JPH02262610A - 光変調器の製造方法 - Google Patents
光変調器の製造方法Info
- Publication number
- JPH02262610A JPH02262610A JP1296966A JP29696689A JPH02262610A JP H02262610 A JPH02262610 A JP H02262610A JP 1296966 A JP1296966 A JP 1296966A JP 29696689 A JP29696689 A JP 29696689A JP H02262610 A JPH02262610 A JP H02262610A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- treatment
- conductive layer
- elastomer layer
- layer
- optical modulator
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Mechanical Light Control Or Optical Switches (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、光変調器特に変形可能な構成をとりその変形
によってこれに照射される光の回折を利用して光変調を
行うようにした光変調器の製造方法に関わる。
によってこれに照射される光の回折を利用して光変調を
行うようにした光変調器の製造方法に関わる。
本発明は、変形可能な光変調器に関わり、主面上に電荷
蓄積電極配列を有する半導体基体上に、エラストマ層を
形成し、このエラストマ層表面をフラズマ処理及びイオ
ン注入処理の少くともいずれかの処理を行って後これの
上に直接的に導電層を被着して光変調器を製造するもの
であり、このようにすることによってエラストマ層に対
する導電層の密着性の向上と鏡面導電層の形成を容易か
つ確実に行うことができるようにして動作の安定性、歩
留りの向上をはかる。
蓄積電極配列を有する半導体基体上に、エラストマ層を
形成し、このエラストマ層表面をフラズマ処理及びイオ
ン注入処理の少くともいずれかの処理を行って後これの
上に直接的に導電層を被着して光変調器を製造するもの
であり、このようにすることによってエラストマ層に対
する導電層の密着性の向上と鏡面導電層の形成を容易か
つ確実に行うことができるようにして動作の安定性、歩
留りの向上をはかる。
例えばビデオ信号を可視像に変換してスクリーン上に投
射するプロジェクタとして陰極線管型構成をとるものが
あるが、この場合真空系を必要とすることから大型、高
価格化が特に大画面の映出において問題となってくる。
射するプロジェクタとして陰極線管型構成をとるものが
あるが、この場合真空系を必要とすることから大型、高
価格化が特に大画面の映出において問題となってくる。
これに比して投射光に対してビデオ信号に基づいて光変
調を行って可視像を得る場合、真空系が不要となること
から小型廉価にまた大画面の可視像映出を行うことがで
きるという利点がある。この種の光変調によってビデオ
信号を可視像に変換するビデオ表示システムの例として
は例えば特開昭６０−２５３３８３号公報に開示された
変形可能な光変調器を用いたビデオシステムがある。こ
のビデオシステムは、例えば第３図に示すように光源（
１１）からの光を例えばスリン） （１２）によって分
離された反射部（１３）が平行配列されたマスク装置（
１４）に向わせ、これよりの光をレンズ系（１６）によ
り平行光として光変調器（１５）に入射させるようにな
されている。光変調器（１５）はビデオ信号に応じて形
成した電荷パターンによる変形によって窪みを発生させ
るようになされ、この窪みの発生によって反射部（１３
）を回折格子として動作させ、特定の光をこのマスク装
置（１４）のスリット（１２）を通じてスクリーン（１
７）上に投影してビデオ信号に応じた可視像の映出を行
うというものである。
調を行って可視像を得る場合、真空系が不要となること
から小型廉価にまた大画面の可視像映出を行うことがで
