JPH0226017A - 有機金属気相成長法における有機金属化合物の飽和蒸気生成方法 - Google Patents
有機金属気相成長法における有機金属化合物の飽和蒸気生成方法Info
- Publication number
- JPH0226017A JPH0226017A JP17489388A JP17489388A JPH0226017A JP H0226017 A JPH0226017 A JP H0226017A JP 17489388 A JP17489388 A JP 17489388A JP 17489388 A JP17489388 A JP 17489388A JP H0226017 A JPH0226017 A JP H0226017A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- cylinder
- inner tube
- carrier gas
- organometallic compound
- organometallic
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 18
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 title claims description 9
- 125000002524 organometallic group Chemical group 0.000 title claims description 7
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 title abstract description 4
- 239000012159 carrier gas Substances 0.000 claims abstract description 34
- 150000002902 organometallic compounds Chemical class 0.000 claims abstract description 33
- 238000000927 vapour-phase epitaxy Methods 0.000 claims description 4
- 238000001947 vapour-phase growth Methods 0.000 claims description 4
- 238000007599 discharging Methods 0.000 claims description 2
- 239000013078 crystal Substances 0.000 abstract description 8
- 239000010409 thin film Substances 0.000 abstract description 7
- 239000007787 solid Substances 0.000 abstract description 5
- 239000000203 mixture Substances 0.000 abstract description 4
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 6
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 4
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 3
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 2
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000002657 fibrous material Substances 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 150000002736 metal compounds Chemical class 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 230000001502 supplementing effect Effects 0.000 description 1
