JPH0216114B2 - - Google Patents

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JPH0216114B2
JPH0216114B2 JP56165285A JP16528581A JPH0216114B2 JP H0216114 B2 JPH0216114 B2 JP H0216114B2 JP 56165285 A JP56165285 A JP 56165285A JP 16528581 A JP16528581 A JP 16528581A JP H0216114 B2 JPH0216114 B2 JP H0216114B2
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resonant
circuit
series
current
diode
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Hitoshi Kono
Atsushi Okuno
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Shinko Electric Co Ltd
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Shinko Electric Co Ltd
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    • HELECTRICITY
    • H02GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
    • H02MAPPARATUS FOR CONVERSION BETWEEN AC AND AC, BETWEEN AC AND DC, OR BETWEEN DC AND DC, AND FOR USE WITH MAINS OR SIMILAR POWER SUPPLY SYSTEMS; CONVERSION OF DC OR AC INPUT POWER INTO SURGE OUTPUT POWER; CONTROL OR REGULATION THEREOF
    • H02M7/00Conversion of AC power input into DC power output; Conversion of DC power input into AC power output
    • H02M7/42Conversion of DC power input into AC power output without possibility of reversal
    • H02M7/44Conversion of DC power input into AC power output without possibility of reversal by static converters
    • H02M7/48Conversion of DC power input into AC power output without possibility of reversal by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode
    • H02M7/505Conversion of DC power input into AC power output without possibility of reversal by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode using devices of a thyratron or thyristor type requiring extinguishing means
    • H02M7/515Conversion of DC power input into AC power output without possibility of reversal by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode using devices of a thyratron or thyristor type requiring extinguishing means using semiconductor devices only

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  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Inverter Devices (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 この発明は使用される電流制御素子のターンオ
ン時における電力損失を低減させると共に、同電
流制御素子の電流の立下り時間を短縮させて出力
周波数の上昇、すなわち高速化をはかつた高周波
インバータ回路に関する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION The present invention reduces the power loss during turn-on of the current control element used, and shortens the fall time of the current of the current control element to increase the output frequency, that is, increase the speed. This article relates to an advanced high frequency inverter circuit.

まず、この種の高周波インバータ回路の動作原
理を第1図に示す基本回路に基づいて説明する。
この第1図に示す高周波インバータ回路におい
て、1は2つの直流電圧E1、E2(E1=E2)を発生
する直流電源であり、可変電圧源2とチヨークコ
イル3と平滑コンデンサ4,5とからなつてい
る。6は直列接続されたサイリスタ6a,6b
と、同じく直列接続されたサイリスタ6c,6d
とが電流方向を一致させて並列接続された第1の
スイツチ回路であり、このスイツチ回路6におけ
るサイリスタ6a,6bの接続点とサイリスタ6
c,6dの接続点との間には第1の共振コンデン
サ7(転流用のコンデンサであり容量はC)が介
挿されている。また8は第1の共振コイル(転流
用の誘導コイルでありインダクタンスはL)であ
る。次に9は前記スイツチ回路6と同様の構成の
第2のスイツチ回路、10は第2の共振コンデン
サ(容量C)、11は第2の共振コイル(インダ
クタンスL)である。そして、平滑コンデンサ4
(電圧E1の直流電源)、スイツチ回路6、共振コ
ンデンサ7および共振コイル8からなる第1の直
列共振回路12と、平滑コンデンサ5(電圧E2
の直流電源)、スイツチ回路9、共振コンデンサ
10および共振コイル11からなる第2の直列共
振回路13との各両端端子14,15の間に負荷
16(等価抵抗R0)が介挿されている。
First, the operating principle of this type of high frequency inverter circuit will be explained based on the basic circuit shown in FIG.
In the high-frequency inverter circuit shown in FIG. 1, 1 is a DC power supply that generates two DC voltages E 1 and E 2 (E 1 = E 2 ), and includes a variable voltage source 2, a chiyoke coil 3, and smoothing capacitors 4 and 5. It is made up of. 6 are thyristors 6a and 6b connected in series.
and thyristors 6c and 6d, which are also connected in series.
and are connected in parallel with each other in the same current direction, and the connection point of thyristors 6a and 6b in this switch circuit 6 and the thyristor 6
A first resonant capacitor 7 (a commutation capacitor with a capacitance of C) is inserted between the connection points c and 6d. Further, 8 is a first resonant coil (an induction coil for commutation, and has an inductance of L). Next, 9 is a second switch circuit having the same configuration as the switch circuit 6, 10 is a second resonant capacitor (capacitance C), and 11 is a second resonant coil (inductance L). And smoothing capacitor 4
(DC power supply with voltage E 1 ), a first series resonant circuit 12 consisting of a switch circuit 6, a resonant capacitor 7 and a resonant coil 8, and a smoothing capacitor 5 (with a voltage E 2
A load 16 (equivalent resistance R 0 ) is inserted between terminals 14 and 15 at both ends of the second series resonant circuit 13 consisting of a DC power source), a switch circuit 9, a resonant capacitor 10, and a resonant coil 11. .

