JPH02125610A - ホットプレート - Google Patents
ホットプレートInfo
- Publication number
- JPH02125610A JPH02125610A JP63279731A JP27973188A JPH02125610A JP H02125610 A JPH02125610 A JP H02125610A JP 63279731 A JP63279731 A JP 63279731A JP 27973188 A JP27973188 A JP 27973188A JP H02125610 A JPH02125610 A JP H02125610A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer
- heater
- hot plate
- heaters
- photo resist
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体基板を加熱するためのホットプレートに
関する。
関する。
従来、この種のホットプレートは、フォトレジスト等を
塗布した半導体基板（以下ウェハーという）のプリベー
タや、露光・現像後のボストベークに用いられるが、ウ
ェハー全面にわたって均一に加熱するようにヒーターが
設けられた構造となっていた。また、ホットプレート面
とウェハーとを数百ミクロン隔てて加熱する、近接型ホ
ットプレートも同様に、ウェハー全面にわたって均一に
加熱する構造となっていた。
塗布した半導体基板（以下ウェハーという）のプリベー
タや、露光・現像後のボストベークに用いられるが、ウ
ェハー全面にわたって均一に加熱するようにヒーターが
設けられた構造となっていた。また、ホットプレート面
とウェハーとを数百ミクロン隔てて加熱する、近接型ホ
ットプレートも同様に、ウェハー全面にわたって均一に
加熱する構造となっていた。
上述した従来のホットプレートは、ウェハー全面にわた
って均一に加熱する構造となっているため、ウェハー全
面にわたって、フォトレジスト膜内の溶剤の揮発レート
はほぼ一定となる。しかし一般的にウェハー面内のフォ
トレジストの膜厚は、ウェハー中央部で小さく、ウェハ
ー周辺部で大きいという不均一性を示しているため、ウ
ェハーを全面にわたって均一に加熱した場合、フォトレ
ジスト膜内から均一に溶剤が揮発する。従って、ウェハ
ー中央部と周辺部とのフォトレジストの膜厚の違いは補
正されないため、このフォトレジストの膜厚の違いに起
因してパターン寸法のつエバー面内差が生じるという欠
点が偽る。特に、微細パターン形成に対しては、パター
ン寸法のウェハー面内差が生じるというのは致命的であ
る。
って均一に加熱する構造となっているため、ウェハー全
面にわたって、フォトレジスト膜内の溶剤の揮発レート
はほぼ一定となる。しかし一般的にウェハー面内のフォ
トレジストの膜厚は、ウェハー中央部で小さく、ウェハ
ー周辺部で大きいという不均一性を示しているため、ウ
ェハーを全面にわたって均一に加熱した場合、フォトレ
ジスト膜内から均一に溶剤が揮発する。従って、ウェハ
ー中央部と周辺部とのフォトレジストの膜厚の違いは補
正されないため、このフォトレジストの膜厚の違いに起
因してパターン寸法のつエバー面内差が生じるという欠
点が偽る。特に、微細パターン形成に対しては、パター
ン寸法のウェハー面内差が生じるというのは致命的であ
る。
本発明のホットプレートは、ヒーター支持台と該ヒータ
ー支持台上に設けられたヒーターとを有する半導体基板
熱処理用のホットプレートにおいて、前記ヒーターはホ
ットプレートの面内の温度勾配が外側に向って高くなる
ように設けられているものである。
ー支持台上に設けられたヒーターとを有する半導体基板
熱処理用のホットプレートにおいて、前記ヒーターはホ
ットプレートの面内の温度勾配が外側に向って高くなる
ように設けられているものである。
次に、本発明について図面を参照して説明する。
第１図（ａ）、（ｂ）は本発明の第１の実施例のＰ面図
及びＡ−Ａ’線断面図である。
及びＡ−Ａ’線断面図である。
ヒーター支持台１には円形状に外側から第１のヒーター
２Ａ、第２のヒーター２Ｂ、第３のヒーター２Ｃ及び第
４のヒーター２Ｄが設置されており、ウェハー支持ピン
３が第２のヒーター２Ｂに埋め込まれている。フォトレ
ジスト膜が形成されたウェハーはこの４本のウェハー支
持ピン３にて支えられ、フォトレジスト膜厚の大きいウ
ェハー周辺の領域では第１及び第２のヒーター２Ａ、２
Ｂの温度を高くし、膜厚の小さいウェハー中央の領域で
は第３及び第４のヒーター２Ｃ，２Ｄの温度を低くでき
るように構成されている。尚第１図において４は排気孔
である。
２Ａ、第２のヒーター２Ｂ、第３のヒーター２Ｃ及び第
４のヒーター２Ｄが設置されており、ウェハー支持ピン