- 230000009897 systematic effect Effects 0.000 description 1
- IBEFSUTVZWZJEL-UHFFFAOYSA-N trimethylindium Chemical compound C[In](C)C IBEFSUTVZWZJEL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
- 230000002747 voluntary effect Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Semiconductor Lasers (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体用固体有機金属化合物の有機金属気相成
長（Ｍｅｔａｌ ０ｒｏａｎｉｃ Ｃｈｅｍｉｃａｌ
ＶａｐｏｒＤｅｐｏｓｉｔｉｏｎ ： ）１０−ＣＶＤ
）法における有機金属化合物の飽和蒸気生成方法に関す
るものである。
長（Ｍｅｔａｌ ０ｒｏａｎｉｃ Ｃｈｅｍｉｃａｌ
ＶａｐｏｒＤｅｐｏｓｉｔｉｏｎ ： ）１０−ＣＶＤ
）法における有機金属化合物の飽和蒸気生成方法に関す
るものである。
現在、半導体レーザー等の製造に必たり効率よく量産化
できる方法として有機金属化合物を用いる）１０−ＣＶ
Ｄ法は良く知られている。
できる方法として有機金属化合物を用いる）１０−ＣＶ
Ｄ法は良く知られている。
Ｎｏ−ＣＶＤ法とは、有機金属化合物と通常水素ガス等
のキャリア−ガスを接触せしめて有機金属化合物の飽和
蒸気として高温下にあるウェーハー上に送り、ウェーハ
ー上で原料ガスと反応させ、この反応により生成する化
合物の単結晶薄膜を成長させる方法である。更に詳しく
は、つニーバー上に例えば（ＣＩ−１３）ｓＧａとＡｓ
）１３のガスを高温下にあるウェーハー上で反応させ、
下記反応式 △ （ＣＨ３）３ Ｇａ＋ＡＳＨ：＋ −ｍ＝−→ＧａＡ
ｓ＋３０Ｈ４ によりＧａＡＳの単結晶薄膜を成長させる方法でおる。
のキャリア−ガスを接触せしめて有機金属化合物の飽和
蒸気として高温下にあるウェーハー上に送り、ウェーハ
ー上で原料ガスと反応させ、この反応により生成する化
合物の単結晶薄膜を成長させる方法である。更に詳しく
は、つニーバー上に例えば（ＣＩ−１３）ｓＧａとＡｓ
）１３のガスを高温下にあるウェーハー上で反応させ、
下記反応式 △ （ＣＨ３）３ Ｇａ＋ＡＳＨ：＋ −ｍ＝−→ＧａＡ
ｓ＋３０Ｈ４ によりＧａＡＳの単結晶薄膜を成長させる方法でおる。
）１０−ＣＶＤ法においては、シリンダーに充填された
有機金属化合物をキャリア−ガスで反応炉へ運び結晶成
長させている。
有機金属化合物をキャリア−ガスで反応炉へ運び結晶成
長させている。
本発明者らは先に特開昭６３−１１５９８号に開示され
たように第３図に示す通り、キャリア−ガス入口管（１
）に接続するシリンダー（２）の中心軸を通るキャリア
−ガス導入管（３）の下部に分散器（フィルター）（４
）を取り付けかつ、シリンダー（２）下部（２−１）は
シリンダー上部（２−２）に比べその内径を狭めた狭径
部とし、しかも該狭径部の上に傾斜部（２−３）を備え
導入管（３）より分散器（４）を経てシリンダー（２）
の底部に導入されたキャリア−ガスは有機金属化合物の
充填されたシリンダー（２）内を上昇する間に有機金属
化合物の蒸気で飽和され、排出口（５）からシリンダー
外に排出される）１０−ＣＶＤ法用シリンダーを提案し
た。
たように第３図に示す通り、キャリア−ガス入口管（１
）に接続するシリンダー（２）の中心軸を通るキャリア
−ガス導入管（３）の下部に分散器（フィルター）（４
）を取り付けかつ、シリンダー（２）下部（２−１）は
シリンダー上部（２−２）に比べその内径を狭めた狭径
部とし、しかも該狭径部の上に傾斜部（２−３）を備え
導入管（３）より分散器（４）を経てシリンダー（２）
の底部に導入されたキャリア−ガスは有機金属化合物の
充填されたシリンダー（２）内を上昇する間に有機金属
化合物の蒸気で飽和され、排出口（５）からシリンダー
外に排出される）１０−ＣＶＤ法用シリンダーを提案し
た。
該提案によれば、特に固体有機金属化合物の場合効果が
認められるが、それでも尚不十分であることが分った。
認められるが、それでも尚不十分であることが分った。