この構成において、サイリスタ6a,6d、サ
イリスタ9c,9b、サイリスタ6c,6b、サ
イリスタ9a,9dを、第2図のイ,ロ,ハ,ニ
に示すようなゲート電流により、時刻t1,t2,t3
t4…の順に各々点弧すれば、同図のホに示すよう
に、第1の直列共振回路12にはL、C、R0
で決まる略正弦半波状の共振電流I1が、また第2
の直列共振回路13にも同様に略正弦半波状の共
振電流I2が流れ、これにより、負荷16には、こ
れらの両共振電流I1,I2を合成した高周波電流Il
が流れる。なおこの場合、共振コンデンサ7,1
0の各両端間電圧Vc1,Vc2は、第2図のヘ,ト
に示すように変化する。
In this configuration, the thyristors 6a, 6d, thyristors 9c, 9b, thyristors 6c, 6b, and thyristors 9a, 9d are operated at times t 1 and t 2 by gate currents as shown in A, B, C, and D of FIG. ,t 3 ,
t 4 ..., the first series resonant circuit 12 has L, C, R 0 , as shown in E of the figure.
The approximately sinusoidal half-wave resonant current I 1 determined by
Similarly, a substantially sinusoidal half-wave resonant current I 2 flows through the series resonant circuit 13, and as a result, the load 16 receives a high-frequency current I l which is a combination of both resonant currents I 1 and I 2 .
flows. In this case, the resonance capacitors 7, 1
The voltages V c1 and V c2 between both ends of 0 change as shown in F and G of FIG.

ところで、このような高周波インバータ回路に
おいては、出力周波数を高く設定すると各サイリ
スタ6a〜6d,9a〜9dの電流変化速度di/dt が極めて大になるから、これに伴ないこれらの各
サイリスタのターンオン時の電力損失が極めて大
となつてしまう。第3図はこのサイリスタのター
ンオン時の電力損失を示す特性図であり、この図
のイに示すように、時刻t1において点弧されたサ
イリスタには実線aのような共振電流I1(または
I2)が流れ、またこの時このサイリスタのアノー
ド−カソード間電圧は実線bのように変化し、こ
の結果、このサイリスタの電力損失は同図ロの実
線cのようになる。この第3図のロの波形から明
らかなように、この種の高周波インバータ回路に
おいては出力周波数を高くした場合、各サイリス
タのターンオン時の電力損失が極めて大となるの
で、各サイリスタを、並列接続された複数個のサ
イリスタに各々置換して電力損失を分散させねば
ならず、極めてコスト高になつてしまうという問
題がある。
By the way, in such a high frequency inverter circuit, when the output frequency is set high, the current change rate di/dt of each thyristor 6a to 6d, 9a to 9d becomes extremely large, and accordingly, the turn-on speed of each of these thyristors increases. The power loss during this time becomes extremely large. Figure 3 is a characteristic diagram showing the power loss during turn-on of this thyristor.As shown in A of this figure, the thyristor fired at time t1 has a resonant current I1 (or
I 2 ) flows, and at this time, the voltage between the anode and cathode of this thyristor changes as shown by the solid line b, and as a result, the power loss of this thyristor becomes as shown by the solid line c in FIG. As is clear from the waveform shown in Fig. 3, when the output frequency is increased in this type of high-frequency inverter circuit, the power loss when each thyristor is turned on becomes extremely large, so each thyristor is connected in parallel. There is a problem in that the power loss must be distributed by replacing each thyristor with a plurality of thyristors, resulting in extremely high costs.

