JPH02231775A - 化合物半導体受光素子 - Google Patents
化合物半導体受光素子Info
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- JPH02231775A JPH02231775A JP1051787A JP5178789A JPH02231775A JP H02231775 A JPH02231775 A JP H02231775A JP 1051787 A JP1051787 A JP 1051787A JP 5178789 A JP5178789 A JP 5178789A JP H02231775 A JPH02231775 A JP H02231775A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
〔概要〕
ＩｎＧａＡｓ／ＩｎＰ Ｐ Ｉ Ｎフォトダイオード
に関し，短波長から長波長までの広い波長範囲にわたり
連続して感度が得られるようにすることを目的とし． 高濃度にドープされた一導電型のＩｎＰ基板上に．Ｉｎ
ＧａＡｓ光吸収層およびＩｎＰキャップ層が順次積層さ
れ，ＩｎＰキャップ層の表面からＩ ｎＧａＡｓ光吸収
層に到達する，高濃度にドープされた反対導電型の拡散
領域が形成された化合物半導体受光素子において．｛ｎ
Ｐキャップ層の厚さをＯ．ｌμｍ以下にする，と共に，
拡散領域の深さを０．７μｍ以下にするように構成する
． 〔産業上の利用分野〕 杢允明は．化合物半導体受光素子，特にＩｎＧａＡｓ／
ＩｎＰ ＰＩＮフォトダイオードに関する．光通信に
用いられる光波長帯には，主に．次の３つがある． ■０．７〜０．８μｍ帯．これは．コンパクトディスク
（ＣＤ）用に開発された安価な半導体レーザを用いた，
近距離・中低速光通信システムに用いられる． ■１．３μｍ帯．これは，光ファイバーの材料分散が零
に近くなる波長帯で，長距離・大容量光通信システムに
用いられる． ■１．５５μｍ帯．これは．光ファイバーの伝送損失が
最も小さくなる波長帯で．長距離・大容量光通信システ
ムに用いられる． 従来．０．７〜０．８μｍの短波長帯には， Ｓ＋を用
いた受光素子が使用され，１．３μｍあるいは１．５５
μｍの長波長帯には． ＧｅあるいはＩｎＰを用いた受
光素子が使用されている． 近年，同一の光ファイバーの中を短波長から長波長まで
の波長の異なった光を伝送させる光多重通信の実用化が
進められるのに伴って．同一の素子により短波長から長
波長までの全ての光を受けることのできる受光素子が望
まれている．また，計測用の受光素子についても，短波
長から長波長まで広い波長範囲にわたり連続して惑度の
得られるものが望まれている。
に関し，短波長から長波長までの広い波長範囲にわたり
連続して感度が得られるようにすることを目的とし． 高濃度にドープされた一導電型のＩｎＰ基板上に．Ｉｎ
ＧａＡｓ光吸収層およびＩｎＰキャップ層が順次積層さ
れ，ＩｎＰキャップ層の表面からＩ ｎＧａＡｓ光吸収
層に到達する，高濃度にドープされた反対導電型の拡散
領域が形成された化合物半導体受光素子において．｛ｎ
Ｐキャップ層の厚さをＯ．ｌμｍ以下にする，と共に，
拡散領域の深さを０．７μｍ以下にするように構成する
． 〔産業上の利用分野〕 杢允明は．化合物半導体受光素子，特にＩｎＧａＡｓ／
