Mitsui Toatsu Chemicals, Incorporated | Polyimide and preparation process of same |
| US5470943A (en) * | 1994-01-07 | 1995-11-28 | Mitsui Toatsu Chemicals, Inc. | Polyimide |
| KR100319489B1 (ko) * | 1999-11-25 | 2002-01-05 | 김충섭 | 과불소알킬-실록산그룹함유 고분자 및 이를 이용한 고분자분리막 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0794554B2 (ja) | 1995-10-11 |
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