このような問題を解決するものとして、第4図
に示すように、第1の直列共振回路12、第2の
直列共振回路13に、磁束が未飽和状態から飽和
状態に移行するまでの時間がこれらの各サイリス
タ6a〜6d、9a〜9dのターンオン時間より
も僅かに長くなる可飽和リアクトル17,18
(未飽和時のリアクトルをL1とする)を各々直列
に介挿する方法がある。第5図は、この第4図に
示した高周波インバータ回路における各サイリス
タ6a〜6b,9a〜9dのターンオン時の電力
損失を示す特性図であり、この図に示すように、
時刻t1において点弧されたサイリスタの電流(実
線a)は、対応する可飽和リアクトル17または
可飽和リアクトル18が時刻t2において磁束が未
飽和状態から飽和状態に移行するまでの期間Tsf
において高インピーダンスを示すため、(L1
L)とCとで決まる共振周波数で緩やかに増加
し、時刻t2において飽和状態に移行すると低イン
ピーダンスになるため以後LとCとで決まる共振
周波数で急激に増加する。さらにこのサイリスタ
の電流は、時刻t3において一旦最大値に達した
後、可飽和リアクトル17(または18)が飽和
状態を維持し続ける時刻t4までの間は急激に減少
し、時刻t4において可飽和リアクトル17(また
は18)が飽和状態から未飽和状態に移行した後
電流が零になる時刻t5までの期間Tsrにおいては
再び(L1+L)とCとで決まる共振周波数にお
いて、サイリスタ電流が零となるまで緩やかに減
少する。このようにこの方法によれば第5図ロに
実線cで示すように各サイリスタ6a〜6b,9
a〜9dのターンオン時の電力損失を効果的に減
少させることができる。
As a solution to this problem, as shown in FIG. Saturable reactors 17, 18 whose turn-on time is slightly longer than the turn-on time of each of these thyristors 6a-6d, 9a-9d.
There is a method of inserting each reactor in series (assuming the reactor when unsaturated is L 1 ). FIG. 5 is a characteristic diagram showing the power loss during turn-on of each thyristor 6a to 6b, 9a to 9d in the high frequency inverter circuit shown in FIG. 4, and as shown in this diagram,
The current of the thyristor fired at time t1 (solid line a) is the period Tsf until the magnetic flux of the corresponding saturable reactor 17 or saturable reactor 18 transitions from an unsaturated state to a saturated state at time t2 .
Since (L 1 +
The impedance increases gradually at the resonant frequency determined by L) and C, and then increases sharply at the resonant frequency determined by L and C since the impedance becomes low when the impedance reaches the saturated state at time t2 . Further, the current of this thyristor once reaches its maximum value at time t3 , and then rapidly decreases until time t4 , when the saturable reactor 17 (or 18) continues to maintain the saturated state, and at time t4 . During the period T sr from when the saturable reactor 17 (or 18) transitions from the saturated state to the unsaturated state until time t 5 when the current becomes zero, the thyristor operates again at the resonant frequency determined by (L 1 +L) and C. The current decreases slowly until it reaches zero. According to this method, each thyristor 6a to 6b, 9 is connected as shown by the solid line c in FIG.
The power loss during turn-on of a to 9d can be effectively reduced.