きるという利点がある。この種の光変調によってビデオ
信号を可視像に変換するビデオ表示システムの例として
は例えば特開昭６０−２５３３８３号公報に開示された
変形可能な光変調器を用いたビデオシステムがある。こ
のビデオシステムは、例えば第３図に示すように光源（
１１）からの光を例えばスリン） （１２）によって分
離された反射部（１３）が平行配列されたマスク装置（
１４）に向わせ、これよりの光をレンズ系（１６）によ
り平行光として光変調器（１５）に入射させるようにな
されている。光変調器（１５）はビデオ信号に応じて形
成した電荷パターンによる変形によって窪みを発生させ
るようになされ、この窪みの発生によって反射部（１３
）を回折格子として動作させ、特定の光をこのマスク装
置（１４）のスリット（１２）を通じてスクリーン（１
７）上に投影してビデオ信号に応じた可視像の映出を行
うというものである。
この場合の変形可能な光変調器（１５）は、第４図にそ
の路線的断面図を示すように、主面（１９ａ）上に電荷
蓄積電極（２０）が配列形成された半導体基体（２１）
上に例えばシリコーンゲルよりなるエラストマＪｉ （
２２）が被着され、これの上に可塑性の薄膜層（２３）
が被着され、これの上に対向電極となり、かつ光反射層
となる導電層（２４）が例えば金の蒸着あるいはスパッ
タ等により被着されて成る。
の路線的断面図を示すように、主面（１９ａ）上に電荷
蓄積電極（２０）が配列形成された半導体基体（２１）
上に例えばシリコーンゲルよりなるエラストマＪｉ （
２２）が被着され、これの上に可塑性の薄膜層（２３）
が被着され、これの上に対向電極となり、かつ光反射層
となる導電層（２４）が例えば金の蒸着あるいはスパッ
タ等により被着されて成る。
上述したように、光変調器においては、エラストマ層（
２２）上に可塑性薄膜層（２３）が形成されて、これの
上に導電層（２４）例えば金の蒸着、スパッタ等がなさ
れる。このようにエラストマ層（２２）上に可塑性薄膜
層を形成するのはエラストマ層（２２）の表面に直接的
に導電層（２４）例えば１層を被着する場合、反射面と
して良好な鏡面を形成するように被着することができず
、また密着性が低いことなどによる。これは、エラスト
マ層（２２）の表面に存在する残存油及びその他の成分
の存在、さらにまた表面性の問題によるものと考えられ
ている。
２２）上に可塑性薄膜層（２３）が形成されて、これの
上に導電層（２４）例えば金の蒸着、スパッタ等がなさ
れる。このようにエラストマ層（２２）上に可塑性薄膜
層を形成するのはエラストマ層（２２）の表面に直接的
に導電層（２４）例えば１層を被着する場合、反射面と
して良好な鏡面を形成するように被着することができず
、また密着性が低いことなどによる。これは、エラスト
マ層（２２）の表面に存在する残存油及びその他の成分
の存在、さらにまた表面性の問題によるものと考えられ
ている。
そして、可塑性薄膜層（２３）の被着形成は、例えばニ
トロセルロース材を酢酸アミルなどの溶剤に溶かしこの
溶液を水面に滴下しこれを水面上に流延させてフィルム
状となし溶剤を排除して乾燥させて可塑性薄膜を形成し
、これをエラストマ層（２２）上に載せるという方法が
とられる。ところが、実際上このようなウェット処理を
伴う可塑性薄膜の形成は極めて非能率的で、また歩留り
の問題。
トロセルロース材を酢酸アミルなどの溶剤に溶かしこの
溶液を水面に滴下しこれを水面上に流延させてフィルム
状となし溶剤を排除して乾燥させて可塑性薄膜を形成し
、これをエラストマ層（２２）上に載せるという方法が
とられる。ところが、実際上このようなウェット処理を
伴う可塑性薄膜の形成は極めて非能率的で、また歩留り
の問題。
薄膜の安全性、膜強度、膜厚の制御性、制限などの課題
がある。
がある。
本発明においては、エラストマ層（２２）上に直接的に
表面が鏡面を有し光反射膜として有効な導電層を良好な
密着性をもって被着することができるようにして製造の
簡易化、信頼性の向上９歩留りの向上をはかることがで
きるようにすることを目的とする。
表面が鏡面を有し光反射膜として有効な導電層を良好な
密着性をもって被着することができるようにして製造の
簡易化、信頼性の向上９歩留りの向上をはかることがで
