JPH01184919A - Ｘ線リソグラフィー用マスク構造体 - Google Patents
Ｘ線リソグラフィー用マスク構造体Info
- Publication number
- JPH01184919A JPH01184919A JP63008240A JP824088A JPH01184919A JP H01184919 A JPH01184919 A JP H01184919A JP 63008240 A JP63008240 A JP 63008240A JP 824088 A JP824088 A JP 824088A JP H01184919 A JPH01184919 A JP H01184919A
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- JP
- Japan
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- film
- ray
- mask
- mask material
- lithography
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Landscapes
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明はＸ線リソグラフィー用マスク構造体に関する。
［従来の技術］
Ｘ線リソグラフィーはＸ線固有の高透過率（低吸収）、
短波長等の性質に基づき、これまでの可視光や紫外光に
よるリソグラフィーより優れた多くの点を持っており、
サブミクロンリソグラフィーの有力な手段として注目さ
れつつあるしかしながら、Ｘ線源のパワー不足、レジス
トの低感度、アライメントの困難さ、マスク材料の選定
及び加工方法の困難さなどから、生産性が低く、コスト
が高い等の欠点があり、実用化が遅れている。
短波長等の性質に基づき、これまでの可視光や紫外光に
よるリソグラフィーより優れた多くの点を持っており、
サブミクロンリソグラフィーの有力な手段として注目さ
れつつあるしかしながら、Ｘ線源のパワー不足、レジス
トの低感度、アライメントの困難さ、マスク材料の選定
及び加工方法の困難さなどから、生産性が低く、コスト
が高い等の欠点があり、実用化が遅れている。
その中で、Ｘ線リソグラフィー用マスクを取り挙げてみ
ると、可視光および紫外光リソグラフィーでは、マスク
材保持体（即ち、光線透過体）としてガラス板および石
英板が利用されてきたが、Ｘ線リソグラフィーにおいて
は、利用できる光線の波長が１〜２００人とされており
、これまでのガラス板や石英板はＸ線波長域での吸収が
大きく、且つ厚さも１〜２ｍｍと厚くせざるをえないた
め、Ｘ線を充分に透過させないので、これらはＸ線リソ
グラフィー用マスク材保持体の材料としては不適である
。
ると、可視光および紫外光リソグラフィーでは、マスク
材保持体（即ち、光線透過体）としてガラス板および石
英板が利用されてきたが、Ｘ線リソグラフィーにおいて
は、利用できる光線の波長が１〜２００人とされており
、これまでのガラス板や石英板はＸ線波長域での吸収が
大きく、且つ厚さも１〜２ｍｍと厚くせざるをえないた
め、Ｘ線を充分に透過させないので、これらはＸ線リソ
グラフィー用マスク材保持体の材料としては不適である
。
Ｘ線透過率は一般に物質の密度に依存するため、Ｘ線リ
ソグラフィー用マスク材保持体の材料として、密度の低
い無機物や有機物が検討されつつある。このような材料
としては、例えば、ベリリウム（Ｂｅ） 、チタン（Ｔ
ｉ） 、ケイ素（Ｓｉ） 、ホウ素（Ｂ）の単体および
それらの化合物などの無機物、またはポリイミド、ポリ
アミド、ポリエステル、パリレン等の有機物が挙げられ
る。
