JPH02254713A - 分子線発生装置 - Google Patents
分子線発生装置Info
- Publication number
- JPH02254713A JPH02254713A JP7613189A JP7613189A JPH02254713A JP H02254713 A JPH02254713 A JP H02254713A JP 7613189 A JP7613189 A JP 7613189A JP 7613189 A JP7613189 A JP 7613189A JP H02254713 A JPH02254713 A JP H02254713A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- molecular beam
- raw material
- crucible
- cylindrical body
- beam generator
- Prior art date
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- Pending
Links
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Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体の分子線エピタキシャル結晶成長（ＭＢ
Ｅ）に用いる分子線発生装置に関する。
Ｅ）に用いる分子線発生装置に関する。
第３図に従来の分子線発生装置を示す、第３図に示す分
子線発生装置は超高真空の成長室内に設置され、ヒータ
１でるつぼ４を加熱し、該るつぼ４内の分子線原料３を
蒸発させてるつぼ４内から外部へ分子線を発生させる構
造になっていた。また、ヒータ１の加熱温度は熱電対２
による検出信号に基づいて制御されている。
子線発生装置は超高真空の成長室内に設置され、ヒータ
１でるつぼ４を加熱し、該るつぼ４内の分子線原料３を
蒸発させてるつぼ４内から外部へ分子線を発生させる構
造になっていた。また、ヒータ１の加熱温度は熱電対２
による検出信号に基づいて制御されている。
第３図において、従来の上向きの分子線発生装置を用い
て例えばＧａを原料として、結晶を成長した場合、公知
の楕円状の表面欠陥が結晶上に多数発生する。これは、
原料であるＧａソースの沸騰に起因しており、この表面
欠陥を低減することはＭＢＥ成長の大きな課題である。
て例えばＧａを原料として、結晶を成長した場合、公知
の楕円状の表面欠陥が結晶上に多数発生する。これは、
原料であるＧａソースの沸騰に起因しており、この表面
欠陥を低減することはＭＢＥ成長の大きな課題である。
前述した従来の分子線発生装置ではるつぼが上向きであ
るために突沸が起こりやすく表面欠陥を低減するのは困
難であった。さらに液体状の原料のために上向きの分子
線発生装置にしか入れることができず、シャッター開閉
時にシャッターに付着していたフレークが原料上に落ち
原料を汚染するという欠点もあった。
るために突沸が起こりやすく表面欠陥を低減するのは困
難であった。さらに液体状の原料のために上向きの分子
線発生装置にしか入れることができず、シャッター開閉
時にシャッターに付着していたフレークが原料上に落ち
原料を汚染するという欠点もあった。
上述した従来の分子線発生装置に対し、本発明は液体状
原料を下向きの分子線発生装置にチャージすることがで
き、さらに、シャッター開閉時に起こるフレークによる
原料汚染を防止し、また、原料としてＧａを用いた場合
に結晶表面に発生する欠陥を低減できるという相違点を
有する。
原料を下向きの分子線発生装置にチャージすることがで
き、さらに、シャッター開閉時に起こるフレークによる
原料汚染を防止し、また、原料としてＧａを用いた場合
に結晶表面に発生する欠陥を低減できるという相違点を
有する。
前記目的を達成するため、本発明に係る分子線発生装置
は分子線を発生させる円筒状胴部と、その分子線を外部
に放出する拡径された開口をもつ円錐部とを一体構造と
したるつぼを有するものである。
は分子線を発生させる円筒状胴部と、その分子線を外部
に放出する拡径された開口をもつ円錐部とを一体構造と
したるつぼを有するものである。
以下、本発明の実施例を図により説明する。
（実施例１）
第１図は本発明の実施例１を示す断面図である。
図において９本発明は、原料３を加熱し１分子線を発生
させる円筒状胴部４ａと、その分子線をさらに加熱して
外部に放出する拡径された開口４ｂをもつ円錐部４ｃと
を一体構造としたるつぼ４を装備したものである０円錐
部４ｃは円筒状胴部４ａの上縁部分で連通し、その間口
４ｂは前傾方向に拡径されている。また、前記円錐部４
ｃの開口口縁部にはヒータ１を備付けである。２は熱電
対である。
させる円筒状胴部４ａと、その分子線をさらに加熱して
外部に放出する拡径された開口４ｂをもつ円錐部４ｃと
を一体構造としたるつぼ４を装備したものである０円錐
部４ｃは円筒状胴部４ａの上縁部分で連通し、その間口
４ｂは前傾方向に拡径されている。また、前記円錐部４
ｃの開口口縁部にはヒータ１を備付けである。２は熱電
対である。
実施例において、るつぼ４はパイロリティック窒化ホウ
素（ＰＢＮ）で作られ、るつぼ４の中にある原料３は熱