ところでこの場合、共振コンデンサ7の両端間
電圧Vc1、または共振コンデンサ10の両端間電
圧Vc2は、第6図のイに示す実線dのようにサイ
リスタに流れる電流が最大値になる時刻t3を境に
して極性が反転し、かつサイリスタが完全にオフ
状態である期間においては、それらの絶対値が等
しくなる。また、可飽和リアクトル17の両端間
電圧Vl1(または可飽和リアクトル18の両端間電
圧Vl2)は、この第6図のロに実線eで示すよう
に、サイリスタの電流増加過程である時刻t1〜t2
(期間Tsf)においてはこの可飽和リアクトルが高
インピーダンスであるから、略Vc1+E1(または
Vc2+E2)となり、また時刻t2〜t4においては、
可飽和リアクトルが極めて低インピーダンス(例
えば未飽和状態におけるインピーダンスの1/200
となり、これはインダクタンスLに比べて極めて
小さい)となるのでその分減少し、また時刻t4
t5(期間Tsr)においては略Vc1−E1(またはVc2
E2)となる。ここで前述したように、サイリス
タがオフ状態である場合のVc1(またはVc2)は絶
対値が等しいから、期間Tsfにおける電圧Vl1(ま
たはVl2)と、期間Tsrにおける電圧Vl1(または
Vl2)との絶対値間には2E1(または2E2)なる電圧
差がある。したがつて期間Tsrは期間Tsfよりも長
くなる(通常、電圧Vc1+E1と電圧Vc1−E1との
比は、2:1〜3.5:1.5であるから、期間Tsrと期
間Tsfの比は1:2〜1:2.5程度となる。
In this case, the voltage V c1 across the resonant capacitor 7 or the voltage V c2 across the resonant capacitor 10 is determined at the time t 3 when the current flowing through the thyristor reaches its maximum value, as shown by the solid line d shown in FIG. During the period when the polarity is reversed after , and the thyristor is completely off, their absolute values become equal. In addition, the voltage V l1 across the saturable reactor 17 (or the voltage V l2 across the saturable reactor 18) is determined at time t, which is the current increasing process of the thyristor, as shown by the solid line e in Figure 6 (b). 1 ~ t2
(period T sf ), this saturable reactor has high impedance, so approximately V c1 +E 1 (or
V c2 + E 2 ), and at time t 2 to t 4 ,
The saturable reactor has extremely low impedance (for example, 1/200 of the impedance in the unsaturated state)
(This is extremely small compared to the inductance L), so it decreases by that amount, and from time t 4 to
At t 5 (period T sr ), approximately V c1 −E 1 (or V c2
E2 ). As mentioned above, since the absolute values of V c1 (or V c2 ) when the thyristor is in the off state are equal, the voltage V l1 (or V l2 ) during the period T sf and the voltage V l1 during the period T sr (or
There is a voltage difference of 2E 1 (or 2E 2 ) between the absolute value and V l2 ). Therefore, the period T sr is longer than the period T sf (normally, the ratio of the voltage V c1 +E 1 to the voltage V c1 −E 1 is 2:1 to 3.5:1.5, so the period T sr and the period T sf are The ratio of T sf is about 1:2 to 1:2.5.

このように期間Tsrが長いと、その分使用され
ているサイリスタが導通されてから非導通状態に
なるまでの時間が長くなるから、転流動作を正確
に行なわせるためには、次回に行なわれるサイリ
スタの点弧タイミングをその分遅らせる必要があ
る。したがつて、この種の高周波インバータにお
いてサイリスタのターンオン時の電力損失を低減
させたままで、高速化をはかるためには、この期
間Tsrを何らかの手段により短縮させる必要があ
る。
If the period T sr is long in this way, the time from when the thyristor used becomes conductive to when it becomes non-conductive becomes longer, so in order to perform the commutation operation accurately, it is necessary to carry out the commutation operation next time. It is necessary to delay the firing timing of the thyristor by that amount. Therefore, in order to increase the speed of this type of high-frequency inverter while reducing power loss during turn-on of the thyristor, it is necessary to shorten this period T sr by some means.