３が第２のヒーター２Ｂに埋め込まれている。フォトレ
ジスト膜が形成されたウェハーはこの４本のウェハー支
持ピン３にて支えられ、フォトレジスト膜厚の大きいウ
ェハー周辺の領域では第１及び第２のヒーター２Ａ、２
Ｂの温度を高くし、膜厚の小さいウェハー中央の領域で
は第３及び第４のヒーター２Ｃ，２Ｄの温度を低くでき
るように構成されている。尚第１図において４は排気孔
である。
このように構成された第１の実施例においては、ホット
プレートの面内温度に勾配をつけてウェハーを加熱する
ことができる。従ってフォトレジスト膜が形成されたウ
ェハーを加熱した場合、フォトレジスト１摸厚の大きい
ウェハー周辺の領域では温度が高くなるためフォトレジ
スト膜内の溶剤の揮発レートが大きくなり、一方膜厚の
小さいウェハー中央の領域では温度が低くなるため、フ
ォトレジスト膜内の溶剤の揮発レートは小さくなる。こ
のためウェハー面内のフォトレジスト膜厚の違いを補正
することができる。そのためウェハー面内のフォトレジ
スト膜厚の、ウェハー中央部で小さく、ウェハー周辺部
で大きい・という不均一性はなくなり、フォトレジスト
パターンをウェハー面内全域にわたって、均一性よく形
成することができる。
プレートの面内温度に勾配をつけてウェハーを加熱する
ことができる。従ってフォトレジスト膜が形成されたウ
ェハーを加熱した場合、フォトレジスト１摸厚の大きい
ウェハー周辺の領域では温度が高くなるためフォトレジ
スト膜内の溶剤の揮発レートが大きくなり、一方膜厚の
小さいウェハー中央の領域では温度が低くなるため、フ
ォトレジスト膜内の溶剤の揮発レートは小さくなる。こ
のためウェハー面内のフォトレジスト膜厚の違いを補正
することができる。そのためウェハー面内のフォトレジ
スト膜厚の、ウェハー中央部で小さく、ウェハー周辺部
で大きい・という不均一性はなくなり、フォトレジスト
パターンをウェハー面内全域にわたって、均一性よく形
成することができる。
第２図（ａ）、（ｂ）は本発明の第２の実施例の上面図
及びＢ−Ｂ′線断面図である。
及びＢ−Ｂ′線断面図である。
ヒーター支持台１には第１の実施例の場合と同様に第１
〜第４のヒーター２Ａ〜２Ｄが設置されており、更にウ
ェハー吸着孔５が第３のヒーター２Ｃに設けられており
、外側のヒーター程温度が高くなるように構成されてい
る。フォトレジスト、膜が形成されたウェハーはこの４
個のウェハー吸着孔５にてホットプレートに吸着される
。
〜第４のヒーター２Ａ〜２Ｄが設置されており、更にウ
ェハー吸着孔５が第３のヒーター２Ｃに設けられており
、外側のヒーター程温度が高くなるように構成されてい
る。フォトレジスト、膜が形成されたウェハーはこの４
個のウェハー吸着孔５にてホットプレートに吸着される
。
このように構成された第２の実施例によれば、ウェハー
と各ヒーターが密着するため、各ヒーターからの熱がウ
ェハーにすみやかに伝達され、より短時間でウェハーを
加熱することができる。
と各ヒーターが密着するため、各ヒーターからの熱がウ
ェハーにすみやかに伝達され、より短時間でウェハーを
加熱することができる。
以上説明したように本発明は、ホットプレートの面内の
温度勾配が外側に向って高くなるようにヒーター支持台
にヒーターを設けることにより、フォトレジスト膜厚の
大きいウェハー周辺の領域ではヒーターの温度を高くし
てフォトレジスト膜内の溶剤の揮発レートを大きくし、
膜厚の小さいウェハー中央の領域ではヒーターの温度を
低くしてフォトレジスト膜内の溶剤の揮発レートを小さ
くできるため、ウェハー面内のフォトレジスト膜厚の違
いを補正することができる。そのためウェハー面内のフ
ォトレジスト膜厚の、ウェハー中央部で小さく、ウェハ
ー周辺部で大きいという不均一性はなくなり、フォトレ
ジストパターンをウェハー面内全域にわたって、均一性
よく形成することができる。
温度勾配が外側に向って高くなるようにヒーター支持台
にヒーターを設けることにより、フォトレジスト膜厚の
大きいウェハー周辺の領域ではヒーターの温度を高くし
てフォトレジスト膜内の溶剤の揮発レートを大きくし、
膜厚の小さいウェハー中央の領域ではヒーターの温度を
低くしてフォトレジスト膜内の溶剤の揮発レートを小さ
くできるため、ウェハー面内のフォトレジスト膜厚の違
いを補正することができる。そのためウェハー面内のフ
ォトレジスト膜厚の、ウェハー中央部で小さく、ウェハ
ー周辺部で大きいという不均一性はなくなり、フォトレ
ジストパターンをウェハー面内全域にわたって、均一性
よく形成することができる。
第１図（ａ）、（ｂ）及び第２図（ａ）、 （ｂ）は
本発明の第１及び第２の実施例の上面図及び断面図であ
る。 １・・・ヒーター支持台、２Ａ・・・第１のヒーター２
Ｂ・・・第２のヒーター ２Ｃ・・・第３のヒーター２
