JPH02144973A - 可変容量ダイオード素子の製造方法 - Google Patents
可変容量ダイオード素子の製造方法Info
- Publication number
- JPH02144973A JPH02144973A JP29927388A JP29927388A JPH02144973A JP H02144973 A JPH02144973 A JP H02144973A JP 29927388 A JP29927388 A JP 29927388A JP 29927388 A JP29927388 A JP 29927388A JP H02144973 A JPH02144973 A JP H02144973A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- thermal diffusion
- diffusion
- diffusion layer
- semiconductor substrate
- manufacturing
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、熱拡散工程によって浅い拡散層を形成する半
導体装置の熱拡散層の製造方法に関し、又、この製造方
法により形成される可変容量ダイオード素子の製造方法
に係るものである。殊に拡散係数の大きい不純物元素の
不純物濃度分布の制御に係るものであって、比較的低い
電圧源で充分な容量変化が得られる可変容量ダイオード
素子の製造方法に係るものである。
導体装置の熱拡散層の製造方法に関し、又、この製造方
法により形成される可変容量ダイオード素子の製造方法
に係るものである。殊に拡散係数の大きい不純物元素の
不純物濃度分布の制御に係るものであって、比較的低い
電圧源で充分な容量変化が得られる可変容量ダイオード
素子の製造方法に係るものである。
周知のように半導体装置の製造に於ける熱拡散層の不純
物濃度分布は、熱拡散時の温度Ｔ （’Ｃ）と熱拡散時
間ｔ （分）との関数ｆ （Ｔ、 Ｖ）で決定され
る。熱拡散層の拡散長は、「によって決定される。Ｄは
、温度により決定される不純物元素の拡散係数である。
物濃度分布は、熱拡散時の温度Ｔ （’Ｃ）と熱拡散時
間ｔ （分）との関数ｆ （Ｔ、 Ｖ）で決定され
る。熱拡散層の拡散長は、「によって決定される。Ｄは
、温度により決定される不純物元素の拡散係数である。
又、比較的熱拡散時の温度が高温で而も熱拡散処理時間
が短時間（１〜１０分）のものに対し、比較的熱拡散時
の温度が低温で長時間（３０分以上）拡散が行われる熱
拡散層の方が、不純物濃度分布の精度は、良好であるこ
とが知られている。
が短時間（１〜１０分）のものに対し、比較的熱拡散時
の温度が低温で長時間（３０分以上）拡散が行われる熱
拡散層の方が、不純物濃度分布の精度は、良好であるこ
とが知られている。
このように半導体装置の製造に於いて、不純物濃度分布
の制御は、比較的低温で長時間熱拡散した方が容易であ
る。これは、短時間の熱拡散では、熱拡散炉に挿入され
た半導体基板の熱伝導率により、その中心部と周辺の温
度分布のバラツキ、或いは熱拡散炉の中心部とその周辺
の温度分布のバラツキが発生し易いが、長時間熱拡散を
行うことでこれらの要因が、無視できるからである。
の制御は、比較的低温で長時間熱拡散した方が容易であ
る。これは、短時間の熱拡散では、熱拡散炉に挿入され
た半導体基板の熱伝導率により、その中心部と周辺の温
度分布のバラツキ、或いは熱拡散炉の中心部とその周辺
の温度分布のバラツキが発生し易いが、長時間熱拡散を
行うことでこれらの要因が、無視できるからである。
可変容量ダイオード素子の製造方法では、不純物濃度分
布の制御の為に、イオン注入法の諸条件であるドーズ量
、不純物元素の打ち込みのエネルギー等によって、不純
物の注入量や深さを設定した後に、アニール工程を経て
、熱拡散時の温度Ｔ（”Ｃ）と拡散時間ｔ （分）との
組み合わせによって拡散長の制御を行っている。通常、
可変容量ダイオード素子の製造工程では、イオン注入法
によって不純物が半導体基板に打ち込まれた後、アニー
ル工程を行って、その後、第１の熱拡散工程を行う。通
常、不純物元素の種類にもよるが、第１の熱拡散工程で
は、熱拡散温度が１０００℃前後であり、熱拡散時間が
１０分以上で行われている。
布の制御の為に、イオン注入法の諸条件であるドーズ量
、不純物元素の打ち込みのエネルギー等によって、不純
物の注入量や深さを設定した後に、アニール工程を経て
、熱拡散時の温度Ｔ（”Ｃ）と拡散時間ｔ （分）との