上記の提案では有機金属化合物としてトリメチルインジ
ウム（ＴＭＩｎ＞を用い、充填量を５〜５０ｇの間で不
連続的に変えＴＭ Ｉ ｎ供給量を求めている。
ウム（ＴＭＩｎ＞を用い、充填量を５〜５０ｇの間で不
連続的に変えＴＭ Ｉ ｎ供給量を求めている。
この方法によると各ＴＭＩｎ量における供給試験開始時
のＴＭＩｎの充填状態は極めて良くまた、該提案の実施
例の如くキャリア−ガス流量が大きくなくしかも３時間
という比較的短時間のため、供給試験終了時のＴＭ Ｉ
ｎの充填状態は殆ど変化しないことから試験中ＴＭ
Ｉ ｎとキャリア−ガスとの接触は十分であり従って、
容易に飽和に達し、その結果として供給量は一定値を示
していた。
のＴＭＩｎの充填状態は極めて良くまた、該提案の実施
例の如くキャリア−ガス流量が大きくなくしかも３時間
という比較的短時間のため、供給試験終了時のＴＭ Ｉ
ｎの充填状態は殆ど変化しないことから試験中ＴＭ
Ｉ ｎとキャリア−ガスとの接触は十分であり従って、
容易に飽和に達し、その結果として供給量は一定値を示
していた。
しかし、実際の使用法に即した供給試験即ち、シリンダ
ーに所定量のＴＭ Ｉ ｎを充填し供給試験を長時間連
続的に行ってみると、先に述べた様に比較的短時間では
充填状態の変化は殆ど見られないものの、時間の経過と
共にフィルターの回りのＴＭ Ｉ ｎが空洞化しガス流
路ができるためＴＭ Ｉ ｎとキャリア−ガスの接触が
次第に不十分となり、その結果供給量が徐々に低下し単
結晶薄膜の組成コントロールができ難いという欠点が明
らかになった。
ーに所定量のＴＭ Ｉ ｎを充填し供給試験を長時間連
続的に行ってみると、先に述べた様に比較的短時間では
充填状態の変化は殆ど見られないものの、時間の経過と
共にフィルターの回りのＴＭ Ｉ ｎが空洞化しガス流
路ができるためＴＭ Ｉ ｎとキャリア−ガスの接触が
次第に不十分となり、その結果供給量が徐々に低下し単
結晶薄膜の組成コントロールができ難いという欠点が明
らかになった。
（課題を解決するための手段〕
そこで本発明者は更に改良するため種々検討の結果シリ
ンダー上部にキャリア−ガスの導入口および排出口を夫
々設け、この排出口に直結した内管をシリンダー内に挿
入しこれらのシリンダーおよび内管の双方に有機金属化
合物を充填して、キャリア−ガスを上記導入口よりシリ
ンダー内に送入し、内管底部より内管を通って排出口よ
り排出せしめることによりキャリア−ガス流量が大きい
場合においても極めて良好な結果が得られることを発見
し本発明を完成するに至った。
ンダー上部にキャリア−ガスの導入口および排出口を夫
々設け、この排出口に直結した内管をシリンダー内に挿
入しこれらのシリンダーおよび内管の双方に有機金属化
合物を充填して、キャリア−ガスを上記導入口よりシリ
ンダー内に送入し、内管底部より内管を通って排出口よ
り排出せしめることによりキャリア−ガス流量が大きい
場合においても極めて良好な結果が得られることを発見
し本発明を完成するに至った。
即ち、本発明の要旨とする所は有機金属気相成長用シリ
ンダーの上部に夫々キャリア−ガスの導入口および排出
口を設け、この排出口に直結しかつ底部に分散器を装備
した内管を該シリンダー内に挿入し、これらのシリンダ
ーおよび内管内の双方に有機金属化合物を夫々充填して
前記導入口よりシリンダー内に送入したキャリア−ガス
をシリンダー内底部より上記の分散器を経て内管を通り
前記の排出口からシリンダー外に排出せしめることを特
徴とする有機金属気相成長法における有機金属化合物の
飽和蒸気生成方法に存し、これにより所期の目的を収め
たものである。
ンダーの上部に夫々キャリア−ガスの導入口および排出
口を設け、この排出口に直結しかつ底部に分散器を装備
した内管を該シリンダー内に挿入し、これらのシリンダ
ーおよび内管内の双方に有機金属化合物を夫々充填して
前記導入口よりシリンダー内に送入したキャリア−ガス
をシリンダー内底部より上記の分散器を経て内管を通り
前記の排出口からシリンダー外に排出せしめることを特
徴とする有機金属気相成長法における有機金属化合物の
飽和蒸気生成方法に存し、これにより所期の目的を収め
たものである。
尚、本発明に使用する分散器はポーラスなものであれば
どんなものでもよく、例えばプラスチックボールフィル
ターでもセルボールデイスりでもよく、また材質的にス
テンレススティールとかセラミックス製のものでも、ま