ＩｎＰ ＰＩＮフォトダイオードに関する．光通信に
用いられる光波長帯には，主に．次の３つがある． ■０．７〜０．８μｍ帯．これは．コンパクトディスク
（ＣＤ）用に開発された安価な半導体レーザを用いた，
近距離・中低速光通信システムに用いられる． ■１．３μｍ帯．これは，光ファイバーの材料分散が零
に近くなる波長帯で，長距離・大容量光通信システムに
用いられる． ■１．５５μｍ帯．これは．光ファイバーの伝送損失が
最も小さくなる波長帯で．長距離・大容量光通信システ
ムに用いられる． 従来．０．７〜０．８μｍの短波長帯には， Ｓ＋を用
いた受光素子が使用され，１．３μｍあるいは１．５５
μｍの長波長帯には． ＧｅあるいはＩｎＰを用いた受
光素子が使用されている． 近年，同一の光ファイバーの中を短波長から長波長まで
の波長の異なった光を伝送させる光多重通信の実用化が
進められるのに伴って．同一の素子により短波長から長
波長までの全ての光を受けることのできる受光素子が望
まれている．また，計測用の受光素子についても，短波
長から長波長まで広い波長範囲にわたり連続して惑度の
得られるものが望まれている。
（従来例１）
第３図は，従来のＩｎＧａＡｓ／ Ｉｎ Ｐ Ｐ Ｉ
Ｎフォトダイオードを示す図である． 同図において，１１はｎ’−１ｎＰ基板．１２は厚さ５
〜８μｍのｎ−−１ｎＰバッファ層，１３は厚さ２〜３
μｍのｎ−−ＩｎＧａＡｓ光吸収層．１４は厚さ約ｌμ
ｍのｎ−１ｎＰキ＋７プ層，１５はＳｉＮ膜，１６はｎ
−１ｎＰキャップ層ｌ４の表面がらｎ− ＩｎＧａＡｓ
光吸収層１３に到達するｐ゛拡敗領域，１７は反射防止
膜．１８および１９ぱ電極である。
Ｎフォトダイオードを示す図である． 同図において，１１はｎ’−１ｎＰ基板．１２は厚さ５
〜８μｍのｎ−−１ｎＰバッファ層，１３は厚さ２〜３
μｍのｎ−−ＩｎＧａＡｓ光吸収層．１４は厚さ約ｌμ
ｍのｎ−１ｎＰキ＋７プ層，１５はＳｉＮ膜，１６はｎ
−１ｎＰキャップ層ｌ４の表面がらｎ− ＩｎＧａＡｓ
光吸収層１３に到達するｐ゛拡敗領域，１７は反射防止
膜．１８および１９ぱ電極である。
第３図に示す構造のＩｎＧａＡｓ／ＩｎＰ Ｐ Ｉ
Ｎフォトダイオードにおいて，１．３μｍおよび１．５
５μｍの光は， ｎ−１ｎＰキャップ層１４を透過し
．ほぼ空乏領域となっているｎ− −１ｎＧａＡｓ光吸
収層１３で吸収されるので，大きな量子効率が得られる
。
Ｎフォトダイオードにおいて，１．３μｍおよび１．５
５μｍの光は， ｎ−１ｎＰキャップ層１４を透過し
．ほぼ空乏領域となっているｎ− −１ｎＧａＡｓ光吸
収層１３で吸収されるので，大きな量子効率が得られる
。
しかし， ０．７ 〜０．８，ｕｍの光は， ｎ−
１ｎＰキャンプ層１４中で吸収されてしまい，光により
発生したフォトキャリアは．空乏領域まで拡散して行く
間に死んでしまうため，量子効率（感度）が悪い，とい
う問題点がある． （従来例２） 従来例１の問題点を解決するために考えられたのが，第
４図に示すＩｎＧａＡｓ／ＩｎＰ Ｐ Ｉ Ｎフォト
ダイオードである。
１ｎＰキャンプ層１４中で吸収されてしまい，光により
発生したフォトキャリアは．空乏領域まで拡散して行く
間に死んでしまうため，量子効率（感度）が悪い，とい
う問題点がある． （従来例２） 従来例１の問題点を解決するために考えられたのが，第