組み合わせによって拡散長の制御を行っている。通常、
可変容量ダイオード素子の製造工程では、イオン注入法
によって不純物が半導体基板に打ち込まれた後、アニー
ル工程を行って、その後、第１の熱拡散工程を行う。通
常、不純物元素の種類にもよるが、第１の熱拡散工程で
は、熱拡散温度が１０００℃前後であり、熱拡散時間が
１０分以上で行われている。
続いて、第２の熱拡散工程を行って、所定の深さにＰＮ
接合を形成する。
接合を形成する。
第３図は、−船釣に可変容量ダイオード素子の断面図で
ある。高不純物濃度のＮ°型半導体基板４の上に低不純
物濃度のＮ−型のエピタキシャル層３を形成し、エピタ
キシャル層３の表面の一部に高濃度Ｎ゛゛拡散領域２を
形成し、更にエピタキシャル層３の表面に上記Ｎ゛゛拡
散領域２よりも浅く、且つ、横方向に広い面積を有する
ｐ゛゛拡散領域１をＮ゛゛拡散領域２の中央部で重畳す
るように形成したダイオードの構造が知られている。５
は、絶縁膜である。
ある。高不純物濃度のＮ°型半導体基板４の上に低不純
物濃度のＮ−型のエピタキシャル層３を形成し、エピタ
キシャル層３の表面の一部に高濃度Ｎ゛゛拡散領域２を
形成し、更にエピタキシャル層３の表面に上記Ｎ゛゛拡
散領域２よりも浅く、且つ、横方向に広い面積を有する
ｐ゛゛拡散領域１をＮ゛゛拡散領域２の中央部で重畳す
るように形成したダイオードの構造が知られている。５
は、絶縁膜である。
熱論、第３図の実施例と反対導電型の半導体層からなる
可変容量ダイオード素子を製造する場合に、Ｐ゛型型数
散層、硼素を用いればよいが、硼素は、拡散係数も大き
く、短時間で深く拡散される性質を有する。
可変容量ダイオード素子を製造する場合に、Ｐ゛型型数
散層、硼素を用いればよいが、硼素は、拡散係数も大き
く、短時間で深く拡散される性質を有する。
さて、第２図に基づき可変容量ダイオード素子の製造方
法について説明すると、エピタキシャル層３にイオン注
入によって、Ｎ導電型の不純物元素を打ち込む。その濃
度分布は、点線で示した曲線（イ）のようなガウス分布
となる。続いて、電気炉内でアニール工程を行って、点
線で示した曲線（ロ）のように拡散される。次に、不純
物濃度分布が所定の拡散長となるように熱拡散を行うこ
とによって、Ｎ導電型の不純物元素のプロファイルは、
点線で示した曲線（ハ）のようなガウス分布に近ずく。
法について説明すると、エピタキシャル層３にイオン注
入によって、Ｎ導電型の不純物元素を打ち込む。その濃
度分布は、点線で示した曲線（イ）のようなガウス分布
となる。続いて、電気炉内でアニール工程を行って、点
線で示した曲線（ロ）のように拡散される。次に、不純
物濃度分布が所定の拡散長となるように熱拡散を行うこ
とによって、Ｎ導電型の不純物元素のプロファイルは、
点線で示した曲線（ハ）のようなガウス分布に近ずく。
その後、Ｐ″導電型拡散層１を形成することにより、Ｐ
ＮＮ接合炉形成されて所定の拡散長のＮ゛゛電型拡散層
２が形成され、可変容量ダイオード素子が製造される。
ＮＮ接合炉形成されて所定の拡散長のＮ゛゛電型拡散層
２が形成され、可変容量ダイオード素子が製造される。
従来の可変容量ダイオード素子の製造方法によって、第
２図に示されるように半導体基体の主表面から比較的浅
い部分にＰＮ接合Ｊ０を形成しようとすると、イオン注
入を行った後に行われるアニール工程で、ＰＮ接合が形
成されるべきその浅い領域を越えて、深い位置（ロ）に
拡散される。
２図に示されるように半導体基体の主表面から比較的浅
い部分にＰＮ接合Ｊ０を形成しようとすると、イオン注
入を行った後に行われるアニール工程で、ＰＮ接合が形
成されるべきその浅い領域を越えて、深い位置（ロ）に
拡散される。
更に、ＰＮ接合を形成する為の熱拡散工程で、より深い
位置に境界域が移動する。このように望ましいＰＮ接合
Ｊ０から深い部分に拡散層の境界域が形成される為に、
１■程度の低電圧で充分な接合容量が得られる可変容量
ダイオード素子を形成するのが、困難となる欠点がある
。
位置に境界域が移動する。このように望ましいＰＮ接合
Ｊ０から深い部分に拡散層の境界域が形成される為に、
１■程度の低電圧で充分な接合容量が得られる可変容量
ダイオード素子を形成するのが、困難となる欠点がある
。
一般に、印加電圧が１〜８■程度で接合容量を発生させ
る可変容量ダイオード素子では、比較的素子の拡散長が
深い為に拡散時間を長く設定できた。しかし、印加電圧
が０．２〜ｌＶ程度の低電圧で使用する可変容量ダイオ
ード素子では、半導体基板の浅い部分に不純物分布の勾