た繊維状のものでも、耐久性があり、はぼ均一な１〜１
００μの微細なポーラスなものならよい。
どんなものでもよく、例えばプラスチックボールフィル
ターでもセルボールデイスりでもよく、また材質的にス
テンレススティールとかセラミックス製のものでも、ま
た繊維状のものでも、耐久性があり、はぼ均一な１〜１
００μの微細なポーラスなものならよい。
本発明者らが特開昭６３−１１５９８号に開示したシリ
ンダーについては第３図によって説明したが、ガラスで
製作したこのシリンダーにＴＭＩｎを入れ窒素ガスを毎
分５００ ｉｄの割合で連続的に導入したところ、ＴＭ
Ｉ ｎの使用量が約１０％の時点でフィルターの回りに
ＴＭＩ ｎの空洞化が観察され供給量が低下し始めた。
ンダーについては第３図によって説明したが、ガラスで
製作したこのシリンダーにＴＭＩｎを入れ窒素ガスを毎
分５００ ｉｄの割合で連続的に導入したところ、ＴＭ
Ｉ ｎの使用量が約１０％の時点でフィルターの回りに
ＴＭＩ ｎの空洞化が観察され供給量が低下し始めた。
そこで種々試験の結果、本発明方法で試験してみると長
時間均等量のガスが良好に得られ、従ってウェーハー上
に所定の単結晶薄膜を生成することが分かった。これは
、末鎖和分を内管に充填したＴＭ Ｉ ｎが補足する作
用によるものと考えられる。この場合、キャリア−ガス
のシリンダー内における線速度は遅い程好ましいが、特
に限定されることはなくキャリア−ガス流量に合わせて
シリンダー径を決めることが望ましい。また、内管につ
いては固体有機金属化合物の充填のし易さを考慮すると
シリンダーの大きざにもよるが、一般的にはその直径が
５Ｊ１１１１１以上が適当である。なお、シリンダー下
部はシリンダー上部に比べその内径を狭めた狭径部とし
ても良く、また、該狭径部の上に傾斜部を備えても何ら
差しつかえない。
時間均等量のガスが良好に得られ、従ってウェーハー上
に所定の単結晶薄膜を生成することが分かった。これは
、末鎖和分を内管に充填したＴＭ Ｉ ｎが補足する作
用によるものと考えられる。この場合、キャリア−ガス
のシリンダー内における線速度は遅い程好ましいが、特
に限定されることはなくキャリア−ガス流量に合わせて
シリンダー径を決めることが望ましい。また、内管につ
いては固体有機金属化合物の充填のし易さを考慮すると
シリンダーの大きざにもよるが、一般的にはその直径が
５Ｊ１１１１１以上が適当である。なお、シリンダー下
部はシリンダー上部に比べその内径を狭めた狭径部とし
ても良く、また、該狭径部の上に傾斜部を備えても何ら
差しつかえない。
更に、シリンダー全体は丸形に限定されることはない。
第１図および第２図は本発明方法に使用される有機金属
気相成長用シリンダーを示すが、たで型円筒状のシリン
ダー（Ａ）の上部にはその円形周辺部にシリンダー（Ａ
）内に有機金属化合物を装入するための有機金属化合物
の投入口上に垂直に立上る管路（Ｂ）とその円形中心部
に内管（Ｇ）に有機金属化合物を装入するための有機金
属化合物の投入口（Ｃ）が夫々設けられ、又その円形周
辺部にはキャリア−ガスの導入口上に垂直に立上るキャ
リア−ガスの導入管路（Ｄ）とがあり、この導入管路（
Ｄ）よりコック（Ｅ）を介してシリンダー（Ａ）内にキ
ャリア−ガスが導入される。後者の有機金属化合物の投
入口（Ｃ）には有機金属化合物充填用の内管（Ｇ）が直
結しシリンダー（Ａ）内をその中心を貫いて上部より底
部近くまで挿入されており、内管（Ｇ）の下端には分散
器（フィルター＞ ［ＮＵＰＲＯＦＩＬＴＥＲ１００
μ（ヌプロ フィルター） （ヌプロ カンパニイ：４
８００ イースト３４５ストリート、ウイラウクバイ
、オハイオ ４４０９４製 ４８００ Ｅａｓｔ ３４
５ｔｈＳｔｒｅｅｔ、 Ｗｉｌｌｏｎｏｈｂｙ、 ０ｈ
ｉｏ ４４０９４） ］ （Ｈ）が設けである。後者の
有機金属化合物の投入口（Ｃ）はキャアーガスの排出口
も兼ね、これにシリンダー（＾）の上部よりその円形周
辺部に屈曲してから垂直に立上るキャリア−ガス排出管
路（Ｆ）が接続されコック（Ｉ）を経て有機金属化合物
の飽和蒸気を含むキャリア−ガスを排出するようになっ
ている。そこで前記のコック（Ｅ）を介して管路（Ｄ）
内に送入されたキャリア−ガスは、矢印で示す様に有機
金属化合物の充填されたシリンダー（Ａ）内に導入され
てシリンダー（Ａ）の底部に至るが、その間に有機金属