きるようにすることを目的とする。
本発明は、第１図Ａに示すように主面（１ａ）上に電荷
蓄積電極（２）の配列を有する半導体基板（１）上にエ
ラストマ層（３）を形成し、このエラストマＮ（３）の
表面をプラズマ処理、及びＯｔ”＋ Ｎｚ”、 Ａｒ”
、Ｃ”イオンの打ち込みによるイオン注入処理の少くと
もいずれかの処理を行って後に第１図Ｂに示すように導
電層（４）の被着を行って目的とする変形可能な光変調
器（５）を得る。
蓄積電極（２）の配列を有する半導体基板（１）上にエ
ラストマ層（３）を形成し、このエラストマＮ（３）の
表面をプラズマ処理、及びＯｔ”＋ Ｎｚ”、 Ａｒ”
、Ｃ”イオンの打ち込みによるイオン注入処理の少くと
もいずれかの処理を行って後に第１図Ｂに示すように導
電層（４）の被着を行って目的とする変形可能な光変調
器（５）を得る。
（作用〕
本発明の製造方法によれば、エラストマ層（３）の表面
をプラズマ処理或いはイオン注入処理を行って後、これ
の上に直接的に導電層（４）を形成するものであるが、
このようにして被着形成された導電層（４）は、エラス
トマ層（３）に対する密着性が良好でかつまたその導電
層（４）の表面が鏡面として形成され、良好な光反射面
を形成できることが確かめられた。これは、プラズマ処
理によってエラストマ層（３）の表面に形成された残存
油をはじめとする不要な成分の排除、或いはイオン注入
による疎水性表面の改質を行い、同時に表面性の改善、
すなわち平滑性の改善がはかられることによるものと思
われる。
をプラズマ処理或いはイオン注入処理を行って後、これ
の上に直接的に導電層（４）を形成するものであるが、
このようにして被着形成された導電層（４）は、エラス
トマ層（３）に対する密着性が良好でかつまたその導電
層（４）の表面が鏡面として形成され、良好な光反射面
を形成できることが確かめられた。これは、プラズマ処
理によってエラストマ層（３）の表面に形成された残存
油をはじめとする不要な成分の排除、或いはイオン注入
による疎水性表面の改質を行い、同時に表面性の改善、
すなわち平滑性の改善がはかられることによるものと思
われる。
そして、本発明方法によれば、単にエラストマ層（３）
の表面をプラズマ処理、或いはイオン注入するものであ
って、いわゆるウェット処理を伴わないことから簡単な
作業によってこれら処理を行うことができる。また導電
層（４）をスパッタ等によって形成する場合は、その導
電層（４）のスパッタリングに先立って導電層（４）の
スパッタ材、すなわちターゲツト材のスパッタリング開
始以前の小さいパワーで例えばプラズマ処理を行うのみ
で続いて通電パワーを上げて連続的に導電層（４）のス
パッタリング作業を行うことができるのでその作業は極
めて簡潔化され、これに伴って量産性の向上、信頼性の
向上、安定性の向上がはかられる。
の表面をプラズマ処理、或いはイオン注入するものであ
って、いわゆるウェット処理を伴わないことから簡単な
作業によってこれら処理を行うことができる。また導電
層（４）をスパッタ等によって形成する場合は、その導
電層（４）のスパッタリングに先立って導電層（４）の
スパッタ材、すなわちターゲツト材のスパッタリング開
始以前の小さいパワーで例えばプラズマ処理を行うのみ
で続いて通電パワーを上げて連続的に導電層（４）のス
パッタリング作業を行うことができるのでその作業は極
めて簡潔化され、これに伴って量産性の向上、信頼性の
向上、安定性の向上がはかられる。
本発明方法の一例を説明する。プラズマ処理装置（３１
）は、例えば第２図に示すように通常のスパッタリング
装置あるいはマグネトロン型スパッタリング装置を用い
る。その処理室（３２）内には後述する導電層（４）を
スパッタリングするためのターゲット例えば金Ａｕのタ
ーゲット（３３）を一方の電極側に配置する。他方の電
極側すなわち基体配置部（３４）に、主面（ｌａ）上に
第１図Ａに示すように電荷蓄積電極（２）の配列を有し
、エラストマＮ（３）例えばシリコーンゲルが塗布され
た半導体基体（１）を配置する。そしてこのスパッタ処
理室（３２）内を０．１〜０．２ Ｔｏｒｒの真空度に
排気し、例えば電流１ｍＡ、 １ｋＶすなわちＩＷ以下