配が急峻な熱拡散層を形成しなければならなく、従って
、拡散工程は、短時間で熱拡散しなければならない。電
気炉でアニールし、長時間熱処理を行って不純物濃度分
布の均一な特性を有する熱、拡散層を制御する従来の熱
拡散方法では、上記のような特性の可変容量ダイオード
素子を製造することが困難であった。
る可変容量ダイオード素子では、比較的素子の拡散長が
深い為に拡散時間を長く設定できた。しかし、印加電圧
が０．２〜ｌＶ程度の低電圧で使用する可変容量ダイオ
ード素子では、半導体基板の浅い部分に不純物分布の勾
配が急峻な熱拡散層を形成しなければならなく、従って
、拡散工程は、短時間で熱拡散しなければならない。電
気炉でアニールし、長時間熱処理を行って不純物濃度分
布の均一な特性を有する熱、拡散層を制御する従来の熱
拡散方法では、上記のような特性の可変容量ダイオード
素子を製造することが困難であった。
更に、第３図と反対導電型の可変容量ダイオード素子を
形成する場合には、第３図のＮ°型拡散領域２をＰ゛型
型数散層する為に、通常硼素が用いられる。硼素は、Ｍ
量が軽いので、拡散係数が大きく短時間で深く拡散され
る性質を有する。熱拡散係数が大きい不純物元素の場合
は、不純物濃度分布のバラツキも大きくなる性質を有し
ており、長時間の熱拡散工程で拡散長の浅い拡散層を形
成しようとする場合には問題がある。
形成する場合には、第３図のＮ°型拡散領域２をＰ゛型
型数散層する為に、通常硼素が用いられる。硼素は、Ｍ
量が軽いので、拡散係数が大きく短時間で深く拡散され
る性質を有する。熱拡散係数が大きい不純物元素の場合
は、不純物濃度分布のバラツキも大きくなる性質を有し
ており、長時間の熱拡散工程で拡散長の浅い拡散層を形
成しようとする場合には問題がある。
本発明は、上述のような課題を解決する為になされたも
のであって、その主な目的は、熱拡散係数が大きい不純
物元素によって拡散長の比較的浅い拡散層を形成できる
熱拡散層の製造方法を提供すると共に、その製造方法に
よって可変容量ダイオード素子を提供するものである。
のであって、その主な目的は、熱拡散係数が大きい不純
物元素によって拡散長の比較的浅い拡散層を形成できる
熱拡散層の製造方法を提供すると共に、その製造方法に
よって可変容量ダイオード素子を提供するものである。
他の目的は、ＩＶ程度の低電圧であっても、充分な接合
容量が取り得る可変容量ダイオード素子の拡散長の制御
ができる製造方法を提供するものである。
容量が取り得る可変容量ダイオード素子の拡散長の制御
ができる製造方法を提供するものである。
更に他の目的は、Ｐ導電型の不純物元素とじて拡散係数
の大きい不純物元素を用いる場合の熱拡散層の濃度分布
の制御が容易な可変容量ダイオード素子の製造方法を提
供するものである。
の大きい不純物元素を用いる場合の熱拡散層の濃度分布
の制御が容易な可変容量ダイオード素子の製造方法を提
供するものである。
本発明は、上記の課題を解決する為になされたものであ
って、熱拡散係数の大きい不純物元素を半導体基板にイ
オン注入した後に、短時間に急速に加熱するアニール工
程、所謂、ＲＴ Ｐ （ｒａｐｉｄｔｈｅｒｍａｌ ｐ
ｒｏｃｅｓｓ ）を半導体基板に行うことにより、イオ
ン注入によって結晶欠陥が生じた半導体層を活性化して
、続いて、比較的低温で長時間熱拡散処理を行って熱拡
散層を形成する。浅い拡散層を有する可変容量ダイオー
ド素子にあっては、この製造方法によって拡散長の浅い
熱拡散層を形成し、次に反対導電型の熱拡散処理を行い
可変容量ダイオード素子を製造するものである。
って、熱拡散係数の大きい不純物元素を半導体基板にイ
オン注入した後に、短時間に急速に加熱するアニール工
程、所謂、ＲＴ Ｐ （ｒａｐｉｄｔｈｅｒｍａｌ ｐ
ｒｏｃｅｓｓ ）を半導体基板に行うことにより、イオ
ン注入によって結晶欠陥が生じた半導体層を活性化して
、続いて、比較的低温で長時間熱拡散処理を行って熱拡
散層を形成する。浅い拡散層を有する可変容量ダイオー
ド素子にあっては、この製造方法によって拡散長の浅い
熱拡散層を形成し、次に反対導電型の熱拡散処理を行い
可変容量ダイオード素子を製造するものである。
比較的拡散係数の大きい不純物元素による熱拡散層の製
造方法では、第１の熱拡散工程に入る前に、第１導電型
の不純物元素がイオン注入された半導体基板を、短時間
に急速に加熱するアニール工程（ＲＴＰ）により、イオ
ン注入された不純物元素が殆ど拡散させることなく活性
化される。次の熱拡散工程では、拡散温度が比較的低温
で、而も拡散時間を比較的長時間に設定して所定の拡散
