JPH0224810A - 薄膜磁気ヘッドの製造方法 - Google Patents
薄膜磁気ヘッドの製造方法Info
- Publication number
- JPH0224810A JPH0224810A JP17266488A JP17266488A JPH0224810A JP H0224810 A JPH0224810 A JP H0224810A JP 17266488 A JP17266488 A JP 17266488A JP 17266488 A JP17266488 A JP 17266488A JP H0224810 A JPH0224810 A JP H0224810A
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- JP
- Japan
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- insulating film
- organic insulating
- film
- photoresist
- magnetic head
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- Pending
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、磁気記録装置等に用いられる薄膜磁気ヘッド
の製造方法に係り、特に高密度記録・再生に好適な薄膜
磁気ヘッドの製造方法に関する。
の製造方法に係り、特に高密度記録・再生に好適な薄膜
磁気ヘッドの製造方法に関する。
従来の薄膜磁気ヘッドの製造方法は、特開昭６１−３２
２１２号に記載のように、基板上に下部磁性体。
２１２号に記載のように、基板上に下部磁性体。
ギャップ材、導体コイル、有機絶縁膜及び上部磁性体を
形成していた。その際有機絶縁膜はスピン塗布、熱硬化
により形成し、ネガ型ホトレジストを用いたウェットエ
ツチングにより３０〜５０度のテーパー形状をもつパタ
ーンとし、ついでこの有機絶縁膜をマスクとしてギャッ
プ材をエツチングしていた。
形成していた。その際有機絶縁膜はスピン塗布、熱硬化
により形成し、ネガ型ホトレジストを用いたウェットエ
ツチングにより３０〜５０度のテーパー形状をもつパタ
ーンとし、ついでこの有機絶縁膜をマスクとしてギャッ
プ材をエツチングしていた。
上記従来技術は、有機絶縁膜の高精度化の点について配
慮されておらず、ギャップ深さ寸法のばらつきが発生す
る問題があった。
慮されておらず、ギャップ深さ寸法のばらつきが発生す
る問題があった。
すなわち、上記従来技術は、ネガ型ホトレジストを用い
て有機絶縁膜のパターンを形成しているが、ネガ型ホト
レジストは露光後の現像工程において有機溶剤系の現像
液、リンス液を用いるため。
て有機絶縁膜のパターンを形成しているが、ネガ型ホト
レジストは露光後の現像工程において有機溶剤系の現像
液、リンス液を用いるため。
ホトレジストが膨潤し、解像度、パターニング精度が十
分でなかった。一方、ポジ型ホトレジストは、ネガ型ホ
トレジストと比較すると、解像度、パターニング精度が
優れる。しかし、通常有機絶縁膜としては、３００℃以
上の温度で熱硬化したポリイミド系有機樹脂を用いてお
り、ポジ型ホトレジストは、上記の高温で熱硬化したポ
リイミド系有機樹脂のエツチング液（ヒドラジンヒトラ
ードとエチレンジアミンの混合液）に溶解してしまうた
め、このようなポリイミド系有機樹脂のマスク材として
用いることができない。なお、ポリイミド系有機樹脂を
眉間絶縁膜として用いる場合、３００℃以上で熱硬化し
ないと絶縁膜として機能しない。
分でなかった。一方、ポジ型ホトレジストは、ネガ型ホ
トレジストと比較すると、解像度、パターニング精度が
優れる。しかし、通常有機絶縁膜としては、３００℃以
上の温度で熱硬化したポリイミド系有機樹脂を用いてお
り、ポジ型ホトレジストは、上記の高温で熱硬化したポ
リイミド系有機樹脂のエツチング液（ヒドラジンヒトラ
ードとエチレンジアミンの混合液）に溶解してしまうた
め、このようなポリイミド系有機樹脂のマスク材として
用いることができない。なお、ポリイミド系有機樹脂を
眉間絶縁膜として用いる場合、３００℃以上で熱硬化し