化合物の蒸気を含んだキャリア−ガスは、次いで分散器
（Ｈ）を通して矢印で示す様に同じく有機金属化合物の
充填された内管（Ｇ）内を上昇し、ここで有機金属化合
物の飽和蒸気を含んで排出管路（Ｆ）を経てコック（Ｉ
）を通して排出される様になっている。
気相成長用シリンダーを示すが、たで型円筒状のシリン
ダー（Ａ）の上部にはその円形周辺部にシリンダー（Ａ
）内に有機金属化合物を装入するための有機金属化合物
の投入口上に垂直に立上る管路（Ｂ）とその円形中心部
に内管（Ｇ）に有機金属化合物を装入するための有機金
属化合物の投入口（Ｃ）が夫々設けられ、又その円形周
辺部にはキャリア−ガスの導入口上に垂直に立上るキャ
リア−ガスの導入管路（Ｄ）とがあり、この導入管路（
Ｄ）よりコック（Ｅ）を介してシリンダー（Ａ）内にキ
ャリア−ガスが導入される。後者の有機金属化合物の投
入口（Ｃ）には有機金属化合物充填用の内管（Ｇ）が直
結しシリンダー（Ａ）内をその中心を貫いて上部より底
部近くまで挿入されており、内管（Ｇ）の下端には分散
器（フィルター＞ ［ＮＵＰＲＯＦＩＬＴＥＲ１００
μ（ヌプロ フィルター） （ヌプロ カンパニイ：４
８００ イースト３４５ストリート、ウイラウクバイ
、オハイオ ４４０９４製 ４８００ Ｅａｓｔ ３４
５ｔｈＳｔｒｅｅｔ、 Ｗｉｌｌｏｎｏｈｂｙ、 ０ｈ
ｉｏ ４４０９４） ］ （Ｈ）が設けである。後者の
有機金属化合物の投入口（Ｃ）はキャアーガスの排出口
も兼ね、これにシリンダー（＾）の上部よりその円形周
辺部に屈曲してから垂直に立上るキャリア−ガス排出管
路（Ｆ）が接続されコック（Ｉ）を経て有機金属化合物
の飽和蒸気を含むキャリア−ガスを排出するようになっ
ている。そこで前記のコック（Ｅ）を介して管路（Ｄ）
内に送入されたキャリア−ガスは、矢印で示す様に有機
金属化合物の充填されたシリンダー（Ａ）内に導入され
てシリンダー（Ａ）の底部に至るが、その間に有機金属
化合物の蒸気を含んだキャリア−ガスは、次いで分散器
（Ｈ）を通して矢印で示す様に同じく有機金属化合物の
充填された内管（Ｇ）内を上昇し、ここで有機金属化合
物の飽和蒸気を含んで排出管路（Ｆ）を経てコック（Ｉ
）を通して排出される様になっている。
このシリンダー（Ａ）では、その下部（Ａ１）は上部（
Ａ２）に比べその内径を狭めた狭径部としであるが、こ
の狭径部（Ａ１）の内径は内管（Ｇ）の直径の１．１倍
程度に設定しである。この狭径部の上には傾斜部（Ａ３
）が続いて備えられ、この傾斜部（Ａ３）は、シリンダ
ー上部（Ａ２）に連続している。
Ａ２）に比べその内径を狭めた狭径部としであるが、こ
の狭径部（Ａ１）の内径は内管（Ｇ）の直径の１．１倍
程度に設定しである。この狭径部の上には傾斜部（Ａ３
）が続いて備えられ、この傾斜部（Ａ３）は、シリンダ
ー上部（Ａ２）に連続している。
傾斜部（Ａ３）の傾斜角度はＯ°〜５０”の範囲で適宜
状められる。
状められる。
そこで第４図に示すようにこのシリンダー（Ａ）（シリ
ンダー直径７５１１１１１．内管直径２０ＩＩＩＩ１１
）および内管（Ｇ）の双方にＴＭ Ｉ ｎ５７．９ｇを
充填（このうち１５．３ｇは内管）し、２０℃の恒温槽
（Ｊ）に浸は流量コントローラー（に）を設けた水素ガ
スライン（し）をキャリア−ガス導入管路（Ｄ）に接続
し、水素ガスを毎分５００ ｍｌで８時間連続的に導入
しＴＭ Ｉ ｎのガスを排出させた。
ンダー直径７５１１１１１．内管直径２０ＩＩＩＩ１１
）および内管（Ｇ）の双方にＴＭ Ｉ ｎ５７．９ｇを
充填（このうち１５．３ｇは内管）し、２０℃の恒温槽
（Ｊ）に浸は流量コントローラー（に）を設けた水素ガ
スライン（し）をキャリア−ガス導入管路（Ｄ）に接続
し、水素ガスを毎分５００ ｍｌで８時間連続的に導入
しＴＭ Ｉ ｎのガスを排出させた。
水素ガス中のＴＭＩｎｌは、液体窒素トラップ（Ｈ）で
補集しその重量変化から測定した。測定後、再び水素ガ
スを同一流量、同一時間流しＴＭｉｎの全使用量が充填
時の８０％近くになるまでこの操作を繰り返した。測定
結果を第５図にボす。
補集しその重量変化から測定した。測定後、再び水素ガ
スを同一流量、同一時間流しＴＭｉｎの全使用量が充填
時の８０％近くになるまでこの操作を繰り返した。測定
結果を第５図にボす。
第５図の縦軸のＴＭＩｎ供給！（ｇ／Ｈｒ）とはＴＭ
Ｉ ｎとキャリア−ガスを接触させることにより得られ
るＴＭＩｎのガス発生量を意味する。