で１分〜１分３０秒間プラズマを発生させ、エラストマ
層（３）の表面をプラズマ中にさらす。この場合低パワ
ーであることからターゲット（３３）のスパッタ、すな
わち金Ａｕのスパッタは生じないかあるいは多少生じて
もほどんどエラストマ層（３）に衝撃することがない。
）は、例えば第２図に示すように通常のスパッタリング
装置あるいはマグネトロン型スパッタリング装置を用い
る。その処理室（３２）内には後述する導電層（４）を
スパッタリングするためのターゲット例えば金Ａｕのタ
ーゲット（３３）を一方の電極側に配置する。他方の電
極側すなわち基体配置部（３４）に、主面（ｌａ）上に
第１図Ａに示すように電荷蓄積電極（２）の配列を有し
、エラストマＮ（３）例えばシリコーンゲルが塗布され
た半導体基体（１）を配置する。そしてこのスパッタ処
理室（３２）内を０．１〜０．２ Ｔｏｒｒの真空度に
排気し、例えば電流１ｍＡ、 １ｋＶすなわちＩＷ以下
で１分〜１分３０秒間プラズマを発生させ、エラストマ
層（３）の表面をプラズマ中にさらす。この場合低パワ
ーであることからターゲット（３３）のスパッタ、すな
わち金Ａｕのスパッタは生じないかあるいは多少生じて
もほどんどエラストマ層（３）に衝撃することがない。
次いで、通常のスパッタ処理と同様に例えば１．３ｋＶ
、 ４０ｍＡの電力を与えてターゲット（３３）におい
てスパッタを発生させプラズマ処理のなされたエラスト
マ層（３）上に金Ａｕのスパッタ膜を被着生成して導電
層（４）を形成する。このようにして導電層（４）を形
成するものであるが、この導電層（４）の表面反射率を
向上させるために金による薄膜層上に銀被膜を形成して
導電層（４）を構成することもできる。
、 ４０ｍＡの電力を与えてターゲット（３３）におい
てスパッタを発生させプラズマ処理のなされたエラスト
マ層（３）上に金Ａｕのスパッタ膜を被着生成して導電
層（４）を形成する。このようにして導電層（４）を形
成するものであるが、この導電層（４）の表面反射率を
向上させるために金による薄膜層上に銀被膜を形成して
導電層（４）を構成することもできる。
この銀の被着においてもスパッタリングによって行うこ
とができ、例えばスパッタ処理室（３２）内に図示しな
いが銀ターゲットを配置し、金のスパンタ後においてこ
の銀ターゲットと基体配置部（３４）との間に所要の電
圧を印加してスパッタ処理を行うことができる。
とができ、例えばスパッタ処理室（３２）内に図示しな
いが銀ターゲットを配置し、金のスパンタ後においてこ
の銀ターゲットと基体配置部（３４）との間に所要の電
圧を印加してスパッタ処理を行うことができる。
本発明の他の例は、上述の第１図Ａで示した例で加速し
て打ち込み、その後第１図已に示すように、Ａｕ等の導
電層（４）をスパッタ、蒸着等によってエラストマ層（
４）上に直接的に被着形成する。
て打ち込み、その後第１図已に示すように、Ａｕ等の導
電層（４）をスパッタ、蒸着等によってエラストマ層（
４）上に直接的に被着形成する。
このようにして第１図Ｂに示すようにエラストマ層（３
）を介して電荷蓄積電極（２）と対向して共通の対向電
極としての導電層（４）が形成された光変調器（５）が
形成される。
）を介して電荷蓄積電極（２）と対向して共通の対向電
極としての導電層（４）が形成された光変調器（５）が
形成される。
この光変調器（５）は例えば第３図で説明した可視像表
示システムの光変調器として用いその電極（２）に、ビ
デオ信号に応じた蓄積電荷を与えることによって前述し
た表示を行うことができる。
示システムの光変調器として用いその電極（２）に、ビ
デオ信号に応じた蓄積電荷を与えることによって前述し
た表示を行うことができる。
尚、上述した例においては導電層の形成をスパッタによ
って形成した場合であり、この場合プラズマ処理と連続
して導電Ｎ（４）のスパッタによる被着を行うことがで
きるが、ある場合は導電層（４）の形成を真空蒸着法等
によって形成することもできるなど種々の被着形成方法
を適用することができる。
って形成した場合であり、この場合プラズマ処理と連続
して導電Ｎ（４）のスパッタによる被着を行うことがで
きるが、ある場合は導電層（４）の形成を真空蒸着法等