ないと絶縁膜として機能しない。
それ故、従来技術では、３００℃以上の温度で熱硬化し
たポリイミド系有機樹脂を有機絶縁膜とし、これをネガ
型ホトレジストをマスクとして、ヒドラジンヒトラード
とエチレンジアミンの混合液によりエツチングしており
、従って高精度なパターニングが困難であった。
たポリイミド系有機樹脂を有機絶縁膜とし、これをネガ
型ホトレジストをマスクとして、ヒドラジンヒトラード
とエチレンジアミンの混合液によりエツチングしており
、従って高精度なパターニングが困難であった。
本発明の目的は、有機絶縁膜パターン精度向上によりギ
ャップ深さ寸法を安定化させた薄膜磁気ヘッドの製造方
法を提供することにある。
ャップ深さ寸法を安定化させた薄膜磁気ヘッドの製造方
法を提供することにある。
上記目的は、基板上に少なくとも第１磁性体、非磁性ギ
ャップ材、導電体、有機絶縁膜、第２磁性体を所望の形
状に形成する薄膜磁気ヘッドの製造方法において、上記
有機絶縁膜の形成はポリイミド系有機樹脂の塗膜を形成
し、低温で熱処理し、該熱処理した塗膜の上にポジ型ホ
トレジストパターンを形成し、該ホトレジストパターン
をマスクとして上記塗膜をエツチングし、上記ホトレジ
ストパターンを除去し、上記塗膜を高温で加熱し硬化し
て有機絶縁膜とすることを特徴とする薄膜磁気ヘッドの
製造方法によって達成される。
ャップ材、導電体、有機絶縁膜、第２磁性体を所望の形
状に形成する薄膜磁気ヘッドの製造方法において、上記
有機絶縁膜の形成はポリイミド系有機樹脂の塗膜を形成
し、低温で熱処理し、該熱処理した塗膜の上にポジ型ホ
トレジストパターンを形成し、該ホトレジストパターン
をマスクとして上記塗膜をエツチングし、上記ホトレジ
ストパターンを除去し、上記塗膜を高温で加熱し硬化し
て有機絶縁膜とすることを特徴とする薄膜磁気ヘッドの
製造方法によって達成される。
本発明において有機樹脂の塗膜を低温で処理するときは
、 １００〜１５０℃の温度で３０〜６０分間処理する
ことが好ましい。また高温で処理するときは３００〜３
８０℃の温度で３０〜６０分間処理することが好ましい
。塗膜のエツチング前に高温で処理すると、有機樹脂の
塗膜をエツチングするエラ１チンダ液にポジ型ホトレジ
ストが溶解してしまう、それ故塗膜のパターン形成後に
塗膜を高温で熱処理する。
、 １００〜１５０℃の温度で３０〜６０分間処理する
ことが好ましい。また高温で処理するときは３００〜３
８０℃の温度で３０〜６０分間処理することが好ましい
。塗膜のエツチング前に高温で処理すると、有機樹脂の
塗膜をエツチングするエラ１チンダ液にポジ型ホトレジ
ストが溶解してしまう、それ故塗膜のパターン形成後に
塗膜を高温で熱処理する。
ポジ型ホトレジストパターンの形成と、このパターンを
マスクとする有機樹脂の塗膜のエツチングは同時に行な
ってもよい、すなわちホトレジストの現像液により塗膜
のエツチングを行なってもよい。
マスクとする有機樹脂の塗膜のエツチングは同時に行な
ってもよい、すなわちホトレジストの現像液により塗膜
のエツチングを行なってもよい。
ポジ型ホトレジストはネガ型ホトレジストのように現像
液、リンス液に有機溶媒を用いないため膨潤することが
なく、解像度、パターニング精度が優れる。また、有機
絶縁膜はエツチング前は低温で熱処理するのでマスクで
あるホトレジストを溶解しないエツチング液を用いるこ
とができる。
液、リンス液に有機溶媒を用いないため膨潤することが
なく、解像度、パターニング精度が優れる。また、有機
絶縁膜はエツチング前は低温で熱処理するのでマスクで
あるホトレジストを溶解しないエツチング液を用いるこ
とができる。
また有機絶縁膜はエツチングによりパターニングして後
高温で熱処理すれば眉間絶縁膜として十分の性能を有す
る。
高温で熱処理すれば眉間絶縁膜として十分の性能を有す
る。
以下、本発明の一実施例を第１図（ａ）〜（ｇ）により
説明する。
説明する。
第１図（、）に示すように、基板１上に下地膜２、磁性
体３、非磁性ギャップ材４を順次形成し、さらに有機絶
縁膜５を形成する。この有機絶縁膜は、ポリイミド系の
有機樹脂を用い、所定の回転数でスピンコード後１２０
℃の温度で３０分間熱処理する。
体３、非磁性ギャップ材４を順次形成し、さらに有機絶
縁膜５を形成する。この有機絶縁膜は、ポリイミド系の
有機樹脂を用い、所定の回転数でスピンコード後１２０
℃の温度で３０分間熱処理する。
次に第１図（ｂ）に示すようにホトレジスト６のパター
ンを形成する。この方法は、まずポジ型ホトレジスト（
−東京応化製 ＯＦ Ｐ Ｒ８００）を塗布し、プレベ
ーク後、所定のホトマスクを用いて露光し、有機アルカ
リ系現像液（■東京応化製ＮＭＤ−３）により室温で５
〜１０分現像する。
ンを形成する。この方法は、まずポジ型ホトレジスト（
−東京応化製 ＯＦ Ｐ Ｒ８００）を塗布し、プレベ
ーク後、所定のホトマスクを用いて露光し、有機アルカ
リ系現像液（■東京応化製ＮＭＤ−３）により室温で５
〜１０分現像する。
この現像時に前記有機絶縁膜５も同時にエツチングされ
、パターニングされる。ホトレジスト６の現像と有機絶
縁膜５のエツチングは別に行なってもよいが、上記の如
くすることが便利である。この後不要となったホトレジ
スト６を除去する（第１図（Ｃ））。
、パターニングされる。ホトレジスト６の現像と有機絶
縁膜５のエツチングは別に行なってもよいが、上記の如
くすることが便利である。この後不要となったホトレジ
スト６を除去する（第１図（Ｃ））。
次に、Ｃｒ／Ｃｕのメツキ下地Ｍ７をスパッタリングに
より形成する。この時の温度は、前記有機絶縁膜の熱処
理温度より低くする。メツキ下地膜はＴｉ／Ｃｕ等の材
質でもよく、また蒸着等の方法で形成してもよい、この
メツキ下地膜７の上にさらにホトレジスト６のパターン
を形成する（第１゜図（ｄ））。
より形成する。この時の温度は、前記有機絶縁膜の熱処
理温度より低くする。メツキ下地膜はＴｉ／Ｃｕ等の材
質でもよく、また蒸着等の方法で形成してもよい、この
メツキ下地膜７の上にさらにホトレジスト６のパターン
を形成する（第１゜図（ｄ））。
次にホトレジスト６のパターンの開口部に銅メツキによ
りコイル８を形成する。不要となったホトレジスト６を
除去し、露出した部分のメツキ下地膜７をスパッタエッ
チで除去する（第１図（ｅ））。
りコイル８を形成する。不要となったホトレジスト６を
除去し、露出した部分のメツキ下地膜７をスパッタエッ
チで除去する（第１図（ｅ））。
次に、第１図（ｆ）に示すように、コイル８の上に有機
絶縁膜５を形成する。この有機絶縁膜は前記と同様にス
ピンコード後１２０℃で３０分間熱処理する。さらに有
機絶縁膜５上にホトレジスト６を形成する。ホトレジス
ト６はポジ型ホトレジストを用い前記と同様に形成し、
現像工程において不要となる部分の有機絶縁膜をエツチ
ング除去する。ついでホトレジスト６を除去し、有機絶
縁膜５を完全硬化するため３５０℃で６０分間熱処理す
る。
絶縁膜５を形成する。この有機絶縁膜は前記と同様にス
ピンコード後１２０℃で３０分間熱処理する。さらに有
機絶縁膜５上にホトレジスト６を形成する。ホトレジス
ト６はポジ型ホトレジストを用い前記と同様に形成し、
現像工程において不要となる部分の有機絶縁膜をエツチ
ング除去する。ついでホトレジスト６を除去し、有機絶
縁膜５を完全硬化するため３５０℃で６０分間熱処理す
る。
さらに磁性体３、保護膜９を形成する（第１図（ｇ））
。所定の寸法のギャップ深さとなるよう加工し、薄膜磁
気ヘッドを得た。
。所定の寸法のギャップ深さとなるよう加工し、薄膜磁
気ヘッドを得た。
本実施例によって得た薄膜磁気ヘッドは、ポジ型ホトレ
ジストを用いて有機絶縁膜のパターニングを行なってい
るので、高精度な有機絶縁膜を形成できた。この有機絶
縁膜の先端点がギャップ深さゼロとなるため、ギャップ
深さ寸法の高精度な薄膜磁気ヘッドを得ることができた
。
ジストを用いて有機絶縁膜のパターニングを行なってい
るので、高精度な有機絶縁膜を形成できた。この有機絶
縁膜の先端点がギャップ深さゼロとなるため、ギャップ
深さ寸法の高精度な薄膜磁気ヘッドを得ることができた
。
また、有機絶縁膜の熱硬化工程を短縮でき、通常ポリイ
ミド膜のエツチングに用いるヒドラジン系の危険な薬品
を使用しないため、生産性が向上した。
ミド膜のエツチングに用いるヒドラジン系の危険な薬品
を使用しないため、生産性が向上した。
本発明によれば、有機絶縁膜パターンを精度よく形成す
ることができ、そのためギャップ深さ寸法を安定化させ
た薄膜磁気ヘッドを得ることができた。
ることができ、そのためギャップ深さ寸法を安定化させ