この発明は以上の諸事情に鑑みてなされたもの
で、その目的とするところは、使用される電流制
御素子のターンオン時の電力損失の低減と、高速
化とを両立させた高周波インバータ回路を提供す
ることにある。
This invention was made in view of the above circumstances, and its purpose is to provide a high-frequency inverter circuit that achieves both reduction in power loss during turn-on of the current control element used and increased speed. It's about doing.

以下、この発明の実施列を図面を参照して説明
する。第7図は、この発明の一実施例の構成を示
す回路図であり、この図において、第4図の各部
に対応する部分には同一の符号を付してある。第
7図において、可飽和リアクトル17(未飽和時
のインダクタンスはL1)の両端19,20の間
には、ダイオード21と抵抗22(抵抗値R)と
が直列接続されてなる第1のエネルギ吸収回路2
3が、ダイオード21の順方向が共振電流I1の方
向と逆方向になるようにして介挿されている。ま
た可飽和リアクトル18(未飽和時のインダクタ
ンスはL1)の両端24,25の間には、ダイオ
ード26と抵抗27(抵抗値R)とが直列接続さ
れてなる第2のエネルギ吸収回路28が、ダイオ
ード26の順方向が共振電流I2の方向と逆方向に
なるようにして、介挿されている。
Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings. FIG. 7 is a circuit diagram showing the configuration of an embodiment of the present invention, and in this figure, parts corresponding to those in FIG. 4 are given the same reference numerals. In FIG. 7, between both ends 19 and 20 of a saturable reactor 17 (inductance when unsaturated is L 1 ), a first energy source is formed by connecting a diode 21 and a resistor 22 (resistance value R) in series. Absorption circuit 2
3 is inserted so that the forward direction of the diode 21 is opposite to the direction of the resonant current I1 . Further, between both ends 24 and 25 of the saturable reactor 18 (inductance when unsaturated is L 1 ), a second energy absorbing circuit 28 is provided, which includes a diode 26 and a resistor 27 (resistance value R) connected in series. , are inserted so that the forward direction of the diode 26 is opposite to the direction of the resonant current I2 .

以上の構成において、サイリスタ6a,6dま
たはサイリスタ6c,6b(またはサイリスタ9
c,9bまたはサイリスタ9a,9d)が第8図
における時刻t1において点弧された場合、可飽和
リアクトル17(または18)の両端間電圧Vl1
(またはVl2)は、第6図のロに示したように、時
刻t1から時刻t3近傍までは、正であるからダイオ
ード21(または26)は逆バイアスとなる。ま
たこの電圧Vl1(またはVl2)は、時刻t3近傍から
時刻t4までの間においては、負となるがその値は
小さいため、この間におけるダイオード21と抵
抗22(またはダイオード26と抵抗27)を介
して流れる電流は無視し得る。したがつて、時刻
t1〜t4間における共振電流I1(またはI2)は、第8
図に示すように、第6図のイに示した波形と同一
になる。一方、時刻t4以降になると電圧Vl1(また
はVl2)は、第6図のロに示したように負方向に
極めて大きな値になろうとする。何故なら、可飽
和リアクトル17(または18)が未飽和状態と
なるため、電圧(Vc1−E1)または電圧(Vc2
E2)が殆んど全て可飽和リアクトル17(また
は18)に印加されることになるからである。こ
のためダイオード21(または26)は導通し、
可飽和リアクトル17(または18)のエネルギ
は、エネルギ吸収回路23(または28)を介し
て放出され、またこの間に共振電流I1(またはI2
はこのエネルギ吸収回路23(または28)を介
して、第8図のイに実線aで示すように、抵抗値
R(R≫R0)に制動されて減少し、時刻t5′におい
て零になる。この場合、時刻t4における共振電流
I1(またはI2)の値をI0とすると、可飽和リアクト
ル17(または18)に流れる電流は高インダク
タンスのため破線a′のように殆んど減少しないか
ら、共振電流I1(またはI2)が時刻t4〜t5′において
急激に減少する際、この図のロに実線gで示すよ
うに、上記可飽和リアクトル17(または18)
の電流と共振電流I1(またはI2)との差に相当す
る電流がエネルギ吸収回路23(または28)を
介して流れることになる。そして時刻t5′に到つ
て共振電流I1(またはI2)が零になると、この時
刻t5′において未だ可飽和リアクトル17(また
は18)に流れている電流I0′は、以後 なる減衰特性をもつて零に向かう(同図ロの実線
g参照)。そしてこの減衰特性は極めて緩やかで
あるから、サイリスタ6a〜6d、9a〜9dに
付加されるアブソーバ(図示せず)の電力損失を
押えることができ、またダイオード21,26に
はアブソーバを設ける必要がなくなる。
In the above configuration, thyristors 6a, 6d or thyristors 6c, 6b (or thyristors 9
c, 9b or thyristor 9a, 9d) is fired at time t1 in FIG. 8, the voltage across the saturable reactor 17 (or 18) V l1
(or V l2 ) is positive from time t 1 to around time t 3 as shown in FIG. 6B, so the diode 21 (or 26) is reverse biased. Further, this voltage V l1 (or V l2 ) becomes negative from near time t 3 to time t 4 , but its value is small, so the voltage between diode 21 and resistor 22 (or diode 26 and resistor 27 ) can be ignored. Therefore, time
The resonant current I 1 (or I 2 ) between t 1 and t 4 is the 8th
As shown in the figure, the waveform is the same as that shown in A of FIG. On the other hand, after time t4 , the voltage V l1 (or V l2 ) tends to take an extremely large value in the negative direction, as shown in FIG. 6B. This is because the saturable reactor 17 (or 18) is in an unsaturated state, so that the voltage (V c1 - E 1 ) or the voltage (V c2 -
This is because almost all of E 2 ) will be applied to the saturable reactor 17 (or 18). Therefore, the diode 21 (or 26) becomes conductive,
The energy of the saturable reactor 17 (or 18) is released via the energy absorption circuit 23 (or 28), and during this time the resonant current I 1 (or I 2 )
is reduced by the resistance value R (R≫R 0 ) through this energy absorption circuit 23 (or 28), as shown by the solid line a in A of FIG. 8, and becomes zero at time t 5 '. Become. In this case, the resonant current at time t 4
If the value of I 1 (or I 2 ) is I 0 , the current flowing through the saturable reactor 17 (or 18) hardly decreases as indicated by the broken line a′ due to its high inductance, so the resonant current I 1 (or When I 2 ) suddenly decreases from time t 4 to t 5 ', as shown by the solid line g in B of this figure, the saturable reactor 17 (or 18)
A current corresponding to the difference between the current and the resonant current I 1 (or I 2 ) will flow through the energy absorption circuit 23 (or 28). Then, when the resonant current I 1 (or I 2 ) becomes zero at time t 5 ′, the current I 0 ′ still flowing through the saturable reactor 17 (or 18) at this time t 5 ′ becomes (See the solid line g in FIG. 2). Since this attenuation characteristic is extremely gentle, the power loss of the absorbers (not shown) added to the thyristors 6a to 6d and 9a to 9d can be suppressed, and it is not necessary to provide absorbers to the diodes 21 and 26. It disappears.

このように、この実施例によれば、サイリスタ
6a〜6d、9a〜9dのターンオン時における
電力損失を、可飽和リアクトルを有効に作用させ
て、極めて効果的に低減させることができると共
に、これらのサイリスタが非導通状態に移行する
までの時間を無理なく効果的に短縮させることが
でき、これにより出力周波数の上昇すなわち高速
化をはかることができる。
As described above, according to this embodiment, the power loss when the thyristors 6a to 6d and 9a to 9d are turned on can be extremely effectively reduced by effectively using the saturable reactor. The time it takes for the thyristor to transition to a non-conducting state can be reasonably and effectively shortened, thereby increasing the output frequency, that is, increasing the speed.

以上説明したように、この発明による高周波イ
ンバータ回路は、第1の直流電源と、電流制御素
子を回路開閉手段とする第1のスイツチ回路と、
第1の共振コンデンサと、第1の共振コイルとを
直列接続した第1の直列共振回路と、第2の直流
電源と、電流制御素子を回路開閉手段とする第2
のスイツチ回路と、第2の共振コンデンサと、第
2の共振コイルとを直列接続した第2の直列共振
回路とを具備してなり、第1、第2の直列共振回
路の各両端間に負荷を共通に介挿し、第1の直列
共振回路によつて負荷に一方向に第1の共振電流
を供給し、また第2の直列共振回路によつて同負
荷に第1の共振電流の方向とは逆の方向に第2の
共振電流を供給するようにした高周波インバータ
回路において、これらの第1、第2の直列共振回
路に第1、第2の可飽和リアクトルを各々直列に
介挿すると共に、第1のダイオードと第1の抵抗
とが直列接続されてなる第1のエネルギ吸収回路
を第1のダイオードの順方向が第1の共振電流の
方向と逆方向になるように第1の可飽和リアクト
ルに並列に介挿し、第2のダイオードと第2の抵
抗とが直列接続されてなる第2のエネルギ吸収回
路を第2のダイオードの順方向が第2の共振電流
の方向と逆方向になるように第2の可飽和リアク
トルに並列に介挿したものであるから、簡単な構
成により第1、第2のスイツチ回路に使用される
電流制御素子のターンオン時の電力損失を、可飽
和リアクトルを有効に作用させて、極めて効果的
に低減させることができると共に、これらの電流
制御素子が導通状態から非導通状態に移行するま
での時間を、エネルギ吸収回路の電流変化を緩や
かなものとしたまま、極めて効果的に短縮させる
ことができる。したがつてこの発明によれば電力
制御素子の電力容量を何ら増大させることなく極
めて安価な方法で高速化を実現させることができ
る。
As explained above, the high frequency inverter circuit according to the present invention includes a first DC power supply, a first switch circuit using a current control element as a circuit opening/closing means,
A first series resonant circuit in which a first resonant capacitor and a first resonant coil are connected in series, a second DC power supply, and a second series resonant circuit in which a current control element is used as circuit switching means.
a switch circuit, a second series resonant circuit in which a second resonant capacitor and a second resonant coil are connected in series, and a load is placed between each end of the first and second series resonant circuits. are inserted in common, the first series resonant circuit supplies the first resonant current to the load in one direction, and the second series resonant circuit supplies the same load with the first resonant current in the direction. In a high frequency inverter circuit configured to supply a second resonant current in the opposite direction, first and second saturable reactors are inserted in series with these first and second series resonant circuits, respectively, and , a first energy absorption circuit including a first diode and a first resistor connected in series is connected to a first energy absorption circuit such that the forward direction of the first diode is opposite to the direction of the first resonant current. A second energy absorbing circuit is inserted in parallel with the saturation reactor, and the second diode and the second resistor are connected in series, and the forward direction of the second diode is opposite to the direction of the second resonant current. Since the saturable reactor is inserted in parallel with the second saturable reactor, the saturable reactor In addition, the current change in the energy absorbing circuit is made gradual in the time it takes for these current control elements to transition from a conductive state to a non-conductive state. However, it can be shortened very effectively. Therefore, according to the present invention, speeding up can be achieved at an extremely low cost without increasing the power capacity of the power control element.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

第1図は、この種の高周波インバータ回路の基
本構成を示す回路図、第2図は同回路の動作を説
明するためのタイムチヤート、第3図は同回路に
おけるサイリスタの電力損失を示す波形図、第4
図はサイリスタのターンオン時の電力損失を低減
させた高周波インバータ回路の一例を示す回路
図、第5図は同例におけるサイリスタの電力損失
を示す波形図、第6図は同例の各部の波形図、第
7図はこの発明の一実施例の構成を示す回路図、
第8図は同実施例の動作を説明するための波形図
である。 1……直流電源、4,5……平滑コンデンサ、
6a〜6d,9a〜9d……電流制御素子(サイ
リスタ)、7,10……共振コンデンサ、8,1
1……共振コイル、12,13……直列共振回
路、16……負荷、17,18……可飽和リアク
トル、23,28……エネルギ吸収回路。
Figure 1 is a circuit diagram showing the basic configuration of this type of high-frequency inverter circuit, Figure 2 is a time chart to explain the operation of the circuit, and Figure 3 is a waveform diagram showing the power loss of the thyristor in the circuit. , 4th
The figure is a circuit diagram showing an example of a high-frequency inverter circuit that reduces power loss when the thyristor is turned on. Figure 5 is a waveform diagram showing the power loss of the thyristor in the same example. Figure 6 is a waveform diagram of each part of the same example. , FIG. 7 is a circuit diagram showing the configuration of an embodiment of the present invention,
FIG. 8 is a waveform diagram for explaining the operation of the same embodiment. 1...DC power supply, 4, 5...Smoothing capacitor,
6a to 6d, 9a to 9d... Current control element (thyristor), 7, 10... Resonance capacitor, 8, 1
1... Resonance coil, 12, 13... Series resonant circuit, 16... Load, 17, 18... Saturable reactor, 23, 28... Energy absorption circuit.

Claims (1)

【特許請求の範囲】 1 (a) 第1の直流電源と、電流制御素子を回路
開閉手段とする第1のスイツチ回路と、第1の
共振コンデンサと、第1の共振コイルとを直列
接続した第1の直列共振回路と、 (b) 第2の直流電源と、電流制御素子を回路開閉
手段とする第2のスイツチ回路と、第2の共振
コンデンサと、第2の共振コイルとを直列接続
した第2の直列共振回路とを具備してなり、 (c) 前記第1、第2の直列共振回路の各両端間に
負荷を共通に介挿し、前記第1の直列共振回路
によつて前記負荷に一方向に第1の共振電流を
供給し、また前記第2の直列共振回路によつて
同負荷に前記第1の共振電流の方向とは逆の方
向に第2の共振電流を供給するようにした高周
波インバータ回路において、 (d) 前記第1、第2の直列共振回路に第1、第2
の可飽和リアクトルを各々直列に介挿すると共
に、 (e) 第1のダイオードと第1の抵抗とが直列接続
されてなる第1のエネルギ吸収回路を前記第1
のダイオードの順方向が前記第1の共振電流の
方向と逆方向になるように前記第1の可飽和リ
アクトルに並列に介挿し、 (f) 第2のダイオードと第2の抵抗とが直列接続
されてなる第2のエネルギ吸収回路を前記第2
のダイオードの順方向が前記第2の共振電流の
方向と逆方向になるように前記第2の可飽和リ
アクトルに並列に介挿したことを特徴とする高
周波インバータ回路。
[Scope of Claims] 1 (a) A first DC power source, a first switch circuit using a current control element as circuit switching means, a first resonant capacitor, and a first resonant coil are connected in series. A first series resonant circuit, (b) a second DC power supply, a second switch circuit using a current control element as a circuit opening/closing means, a second resonant capacitor, and a second resonant coil are connected in series. (c) a load is commonly inserted between both ends of the first and second series resonant circuits, and the first series resonant circuit A first resonant current is supplied to the load in one direction, and a second resonant current is supplied to the load in a direction opposite to the direction of the first resonant current by the second series resonant circuit. (d) in the first and second series resonant circuits;
(e) a first energy absorbing circuit including a first diode and a first resistor connected in series;
(f) a second diode and a second resistor are connected in series; (f) a second diode and a second resistor are connected in series; a second energy absorbing circuit made of
A high frequency inverter circuit, characterized in that the diode is inserted in parallel with the second saturable reactor so that the forward direction of the diode is opposite to the direction of the second resonant current.
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