によって形成することもできるなど種々の被着形成方法
を適用することができる。
尚、エラストマ層（３）の表面に対する例えばプラズマ
処理時、実際上これが加熱されるが、エラストマ層（３
）の形成に当たっては、通常２００°Ｃ程度ノ加熱硬化
処理が行われているから、これ以下の加熱であればエラ
ストマ層（３）に熱的不都合を生じるおそれはない。
処理時、実際上これが加熱されるが、エラストマ層（３
）の形成に当たっては、通常２００°Ｃ程度ノ加熱硬化
処理が行われているから、これ以下の加熱であればエラ
ストマ層（３）に熱的不都合を生じるおそれはない。
上述したように本発明方法によれば、エラストマ層（３
）に同等可塑性薄膜の形成を行うことなく単にウェット
処理を伴わないプラズマ処理或いはイオン注入を行うの
みでこのエラストマＮ（３）上に直接的に導電層（４）
の被着を行うことができるので、製造の筒易化をはかる
ことができると共に信頼性が高く歩留りのよい特性の安
定した変形可能な光変調器（５）を構成することができ
る。
）に同等可塑性薄膜の形成を行うことなく単にウェット
処理を伴わないプラズマ処理或いはイオン注入を行うの
みでこのエラストマＮ（３）上に直接的に導電層（４）
の被着を行うことができるので、製造の筒易化をはかる
ことができると共に信頼性が高く歩留りのよい特性の安
定した変形可能な光変調器（５）を構成することができ
る。
第１図は本発明製造方法の一例の工程図、第２図は本発
明製造方法を適用するプラズマ処理装置の路線的構成図
、第３図は変形可能な光変調器を用いたビデオ表示シス
テムの一例の路線的構成図、第４図は従来方法による光
変調器の路線的断面図である。 （１）は半導体基体、（２）は電荷蓄積電極配列、（３
）はエラストマ層、（４）は導電層である。 代 理 人 松 隈 秀 盛 第２図
明製造方法を適用するプラズマ処理装置の路線的構成図
、第３図は変形可能な光変調器を用いたビデオ表示シス
テムの一例の路線的構成図、第４図は従来方法による光
変調器の路線的断面図である。 （１）は半導体基体、（２）は電荷蓄積電極配列、（３
）はエラストマ層、（４）は導電層である。 代 理 人 松 隈 秀 盛 第２図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 主面上に電荷蓄積電極配列を有する半導体基体上に、エ
ラストマ層を形成し、 該エラストマ層表面をプラズマ処理及びイオン注入処理
の少くともいずれかの処理を行って後導電層を被着する
ことを特徴とする光変調器の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1296966A JPH02262610A (ja) | 1988-11-30 | 1989-11-15 | 光変調器の製造方法 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63-303651 | 1988-11-30 | ||
| JP30365188 | 1988-11-30 | ||
| JP1296966A JPH02262610A (ja) | 1988-11-30 | 1989-11-15 | 光変調器の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02262610A true JPH02262610A (ja) | 1990-10-25 |
Family
ID=17923573
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1296966A Pending JPH02262610A (ja) | 1988-11-30 | 1989-11-15 | 光変調器の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02262610A (ja) |
-
1989
- 1989-11-15 JP JP1296966A patent/JPH02262610A/ja active Pending
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