JPH02174188A - セラミツク配線板の製造法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明はセラミック配線板の製造法に関する。

（従来の技術） 従来セラミック基板の表面に金属被膜、ガラス組成物等
を密着させる方法としては９例えば未焼成のセラミック
基板（セラミックグリーンシート）上に金属被膜を形成
し、これを同時に焼成する同時焼成法、焼成したセラミ
ック基板上にガラス粉と金属粉との混合ペーストを印刷
し、これを焼付ける厚膜印刷焼成法がある。

（発明が解決しようとする課題） しかしながら同時焼成法は１弱還元性雰囲気中で１５０
０〜１６００℃の温度で焼成するため作業が煩雑であり
、コスト高となる欠点がある。−方厚膜印刷焼成法は、
金属とセラミック基板との密着はガラスを介して行われ
るため密着力が弱く。

また金属に金、銀、パラジウム等の貴金属を用いるため
コスト高となる欠点がある。

これらの改良として特開昭４７−１１６５２号公報８％
開昭５４−８２６６６号公報８％開昭５８−１０４０７
９号公報等に示される方法がある。これらの方法は、ア
ルミナなどの焼結したセラミックスをフッ酸、水酸化ナ
トリウム等の酸。

アルカリの溶液に浸漬して粗化した後、セラミックスの
表面を感受性化し、さらに活性化処理を行い、銅めつき
、ニッケルめっき等を施してセラミックス上に金属を密
着させるものである。

しかし上記のような方法では用いる基板の素材に問題が
あり９例えば表面を研磨しないセラミック基板に対して
は、基板の反りが大きく、また表面を研磨したセラミッ
ク基板に対しては、良好な粗化表面が得られず１表面に
密着させた銅、ニッケル等の金属が酸化し易く、セラミ
ック配線板には使用できないという問題がある。

本発明は上記の欠点のないセラミック配線板の製造法を
提供することを目的とするものである。

（課題を解決するための手段） 本発明は表面を研磨したセラミック基板を熱処理してガ
ラス質成分をセラミック基板の表面に析出させた後、セ
ラミック基板の表面を粗化し、さらに粗化した面にめっ
きを施して金属被膜を形成し、ついでエツチング法でパ
ターンを形成し、パターンの上面にニッケル層さらにそ
の上面に貴金属層を形成するセラミック配線板の製造法
に関する。

本発明において用いられるセラミック基板としては特に
制限はないが、アルミナセラミック基板を用いることが
好ましい。

セラミック基板の表面を研磨する方法についても特に制
限はなく、従来公知の方法で行うものとする。

熱処理は、大気中で行うことが好ましく、また処理温度
はセラミック基板の材質９組成などにより適宜選定され
るが、アルミナセラミック基板の場合、６００〜１５０
０℃の温度で行うことが好ましい。

セラミック基板の表面を粗化する方法としては特に制限
はな〈従来公知の方法で行うものとする。

めっき法については特に制限はないが、無電解めっき法
で行うことが好ましい。まためっきで形成される金属と
しては導電性を有するものであれば特に制限はないが、
銅を用いれば安価であるので好ましい。

最外層に形成される貴金属層には金、銀、白金等の貴金
属が用いられる。

（実施例） 以下本発明の詳細な説明する。

実施例１ 寸法が２７０Ｘ２０＋＋＋ｍ、厚さが１．２　ｖｔｔｓ
で純度が９６％のアルミナセラミック基板（日立化成工
業製、商品名ハロツクス５５２）の表面を研磨機を用い
て厚さが０．９　ｗｎになるまで研磨し、乾燥後電気炉
に入れ、１２００℃まで５℃／分の昇温速度で昇温し、
１２００℃で１時間保持後冷却してガラス質成分を析出
させたセラミック基板を得た。

