JPH02101532U - - Google Patents
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- JPH02101532U JPH02101532U JP850589U JP850589U JPH02101532U JP H02101532 U JPH02101532 U JP H02101532U JP 850589 U JP850589 U JP 850589U JP 850589 U JP850589 U JP 850589U JP H02101532 U JPH02101532 U JP H02101532U
- Authority
- JP
- Japan
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- film
- semiconductor device
- sog
- sog film
- ion implantation
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
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- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 claims description 2
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Landscapes
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
- Formation Of Insulating Films (AREA)
Description
第１図ａ，ｂは、本考案の半導体装置を作成す
る際の工程説明図で、第１図ａはＳＯＧ膜へのイ
オン注入を行つている状態を示し、第１図ｂはイ
オン注入後熱処理された本考案の半導体装置を示
す。第２図は従来のＳＯＧ膜を形成した半導体装
置を示す概略説明図である。 １……フイールド酸化膜、２……ポリシリコン
、３……層間絶縁膜、４……ＳＯＧ膜、４１……
ＳＯＧ膜（イオン注入）。
る際の工程説明図で、第１図ａはＳＯＧ膜へのイ
オン注入を行つている状態を示し、第１図ｂはイ
オン注入後熱処理された本考案の半導体装置を示
す。第２図は従来のＳＯＧ膜を形成した半導体装
置を示す概略説明図である。 １……フイールド酸化膜、２……ポリシリコン
、３……層間絶縁膜、４……ＳＯＧ膜、４１……
ＳＯＧ膜（イオン注入）。
Claims (1)
- 層間絶縁膜上に平坦化のためのＳＯＧ膜を形成
後熱処理して得られる半導体装置において、該Ｓ
ＯＧ膜は有機系イオンのイオン注入により有機化
合物含有率を高められた膜であることを特徴とす
る半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP850589U JPH02101532U (ja) | 1989-01-27 | 1989-01-27 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP850589U JPH02101532U (ja) | 1989-01-27 | 1989-01-27 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02101532U true JPH02101532U (ja) | 1990-08-13 |
Family
ID=31214440
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP850589U Pending JPH02101532U (ja) | 1989-01-27 | 1989-01-27 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02101532U (ja) |
-
1989
- 1989-01-27 JP JP850589U patent/JPH02101532U/ja active Pending
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