Ｉ ｎとキャリア−ガスを接触させることにより得られ
るＴＭＩｎのガス発生量を意味する。
第３図に示すシリンダーを用い、ＴＭ Ｉ ｎ５７−２
ｇをシリンダー（２）内に充填し実施例に準じ水素ガス
を毎分５００ ｍの割合で流した。水素ガス中のＴＭ
Ｉ ｎは実施例と同−法により補集し供給量の経時変化
を測定した。この場合、空洞の拡がりと共に供給量が低
下していった。結果を第５図に示す。
ｇをシリンダー（２）内に充填し実施例に準じ水素ガス
を毎分５００ ｍの割合で流した。水素ガス中のＴＭ
Ｉ ｎは実施例と同−法により補集し供給量の経時変化
を測定した。この場合、空洞の拡がりと共に供給量が低
下していった。結果を第５図に示す。
（発明の効果）
本発明方法によれば、従来の方法と比較し、固体有機金
属化合物の充填量、キャリア−ガスの流量等に依存する
ことなく一定した有機金属化合物の供給量が長時間安定
して得られるので、単結晶薄膜の組成コントロールが可
能となりその工業的価値は大なるものがある。
属化合物の充填量、キャリア−ガスの流量等に依存する
ことなく一定した有機金属化合物の供給量が長時間安定
して得られるので、単結晶薄膜の組成コントロールが可
能となりその工業的価値は大なるものがある。
第１図は本発明方法に使用した有殿金属気相成長用シリ
ンダーの正面説明図、第２図は同シリンダーの平面説明
図、第３図は従来例のシリンダーの正面説明図、第４図
は第１図のシリンダーを組み込んだ試験装置の系統的説
明図、第５図は第４図の試験装置を用いて行った本発明
例のシリンダーおよび従来例のシリンダーの比較試験の
結果を示す図表である。 Ａ シリンダー シリンダー下部（狭径部） シリンダー上部 傾斜部 有機金属化合物の投入管路 有機金属化合物の投入口 キャリア−ガスの導入管路 コック キャリア−ガスの排出管路 内管 分散器（フィルター） 圧力調節器 流量コントローラー 恒温槽 液体窒素トラップ 第２図 手続補正書 （自 発） 補正の内容 昭和６３年８月２３日
ンダーの正面説明図、第２図は同シリンダーの平面説明
図、第３図は従来例のシリンダーの正面説明図、第４図
は第１図のシリンダーを組み込んだ試験装置の系統的説
明図、第５図は第４図の試験装置を用いて行った本発明
例のシリンダーおよび従来例のシリンダーの比較試験の
結果を示す図表である。 Ａ シリンダー シリンダー下部（狭径部） シリンダー上部 傾斜部 有機金属化合物の投入管路 有機金属化合物の投入口 キャリア−ガスの導入管路 コック キャリア−ガスの排出管路 内管 分散器（フィルター） 圧力調節器 流量コントローラー 恒温槽 液体窒素トラップ 第２図 手続補正書 （自 発） 補正の内容 昭和６３年８月２３日
Claims (2)
- （１）有機金属気相成長用シリンダーの上部に夫々キャ
リア−ガスの導入口および排出口を設け、この排出口に
直結しかつ底部に分散器を装備した内管を該シリンダー
内に挿入し、これらのシリンダーおよび内管内の双方に
有機金属化合物を夫々充填して前記導入口よりシリンダ
ー内に送入したキャリア−ガスをシリンダー内底部より
上記の分散器を経て内管を通り前記の排出口からシリン
ダー外に排出せしめることを特徴とする有機金属気相成
長法における有機金属化合物の飽和蒸気生成方法。 - （２）シリンダーがその下部を上部に比し内径を狭めた
形状のたて型円筒状であることを特徴とする有機金属気
相成長法における有機金属化合物の飽和蒸気生成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17489388A JPH0226017A (ja) | 1988-07-15 | 1988-07-15 | 有機金属気相成長法における有機金属化合物の飽和蒸気生成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17489388A JPH0226017A (ja) | 1988-07-15 | 1988-07-15 | 有機金属気相成長法における有機金属化合物の飽和蒸気生成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0226017A true JPH0226017A (ja) | 1990-01-29 |
| JPH0531293B2 JPH0531293B2 (ja) | 1993-05-12 |