ソグラフィー用マスク材保持体の材料として、密度の低
い無機物や有機物が検討されつつある。このような材料
としては、例えば、ベリリウム（Ｂｅ） 、チタン（Ｔ
ｉ） 、ケイ素（Ｓｉ） 、ホウ素（Ｂ）の単体および
それらの化合物などの無機物、またはポリイミド、ポリ
アミド、ポリエステル、パリレン等の有機物が挙げられ
る。
これらの物質をＸ線リソグラフィー用マスク材保持体の
材料として実際５用いるためには、Ｘ線透過量をできる
だけ大きくするために薄膜化することが必要であり、無
機物の場合で数μ以下、有機物の場合で数十−以下の厚
さに形成することが、要求されている。このため、例え
ば、無機物薄膜およびその複合膜から成るマスク材保持
膜の形成にあたっては、平面性の優れたシリコンウェハ
ー上に蒸着などによって窒化シリコン、酸化シリコン、
窒化ボロン、炭化シリコンなどの薄膜を形成した後にシ
リコンウェハーをエツチングによって除去する方法が提
案されている。
材料として実際５用いるためには、Ｘ線透過量をできる
だけ大きくするために薄膜化することが必要であり、無
機物の場合で数μ以下、有機物の場合で数十−以下の厚
さに形成することが、要求されている。このため、例え
ば、無機物薄膜およびその複合膜から成るマスク材保持
膜の形成にあたっては、平面性の優れたシリコンウェハ
ー上に蒸着などによって窒化シリコン、酸化シリコン、
窒化ボロン、炭化シリコンなどの薄膜を形成した後にシ
リコンウェハーをエツチングによって除去する方法が提
案されている。
なお、以上のような保持薄膜上に保持されるＸ線リソグ
ラフィー用マスク材（即ち、Ｘ線吸収体）としては、一
般に密度の高い物質、例えば、金、白金、タングステン
、銅、ニッケルおよびそれらを含む化合物などの薄膜が
使用されている。
ラフィー用マスク材（即ち、Ｘ線吸収体）としては、一
般に密度の高い物質、例えば、金、白金、タングステン
、銅、ニッケルおよびそれらを含む化合物などの薄膜が
使用されている。
特に、０．５〜１間厚の薄膜からなるものが好ましく使
用されている。
用されている。
このようなマスク材は、例えば、上記Ｘ線透過膜上に一
様に上記高密度物質の薄膜を形成した後、レジストを塗
布し、該レジストに電子ビーム、光等により所望のパタ
ーン描画を行ない、しかる後にエツチングなどの手段を
用いて所望のパターンに作成される。
様に上記高密度物質の薄膜を形成した後、レジストを塗
布し、該レジストに電子ビーム、光等により所望のパタ
ーン描画を行ない、しかる後にエツチングなどの手段を
用いて所望のパターンに作成される。
［発明が解決しようとする課題］
以上の如く、従来のＸ線リソグラフィーにおいては、マ
スク材保持薄膜のＸ線透過率、可視および近赤外の透過
率が低く、十分なＸ線透過量、可視および近赤外光透過
量を得るには、マスク保持膜を数−以下にする必要があ
る。しかし、そのようにすることは必ずしも容易なこと
ではなく、歩留りが良くない。強度的にも問題がある。
スク材保持薄膜のＸ線透過率、可視および近赤外の透過
率が低く、十分なＸ線透過量、可視および近赤外光透過
量を得るには、マスク保持膜を数−以下にする必要があ
る。しかし、そのようにすることは必ずしも容易なこと
ではなく、歩留りが良くない。強度的にも問題がある。
また、微小な膜厚の差によっても物性が変わり、再現性
の良い製造には向かない。
の良い製造には向かない。
また、近年Ｘ線の線源としてＳＯＲ光が注目されており
、従来の電子衝撃型Ｘ線源から発生するＸ線に比べて、
使用する波長の幅も広く、パワーも大きいため、Ｘ線リ
ソグラフィー用材保持体の、広範囲な波長におけるＸ線
透過率、熱安定性およびＸ線耐性が大きな問題となって
いる。
、従来の電子衝撃型Ｘ線源から発生するＸ線に比べて、
使用する波長の幅も広く、パワーも大きいため、Ｘ線リ
ソグラフィー用材保持体の、広範囲な波長におけるＸ線
透過率、熱安定性およびＸ線耐性が大きな問題となって
いる。
本発明は、広い範囲のＸ線の波長（１〜１０人）に対し
て、Ｘ線透過率が高く、従来よりも厚い厚さで十分な透
光性を示し、強度、歩留り向上に好適であるマスク保持
体を備えたＸ線リソグラフィー用マスク構造体を提供す
ることにある。
て、Ｘ線透過率が高く、従来よりも厚い厚さで十分な透
光性を示し、強度、歩留り向上に好適であるマスク保持
体を備えたＸ線リソグラフィー用マスク構造体を提供す
ることにある。
本発明の他の目的は、可視光透過率をも満足し、熱的寸
法安定性、Ｘ線耐性が良好なマスク材保持体を備えたＸ
線リソグラフィー用マスク構造体を提供することにある
。
法安定性、Ｘ線耐性が良好なマスク材保持体を備えたＸ
線リソグラフィー用マスク構造体を提供することにある
。
［課題を解決するための手段］
上記の目的は、アルミニウム、ホウ素および窒素を主成
分とする単層膜または当該膜を少なくとも含む積層膜か
ら成るマスク材保持膜と、該マスク材保持膜の周辺部を
保持するための環状部材とを有することを特徴とする、
ｘ練りソゲラフイー用マスク構造体によって達成される
。
分とする単層膜または当該膜を少なくとも含む積層膜か
ら成るマスク材保持膜と、該マスク材保持膜の周辺部を
保持するための環状部材とを有することを特徴とする、
ｘ練りソゲラフイー用マスク構造体によって達成される
。
アルミニウム、ホウ素および窒素を主成分とする膜のＡ
ｊ、Ｎ、Ｂのモル比は、ＡｊＮ、ＢＮという形で、／Ｉ
Ｎ ： ＢＮ＝１ ： １〜１０が好ましい。
ｊ、Ｎ、Ｂのモル比は、ＡｊＮ、ＢＮという形で、／Ｉ
Ｎ ： ＢＮ＝１ ： １〜１０が好ましい。
なお、環状部材としては、シリコン、ガラス、石英、イ
ンバー、ステンレス等が用いられる。
ンバー、ステンレス等が用いられる。
［作用］
八Ａの吸収端よりも短いＸ線（１〜８．３４人）では、
ホウ素（Ｂ）の透過率がよく、長い波長（８，３４〜１
０人）ではＡｊの透過率が良いので、ＳＯＲ等の波長の
幅をもったＸ線源に対し、Ａｊ−Ｂ−Ｎ膜は高い透過率
を示す。そのため、１−Ｂ−Ｎ膜は２鱗厚で５０％以上
の透過率を示す。同じ透過率を示すためには多くの無機
材料（窒化シリコン膜等）では、１−程度と薄くする必
要があり、それに比べてＡｎ−Ｂ−Ｎ膜は製造が容易で
あって、Ｘ線リソグラフィー用マスク構造体の歩留りの
向上を図ることができる。
ホウ素（Ｂ）の透過率がよく、長い波長（８，３４〜１
０人）ではＡｊの透過率が良いので、ＳＯＲ等の波長の
幅をもったＸ線源に対し、Ａｊ−Ｂ−Ｎ膜は高い透過率
を示す。そのため、１−Ｂ−Ｎ膜は２鱗厚で５０％以上
の透過率を示す。同じ透過率を示すためには多くの無機
材料（窒化シリコン膜等）では、１−程度と薄くする必
要があり、それに比べてＡｎ−Ｂ−Ｎ膜は製造が容易で
あって、Ｘ線リソグラフィー用マスク構造体の歩留りの
向上を図ることができる。
１−Ｂ−Ｎ膜は２鱗厚では可視光が９５％以上と高いた
め、可視光線によるアライメントが容易である。
め、可視光線によるアライメントが容易である。
ＡＡ−Ｂ−Ｎ膜の熱膨張率は３〜４Ｘ１０−’／℃と一
般に焼き付は基板として用いられるシリコンウェハーと
ほぼ同じ値であるので、両者の極めて高精度の焼き付け
が可能になる。
般に焼き付は基板として用いられるシリコンウェハーと
ほぼ同じ値であるので、両者の極めて高精度の焼き付け
が可能になる。
Ａｊ−Ｂ−Ｎ膜は熱伝導率が１〜２ Ｗ ｃｍ−’ ｋ
−鳳（窒化シリコン膜は０．１７〜０．３Ｗｃｍ−鳳に
−１）と高いため、Ｘ線照射による温度上昇も防止でき
る。
−鳳（窒化シリコン膜は０．１７〜０．３Ｗｃｍ−鳳に
−１）と高いため、Ｘ線照射による温度上昇も防止でき
る。
［実施例］
実施例１
裏面に１鱗厚の酸化シリコン（ＳｉＯ□）１２の付いた
シリコンウェハー１１（第１図（ａ））をスパッタリン
グ装置内にセットし、ニホウ化アルミニウム（ＡｌＢ２
）ターゲット、アルゴン（Ａｒ）：窒素（Ｎ２） ＝５
： １、ガス圧０．０ＩＴｏｒｒ、放電電力２００Ｗ
にて、２鱗厚のＡＡ −Ｂ −Ｎ膜１３を形成した（同
図（ｂ））。
シリコンウェハー１１（第１図（ａ））をスパッタリン
グ装置内にセットし、ニホウ化アルミニウム（ＡｌＢ２
）ターゲット、アルゴン（Ａｒ）：窒素（Ｎ２） ＝５
： １、ガス圧０．０ＩＴｏｒｒ、放電電力２００Ｗ
にて、２鱗厚のＡＡ −Ｂ −Ｎ膜１３を形成した（同
図（ｂ））。
次に、リング状に５ｉ０２を残すために、アビニシンワ
ックス（シェル化学社製）層を形成しく同図（Ｃ））、
これを保護膜１４として、５ｉ０２の中央部分をフッ化
アンモニウムとフッ酸との混合液を用いて、除去したく
同図（ｄ））。その後、アビニシンワックスをキシレン
で取り去った（同図（ｅ））。
ックス（シェル化学社製）層を形成しく同図（Ｃ））、
これを保護膜１４として、５ｉ０２の中央部分をフッ化
アンモニウムとフッ酸との混合液を用いて、除去したく
同図（ｄ））。その後、アビニシンワックスをキシレン
で取り去った（同図（ｅ））。
その後、水酸化カリウム（ＫＯＨ）水溶液にて、シリコ
ンウェハー１１の中央部をエツチングし、１１− Ｂ
−Ｎ膜１３の両面を露出させた（同図（ｆ））。
ンウェハー１１の中央部をエツチングし、１１− Ｂ
−Ｎ膜１３の両面を露出させた（同図（ｆ））。
最後に、ＥＢ描画およびエレクトロフォーミング法を利
用して、金（Ａｕ）のマスク材１５を形成し、Ａ１−Ｂ
−Ｎｌｆｉ１３を透過膜とするＸ線マスクを作製した（
同図（ｇ））。
用して、金（Ａｕ）のマスク材１５を形成し、Ａ１−Ｂ
−Ｎｌｆｉ１３を透過膜とするＸ線マスクを作製した（
同図（ｇ））。
実施例２
シリコンウェハー１１の裏面にプラズマＣＶＤ法を用い
て、２−厚の窒化シリコン膜（ＳｉＮｘ） １２を成膜
した（第１図（ａ））。
て、２−厚の窒化シリコン膜（ＳｉＮｘ） １２を成膜
した（第１図（ａ））。
次に、このウェハー１１をＭＯＣＶＤ装置内にセットし
、ウェハー１１を５００℃に加熱しつつ、トリメチルア
ルミニウム（Ａｎ （ＣＨ３）３）をＮ２バブリングし
５０３ＣＣＭ ％ ジボラン（Ｂ２Ｈ６）をＮ２のキ
ャリアガスを用い５ＳＣＣＭ％ アンモニア（ＮＨ３）
ガスを１０１ｉｃｃＭ流し、Ａｊ−Ｂ−Ｎ膜１３を成膜
した（同図（ｂ））。
、ウェハー１１を５００℃に加熱しつつ、トリメチルア
ルミニウム（Ａｎ （ＣＨ３）３）をＮ２バブリングし
５０３ＣＣＭ ％ ジボラン（Ｂ２Ｈ６）をＮ２のキ
ャリアガスを用い５ＳＣＣＭ％ アンモニア（ＮＨ３）
ガスを１０１ｉｃｃＭ流し、Ａｊ−Ｂ−Ｎ膜１３を成膜
した（同図（ｂ））。
次に、リング状にネガレジスト（ＯＭＲ−８３：東京応
化社製）を形成しく同図（Ｃ））、それを保護膜１４と
して、フッ化アンモニウムとフッ酸との混合液を用いて
、５ｉＮｘｌ ２の中央を除去しく同図（ｄ））、専用
剥離液を用いて、レジストを取り去った（同図（ｅ））
。
化社製）を形成しく同図（Ｃ））、それを保護膜１４と
して、フッ化アンモニウムとフッ酸との混合液を用いて
、５ｉＮｘｌ ２の中央を除去しく同図（ｄ））、専用
剥離液を用いて、レジストを取り去った（同図（ｅ））
。
次に、フッ硝酸でシリコンウェハー１１をバックエツチ
ングした（同図（ｆ））。
ングした（同図（ｆ））。
その上に、Ｔａを０．７−１Ｓｉｎ２を０．３μ順に蒸
着し、ＥＢ描画により作製したレジストパターンをＣＦ
４＋８２ガスでドライエツチングすることにより５ｉｎ
２に転写し、ＢｒＦ、ガスによりエツチングすることに
よりＴａに転写し、Ｔａによるマスク材１５を作製し、
ｋｌ、 −Ｂ −Ｎ膜１３を透過膜とするＸ線マスクを
作製した（同図（ｇ））。
着し、ＥＢ描画により作製したレジストパターンをＣＦ
４＋８２ガスでドライエツチングすることにより５ｉｎ
２に転写し、ＢｒＦ、ガスによりエツチングすることに
よりＴａに転写し、Ｔａによるマスク材１５を作製し、
ｋｌ、 −Ｂ −Ｎ膜１３を透過膜とするＸ線マスクを
作製した（同図（ｇ））。
実施例３
シリコンウェハー１１の裏面にスパッタを用いて、２鱗
厚の酸化シリコン膜を（Ｓｉ０２） １２を成膜した（
第１図（ａ））。
厚の酸化シリコン膜を（Ｓｉ０２） １２を成膜した（
第１図（ａ））。
次に、このウェハー１１を高周波ＭＯＣＶＤ装置内にセ
ットし、ウェハー１１を１２００℃に加熱しつつ、塩化
アルミニウム（ＡｌＣＡ３ ） ヲ）ｈバブリングし１
００８ＣＣＭ、塩化ホウ素（ＢＣＡ：＋）をの１１２キ
ヤリアガスを用い５ ｇＣＣＭｓ アンモニアガス（Ｎ
Ｈ３）を１０ ｇｃｃｖ流し、３００Ｗの放電電力でへ
７−Ｂ−Ｎ膜１３を成膜した（同図（ｂ））。
ットし、ウェハー１１を１２００℃に加熱しつつ、塩化
アルミニウム（ＡｌＣＡ３ ） ヲ）ｈバブリングし１
００８ＣＣＭ、塩化ホウ素（ＢＣＡ：＋）をの１１２キ
ヤリアガスを用い５ ｇＣＣＭｓ アンモニアガス（Ｎ
Ｈ３）を１０ ｇｃｃｖ流し、３００Ｗの放電電力でへ
７−Ｂ−Ｎ膜１３を成膜した（同図（ｂ））。
次に、リング状にポジレジスト（ＡＺ−１３７０：ヘキ
スト社製）を形成しく同図（Ｃ））、それを保護膜１４
として、フッ化アンモニウムとフッ酸との混合液を用い
て、５ｉｎ２１２の中央を除去しく同図（ｄ））、専用
剥離°液を用いて、レジストを取り去った（同図（Ｃ）
）。
スト社製）を形成しく同図（Ｃ））、それを保護膜１４
として、フッ化アンモニウムとフッ酸との混合液を用い
て、５ｉｎ２１２の中央を除去しく同図（ｄ））、専用
剥離°液を用いて、レジストを取り去った（同図（Ｃ）
）。
次に、水酸化カリウム（Ｋ、 ＯＨ）水溶液にてシリコ
ンウェハー１１の中央部をエツチングした（同図（ｆ）
）。
ンウェハー１１の中央部をエツチングした（同図（ｆ）
）。
その上に、Ｃｒ１ＯＯｐ、Ａｕ７０００ｕを順に蒸着し
、フォーカスイオンビーム装置（ＦＩＢ）にて、直接描
画しマスク材１５とし、ＡＡ −Ｂ −Ｎ膜１３を透過
膜とするＸ線マスクを作製した（同図（ｇ））。
、フォーカスイオンビーム装置（ＦＩＢ）にて、直接描
画しマスク材１５とし、ＡＡ −Ｂ −Ｎ膜１３を透過
膜とするＸ線マスクを作製した（同図（ｇ））。
実施例４
シリコンウェハー１１の裏面にプラズマＣＶＤを用いて
、２−厚の窒化シリコン膜（ＳｉＮｘ） １２を成膜し
た（第２図（ａ））。
、２−厚の窒化シリコン膜（ＳｉＮｘ） １２を成膜し
た（第２図（ａ））。
次に、実施例２と同様な方法でＭＯＣＶＤ装置内にてＡ
ｊ−Ｂ−Ｎ膜１３を成膜した（同図（ｂ））。
ｊ−Ｂ−Ｎ膜１３を成膜した（同図（ｂ））。
次に、Ａｕのマスク材１５を形成した（同図（Ｃ））。
これには実施例１〜３のいずれの方法でも良いが、実際
には実施例１の方法を利用した。
には実施例１の方法を利用した。
次に、リング状にポジレジスト（ＯＦＰＲ−８００＝東
京応化社製）を形成しく同図（ｄ））、それを保護膜１
４として、フッ化アンモニウムとフッ酸との混合液を用
いて、ＳｉＮｘの中央を除去しく同図（ｅ）、 ） 、
専用剥離液を用いて、レジストを取り去った（同図（ｆ
））。
京応化社製）を形成しく同図（ｄ））、それを保護膜１
４として、フッ化アンモニウムとフッ酸との混合液を用
いて、ＳｉＮｘの中央を除去しく同図（ｅ）、 ） 、
専用剥離液を用いて、レジストを取り去った（同図（ｆ
））。
最後に、エチレンジアミンとパイロカテコールによりシ
リコンウェハー１１をバックエツチングし、 １−Ｂ−
Ｎ膜１３を透過膜とするＸ線マスクを作成した（同図（
ｇ））。
リコンウェハー１１をバックエツチングし、 １−Ｂ−
Ｎ膜１３を透過膜とするＸ線マスクを作成した（同図（
ｇ））。
［評価］
［発明の効果］
以上詳細に説明したように、本発明では、Ｘ線透過膜と
して用いられるＡＪ −Ｂ −Ｎ膜が広い波長範囲でＸ
線透過率や、可視光透過率が高く、熱膨張率が低く、ま
た熱伝導率が高いので、・Ｘ線透過膜を、同じ透過率を
示す従来のものＳｉＮ膜よりも厚くでき、そのため再現
性の良い製造が容易で歩留が高くなり、また強度も向上
し、・可視光によるアライメントが容易となり、・熱寸
法安定性が向上し、 ・広い範囲の波長を用いるＳＯＲ光を光源としたＸ線リ
ソグラフィーに用いるのに好適である。
して用いられるＡＪ −Ｂ −Ｎ膜が広い波長範囲でＸ
線透過率や、可視光透過率が高く、熱膨張率が低く、ま
た熱伝導率が高いので、・Ｘ線透過膜を、同じ透過率を
示す従来のものＳｉＮ膜よりも厚くでき、そのため再現
性の良い製造が容易で歩留が高くなり、また強度も向上
し、・可視光によるアライメントが容易となり、・熱寸
法安定性が向上し、 ・広い範囲の波長を用いるＳＯＲ光を光源としたＸ線リ
ソグラフィーに用いるのに好適である。
第１図、第２図は、各々本発明のＸ線リソグラフィー用
マスク構造体の製造工程を示す図である。 １１：シリコンウェハー １２ ： Ｓｉｎ□またはＳｉＮ ｘから成る膜１３：
Ａ４−Ｂ−Ｎ膜 １４：保護膜 １５：マスク材 特許出願人 キャノン株式会社
マスク構造体の製造工程を示す図である。 １１：シリコンウェハー １２ ： Ｓｉｎ□またはＳｉＮ ｘから成る膜１３：
Ａ４−Ｂ−Ｎ膜 １４：保護膜 １５：マスク材 特許出願人 キャノン株式会社
Claims (1)
- １）アルミニウム、ホウ素および窒素を主成分とする単
層膜または当該膜を少なくとも含む積層膜から成るマス
ク材保持膜と、該マスク材保持膜の周辺部を保持するた
めの環状部材とを有することを特徴とする、Ｘ線リソグ
ラフィー用マスク構造体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63008240A JPH01184919A (ja) | 1988-01-20 | 1988-01-20 | Ｘ線リソグラフィー用マスク構造体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63008240A JPH01184919A (ja) | 1988-01-20 | 1988-01-20 | Ｘ線リソグラフィー用マスク構造体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01184919A true JPH01184919A (ja) | 1989-07-24 |
Family
ID=11687621
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63008240A Pending JPH01184919A (ja) | 1988-01-20 | 1988-01-20 | Ｘ線リソグラフィー用マスク構造体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01184919A (ja) |
-
1988
- 1988-01-20 JP JP63008240A patent/JPH01184919A/ja active Pending
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