次に上記で得たセラミック基板を脱脂液（日立化成工業
膜、商品名ＨＣＲ２０１）で洗浄し、乾燥後ＮＨ４Ｆ　
１０　ｇ（４０，５重ｉ％）　、　　（ＮＨｉ）ｔｓＯ
４Ｉｇ（４，１重量％）　、　ｍ　Ｈ２ＳＯ４２ｍｌ　
（１４，９重量％）及びＨｚｏ　１０ｍｌ　（４０，５
重ｆ％）の混合溶液（液温５０℃）中に５分間浸漬して
粗化を行った。ついで流水中で十分に水洗し、乾燥後３
５０℃に加熱したＮａＯＨ融液中に５分間浸漬して再粗
化を行った。その後濃度１０％のＨｚＳＯ４溶液中に５
分間浸漬し、超音波（出力３００Ｗ）による振動エネル
ギーを付与し、セラミックス表面を中和し、ついで水洗
を行い無電解鋼めっきを３時間行い厚さ７μｍの鋼の被
膜を形成した。なお無電解めっき液はｐＨ１２，４で第
１表に示す組成のものを用いた。

第１表 めっき後感光性ドライフィルム（日立化成工業膜、商品
名ＰＨＴ−８６２Ｆ−４０）を使用し。

基板両面を塩化第二銅溶液でエツチングして寸法２Ｘ２
ｍ＋ｍのパターンを形成し、パターンの上面に無電解ニ
ッケルめつき（日本カニゼン久、商品名Ｓ−６８０）を
１０分間行い、厚さ３μｍのニッケルの被膜を形成し、
さらにその上面に無電解金めつき（ＥＥＪＡ（イージャ
ー）製、レフトロレスブレツブ〕を２０分間行い、厚さ
０．２μｍの金の被膜を形成した。

次ＫＷ気的１機械的保護を必要とする部分にソルダーレ
ジスト（アサヒ化学研究所製、商品名Ｃａ−ａｏｏＬＬ
）を印刷し、１８０℃で３０分間硬化してセラミック配
線板を得た。

得られたセラミック配線板２０ケを使用し、密着（接着
）強度を測定した。その結果平均で２５ｋｇ／ｌａｎ”
の密着強度を示した。また超音波洗浄を３０分間行った
が、パターンの剥離は生ぜず良好であった。さらに外観
について観察したが基板の反りも無く、基板の表面粗さ
も３．０〜４．０μｍ（Ｐ−Ｐ）と良好な値を示し死。

比較例１ 実施例１における熱処理の工程を省略した以外は、実施
例１と同様の工程を経てセラミック配線板を得た。

得られたセラミック配線板２０ケを使用し、密着強度を
測定した。その結果平均で１．５　ｋｇ／ｒｒｒｍ２と
低くｌまた超音波洗浄を行ったところ１０分で導体回路
が剥離した。外観を観察したところ基板にわずかに反り
が発生し、基板の表面粗さは６．０〜８．０μｍ（Ｐ−
Ｐ）と実施例１の２倍の粗さであった。

比較例２ 実施例１における表面研磨及び熱処理の工程を省略した
以外は、実施例１と同様の工程を経てセラミック配線板
を得た。

得られたセラミック配線板２０ケを使用し、密着強度を
測定した。その結果平均で２．５ｋｇ／ｗｎ２の密着強
度を示し、超音波洗浄を３０分間行ってもパターンの剥
離は生ぜず、また外観を観察しても基板の表面粗さは３
．０〜４．０μｍ（Ｐ−Ｐ）と良好な値を示したが、基
板に大きな反りが発生していた。

（発明の効果） 本発明によればセラミック基板に反シは生ぜず。

めっき法で強固な金属被膜を形成することができ。

金属被膜の酸化を防止したセラミック配線板を得ること
ができる。

代理人　弁理士　若　林　邦　彦

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. １．表面を研磨したセラミック基板を熱処理してガラス
   質成分をセラミック基板の表面に析出させた後，セラミ
   ック基板の表面を粗化し，さらに粗化した面にめつきを
   施して金属被膜を形成し，ついでエッチング法でパター
   ンを形成し，パターンの上面にニッケル層さらにその上
   面に貴金属層を形成することを特徴とするセラミック配
   線板の製造法。