Ｄ・・・第４のヒーター ３・・・ウニへ−支持ビン、 ４・・・排気孔、 ５・・・ウェハー吸着孔。
本発明の第１及び第２の実施例の上面図及び断面図であ
る。 １・・・ヒーター支持台、２Ａ・・・第１のヒーター２
Ｂ・・・第２のヒーター ２Ｃ・・・第３のヒーター２
Ｄ・・・第４のヒーター ３・・・ウニへ−支持ビン、 ４・・・排気孔、 ５・・・ウェハー吸着孔。
Claims (1)
- ヒーター支持台と該ヒーター支持台上に設けられたヒー
ターとを有する半導体基板熱処理用のホットプレートに
おいて、前記ヒーターはホットプレートの面内の温度勾
配が外側に向って高くなるように設けられていることを
特徴とするホットプレート。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63279731A JPH02125610A (ja) | 1988-11-04 | 1988-11-04 | ホットプレート |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63279731A JPH02125610A (ja) | 1988-11-04 | 1988-11-04 | ホットプレート |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02125610A true JPH02125610A (ja) | 1990-05-14 |
Family
ID=17615102
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63279731A Pending JPH02125610A (ja) | 1988-11-04 | 1988-11-04 | ホットプレート |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02125610A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07111232A (ja) * | 1993-10-13 | 1995-04-25 | Nec Corp | フォトレジスト用オーブン |
| JPH07135171A (ja) * | 1993-05-20 | 1995-05-23 | Tokyo Electron Ltd | 塗膜の処理方法及び処理装置 |
| JPH08107057A (ja) * | 1994-10-04 | 1996-04-23 | Hitachi Ltd | ベーキング方法および装置 |
| US5536918A (en) * | 1991-08-16 | 1996-07-16 | Tokyo Electron Sagami Kabushiki Kaisha | Heat treatment apparatus utilizing flat heating elements for treating semiconductor wafers |
| JP2009162978A (ja) * | 2008-01-07 | 2009-07-23 | Toppan Printing Co Ltd | 感光硬化型樹脂組成物の硬化パターンの形成方法、カラーフィルタの製造方法 |
-
1988
- 1988-11-04 JP JP63279731A patent/JPH02125610A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5536918A (en) * | 1991-08-16 | 1996-07-16 | Tokyo Electron Sagami Kabushiki Kaisha | Heat treatment apparatus utilizing flat heating elements for treating semiconductor wafers |
| JPH07135171A (ja) * | 1993-05-20 | 1995-05-23 | Tokyo Electron Ltd | 塗膜の処理方法及び処理装置 |
| JPH07111232A (ja) * | 1993-10-13 | 1995-04-25 | Nec Corp | フォトレジスト用オーブン |
| JPH08107057A (ja) * | 1994-10-04 | 1996-04-23 | Hitachi Ltd | ベーキング方法および装置 |
| JP2009162978A (ja) * | 2008-01-07 | 2009-07-23 | Toppan Printing Co Ltd | 感光硬化型樹脂組成物の硬化パターンの形成方法、カラーフィルタの製造方法 |
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