長の拡散層が形成される。可変容量ダイオード素子の形
成に当たっては、第１の熱拡散工程で、浅い拡散長の拡
散層を形成し、次の第２の熱拡散工程で浅い部分にＰＮ
接合を形成することによって、１■以下の低い電圧源で
充分な可変容量が得られる可変容量ダイオード素子を容
易に製造することができる。
造方法では、第１の熱拡散工程に入る前に、第１導電型
の不純物元素がイオン注入された半導体基板を、短時間
に急速に加熱するアニール工程（ＲＴＰ）により、イオ
ン注入された不純物元素が殆ど拡散させることなく活性
化される。次の熱拡散工程では、拡散温度が比較的低温
で、而も拡散時間を比較的長時間に設定して所定の拡散
長の拡散層が形成される。可変容量ダイオード素子の形
成に当たっては、第１の熱拡散工程で、浅い拡散長の拡
散層を形成し、次の第２の熱拡散工程で浅い部分にＰＮ
接合を形成することによって、１■以下の低い電圧源で
充分な可変容量が得られる可変容量ダイオード素子を容
易に製造することができる。
第１図、第３図に基づき、本発明の熱拡散層の製造方法
と、その熱拡散工程を用いた可変容量ダイオード素子の
製造方法について説明する。
と、その熱拡散工程を用いた可変容量ダイオード素子の
製造方法について説明する。
第１の製造工程は、Ｎ°型半導体基板４にＮ−型のエピ
タキシャルＮ３が形成された半導体基体を前処理した後
に、所定のマスクを介してＮ゛型の不純物元素を半導体
基体の主表面からイオン注大法によって打ち込む。この
イオン注入工程によって、インオ注入されたＮ゛型の不
純物元素のプロファイルは、第１図（ａ）に示すような
ガウス分布をしている。
タキシャルＮ３が形成された半導体基体を前処理した後
に、所定のマスクを介してＮ゛型の不純物元素を半導体
基体の主表面からイオン注大法によって打ち込む。この
イオン注入工程によって、インオ注入されたＮ゛型の不
純物元素のプロファイルは、第１図（ａ）に示すような
ガウス分布をしている。
続いて、イオン注入された半導体基板を清浄な雰囲気中
、或いは減圧下で、赤外線を放射するタングステンハロ
ゲンランプ等の急速短時間加熱源によって加熱して、イ
オン注入されたＮ型の不純物元素を活性化させるアニー
ル工程（ＲＴＰ）に入る。通常ランプ・アニールと呼ば
れるアニール工程である。このアニール工程は、半導体
基体に打ち込まれた不純物元素を活性化させるが、この
時の拡散プロファイルは、第１図（ａ）に示すように、
インオ注入で生じた直後のガウス分布が略そのままのプ
ロファイルを維持した状態で活性化される。
、或いは減圧下で、赤外線を放射するタングステンハロ
ゲンランプ等の急速短時間加熱源によって加熱して、イ
オン注入されたＮ型の不純物元素を活性化させるアニー
ル工程（ＲＴＰ）に入る。通常ランプ・アニールと呼ば
れるアニール工程である。このアニール工程は、半導体
基体に打ち込まれた不純物元素を活性化させるが、この
時の拡散プロファイルは、第１図（ａ）に示すように、
インオ注入で生じた直後のガウス分布が略そのままのプ
ロファイルを維持した状態で活性化される。
アニール工程を行った後、次の熱拡散工程に入る。この
時の拡散温度は、既に活性化が済んでいる為に、Ｎ゛型
型数散層２、アニール工程での加熱温度より低い温度で
、しかも比較的長時間の熱拡散によって形成する。Ｎ゛
型型数散層、第１図の（ｂ）に示すようなプロファイル
となる。その後、Ｐ型の不純物を熱拡散工程によって、
Ｐ゛゛電型拡散層１を形成して、所定の深さにＰＮ接合
Ｊ０を形成する。
時の拡散温度は、既に活性化が済んでいる為に、Ｎ゛型
型数散層２、アニール工程での加熱温度より低い温度で
、しかも比較的長時間の熱拡散によって形成する。Ｎ゛
型型数散層、第１図の（ｂ）に示すようなプロファイル
となる。その後、Ｐ型の不純物を熱拡散工程によって、
Ｐ゛゛電型拡散層１を形成して、所定の深さにＰＮ接合
Ｊ０を形成する。
続いて、半導体基板主表面に被着された所定の部分の二
酸化シリコン膜を除去して電極を形成し可変容量ダイオ
ード素子を製造する。
酸化シリコン膜を除去して電極を形成し可変容量ダイオ
ード素子を製造する。
ランプ・アニール工程は、清浄な不活性ガス、活性ガス
等の混合ガス、或いは減圧のいづれかの状態で、加熱温
度を９００℃以上１２００℃未満の温度に設定し、且つ
加熱時間を３秒〜６０秒の範囲で行って、イオン注入法
によって打ち込まれた不純物元素を活性化する。ランプ
・アニール工程の熱源は、半導体基体が吸収の容易な赤
外線を放射するタングステンランプ、キセノンランプ。
等の混合ガス、或いは減圧のいづれかの状態で、加熱温