４図に示すＩｎＧａＡｓ／ＩｎＰ Ｐ Ｉ Ｎフォト
ダイオードである。
第４図において．２１はｎ”−１ｎＰ基板，２２は厚さ
２〜３μｍのｎ−−ＩｎＰバッファ層，２３は厚さ２〜
３μｍのｎ−−１ｎＧａＡｓ光吸収層，２４はＳｉＮ膜
，２５はｐ４拡散領域，２６は反射防止膜，２７および
２８は電極である。
２〜３μｍのｎ−−ＩｎＰバッファ層，２３は厚さ２〜
３μｍのｎ−−１ｎＧａＡｓ光吸収層，２４はＳｉＮ膜
，２５はｐ４拡散領域，２６は反射防止膜，２７および
２８は電極である。
この例のＩｎＧａＡｓ／ Ｉｎ Ｐ Ｐ Ｉ Ｎフォ
トダイオードは．第３図に示したＩｎＧａＡｓ／ Ｉｎ
Ｐ Ｐ Ｉ Ｎフォトダイオードから．０．７〜０
．８μｍの光を吸収してしまい．この波長帯の光に対す
る量子効率を悪くしていたｎ−１ｎＰキャップ層を取り
除いた構造をしている． このような構造にすれば，０．７〜０．８μｍ帯の光に
対する量子効率は向上するが，バンドギャップの狭いｎ
− −ＩｎＧａＡｓ光吸収層２３が表面にさらされＳｉ
Ｎ膜２４と界面を形成するために，表面準位密度が大き
くなり．暗電流が増大する．という問題が生じる． 〔発明が解決しようとする課題〕 従来例１のＩｎＧａＡｓ／ Ｉｎ Ｐ Ｐ Ｉ Ｎフ
ォトダイオードには， ｎ−ＩｎＰキャンプ層が０．
９μｍ以下の光を吸収してしまい，この波長帯の光に対
する量子効率が悪い，という問題があった。
トダイオードは．第３図に示したＩｎＧａＡｓ／ Ｉｎ
Ｐ Ｐ Ｉ Ｎフォトダイオードから．０．７〜０
．８μｍの光を吸収してしまい．この波長帯の光に対す
る量子効率を悪くしていたｎ−１ｎＰキャップ層を取り
除いた構造をしている． このような構造にすれば，０．７〜０．８μｍ帯の光に
対する量子効率は向上するが，バンドギャップの狭いｎ
− −ＩｎＧａＡｓ光吸収層２３が表面にさらされＳｉ
Ｎ膜２４と界面を形成するために，表面準位密度が大き
くなり．暗電流が増大する．という問題が生じる． 〔発明が解決しようとする課題〕 従来例１のＩｎＧａＡｓ／ Ｉｎ Ｐ Ｐ Ｉ Ｎフ
ォトダイオードには， ｎ−ＩｎＰキャンプ層が０．
９μｍ以下の光を吸収してしまい，この波長帯の光に対
する量子効率が悪い，という問題があった。
また，従来例１の問題点を解決した従来例２のＩｎＧａ
Ａｓ／ＩｎＰ Ｐ Ｉ Ｎフォトダイオードには．バ
ンドギャップの狭いｎ− −ＩｎＧａＡｓ光吸収層が半
導体表面となりＳｉＮ膜と界面を形成するために，表面
準位密度が大きくなり．暗電流が増大する，という問題
があった． 本発明は，これらの問題点を解決して，短波長から長波
長までの広い波長範囲にわたり連続して感度が得られる
ようにした化合物半導体受光素子．特にＩｎＧａＡｓ／
Ｉｎ Ｐ Ｐ Ｉ Ｎフォトダイオードを提供する
ことを目的とする。
Ａｓ／ＩｎＰ Ｐ Ｉ Ｎフォトダイオードには．バ
ンドギャップの狭いｎ− −ＩｎＧａＡｓ光吸収層が半
導体表面となりＳｉＮ膜と界面を形成するために，表面
準位密度が大きくなり．暗電流が増大する，という問題
があった． 本発明は，これらの問題点を解決して，短波長から長波
長までの広い波長範囲にわたり連続して感度が得られる
ようにした化合物半導体受光素子．特にＩｎＧａＡｓ／
Ｉｎ Ｐ Ｐ Ｉ Ｎフォトダイオードを提供する
ことを目的とする。
〔課題を解決するための手段）
上記の目的を達成するために，本発明に係る受光素子は
，高濃度にドープされた一導電型のＩｎＰ基板上に，
ＩｎＧａＡｓ光吸収層およびＩｎＰキャップ層が順次積
層され，ＩｎＰキャンプ層の表面からＩｎＧａＡｓ光吸
収層に到達する，高濃度にドープされた反対導電型の拡
散領域が形成された化合物半導体受光素子において，Ｉ
ｎＰキャンプ層の厚さを０． １μｍ以下にする，と共
に．拡散領域の深さを０．７μｍ以下にするように構成
する。
，高濃度にドープされた一導電型のＩｎＰ基板上に，
ＩｎＧａＡｓ光吸収層およびＩｎＰキャップ層が順次積
層され，ＩｎＰキャンプ層の表面からＩｎＧａＡｓ光吸
収層に到達する，高濃度にドープされた反対導電型の拡
散領域が形成された化合物半導体受光素子において，Ｉ
ｎＰキャンプ層の厚さを０． １μｍ以下にする，と共
に．拡散領域の深さを０．７μｍ以下にするように構成
する。
本発明は，ＩｎＰキャップ層が０．９μｍ以下の光を吸
収してしまい，この波長帯の光に対する量子効率が悪い
，という従来例１の問題点，および．バンドギャップの
狭いＩｎＧａＡｓ光吸収層が半導体表面となりＳｉＮ膜
と界面を形成するために．表面準位密度が大きくなり，
暗電流が増大する．という従来例２の問題点を同時に解
決するためになされたものであり，そのポイントは，Ｉ
ｎＰキャップ層を付けたままでも．０．９μｍ以下の光
がＩｎＧａＡｓ光吸収層に到達することのできる構造条
件を解明する点にある． そのために．本発明者らは，ＩｎＰキャップ層の厚さを
０．１μｍ，０．２＃ｍおよび０．３５，ｃ＋ｍとし，
それぞれに対して拡散領域の深さを０．７μｍおよび１
．３μｍとした計６種類のサンプルについて，０．７８
，ｉＩｍの光に対する量子効率を測定した．その結果を
次の表に示す。
収してしまい，この波長帯の光に対する量子効率が悪い
，という従来例１の問題点，および．バンドギャップの
狭いＩｎＧａＡｓ光吸収層が半導体表面となりＳｉＮ膜
と界面を形成するために．表面準位密度が大きくなり，
暗電流が増大する．という従来例２の問題点を同時に解
決するためになされたものであり，そのポイントは，Ｉ
ｎＰキャップ層を付けたままでも．０．９μｍ以下の光
がＩｎＧａＡｓ光吸収層に到達することのできる構造条
件を解明する点にある． そのために．本発明者らは，ＩｎＰキャップ層の厚さを
０．１μｍ，０．２＃ｍおよび０．３５，ｃ＋ｍとし，
それぞれに対して拡散領域の深さを０．７μｍおよび１
．３μｍとした計６種類のサンプルについて，０．７８
，ｉＩｍの光に対する量子効率を測定した．その結果を
次の表に示す。
（以下余白）
７ｍる
Ａ：ＩｎＰキャンプ層の厚さ（μｍ）
Ｂ：拡散領域の深さ（μｍ）
（不純物濃度Ｉ Ｘ １ ０ ”Ｃ！ｍ−”以上のＩｎ
Ｐモニタ・ウェハによる値） この表から．ＩｎＰキャップ層が薄くなるほど．また．
拡散領域の深さが浅くなるほど，０．７８μｍ光に対す
る量子効率が大きくなることがわかる。
Ｐモニタ・ウェハによる値） この表から．ＩｎＰキャップ層が薄くなるほど．また．
拡散領域の深さが浅くなるほど，０．７８μｍ光に対す
る量子効率が大きくなることがわかる。
実用的な量子効率を７５％以上とすると， ＩｎＰキャ
ップ層の厚さは０．１μｍ以下に，また．拡散領域の深
さは０．７μｍ以下にすればよい，ということになる。