電対２で制御されたヒータ１で加熱されて分子線となっ
て放出される０例えば、原料としてＧａを用いると、
Ｇａの液面から沸騰により生じる粒子はるつぼ１の外部
に出ることがなく、ＧａＡｓを成長させた場合、表面欠
陥数は従来の分子線発生装置で行うと、１０００個／ｄ
であったものが１７２の５００個／ｄになった。また、
るっぽ４の開口４ｂを下向きにして設置することが可能
であり、シャッター開閉時に起こるフレーク落下による
Ｇａソース汚染はなくなり、結晶の質が大巾に向上した
。
素（ＰＢＮ）で作られ、るつぼ４の中にある原料３は熱
電対２で制御されたヒータ１で加熱されて分子線となっ
て放出される０例えば、原料としてＧａを用いると、
Ｇａの液面から沸騰により生じる粒子はるつぼ１の外部
に出ることがなく、ＧａＡｓを成長させた場合、表面欠
陥数は従来の分子線発生装置で行うと、１０００個／ｄ
であったものが１７２の５００個／ｄになった。また、
るっぽ４の開口４ｂを下向きにして設置することが可能
であり、シャッター開閉時に起こるフレーク落下による
Ｇａソース汚染はなくなり、結晶の質が大巾に向上した
。
（実施例２）
第２図は本発明の実施例２ｔｔ示す断面図である。
図において、るつぼ４はパイロリティック窒化ホウ素（
ＰＢＮ）で作られ、るっぽ４の円筒状胴部４ａ中にある
原料３は熱電対２によって制御されたヒータ１によって
加熱され分子線を発生する。この分子線は円錐部４ｃに
接した熱電対２で制御されたヒータ１によりさらに加熱
されるつぼ４の外に放出されていく。
ＰＢＮ）で作られ、るっぽ４の円筒状胴部４ａ中にある
原料３は熱電対２によって制御されたヒータ１によって
加熱され分子線を発生する。この分子線は円錐部４ｃに
接した熱電対２で制御されたヒータ１によりさらに加熱
されるつぼ４の外に放出されていく。
本実施例は円錐部４ｃと円筒状胴部４ａとを独立に加熱
ができるため、分子線の制御性を向上できるという神意
がある。
ができるため、分子線の制御性を向上できるという神意
がある。
以上説明したように本発明は原料を加熱し、分子線を発
生させる円筒状胴部と、その分子線をさらに加熱し外に
放出する拡径された開口を形成した円錐部とを一体構造
としたるつぼを有することにより、液体原料を下向きに
入れることができ。
生させる円筒状胴部と、その分子線をさらに加熱し外に
放出する拡径された開口を形成した円錐部とを一体構造
としたるつぼを有することにより、液体原料を下向きに
入れることができ。
下向きのためにシャッター開閉時に起こるフレークによ
る原料汚染を防ぐことができ、高品質のエビを成長させ
ることができる。さらに、原料としてＧａを用いた場合
、沸騰による表面欠陥をなくすことができ、素子の作製
上、歩留りを大巾に上昇させることができるという効果
がある。
る原料汚染を防ぐことができ、高品質のエビを成長させ
ることができる。さらに、原料としてＧａを用いた場合
、沸騰による表面欠陥をなくすことができ、素子の作製
上、歩留りを大巾に上昇させることができるという効果
がある。
第１図は本発明の実施例１を示す断面図、第２図は本発
明の実施例２を示す断面図、第３図は従来例を示す断面
図である。 １・・・ヒータ ２・・・熱電対３・・・
原料 ４・・・るつぼ４ａ・・・円筒状胴
部 ４ｃ・・・円錐部 ４ｂ・・・開口
明の実施例２を示す断面図、第３図は従来例を示す断面
図である。 １・・・ヒータ ２・・・熱電対３・・・
原料 ４・・・るつぼ４ａ・・・円筒状胴
部 ４ｃ・・・円錐部 ４ｂ・・・開口
Claims (1)
- （１）分子線を発生させる円筒状胴部と、その分子線を
外部に放出する拡径された開口をもつ円錐部とを一体構
造としたるつぼを有することを特徴とする分子線発生装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7613189A JPH02254713A (ja) | 1989-03-28 | 1989-03-28 | 分子線発生装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7613189A JPH02254713A (ja) | 1989-03-28 | 1989-03-28 | 分子線発生装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02254713A true JPH02254713A (ja) | 1990-10-15 |
Family
ID=13596391
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7613189A Pending JPH02254713A (ja) | 1989-03-28 | 1989-03-28 | 分子線発生装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02254713A (ja) |
-
1989
- 1989-03-28 JP JP7613189A patent/JPH02254713A/ja active Pending
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