た薄膜磁気ヘッドを得ることができた。
第１図は、本発明の一実施例の製造工程を示す薄膜磁気
ヘッドの断面図である。 １・・・基板 ３・・・磁性体 ５・・・有機絶縁膜 ７・・・メツキ下地膜 ９・・・保護膜 ２・・・下地膜 ４・・・非磁性ギャップ材 ６・・・ホトレジスト ８・・・コイル
ヘッドの断面図である。 １・・・基板 ３・・・磁性体 ５・・・有機絶縁膜 ７・・・メツキ下地膜 ９・・・保護膜 ２・・・下地膜 ４・・・非磁性ギャップ材 ６・・・ホトレジスト ８・・・コイル
Claims (1)
- １、基板上に少なくとも第１磁性体、非磁性ギャップ材
、導電体、有機絶縁膜、第２磁性体を所望の形状に形成
する薄膜磁気ヘッドの製造方法において、上記有機絶縁
膜の形成はポリイミド系有機樹脂の塗膜を形成し、低温
で熱処理し、該熱処理した塗膜の上にポジ型ホトレジス
トパターンを形成し、該ホトレジストパターンをマスク
として上記塗膜をエッチングし、上記ホトレジストパタ
ーンを除去し、上記塗膜を高温で加熱し硬化して有機絶
縁膜とすることを特徴とする薄膜磁気ヘッドの製造方法
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17266488A JPH0224810A (ja) | 1988-07-13 | 1988-07-13 | 薄膜磁気ヘッドの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17266488A JPH0224810A (ja) | 1988-07-13 | 1988-07-13 | 薄膜磁気ヘッドの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0224810A true JPH0224810A (ja) | 1990-01-26 |
Family
ID=15946084
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17266488A Pending JPH0224810A (ja) | 1988-07-13 | 1988-07-13 | 薄膜磁気ヘッドの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0224810A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7394665B2 (en) | 2003-02-18 | 2008-07-01 | Kabushiki Kaisha Toshiba | LSI package provided with interface module and method of mounting the same |
| US7865046B2 (en) | 2006-04-14 | 2011-01-04 | Omron Corporation | Optical transmission module, connecting part, and electronic device having optical transmission module |
-
1988
- 1988-07-13 JP JP17266488A patent/JPH0224810A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7394665B2 (en) | 2003-02-18 | 2008-07-01 | Kabushiki Kaisha Toshiba | LSI package provided with interface module and method of mounting the same |
| US7865046B2 (en) | 2006-04-14 | 2011-01-04 | Omron Corporation | Optical transmission module, connecting part, and electronic device having optical transmission module |
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