ップ層の厚さは０．１μｍ以下に，また．拡散領域の深
さは０．７μｍ以下にすればよい，ということになる。
本発明は，以上の知見に基づいてなされたものであり，
高濃度にドープされた一導電型のＩｎＰ基板上に， Ｉ
ｎＧａＡｓ光吸収層およびＩｎＰキャップ層が順次積層
され．ＩｎＰキャップ層の表面からＩｎＧａＡｓ光吸収
層に到達する，高濃度にドープされた反対導電型の拡散
領域が形成された化合物半導体受光素子において．Ｉｎ
Ｐキャップ層の厚さを０．１μｍ以下にする．と共に．
拡散領域の深さを０．７μｍ以下にするように構成する
． このように構成することにより．０．７〜０．８μｍの
短波長から１．３μｍおよび１．５５μｍの長波長まで
の広い波長範囲にわたり連続して感度の得られるＩｎＧ
ａＡｓ／ＩｎＰ Ｐ Ｉ Ｎフォトダイオードを得る
ことができる。
高濃度にドープされた一導電型のＩｎＰ基板上に， Ｉ
ｎＧａＡｓ光吸収層およびＩｎＰキャップ層が順次積層
され．ＩｎＰキャップ層の表面からＩｎＧａＡｓ光吸収
層に到達する，高濃度にドープされた反対導電型の拡散
領域が形成された化合物半導体受光素子において．Ｉｎ
Ｐキャップ層の厚さを０．１μｍ以下にする．と共に．
拡散領域の深さを０．７μｍ以下にするように構成する
． このように構成することにより．０．７〜０．８μｍの
短波長から１．３μｍおよび１．５５μｍの長波長まで
の広い波長範囲にわたり連続して感度の得られるＩｎＧ
ａＡｓ／ＩｎＰ Ｐ Ｉ Ｎフォトダイオードを得る
ことができる。
第１図は．本発明の一実施例構成であるＩｎＧａＡｓ／
ＩｎＰ ＰＩＮフォトダイオードを示す図である。
ＩｎＰ ＰＩＮフォトダイオードを示す図である。
第１図において，１はｎ”−ＩｎＰ基板．２はｎ−Ｉｎ
Ｐバッファ層，３はｎ− −１ｎＧａＡｓ光吸収層，４
はｎ−４ｎＰキ＋７プ層，５はＳｉＮ膜，６はｐ９拡散
領域，７は反射防止膜．８および９は電極である。
Ｐバッファ層，３はｎ− −１ｎＧａＡｓ光吸収層，４
はｎ−４ｎＰキ＋７プ層，５はＳｉＮ膜，６はｐ９拡散
領域，７は反射防止膜．８および９は電極である。
以下．第１図に示すＩｎＧａＡｓ／ Ｉｎ Ｐ Ｐ
Ｉ Ｎフォトダイオードの作製方法を説明する。
Ｉ Ｎフォトダイオードの作製方法を説明する。
素子の作製には．クロライドＶＰＥ法により成長させた
Ｉｎ Ｐ ／ ＩｎＧａＡｓ／ Ｉｎ Ｐのダブル・ヘ
テロ構造のエビタキシャル・ウェハを用いた。成長温度
は，６７０℃である。
Ｉｎ Ｐ ／ ＩｎＧａＡｓ／ Ｉｎ Ｐのダブル・ヘ
テロ構造のエビタキシャル・ウェハを用いた。成長温度
は，６７０℃である。
ｎ−−１ｎＰバッファ層２は不純物濃度８Ｘ１０１４ｅ
ｌｌ − ’で厚さ２．５ μｎ， ｎ− −１ｎＧ
ａＡｓ光吸収層３は不純物濃度２Ｘ Ｉ Ｑ ”ａ＋＋
−”で厚さ１．７μｍ，ｎ 一ＩｎＰキャップ層４は不
純物濃度６ Ｘ １ ０ ”ｃｍ−’で厚さ０．１１μ
ｍである．このうち， ｎ−１ｎＰキャンプ層４は．
素子作製の際に０．０５μｍ全面エッチングするため，
チップ状態における最終の厚さは０．０６μｍである。
ｌｌ − ’で厚さ２．５ μｎ， ｎ− −１ｎＧ
ａＡｓ光吸収層３は不純物濃度２Ｘ Ｉ Ｑ ”ａ＋＋
−”で厚さ１．７μｍ，ｎ 一ＩｎＰキャップ層４は不
純物濃度６ Ｘ １ ０ ”ｃｍ−’で厚さ０．１１μ
ｍである．このうち， ｎ−１ｎＰキャンプ層４は．
素子作製の際に０．０５μｍ全面エッチングするため，
チップ状態における最終の厚さは０．０６μｍである。
その後，プラズマＣＶＤ法によりパフシベーシッン膜と
してのＳｉＮ膜５を形成し，受光部を穴開けし， Ｚｎ
拡散を行って，ｐ０拡敗領域６を形成する， Ｚｎ拡散
は，ＺｎＰｚをソースとし，５００℃．７分以下により
行う。これを不純物濃度１×１０Ｉｔｈａｌ− ’以上
のＩｎＰモニタ・ウェハにより測定したところ，ｐ゛拡
散領域６の拡散深さは．０．７μｍであった． 次いで．プラズマＣＶＤ法によりＳｉＮを堆積させて．
反射防止膜７を形成する。本実施例の反射防止膜７は，
屈折率１．８２で膜厚ｌ２００人の単層膜である。これ
により，０．７８μｍ光に対しては９８．７％の透過率
が得られ．１．３μｍ光に対しては９１．６％の透過率
が得られる。
してのＳｉＮ膜５を形成し，受光部を穴開けし， Ｚｎ
拡散を行って，ｐ０拡敗領域６を形成する， Ｚｎ拡散
は，ＺｎＰｚをソースとし，５００℃．７分以下により
行う。これを不純物濃度１×１０Ｉｔｈａｌ− ’以上
のＩｎＰモニタ・ウェハにより測定したところ，ｐ゛拡
散領域６の拡散深さは．０．７μｍであった． 次いで．プラズマＣＶＤ法によりＳｉＮを堆積させて．
反射防止膜７を形成する。本実施例の反射防止膜７は，
屈折率１．８２で膜厚ｌ２００人の単層膜である。これ
により，０．７８μｍ光に対しては９８．７％の透過率
が得られ．１．３μｍ光に対しては９１．６％の透過率
が得られる。
最後に． Ｔｉ／Ｐｔ／＾Ｕなどの電極８およびＡｕ／
Ｇｅ／Ｎｉなどの電極９を形成する。
Ｇｅ／Ｎｉなどの電極９を形成する。
以上の工程により得られた本実施例のＩｎＧａＡｓ／Ｉ
ｎＰ ＰＩＮフォトダイオードの暗電流特性を第２図
に示す。通常の動作電圧５Ｖにおける暗電流は約３０ｐ
Ａであり．従来のＩｎＧａＡｓ／ Ｉｎ Ｐ Ｐ Ｉ
Ｎフォトダイオードと比べても同じように小さい。
ｎＰ ＰＩＮフォトダイオードの暗電流特性を第２図
に示す。通常の動作電圧５Ｖにおける暗電流は約３０ｐ
Ａであり．従来のＩｎＧａＡｓ／ Ｉｎ Ｐ Ｐ Ｉ
Ｎフォトダイオードと比べても同じように小さい。
暗電流がバイアス電圧５ｖ近傍で大きく増加している．
これは， ｎ− −１ｎＧａＡｓ光吸収層中の電界が１
．５ Ｘ １ ０’ Ｖ／３以上となり，トンネル電流
が発生しているためである，と考えられる。
これは， ｎ− −１ｎＧａＡｓ光吸収層中の電界が１
．５ Ｘ １ ０’ Ｖ／３以上となり，トンネル電流
が発生しているためである，と考えられる。
量子効率は逆バイアス電圧領域においてほぼ一定で．０
．７８μｍ光に対しては７６％，１．３μｍ光に対して
は８１％の値が得られた． 〔発明の効果〕 本発明によれば，０．７〜０．８μｍの短波長から１．
３μｍおよび１．５５μｍの長波長までの広い波１長範
囲にわたり連続して感度の得られるＩｎＧａＡｓ／Ｉｎ
Ｐ ＰＩＮフォトダイオードを得ることができる． １ ： ｎ” −１ｎＰ基板 ２＝ ｎ− −１ｎＰバソファ層 ３ ： ｎ− −１ｎＧａＡｓ光吸収層４：ｎ−１ｎＰ
キャップ層 ５：ＳｉＮ膜 ６：ｐ゛拡散領域 ７：反射防止膜 ａｒｉａ極 ９：電極
．７８μｍ光に対しては７６％，１．３μｍ光に対して
は８１％の値が得られた． 〔発明の効果〕 本発明によれば，０．７〜０．８μｍの短波長から１．
３μｍおよび１．５５μｍの長波長までの広い波１長範
囲にわたり連続して感度の得られるＩｎＧａＡｓ／Ｉｎ
Ｐ ＰＩＮフォトダイオードを得ることができる． １ ： ｎ” −１ｎＰ基板 ２＝ ｎ− −１ｎＰバソファ層 ３ ： ｎ− −１ｎＧａＡｓ光吸収層４：ｎ−１ｎＰ
キャップ層 ５：ＳｉＮ膜 ６：ｐ゛拡散領域 ７：反射防止膜 ａｒｉａ極 ９：電極
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 高濃度にドープされた一導電型のＩｎＰ基板（１）上に
、ＩｎＧａＡｓ光吸収層（３）およびＩｎＰキャップ層
（４）が順次積層され、ＩｎＰキャップ層（４）の表面
からＩｎＧａＡｓ光吸収層（３）に到達する、高濃度に
ドープされた反対導電型の拡散領域（６）が形成された
化合物半導体受光素子において。 ＩｎＰキャップ層（４）の厚さを０．１μｍ以下にする
、と共に、拡散領域（６）の深さを０．７μｍ以下にし
た ことを特徴とする化合物半導体受光素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1051787A JPH02231775A (ja) | 1989-03-03 | 1989-03-03 | 化合物半導体受光素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1051787A JPH02231775A (ja) | 1989-03-03 | 1989-03-03 | 化合物半導体受光素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02231775A true JPH02231775A (ja) | 1990-09-13 |
Family
ID=12896654
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1051787A Pending JPH02231775A (ja) | 1989-03-03 | 1989-03-03 | 化合物半導体受光素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02231775A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04249380A (ja) * | 1991-02-05 | 1992-09-04 | Sharp Corp | 回路内蔵受光素子 |
| CN1330004C (zh) * | 2003-04-15 | 2007-08-01 | 株式会社东芝 | 半导体光接收器件及其制造方法 |
| JP2024094260A (ja) * | 2022-12-27 | 2024-07-09 | 台亞半導體股▲フン▼有限公司 | フォトダイオードの構造 |
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| JPS63232471A (ja) * | 1987-03-20 | 1988-09-28 | Fujitsu Ltd | 半導体受光装置 |
-
1989
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