度を９００℃以上１２００℃未満の温度に設定し、且つ
加熱時間を３秒〜６０秒の範囲で行って、イオン注入法
によって打ち込まれた不純物元素を活性化する。ランプ
・アニール工程の熱源は、半導体基体が吸収の容易な赤
外線を放射するタングステンランプ、キセノンランプ。
或いはアークランプ等が用いられる。
次に、反対導電型の可変容量ダイオード素子について説
明すると、第１の熱拡散工程には、Ｐ導電型の拡散層と
する為に、硼素が用いられる。硼素は、熱拡散係数が比
較的大きく為に、浅い拡散長の拡散層を形成するのが、
比較的困難である。
明すると、第１の熱拡散工程には、Ｐ導電型の拡散層と
する為に、硼素が用いられる。硼素は、熱拡散係数が比
較的大きく為に、浅い拡散長の拡散層を形成するのが、
比較的困難である。
従って、硼素をイオン注入工程によって、半導体基体に
打ち込んだ後、ランプ・アニール工程を行う。その時の
加熱温度を１０００℃±１００℃とし、赤外線の放射時
間を１５±５秒に設定して不純物元素の活性化を図り、
直ちに次の熱拡散炉による熱拡散工程によって拡散長の
制御を行う。この時の、熱拡散温度は、既にイオン注入
された不純物元素が活性化されているので、ランプ・ア
ニール工程の加熱温度より低い９００℃程度の温度とし
て、熱拡散時間を比較的長時間にすることにより、不純
物濃度分布を精度よく制御してＰ゛型の熱拡散層を形成
できる。
打ち込んだ後、ランプ・アニール工程を行う。その時の
加熱温度を１０００℃±１００℃とし、赤外線の放射時
間を１５±５秒に設定して不純物元素の活性化を図り、
直ちに次の熱拡散炉による熱拡散工程によって拡散長の
制御を行う。この時の、熱拡散温度は、既にイオン注入
された不純物元素が活性化されているので、ランプ・ア
ニール工程の加熱温度より低い９００℃程度の温度とし
て、熱拡散時間を比較的長時間にすることにより、不純
物濃度分布を精度よく制御してＰ゛型の熱拡散層を形成
できる。
又、燐を用いた場合には、ランプ・アニール工程の、加
熱温度を１１００℃前後とし、放射時間を１５±５秒に
設定して活性化を図ることによって、拡散長の制御が容
易となる。この時の熱拡散温度は、上記と同様にランプ
・アニール工程の温度より低い温度に設定できる。
熱温度を１１００℃前後とし、放射時間を１５±５秒に
設定して活性化を図ることによって、拡散長の制御が容
易となる。この時の熱拡散温度は、上記と同様にランプ
・アニール工程の温度より低い温度に設定できる。
本発明によれば、不純物元素として熱拡散係数の大きい
硼素等の元素を用いたとしても、イオン注入を行った後
にＲＴＰによるランプ・アニール工程を行って、直ちに
熱拡散工程に入る製造方法で熱拡散層を形成することに
よって、拡散長の浅い拡散層を容易に製造することが可
能である。従って、浅いＰＮ接合を形成するのが容易で
あるので、１■程度の電圧で充分な接合容量が得られる
可変容量ダイオード素子を容易に製造することが可能で
ある。
硼素等の元素を用いたとしても、イオン注入を行った後
にＲＴＰによるランプ・アニール工程を行って、直ちに
熱拡散工程に入る製造方法で熱拡散層を形成することに
よって、拡散長の浅い拡散層を容易に製造することが可
能である。従って、浅いＰＮ接合を形成するのが容易で
あるので、１■程度の電圧で充分な接合容量が得られる
可変容量ダイオード素子を容易に製造することが可能で
ある。
又、本発明の可変容量ダイオード素子の製造方法によれ
ば、イオン注入法によって打ち込まれた不純物元素を短
時間に急速に加熱して、活性化させることが可能であり
、次の熱拡散工程で、比較的低温で、而も、比較的長時
間の熱拡散によって拡散層を形成することができるので
、所望の拡散長の拡散層であって、深さ方向の濃度分布
の制御が容易となるので、所定の印加電圧で充分な接合
容量が取れる可変容量ダイオード素子を容易に製造する
ことができる極めて効果的なものである。
ば、イオン注入法によって打ち込まれた不純物元素を短
時間に急速に加熱して、活性化させることが可能であり
、次の熱拡散工程で、比較的低温で、而も、比較的長時
間の熱拡散によって拡散層を形成することができるので
、所望の拡散長の拡散層であって、深さ方向の濃度分布
の制御が容易となるので、所定の印加電圧で充分な接合
容量が取れる可変容量ダイオード素子を容易に製造する
ことができる極めて効果的なものである。
第１図は、本発明に係る可変容量ダイオード素子の製造
方法を説明する為の、その不純物濃度分布を示すプロフ
ァイルの図、第２図は、従来の可変容量ダイオード素子