Family
ID=15986527
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17489388A Granted JPH0226017A (ja) | 1988-07-15 | 1988-07-15 | 有機金属気相成長法における有機金属化合物の飽和蒸気生成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0226017A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06154579A (ja) * | 1992-11-26 | 1994-06-03 | Japan Atom Energy Res Inst | 原料容器 |
-
1988
- 1988-07-15 JP JP17489388A patent/JPH0226017A/ja active Granted
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06154579A (ja) * | 1992-11-26 | 1994-06-03 | Japan Atom Energy Res Inst | 原料容器 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0531293B2 (ja) | 1993-05-12 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH0269389A (ja) | 有機金属気相成長法における固体有機金属化合物の飽和蒸気生成方法 | |
| US4980204A (en) | Metal organic chemical vapor deposition method with controlled gas flow rate | |
| US4734999A (en) | Cylinder for metal organic chemical vapor deposition | |
| JP2001077038A (ja) | Ｉｉｉ−ｖ族窒化物半導体の成長方法および気相成長装置 | |
| JPH0226017A (ja) | 有機金属気相成長法における有機金属化合物の飽和蒸気生成方法 | |
| JPH02172889A (ja) | 気相成長用シリンダー | |
| JP2007246303A (ja) | Ｉｉｉ族窒化物結晶およびその製造方法 | |
| JPH01318229A (ja) | 半導体気相成長装置 | |
| JP2003268551A (ja) | Ｃｖｄ装置の原料供給装置 | |
| JPS6283400A (ja) | 有機金属気相成長用シリンダ−の改良法 | |
| GB1586083A (en) | Growth of semiconductor materials | |
| JPS5812827Y2 (ja) | 気相成長用飽和器 | |
| JPS62247521A (ja) | 有機金属化合物収納装置 | |
| JPS59164697A (ja) | 気相成長方法 | |
| JPH0665209B2 (ja) | 気相成長による半導体製造装置 | |
| JP3707079B2 (ja) | 化合物半導体薄膜成長方法 | |
| JPS61242013A (ja) | 原料ガス発生・供給装置 | |
| JPS5813486B2 (ja) | カゴウブツノゴウセイホウホウ | |
| Pelzer et al. | Reactor design and improvement of uniformity in InP based OMVPE | |
| JPH0254317B2 (ja) | ||
| JPS62219917A (ja) | 半導体製造装置 | |
| JPS63122117A (ja) | 気相成長用原料供給装置 | |
| JPS60261128A (ja) | 分子線結晶成長装置 | |
| JPS61114519A (ja) | 気相成長装置 | |
| JPH03109922A (ja) | 半導体製造用ガスの処理装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |