JPH02281825A - 超短光パルス変調回路 - Google Patents
超短光パルス変調回路Info
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- JPH02281825A JPH02281825A JP1101730A JP10173089A JPH02281825A JP H02281825 A JPH02281825 A JP H02281825A JP 1101730 A JP1101730 A JP 1101730A JP 10173089 A JP10173089 A JP 10173089A JP H02281825 A JPH02281825 A JP H02281825A
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- H04B10/50—Transmitters
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
く産業上の利用分野〉
本発明は光パルスの高多重化が可能な超短光パルス変調
回路に関し、光パワー損失を減少させると共に装置的構
成を削減するように改良したものである。
回路に関し、光パワー損失を減少させると共に装置的構
成を削減するように改良したものである。
〈従来の技術〉
高速、広帯域通信の実現には高速で繰り返す超短光パル
スの変調及び多重化技術が重要な111j1である。現
在用いられている半導体レーザの直接強度変調では、変
調時に発振周波数の変動(チャーピング)が大きい。従
って強度変調には外部波tll#が必要である。ここで
外部変調器により光パルスを変調する場合、装置の応答
特性により変m31度が制限されるという問題点があっ
た。
スの変調及び多重化技術が重要な111j1である。現
在用いられている半導体レーザの直接強度変調では、変
調時に発振周波数の変動(チャーピング)が大きい。従
って強度変調には外部波tll#が必要である。ここで
外部変調器により光パルスを変調する場合、装置の応答
特性により変m31度が制限されるという問題点があっ
た。
この問題点を解決するために従来第6図に示す構成が提
案されている。この装置では、レーザ発振器から出射し
た光パルス列を光分岐器02によってN本並列に分岐し
、それぞれを外部変WII!ll#03で変調した後、
光ファイバ04で相対的な時間遅延を与え、更に光カプ
ラ05で合流し、N多重された光パルスビット列をして
いる。各外部変調903は入力された電気信号に基づき
シフトレジス06によし制御され、1パルスごと変調す
る。N本の光ファイバ(遅延線)04の遅延量はそれぞ
れΔτ・e/n、 2Δτ・e/n、…NΔτe/nと
設定する。ここでΔτは光パルス幅、Cは高速、nはコ
アの屈折率である。
案されている。この装置では、レーザ発振器から出射し
た光パルス列を光分岐器02によってN本並列に分岐し
、それぞれを外部変WII!ll#03で変調した後、
光ファイバ04で相対的な時間遅延を与え、更に光カプ
ラ05で合流し、N多重された光パルスビット列をして
いる。各外部変調903は入力された電気信号に基づき
シフトレジス06によし制御され、1パルスごと変調す
る。N本の光ファイバ(遅延線)04の遅延量はそれぞ
れΔτ・e/n、 2Δτ・e/n、…NΔτe/nと
設定する。ここでΔτは光パルス幅、Cは高速、nはコ
アの屈折率である。
〈発明が解決しようとする課題〉
しかしながら、この従来の構成1は、以下に示す問題点
があった。
があった。
■ 外部変調器の数が光パルスを多重する数だけ必要と
なる。
なる。
■ 光ファイバ(遅延線)の数が光パルスを多重する数
だけ必要となる。
だけ必要となる。
■ 電気信号から光パルスへ変調を行う際、シフトレジ
スタによるタイミング抽出回路が必要となる。
スタによるタイミング抽出回路が必要となる。
■ 光分岐器と光カップラの組み合わせからなるために
、光パワーの損失が大きい。
、光パワーの損失が大きい。
本発明は上記従来技術に鑑みてなされたものであり、光
パルスの高多重化技術におし)て、光ファイバ(遅延I
II) 、外部変調器などの装置的構成を削減すること
ができると共に光パワーの損失を減少させることのでき
る超短光パルス変調回路を提供することを目的とするも
のである。
パルスの高多重化技術におし)て、光ファイバ(遅延I
II) 、外部変調器などの装置的構成を削減すること
ができると共に光パワーの損失を減少させることのでき
る超短光パルス変調回路を提供することを目的とするも
のである。
く課題を解決するための手段〉
斬かる目的を達成する本発明の超短光パルス変調回路に
かかる構成は周期Tの矩形波電気信号を出力するパルス
パタン発生器と、該発生−からの電気信号により周期T
の光パルス列を出力するレーザ発振器と、該レーザ発1
isiから出射された光パルス列を外部入力の電気信号
によりオンオフする外部変調器とを備え、入力された光
パルス列を制御信号により2本の光ファイバに振り分け
る光スイッチp該光スイッチの出力に相対的な時間遅延
を持たせる2本の光ファイバ及び眩光ファイバの出力を
合流させる光カプラから成るマルチプレクサモジュール
をN個直列に前記外部変調器に接続する一方、周期を倍
に伸長する( 1/2)分周器をN個直列に前記パルス
パタン発生器に接続し、更に、これら各(1/2)分局
謡の周期(22×T)、周期(2’x’rL ”’周期
(2NXT)の各信号を遅延させて前記光スイッチに対
する制御信号として入力させる回路を前記(1/2)分
周器と前記マルチプレクサモジエールの間にそれぞれ、
順に設けたことを特徴とする。
かかる構成は周期Tの矩形波電気信号を出力するパルス
パタン発生器と、該発生−からの電気信号により周期T
の光パルス列を出力するレーザ発振器と、該レーザ発1
isiから出射された光パルス列を外部入力の電気信号
によりオンオフする外部変調器とを備え、入力された光
パルス列を制御信号により2本の光ファイバに振り分け
る光スイッチp該光スイッチの出力に相対的な時間遅延
を持たせる2本の光ファイバ及び眩光ファイバの出力を
合流させる光カプラから成るマルチプレクサモジュール
をN個直列に前記外部変調器に接続する一方、周期を倍
に伸長する( 1/2)分周器をN個直列に前記パルス
パタン発生器に接続し、更に、これら各(1/2)分局
謡の周期(22×T)、周期(2’x’rL ”’周期
(2NXT)の各信号を遅延させて前記光スイッチに対
する制御信号として入力させる回路を前記(1/2)分
周器と前記マルチプレクサモジエールの間にそれぞれ、
順に設けたことを特徴とする。
く作 用〉
パルスパタン発生器から出力された周期Tの矩形波電気
信号がレーザ発振器入力されると、レーザ発振器から周
期Tの光パルス列が発生し、この光パルス列は外部変調
器において外部入力の電気信号により変調された後、N
(Nは自然数)段直列に接続されたマルチプレクサモ
ジュールを順に通過する。
信号がレーザ発振器入力されると、レーザ発振器から周
期Tの光パルス列が発生し、この光パルス列は外部変調
器において外部入力の電気信号により変調された後、N
(Nは自然数)段直列に接続されたマルチプレクサモ
ジュールを順に通過する。
一方、パルスパタン発生器から出された周期Tの矩形波
電気信号はN段直列に接続された(1/2)分周器を順
に通過する際に、それぞれにおいて周期が倍に伸長され
るため、各(1/2)分周器における矩形波電気信号は
−それぞれ周期(22×T)、周期(222×T)=・
・周期(2NXT)となる。これら矩形波電気信号はそ
れぞれ遅延された後、各マルチプレクサモジニールの光
スイッチに制御信号として入力される。このため、まず
、第1段目のマルチプレクサモジュールにおいては、入
力される光パルス列が各パルスごとに周期(2×T)の
制御信号により、2本の光ファイバに交互に振動分けら
れ、これらのパルスは光ファイバを通過する際に相対的
な時間遅延を生じ、光カプラで合流すると、2本毎にま
とまった周期(2×T)の光パルス列となる。更に、第
2段目のマルチプレクサモジュールにおいては、光スイ
ッチに周期(22X T )の制御信号が入力されるた
め、光カプラで合流されると22本毎にまとまった周期
(22X T )の光パルス列となる。
電気信号はN段直列に接続された(1/2)分周器を順
に通過する際に、それぞれにおいて周期が倍に伸長され
るため、各(1/2)分周器における矩形波電気信号は
−それぞれ周期(22×T)、周期(222×T)=・
・周期(2NXT)となる。これら矩形波電気信号はそ
れぞれ遅延された後、各マルチプレクサモジニールの光
スイッチに制御信号として入力される。このため、まず
、第1段目のマルチプレクサモジュールにおいては、入
力される光パルス列が各パルスごとに周期(2×T)の
制御信号により、2本の光ファイバに交互に振動分けら
れ、これらのパルスは光ファイバを通過する際に相対的
な時間遅延を生じ、光カプラで合流すると、2本毎にま
とまった周期(2×T)の光パルス列となる。更に、第
2段目のマルチプレクサモジュールにおいては、光スイ
ッチに周期(22X T )の制御信号が入力されるた
め、光カプラで合流されると22本毎にまとまった周期
(22X T )の光パルス列となる。
第3段目、第4段目、…第N段目のマルチプレクサモジ
ュールにおいても同様であり、第N段目のマルチプレク
サモジュールを出射した光パルス列は周期(2’ X
T )で2″′本毎にまとまったものとなる。
ュールにおいても同様であり、第N段目のマルチプレク
サモジュールを出射した光パルス列は周期(2’ X
T )で2″′本毎にまとまったものとなる。
く実 施 例〉
以下、本発明について、図面に示す実施例を参照として
詳細に説明する。
詳細に説明する。
第1図に本発明の一実施例の超短光パルス変調回路を示
す。同図に示すように、本実施例の超短光パルス変調回
路は、パルスパタン発生器1、半導体レーザ2、外部変
II晋3、マルチプレクサモジュール4−1.4−2゜
…4−N、 (1/2)分周@5−1.5−2.…5
−N及び遅延回路6−1.6−2.…6−Nから構成さ
れている。パルスパタン発生器1、 半導体レーザ2、外部変!ll器は順に接続され、外m
変調器3に対しマルチプレクサモジュール4−1.4−
2.…4−N段直列に接続されている。また、パルスパ
タン発生器1には(1/2)分周普5−1.5−2.…
5−NがN段直列に接続され、これら(1/2)分周@
5−1゜5−2.…5−Nとマルチプレクサモジュール
4−1,4−2…4−Nとの間にはそれぞれ遅延回路6
−1.6−2…6−Nが介装されている。各マルチプレ
クサモジュール4−1゜4−2.…4−Nはいずれも、
第2図に光スイッチ7.2本の光ファイバ8−1.8−
2及び光カプラ9から構成されている。
す。同図に示すように、本実施例の超短光パルス変調回
路は、パルスパタン発生器1、半導体レーザ2、外部変
II晋3、マルチプレクサモジュール4−1.4−2゜
…4−N、 (1/2)分周@5−1.5−2.…5
−N及び遅延回路6−1.6−2.…6−Nから構成さ
れている。パルスパタン発生器1、 半導体レーザ2、外部変!ll器は順に接続され、外m
変調器3に対しマルチプレクサモジュール4−1.4−
2.…4−N段直列に接続されている。また、パルスパ
タン発生器1には(1/2)分周普5−1.5−2.…
5−NがN段直列に接続され、これら(1/2)分周@
5−1゜5−2.…5−Nとマルチプレクサモジュール
4−1,4−2…4−Nとの間にはそれぞれ遅延回路6
−1.6−2…6−Nが介装されている。各マルチプレ
クサモジュール4−1゜4−2.…4−Nはいずれも、
第2図に光スイッチ7.2本の光ファイバ8−1.8−
2及び光カプラ9から構成されている。
従って、上記超短光パルス変調回路によれば第3図に示
すように変調されることになる。
すように変調されることになる。
即ち、パルスパタン発生器1から出力された周期Tの矩
形波電気信号11を半導体レーザ2に与え直接変調する
と、半導体レーザ2から周期Tの超短光パルス列12が
生成され、この光パルス列12は外部変!1183に入
力される。外部変II器3は入力電気信号に基づき変調
可能な帯域(GH,)で光パルス列12を変調する。こ
こでは、光パルス列の変調以降の変化を見やすくするた
め、すべてパイレベル(1,1,、…1)の信号で変調
を行ったものとしている。従って、外部変調Wj3に入
力されろ光パルス列12と、これから出力される光パル
ス列とは結果的に同一となる。この後、光パルス列12
はマルチプレクサモジュール4−1に入力され、いわゆ
る1×2型光スイツチ7によ秒光ファイバ8−1,8−
2に振り分けられることになる。IXz型光スイッチ7
には制御信号として、(1/2)分周N5−1により倍
に周期が伸長され周期(2N×T)とな抄、遅延回路6
−1によゆ遅延された矩形波信号13が入力する。この
ため、矩形波信号13のハイ、ローに応じて光ファイバ
8−1.8−2を選択して接続する。つまり、光パルス
列12は、周期(22×T)で位相Tだけ異なる光フア
イバ列14.15に分離されて光ファイバ8−1.8−
2に入力する。
形波電気信号11を半導体レーザ2に与え直接変調する
と、半導体レーザ2から周期Tの超短光パルス列12が
生成され、この光パルス列12は外部変!1183に入
力される。外部変II器3は入力電気信号に基づき変調
可能な帯域(GH,)で光パルス列12を変調する。こ
こでは、光パルス列の変調以降の変化を見やすくするた
め、すべてパイレベル(1,1,、…1)の信号で変調
を行ったものとしている。従って、外部変調Wj3に入
力されろ光パルス列12と、これから出力される光パル
ス列とは結果的に同一となる。この後、光パルス列12
はマルチプレクサモジュール4−1に入力され、いわゆ
る1×2型光スイツチ7によ秒光ファイバ8−1,8−
2に振り分けられることになる。IXz型光スイッチ7
には制御信号として、(1/2)分周N5−1により倍
に周期が伸長され周期(2N×T)とな抄、遅延回路6
−1によゆ遅延された矩形波信号13が入力する。この
ため、矩形波信号13のハイ、ローに応じて光ファイバ
8−1.8−2を選択して接続する。つまり、光パルス
列12は、周期(22×T)で位相Tだけ異なる光フア
イバ列14.15に分離されて光ファイバ8−1.8−
2に入力する。
光ファイバ8−1は光ファイバ8−2に比べ相対的な時
間遅延を持つ遅延線である。このなめ、光ファイバ8−
1.8−2の出力の合流する光カプラ9での光パルス列
16は、その遅延量を適当に定めることにより、周期(
22×T)で、パルスが2本毎にまとまったものとなる
。
間遅延を持つ遅延線である。このなめ、光ファイバ8−
1.8−2の出力の合流する光カプラ9での光パルス列
16は、その遅延量を適当に定めることにより、周期(
22×T)で、パルスが2本毎にまとまったものとなる
。
この光パルス列16は第1段目のマルチサモジュール4
−1を出射し、更に第2段目のマルチプレクサモジュー
ル4−2に入力される。一方、(1/2)分周器5−1
により周期が倍に伸長された矩形波電気信号は更に(1
/2)分周器5−2により周期が倍に伸長され、周期(
2N×T)となり、この後遅延回路6−2により遅延さ
れ制御信号17として、マルチプレクサモジュール4−
2の1×2型光スイツチに入力される。このため、マル
チプレクサモジュール4−2から出射される光パルス列
18は周期(2”×T)で、パルスが4本毎にまとまっ
たものとなる。第3段目、第4段目、…第N段目のマル
チプレクサモジュール4−Nについても、上記と同様で
ある。従ってマルチプレクサモジュール4−Nの1×2
型光スイツチに入力される制御信号19は遅延回路6−
Nにより遅延させられた周期(2’XT)の矩形波信号
であり、マルチプレクサモジュール4−Nから出射され
る光パルス列20はパルスが2N本毎にまとまったもの
となる。
−1を出射し、更に第2段目のマルチプレクサモジュー
ル4−2に入力される。一方、(1/2)分周器5−1
により周期が倍に伸長された矩形波電気信号は更に(1
/2)分周器5−2により周期が倍に伸長され、周期(
2N×T)となり、この後遅延回路6−2により遅延さ
れ制御信号17として、マルチプレクサモジュール4−
2の1×2型光スイツチに入力される。このため、マル
チプレクサモジュール4−2から出射される光パルス列
18は周期(2”×T)で、パルスが4本毎にまとまっ
たものとなる。第3段目、第4段目、…第N段目のマル
チプレクサモジュール4−Nについても、上記と同様で
ある。従ってマルチプレクサモジュール4−Nの1×2
型光スイツチに入力される制御信号19は遅延回路6−
Nにより遅延させられた周期(2’XT)の矩形波信号
であり、マルチプレクサモジュール4−Nから出射され
る光パルス列20はパルスが2N本毎にまとまったもの
となる。
このような本実施例と従来の技術とを、光ファイバ(遅
延III)の数、外部変調−十光スイッチの数及び光パ
ワー損失の点で比較したMJllelE−1に示す。こ
こでは、両者の比較のため、多重度(光パルス列中のパ
ルスのまとまりの数)を2″とした場合を示している。
延III)の数、外部変調−十光スイッチの数及び光パ
ワー損失の点で比較したMJllelE−1に示す。こ
こでは、両者の比較のため、多重度(光パルス列中のパ
ルスのまとまりの数)を2″とした場合を示している。
但し、nは自然数である。尚、光パワー損失は光カプラ
での損失を3dBと仮定したものである。
での損失を3dBと仮定したものである。
表−1
との結果から明らかなように、1パルスづつ多重化する
従来の技術に比べ、2n個づつ光パルスを多重化する本
発明では光ファイバ(遅延線)、外部変調器及び光スイ
ッチ等の装置的構成を大幅に削減することができる。
従来の技術に比べ、2n個づつ光パルスを多重化する本
発明では光ファイバ(遅延線)、外部変調器及び光スイ
ッチ等の装置的構成を大幅に削減することができる。
更に、光パルスを光分岐器で2つの光路に分岐させる従
来の技術に比べ、光パルスを交互に2つの光路に振り分
ける1×2型光スイツチを用いる本発明は原理的に光パ
ワーの損失を軽減することができる。
来の技術に比べ、光パルスを交互に2つの光路に振り分
ける1×2型光スイツチを用いる本発明は原理的に光パ
ワーの損失を軽減することができる。
次に本発明の他の実施例について第4図を参照して説明
する。本実施例は、前述した第1図に示す超短光パルス
変調回路を複数使用するものである。即ち、第4図に示
すように超短光パルス変調回路21−1.21−2゜2
1−3…21−Nはそれぞれ相対的な時間遅延を有する
光ファイバ22−1.22−2゜22−3…22−Nを
介して並列にmXl型光カプラ23に接続されている。
する。本実施例は、前述した第1図に示す超短光パルス
変調回路を複数使用するものである。即ち、第4図に示
すように超短光パルス変調回路21−1.21−2゜2
1−3…21−Nはそれぞれ相対的な時間遅延を有する
光ファイバ22−1.22−2゜22−3…22−Nを
介して並列にmXl型光カプラ23に接続されている。
各超短光パルス変調回路21−1.21−2.21−3
.…21−Nはいずれも第3図に示す光パルス列20を
出射するものである。光ファイバ22−2.22−1.
…22−Nはそれぞれ2NΔτXi、2NΔrX2.−
・2 Δt(m−1)(+)遅延量を有している。た
だし、2′4Δτは2N本まとめられた光パルスの集合
の時間的幅である。
.…21−Nはいずれも第3図に示す光パルス列20を
出射するものである。光ファイバ22−2.22−1.
…22−Nはそれぞれ2NΔτXi、2NΔrX2.−
・2 Δt(m−1)(+)遅延量を有している。た
だし、2′4Δτは2N本まとめられた光パルスの集合
の時間的幅である。
従って、各超短光パルス変調lI21−1゜21−2.
21−3…21−Nから出射した光パルス列は、各光フ
ァイバ22−1.22−2.22−3…22−Nを通過
する際に遅延し、第5図に示す時経列な光パルス列24
゜25.26…27とな−、mXl型光カプラ23で合
流して出射すると同図中に示す連続的な光パルス列28
となる。つまり、本実施例では、光パルス列の空白な時
間幅に他の超短光パルス列を多重することにより、原理
的には光パルス幅の逆数程度の情報速度を持つ超高速光
ハイウェーが可能となる。
21−3…21−Nから出射した光パルス列は、各光フ
ァイバ22−1.22−2.22−3…22−Nを通過
する際に遅延し、第5図に示す時経列な光パルス列24
゜25.26…27とな−、mXl型光カプラ23で合
流して出射すると同図中に示す連続的な光パルス列28
となる。つまり、本実施例では、光パルス列の空白な時
間幅に他の超短光パルス列を多重することにより、原理
的には光パルス幅の逆数程度の情報速度を持つ超高速光
ハイウェーが可能となる。
尚、多重度は、各光パルス列が重畳しないよう、遅延量
、超短光パルス変調器の数などを調整することにより、
決定すると良い。
、超短光パルス変調器の数などを調整することにより、
決定すると良い。
〈発明の効果〉
以上、実施例に基づいて具体的に説明したように本発明
では、マルチプレクサモジュールをN段直列に接続して
、これに光パルス列を通過させることにより、各マルチ
プレクサモジ、−ルにより多重化を累積的に行うように
しているので、従来の並列的処理型の多重化に比べて、
装置的構成を大幅に削減して、全体の小型化を図ること
ができる。更に、1×2W1光スイツチを用いて光パル
ス列を交互に振り分けるので、原理的には光パワー損失
を生じさせることがないので極めて効果的である。
では、マルチプレクサモジュールをN段直列に接続して
、これに光パルス列を通過させることにより、各マルチ
プレクサモジ、−ルにより多重化を累積的に行うように
しているので、従来の並列的処理型の多重化に比べて、
装置的構成を大幅に削減して、全体の小型化を図ること
ができる。更に、1×2W1光スイツチを用いて光パル
ス列を交互に振り分けるので、原理的には光パワー損失
を生じさせることがないので極めて効果的である。
第1図は本発明の一実施例にががる超短光パルス変調回
路の同略図、第2図はマルチプレクサモジュールの構成
図、第3図は多重化する各光パルス列と各マルチプレク
サモジュールに入力する光スイツチ制御信号との関係説
明図、第4図は本発明の他の実施例の説明図、第5図は
各超短光パルス変調回路出射後の光パルス列及びm X
l型光カプラ出射後の光パルス列の関係図、第6図は
従来考えられていた超短光パルス変調回路の構成図であ
る。 図面中、 1はパルスパタン発生器、 2は半導体レーザ、 3は外部変調器、 4−1.4−2.…4−Nはマルチプレクサモジュール
、 5−1.5−2. ・5−Nは(1/2)分周器、6−
1.6−2.…6−Nは遅延回路、7は1×2型光スイ
ツチ、 8−1.8−2は光ファイバ、 9は光カプラ、 21−1. 21−2. 21−3. …21−Nは
超短光パルス変調回路) 22−1.22−2.22−3.…22−Nは光ファイ
バ・ 23はm X l型光カプラである。
路の同略図、第2図はマルチプレクサモジュールの構成
図、第3図は多重化する各光パルス列と各マルチプレク
サモジュールに入力する光スイツチ制御信号との関係説
明図、第4図は本発明の他の実施例の説明図、第5図は
各超短光パルス変調回路出射後の光パルス列及びm X
l型光カプラ出射後の光パルス列の関係図、第6図は
従来考えられていた超短光パルス変調回路の構成図であ
る。 図面中、 1はパルスパタン発生器、 2は半導体レーザ、 3は外部変調器、 4−1.4−2.…4−Nはマルチプレクサモジュール
、 5−1.5−2. ・5−Nは(1/2)分周器、6−
1.6−2.…6−Nは遅延回路、7は1×2型光スイ
ツチ、 8−1.8−2は光ファイバ、 9は光カプラ、 21−1. 21−2. 21−3. …21−Nは
超短光パルス変調回路) 22−1.22−2.22−3.…22−Nは光ファイ
バ・ 23はm X l型光カプラである。
Claims (1)
- 周期Tの矩形波電気信号を出力するパルスパタン発生器
と、該発生器からの電気信号により周期Tの光パルス列
を出力するレーザ発振器と、該レーザ発振器から出射さ
れた光パルス列を外部入力の電気信号によりオンオフす
る外部変調器とを備え、入力された光パルス列を制御信
号により2本の光ファイバに振り分ける光スイッチ、該
光スイッチの出力に相対的な時間遅延を持たせる2本の
光ファイバ及び該光ファイバの出力を合流させる光カプ
ラから成るマルチプレクサモジュールをN個直列に前記
外部変調器に接続する一方、周期を倍に伸長する(1/
2)分周器をN個直列に前記パルスパタン発生器に接続
し、更に、これら各(1/2)分周器の周期(2×T)
、周期(2^2×T)…周期(2^N×T)の各信号を
遅延させて前記光スイッチに対する制御信号として入力
させる回路を前記(1/2)分周器と前記マルチプレク
サモジュールの間にそれぞれ、順に設けたことを特徴と
する超短光パルス変調回路。
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