の製造方法を説明する為のその不純物濃度分布を示すプ
ロファイルの図、第３図は、典型的な可変容量ダイオー
ド素子の断面図である。
方法を説明する為の、その不純物濃度分布を示すプロフ
ァイルの図、第２図は、従来の可変容量ダイオード素子
の製造方法を説明する為のその不純物濃度分布を示すプ
ロファイルの図、第３図は、典型的な可変容量ダイオー
ド素子の断面図である。
Claims (5)
- （１）イオン注入法によって、半導体基体に不純物元素
を打ち込み熱拡散によって拡散層を形成する製造方法に
於いて、該半導体基体に比較的拡散係数の大きい不純物
元素を打ち込み、次に短時間に急速に加熱するアニール
工程（ＲＴＰ）を行い、続いて、不純物元素を該アニー
ル工程より低温で熱拡散して所定の拡散長に拡散層を制
御することを特徴とする熱拡散層の製造方法。 - （２）前記不純物元素がホウ素であって、前記アニール
工程（ＲＴＰ）の加熱温度が、１０００±１００℃の範
囲で、且つ、加熱時間が１５±５秒の範囲でなされるこ
とを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の熱拡散層の
製造方法。 - （３）半導体基体に第１導電型の不純物元素を打ち込む
イオン注入工程と、該半導体基体を清浄な雰囲気中で赤
外線を照射して短時間に急速に該半導体基体を加熱する
アニール工程（ＲＴＰ）と、該アニール工程に続き該ア
ニール工程での加熱温度より低い温度によって第１導電
型の拡散層を所定の拡散長に制御する第１の熱拡散工程
と、第２の導電型の不純物元素を拡散させてＰＮ接合を
形成する第２の熱拡散工程とを含むことを特徴とする可
変容量ダイオード素子の製造方法。 - （４）前記第１導電型の不純物元素がホウ素であって、
前記アニール工程（ＲＴＰ）の加熱温度が、１０００±
１００℃の範囲であって、且つ、加熱時間が１５±５秒
の範囲であることを特徴とする特許請求の範囲第３項記
載の可変容量ダイオード素子の製造方法。 - （５）前記第１導電型の不純物元素が燐であって、前記
アニール工程（ＲＴＰ）の加熱温度が、１１００±１０
０℃の範囲であって、且つ、加熱時間が１５±５秒の範
囲であることを特徴とする特許請求の範囲第３項記載の
可変容量ダイオード素子の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63299273A JPH0644634B2 (ja) | 1988-11-26 | 1988-11-26 | 可変容量ダイオード素子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63299273A JPH0644634B2 (ja) | 1988-11-26 | 1988-11-26 | 可変容量ダイオード素子の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02144973A true JPH02144973A (ja) | 1990-06-04 |
| JPH0644634B2 JPH0644634B2 (ja) | 1994-06-08 |
Family
ID=17870411
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63299273A Expired - Fee Related JPH0644634B2 (ja) | 1988-11-26 | 1988-11-26 | 可変容量ダイオード素子の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0644634B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002141298A (ja) * | 2000-11-02 | 2002-05-17 | Toshiba Corp | 半導体装置の製造方法 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58176928A (ja) * | 1982-04-09 | 1983-10-17 | Fujitsu Ltd | 光アニ−ル方法 |
| JPS61164264A (ja) * | 1985-01-16 | 1986-07-24 | Seiko Epson Corp | 半導体装置 |
-
1988
- 1988-11-26 JP JP63299273A patent/JPH0644634B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58176928A (ja) * | 1982-04-09 | 1983-10-17 | Fujitsu Ltd | 光アニ−ル方法 |
| JPS61164264A (ja) * | 1985-01-16 | 1986-07-24 | Seiko Epson Corp | 半導体装置 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002141298A (ja) * | 2000-11-02 | 2002-05-17 | Toshiba Corp | 半導体装置の製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0644634B2 (ja) | 1994-06-08 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US20200381515A1 (en) | Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device | |
| US4505759A (en) | Method for making a conductive silicon substrate by heat treatment of oxygenated and lightly doped silicon single crystals | |
| JP5203667B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| US3607449A (en) | Method of forming a junction by ion implantation | |
| US4502205A (en) | Method of manufacturing an MIS type semiconductor device | |
| JPS6242418A (ja) | ド−パントの拡散及びド−パントの電気的活性化を制御する方法 | |
| US4004950A (en) | Method for improving the doping of a semiconductor material | |
| JPS6362227A (ja) | Ｐ型ド−パントの特性のその他のｐ型ド−パントでの修正 | |
| JPS60208868A (ja) | 低雑音ツエナーダイオードの製造方法 | |
| KR100766254B1 (ko) | 태양전지용 접합층 형성방법 | |
| JPS6031099B2 (ja) | 増速拡散により半導体基板内に所定の導電型の領域を形成する方法 | |
| US6426277B1 (en) | Methods and a device for heat treating a semiconductor wafer having different kinds of impurities | |
| KR100231594B1 (ko) | 반도체 소자의 웰 형성방법 | |
| JPH02144973A (ja) | 可変容量ダイオード素子の製造方法 | |
| US10748772B2 (en) | Device forming method | |
| JPH0526343B2 (ja) | ||
| US20060205122A1 (en) | Method for fabricating a field stop zone | |
| JPH11274090A (ja) | 浅い接合を有するデバイスの製造方法 | |
| JPS6250971B2 (ja) | ||
| JPS582449B2 (ja) | 少数キヤリヤ拡散長の制御方法 | |
| JPH0244717A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS6321825A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| WO2026042266A1 (ja) | 半導体装置の製造方法、及び、半導体装置 | |
| JP2653513B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH0689869A (ja) | 半導体素子の製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |