JPH0132739Y2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0132739Y2 JPH0132739Y2 JP1984004740U JP474084U JPH0132739Y2 JP H0132739 Y2 JPH0132739 Y2 JP H0132739Y2 JP 1984004740 U JP1984004740 U JP 1984004740U JP 474084 U JP474084 U JP 474084U JP H0132739 Y2 JPH0132739 Y2 JP H0132739Y2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- facet
- wafer
- eraser
- pattern area
- glass mask
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
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Description
【考案の詳細な説明】
(イ) 産業上の利用分野
本考案は、写真食刻工程のうちで露光工程に用
いられるフアセツトイレーサに関する。[Detailed description of the invention] (a) Industrial application field The present invention relates to a facet eraser used in the exposure process of the photolithography process.
(ロ) 従来技術 第1図はウエハを略示した説明図である。(b) Conventional technology FIG. 1 is an explanatory diagram schematically showing a wafer.
半導体装置の信頼性を向上させるには、アルミ
ニウム配線に傷があつてはならない。 To improve the reliability of semiconductor devices, aluminum wiring must be free from scratches.
しかして、傷を減少させるには、下記の手段が
提案されている。即ち、ウエハ10のフアセツト
部11に沿つて帯状にアルミニウムを除去した領
域(カツトパターン域12)を形成している。し
かして、ピンセツトによりカツトパターン域12
のみを掴むようにすることにより、他の部分のア
ルミニウムに傷をつけることを防止している。 Therefore, the following measures have been proposed to reduce the number of scratches. That is, along the facet portion 11 of the wafer 10, a region (cut pattern region 12) in which aluminum is removed in a band shape is formed. The cut pattern area 12 is then cut using tweezers.
By gripping only the chisel, it prevents damage to other parts of the aluminum.
第2図aは、従来のカツトパターン域の形成手
段を示す一部分解斜視図、第2図bは、第2図a
の部分断面図である。 Fig. 2a is a partially exploded perspective view showing a conventional cut pattern area forming means, and Fig. 2b is a
FIG.
10はウエハであり、表面には図示しないアル
ミニウムが蒸着され、更に、その上には、レジス
トが塗布されている。 Reference numeral 10 denotes a wafer, on the surface of which aluminum (not shown) is vapor-deposited, and furthermore, a resist is applied thereon.
11はフアセツト部である。 11 is a facet part.
20はガラスマスクであり、下面には図示しな
いアルミニウムパターンが形成されている。 20 is a glass mask, and an aluminum pattern (not shown) is formed on the lower surface.
30は、光を通さない紙テープである。 30 is a paper tape that does not transmit light.
矢印40は、照射光である。 Arrow 40 is irradiation light.
上述したような各構成部品を以下のように配設
して露光する。 The components as described above are arranged and exposed as follows.
紙テープ30をガラスマスク20のアルミニ
ウムパターンに、ガラスマスク20の端面21
から一定距離だけ貼着する。 The paper tape 30 is attached to the aluminum pattern of the glass mask 20, and the end surface 21 of the glass mask 20 is
Paste it only a certain distance from.
アライナの所定位置に、前記ガラスマスク2
0をセツトする。 The glass mask 2 is placed in the predetermined position of the aligner.
Set to 0.
図示しないアライナのステージ上の所定位置
にウエハ10を載置する。 The wafer 10 is placed at a predetermined position on the stage of an aligner (not shown).
前記ステージを押し上げてウエハ10とガラ
スマスク20とを当接させる。 The stage is pushed up to bring the wafer 10 and glass mask 20 into contact.
ガラスマスク20のアルミニウムパターンと
ウエハ10の素子パターンとをアライナでもつ
て位置合わせする。 The aluminum pattern on the glass mask 20 and the element pattern on the wafer 10 are aligned using an aligner.
ガラスマスク20の上方より露光する。 Exposure is performed from above the glass mask 20.
現像後、アルミニウムエツチングにより、所
定のアルミニウム配線と、カツトパターン域1
2を得ている。 After development, predetermined aluminum wiring and cut pattern area 1 are formed by aluminum etching.
I got 2.
しかしながら、紙テープ30はオペレータの目
分量でガラスマスク20に貼着するため、ウエハ
10のフアセツト部11に対して平行なカツトパ
ターン域12が得られない。そのため、本来、ア
ルミニウム配線を形成すべき部分のアルミニウム
までが除去されてしまうという不都合が生じる。
又ガラスマスク20に紙テープ30による汚れが
残る等の欠点がある。 However, since the paper tape 30 is attached to the glass mask 20 by the operator's eye, a cut pattern area 12 parallel to the facet portion 11 of the wafer 10 cannot be obtained. Therefore, there arises a problem that even the aluminum in the portion where the aluminum wiring should originally be formed is removed.
Further, there are drawbacks such as stains left on the glass mask 20 due to the paper tape 30.
(ハ) 目的
本考案は、ウエハのフアセツト部に平行なカツ
トパターン域を容易に形成することができ、且つ
ガラスマスクの表面の汚れをなくすフアセツトイ
レーサを提供することを目的としている。(c) Purpose It is an object of the present invention to provide a facet eraser that can easily form a cut pattern area parallel to the facet of a wafer and eliminates dirt on the surface of a glass mask.
(ニ) 構成
本考案に係るフアセツトイレーサは、ウエハに
形成されるカツトパターン域に対応する遮蔽部
と、前記カツトパターン域を設定する基準面とを
備えたことを特徴としている。(D) Structure The facet eraser according to the present invention is characterized by comprising a shielding portion corresponding to a cut pattern area formed on a wafer, and a reference surface for setting the cut pattern area.
(ホ) 実施例
第3図aは本考案のフアセツトイレーサを用い
た状態を示す一部分解斜視図、第3図bは第3図
aの部分断面図である。(E) Embodiment FIG. 3a is a partially exploded perspective view showing a state in which the facet eraser of the present invention is used, and FIG. 3b is a partial sectional view of FIG. 3a.
10aはウエハであり、表面には、図示しない
アルミニウムが蒸着され、更に、その上には、レ
ジストが塗布されている。 Reference numeral 10a denotes a wafer, on the surface of which aluminum (not shown) is vapor-deposited, and furthermore, a resist is applied thereon.
11aはフアセツト部であり、カツトパターン
域12aが形成される部分である。 Reference numeral 11a denotes a facet portion where a cut pattern area 12a is formed.
20aはガラスマスクであり、下面にはアルミ
ニウムパターンが形成されている。 20a is a glass mask, and an aluminum pattern is formed on the lower surface.
30aはテフロンよりなるフアセツトイレーサ
であり、基準面31a、把手32a、遮蔽部33
aが形成されている。 30a is a facet eraser made of Teflon, which includes a reference surface 31a, a handle 32a, and a shielding part 33.
a is formed.
基準面31aはガラスマスク20aの端面21
aに当接する部分である。 The reference surface 31a is the end surface 21 of the glass mask 20a.
This is the part that comes into contact with a.
遮蔽部33aはゴムからなり、フアセツトイレ
ーサ30aに貼設しており、フアセツト部11a
に決められたカツトパターン域12aを形成する
ような寸法形状に予め形成されている。 The shielding portion 33a is made of rubber and is attached to the facet eraser 30a, and is attached to the facet eraser 30a.
The cut pattern area 12a is formed in advance to have a size and shape that form a cut pattern area 12a.
矢印40aは照射光である。 Arrow 40a is irradiation light.
上述したような各構成部品を以下のように配設
して露光する。 The components as described above are arranged and exposed as follows.
アライナの所定位置にガラスマスク20aを
セツトする。 A glass mask 20a is set in a predetermined position on the aligner.
フアセツトイレーサ30aを、その基準面が
アライナ上のガラスマスク20aの端面と当接
するように固定する。 The facet eraser 30a is fixed so that its reference surface comes into contact with the end surface of the glass mask 20a on the aligner.
図示しないアライナのステージ上の所定位置
にウエハ10aを載置する。 The wafer 10a is placed at a predetermined position on the stage of an aligner (not shown).
前記ステージを押し上げてウエハ10aとガ
ラスマスク20aとを当接させる。 The stage is pushed up to bring the wafer 10a and glass mask 20a into contact.
ガラスマスク20aのアルミニウムパターン
と、ウエハ10aの素子パターンをアライナで
もつて位置合わせする。 The aluminum pattern on the glass mask 20a and the element pattern on the wafer 10a are aligned using an aligner.
ガラスマスク20aの上方より露光する。 Exposure is performed from above the glass mask 20a.
現像後、アルミニウムエツチングにより、所
定のアルミニウム配線と、カツトパターン域1
2aを得ている。 After development, predetermined aluminum wiring and cut pattern area 1 are formed by aluminum etching.
I got 2a.
尚、実施例では、カツトパターン域12aを設
定するためにフアセツトイレーサ30aと遮蔽部
33aを別素材にしているが、フアセツトイレー
サ30aと同素材のもので一体に形成してもよ
い。又フアセツトイレーサ30aの材質をテフロ
ンとしたが、樹脂製のものであれば他の材質を使
用してもよい。 In the embodiment, the facet eraser 30a and the shielding part 33a are made of different materials in order to set the cut pattern area 12a, but they may be made of the same material as the facet eraser 30a and formed integrally. Furthermore, although Teflon is used as the material for the facet eraser 30a, other materials may be used as long as they are made of resin.
(ヘ) 効果
本考案は、ガラスマスクの端面を、フアセツト
イレーサの基準面に合わせて固定しているので、
フアセツト部に対して平行なカツトパターン域が
得られ、そのばらつきを小さくできる。従つて、
必要なアルミニウム配線が除去されるという不都
合は生じない。又紙テープを使用しないのでガラ
スマスクが汚れないという効果を奏する。(f) Effects In this invention, the end face of the glass mask is fixed in line with the reference plane of the facet eraser, so
A cut pattern area parallel to the facet portion can be obtained, and variations in the cut pattern area can be reduced. Therefore,
The inconvenience of removing necessary aluminum wiring does not occur. Furthermore, since paper tape is not used, the glass mask does not get dirty.
第1図はウエハを略示した説明図、第2図aは
従来のカツトパターン域の形成手段を示す一部分
解斜視図、第2図bは第2図aの部分断面図、第
3図aは本考案のフアセツトイレーサを用いた状
態を示す一部分解斜視図、第3図bは第3図aの
部分断面図である。
10a……ウエハ、12a……カツトパターン
域、30a……フアセツトイレーサ、31a……
基準面、33a……遮蔽部。
Fig. 1 is an explanatory diagram schematically showing a wafer, Fig. 2a is a partially exploded perspective view showing a conventional cut pattern area forming means, Fig. 2b is a partial sectional view of Fig. 2a, Fig. 3a 3 is a partially exploded perspective view showing a state in which the facet eraser of the present invention is used, and FIG. 3b is a partial sectional view of FIG. 3a. 10a... Wafer, 12a... Cut pattern area, 30a... Facet eraser, 31a...
Reference plane, 33a...shielding part.
Claims (1)
いやこのウエハの製造番号の蝕刻等に使用される
カツトパターン域を形成するために、前記ウエハ
に当接したガラスマスクに照射する照射光の一部
を遮光するフアセツトイレーサにおいて、前記フ
アセツトイレーサは、前記ガラスマスクの端面に
当接させて前記カツトパターン域を設定する基準
面と、前記カツトパターン域に対応して前記照射
光を遮光する遮蔽部とを備えたことを特徴とする
フアセツトイレーサ。 In order to form a cut pattern area on the facet of the wafer, which is used for handling the wafer, etching the serial number of the wafer, etc., a part of the irradiation light that is irradiated onto the glass mask that is in contact with the wafer is blocked. In the facet eraser, the facet eraser includes a reference surface that comes into contact with an end surface of the glass mask to set the cut pattern area, and a shielding part that blocks the irradiation light corresponding to the cut pattern area. A faceless eraser characterized by being equipped with.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP474084U JPS60118235U (en) | 1984-01-17 | 1984-01-17 | face wash toilet |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP474084U JPS60118235U (en) | 1984-01-17 | 1984-01-17 | face wash toilet |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60118235U JPS60118235U (en) | 1985-08-09 |
| JPH0132739Y2 true JPH0132739Y2 (en) | 1989-10-05 |
Family
ID=30480600
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP474084U Granted JPS60118235U (en) | 1984-01-17 | 1984-01-17 | face wash toilet |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60118235U (en) |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57100730A (en) * | 1980-12-16 | 1982-06-23 | Nec Corp | Manufacture of semiconductor device |
-
1984
- 1984-01-17 JP JP474084U patent/JPS60118235U/en active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS60118235U (en) | 1985-08-09 |
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