JPH0234139B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0234139B2 JPH0234139B2 JP55143308A JP14330880A JPH0234139B2 JP H0234139 B2 JPH0234139 B2 JP H0234139B2 JP 55143308 A JP55143308 A JP 55143308A JP 14330880 A JP14330880 A JP 14330880A JP H0234139 B2 JPH0234139 B2 JP H0234139B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electron
- aperture
- alignment
- lens
- electron beam
- Prior art date
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
- H01J37/3002—Details
- H01J37/3007—Electron or ion-optical systems
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Electron Sources, Ion Sources (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は簡易にして高精度な軸合せを行い得る
電子光学鏡筒の軸合せ方法に関する。
電子光学鏡筒の軸合せ方法に関する。
従来、可変寸法ビーム形の電子光学鏡筒のビー
ム軸合せは、一旦、電子ビームのクロスオーバ縮
小像を形成し、このビームで試料面を走査して試
料像を検出してCRTに画像表示し、電子レンズ
の励磁を微小変化させたときに上記像の所謂ボケ
のみが変化するようにして軸合せコイルを調整
し、しかるのち正規の整形ビーム用電子レンズの
強度を調整することにより行われている。また別
の方法として、鏡筒の途中にフアラデーカツプや
半導体検出器等のセンサを配置し、このセンサに
より得られる軸ずれ情報を以つて軸合せ調整を行
つている。ところが前者方法では、レンズの強度
を変えるとそのレンズの軸心位置が多少変動する
ので、上述したようにクロスオーバ縮小像で軸合
せを行つても、その後整形ビームにすると軸が狂
うことが多かつた。また後者の方法にあつては、
鏡筒内部に絶縁物で支持された部品（センサ）を
配置するから、ガス放出の増加やそのチヤージン
グ等によつてビームの不安定化が生じ、これ故効
果的な軸合せが望めなかつた。
ム軸合せは、一旦、電子ビームのクロスオーバ縮
小像を形成し、このビームで試料面を走査して試
料像を検出してCRTに画像表示し、電子レンズ
の励磁を微小変化させたときに上記像の所謂ボケ
のみが変化するようにして軸合せコイルを調整
し、しかるのち正規の整形ビーム用電子レンズの
強度を調整することにより行われている。また別
の方法として、鏡筒の途中にフアラデーカツプや
半導体検出器等のセンサを配置し、このセンサに
より得られる軸ずれ情報を以つて軸合せ調整を行
つている。ところが前者方法では、レンズの強度
を変えるとそのレンズの軸心位置が多少変動する
ので、上述したようにクロスオーバ縮小像で軸合
せを行つても、その後整形ビームにすると軸が狂
うことが多かつた。また後者の方法にあつては、
鏡筒内部に絶縁物で支持された部品（センサ）を
配置するから、ガス放出の増加やそのチヤージン
グ等によつてビームの不安定化が生じ、これ故効
果的な軸合せが望めなかつた。
本発明はこのような事情を考慮してなされたも
ので、その目的とするところは、可変寸法ビーム
用の電子光学鏡筒の全レンズの軸合せを簡易にし
て能率良く高精度に行い得る実用的な電子光学鏡
筒の軸合せ方法を提供せんことにある。
ので、その目的とするところは、可変寸法ビーム
用の電子光学鏡筒の全レンズの軸合せを簡易にし
て能率良く高精度に行い得る実用的な電子光学鏡
筒の軸合せ方法を提供せんことにある。
本発明は、電子ビームの通路に複数の電子レン
ズ１個以上のビーム整形用アパーチヤマスクを備
えた電子光学鏡筒における軸合せ方法において、
所定のアパーチヤ上を電子ビームで走査したと
き、試料面に設けられた低電子反射率基板上に高
電子反射率微粒子を付着させてなるターゲツト、
いわゆる微粒子ターゲツトから得られるアパーチ
ヤ像を表示し、表示されたアパーチヤ像の位置が
電子レンズの励起量の変化に対して変化しないよ
うに軸合せ用偏向手段を可変調整することによ
り、軸合せを行なうことを特徴とする。
ズ１個以上のビーム整形用アパーチヤマスクを備
えた電子光学鏡筒における軸合せ方法において、
所定のアパーチヤ上を電子ビームで走査したと
き、試料面に設けられた低電子反射率基板上に高
電子反射率微粒子を付着させてなるターゲツト、
いわゆる微粒子ターゲツトから得られるアパーチ
ヤ像を表示し、表示されたアパーチヤ像の位置が
電子レンズの励起量の変化に対して変化しないよ
うに軸合せ用偏向手段を可変調整することによ
り、軸合せを行なうことを特徴とする。
本発明によれば、電子レンズの励起量の変化に
対して、前記の微粒子ターゲツトから得られるア
パーチヤ像の表示位置が変化しないように軸合せ
用偏向手段を可変調整するという簡単な手順によ
り、能率的に軸合せを行なうことができる。
対して、前記の微粒子ターゲツトから得られるア
パーチヤ像の表示位置が変化しないように軸合せ
用偏向手段を可変調整するという簡単な手順によ
り、能率的に軸合せを行なうことができる。
また、本発明では特に軸合せ時に必要なアパー
チヤ像を得るのに微粒子ターゲツトを用いるた
め、軸合せ時の電子ビームは実際の使用時と同じ
く可変寸法ビームの整形ビームででよい。このた
め、軸合せ時には電子ビームを絞つてクロスオー
バ縮小像を形成し、軸合せ後にレンズの励起量を
大きく変えて正規の整形ビームに戻す従来の方法
のような、整形ビームに戻したときに軸合せが狂
うという問題が解決される。さらに、軸ずれ情報
を得るためのセンサを鏡筒内部に配置する方法に
おけるビームの不安定化という問題もない。
チヤ像を得るのに微粒子ターゲツトを用いるた
め、軸合せ時の電子ビームは実際の使用時と同じ
く可変寸法ビームの整形ビームででよい。このた
め、軸合せ時には電子ビームを絞つてクロスオー
バ縮小像を形成し、軸合せ後にレンズの励起量を
大きく変えて正規の整形ビームに戻す従来の方法
のような、整形ビームに戻したときに軸合せが狂
うという問題が解決される。さらに、軸ずれ情報
を得るためのセンサを鏡筒内部に配置する方法に
おけるビームの不安定化という問題もない。
以下、図面を参照して本発明の実施例につき説
明する。
明する。
第１図は軸合せに供せられる電子光学鏡筒の概
略構成を示す図で、１は電子銃である。この電子
銃１から出力された電子ビームは軸合せコイル２
によつてコンデンサレンズ３の中心に入射され、
同レンズ３により集束されて第１のビーム整形ア
パーチヤ４に照明される。このアパーチヤ４によ
る電子ビームのアパーチヤ像は電子レンズ５によ
り第２のビーム整形アパーチヤ６に投影され、こ
の際上記電子ビームは軸合せコイル７の制御を受
けて上記電子レンズ５の中心位置を通過する。し
かるのち、電子レンズ５の中心位置を通つた電子
ビームは軸合せコイル８の制御により縮小レンズ
９の中心に入射され、しかるのち軸合せコイル１
０の制御を受けて対物レンズアパーチヤ１１の中
心位置に入射される。しかして前記縮小レンズ９
によつて第２のビーム整形アパーチヤ６による電
子ビームのアパーチヤ像が２段構成された偏向系
１２ａ，１２ｂを介して対物レンズアパーチヤ１
１に導かれ、同レンズアパーチヤ１１を介して試
料面１３上に照射される。この対物レンズアパー
チヤ１１によつてビーム収差が小さくなるように
制御されている。
略構成を示す図で、１は電子銃である。この電子
銃１から出力された電子ビームは軸合せコイル２
によつてコンデンサレンズ３の中心に入射され、
同レンズ３により集束されて第１のビーム整形ア
パーチヤ４に照明される。このアパーチヤ４によ
る電子ビームのアパーチヤ像は電子レンズ５によ
り第２のビーム整形アパーチヤ６に投影され、こ
の際上記電子ビームは軸合せコイル７の制御を受
けて上記電子レンズ５の中心位置を通過する。し
かるのち、電子レンズ５の中心位置を通つた電子
ビームは軸合せコイル８の制御により縮小レンズ
９の中心に入射され、しかるのち軸合せコイル１
０の制御を受けて対物レンズアパーチヤ１１の中
心位置に入射される。しかして前記縮小レンズ９
によつて第２のビーム整形アパーチヤ６による電
子ビームのアパーチヤ像が２段構成された偏向系
１２ａ，１２ｂを介して対物レンズアパーチヤ１
１に導かれ、同レンズアパーチヤ１１を介して試
料面１３上に照射される。この対物レンズアパー
チヤ１１によつてビーム収差が小さくなるように
制御されている。
またこれらのレンズ３，５，９と対物レンズお
よび軸合せコイル２，７，８，１０はインターフ
エース１４を介してCPU１５の制御を受け、そ
れぞれ所定の条件で励磁駆動されている。また偏
向系１２ａ，１２ｂは例えば電子ビームの軸方向
ををＺ軸とした場合、三次元空間を構成するＸ方
向、およびＹ方向にそれぞれ対向配置して構成さ
れた静電偏向板からなり、走査回路１６の偏向走
査信号を受けて前記電子ビームを偏向制御してい
る。しかして前記試料面１３に照明された電子ビ
ームの反射信号はホトマル等からなる反射電子検
出器１７にて検出されており、この検出信号は増
幅器１８を介してCRTモニタ１９に入力されて
いる。軸合せ調整時には、このCRTモニタ１９
により、前記偏向系１２ａ，１２ｂにおける電子
ビームの走査に同期した反射像表示がなされる。
よび軸合せコイル２，７，８，１０はインターフ
エース１４を介してCPU１５の制御を受け、そ
れぞれ所定の条件で励磁駆動されている。また偏
向系１２ａ，１２ｂは例えば電子ビームの軸方向
ををＺ軸とした場合、三次元空間を構成するＸ方
向、およびＹ方向にそれぞれ対向配置して構成さ
れた静電偏向板からなり、走査回路１６の偏向走
査信号を受けて前記電子ビームを偏向制御してい
る。しかして前記試料面１３に照明された電子ビ
ームの反射信号はホトマル等からなる反射電子検
出器１７にて検出されており、この検出信号は増
幅器１８を介してCRTモニタ１９に入力されて
いる。軸合せ調整時には、このCRTモニタ１９
により、前記偏向系１２ａ，１２ｂにおける電子
ビームの走査に同期した反射像表示がなされる。
尚、前記対物レンズアパーチヤ１１によるビー
ム収差の抑制手段を縮小レンズ９の近傍に設ける
場合もあり、またCPU１５によつて軸合せコイ
ル２，７，８，１０およびレンズ３，５，９と対
物レンズにそれぞれ所定の電流を制御して印加し
ておく場合もある。
ム収差の抑制手段を縮小レンズ９の近傍に設ける
場合もあり、またCPU１５によつて軸合せコイ
ル２，７，８，１０およびレンズ３，５，９と対
物レンズにそれぞれ所定の電流を制御して印加し
ておく場合もある。
ところで、このような構成を有する電子光学鏡
筒において、可変寸法ビーム制御された電子ビー
ム、すなわち整形ビームによつて試料面１３を走
査する場合、２段構成された偏向系（静電偏向
板）１２ａ，１２ｂに互いに極性の異なる偏向電
圧を与え、一方向に偏向した電子ビームを逆方向
に偏向してビーム収差を招くことない偏向、つま
りビームシフトすることにより行われる。そこで
今、偏向系１２ａ，１２ｂに同極性の偏向電圧を
与えるか、あるいはその一方のみを駆動した場
合、電子ビームは２段偏向されることなく図中破
線で示す経路を辿る。つまり対物レンズアパーチ
ヤ１１の中心を通る条件が満たされなくなる。こ
の為、偏向系１２ａ，１２ｂに上記同極性の偏向
電圧を与え、これを可変すれば、電子ビームは対
物レンズアパーチヤ１１上を照明走査されること
になり、この２次元走査においてたまたまアパー
チヤ領域に走査位置が入つたときにのみ、電子ビ
ームが試料面１３に到達することになる。従つ
て、このアパーチヤを透過した電子ビームをその
反射信号から検出し、上記電子ビームの偏向走査
に同期してCRTモニタ１９に表示すれば、同モ
ニタ１９上にアパーチヤ形状に対応した像を形成
することができる。この場合、試料面１３に低電
子反射率基板上に高電子反射率微粒子を付着させ
た、いわゆる微粒子ターゲツトを設けておけば、
電子ビームに整形ビームを用いながら、アパーチ
ヤ像を良好に得ることができる。
筒において、可変寸法ビーム制御された電子ビー
ム、すなわち整形ビームによつて試料面１３を走
査する場合、２段構成された偏向系（静電偏向
板）１２ａ，１２ｂに互いに極性の異なる偏向電
圧を与え、一方向に偏向した電子ビームを逆方向
に偏向してビーム収差を招くことない偏向、つま
りビームシフトすることにより行われる。そこで
今、偏向系１２ａ，１２ｂに同極性の偏向電圧を
与えるか、あるいはその一方のみを駆動した場
合、電子ビームは２段偏向されることなく図中破
線で示す経路を辿る。つまり対物レンズアパーチ
ヤ１１の中心を通る条件が満たされなくなる。こ
の為、偏向系１２ａ，１２ｂに上記同極性の偏向
電圧を与え、これを可変すれば、電子ビームは対
物レンズアパーチヤ１１上を照明走査されること
になり、この２次元走査においてたまたまアパー
チヤ領域に走査位置が入つたときにのみ、電子ビ
ームが試料面１３に到達することになる。従つ
て、このアパーチヤを透過した電子ビームをその
反射信号から検出し、上記電子ビームの偏向走査
に同期してCRTモニタ１９に表示すれば、同モ
ニタ１９上にアパーチヤ形状に対応した像を形成
することができる。この場合、試料面１３に低電
子反射率基板上に高電子反射率微粒子を付着させ
た、いわゆる微粒子ターゲツトを設けておけば、
電子ビームに整形ビームを用いながら、アパーチ
ヤ像を良好に得ることができる。
そこで今、コンデンサレンズ３の励起量を微小
変化させた場合、電子ビームが上記レンズ３の中
心位置を通つていればその焦点位置の微小変位に
よつてビーム軸が変化することがないので、第２
図ａに示すようにCRTモニタ１９に表示される
アパーチヤの像位置が変化することがなく、むし
ろ同図ｂに示すように像の明るさや大きさ、ある
いは像のボケ、分解能が変化するだけとなる。仮
りにビームの軸とレンズ３の中心位置との間にず
れがある場合、上記励起量の微小変化によつて焦
点位置が微小変化し、これによつてビームの軸の
曲りが変化するので、この変化が次段のレンズ
５，９と対物レンズに順次反映されて第２図ａに
示すように像位置が変化することになる。そこで
このコンデンサレンズ３への電子ビーム入射位置
を制御する軸合せコイル２を可変調整し、レンズ
３の励起の微小変化に拘らず像位置が一定化する
ようにすれば、ここにコンデンサレンズ３に対す
る軸合せが効果的に行われる。
変化させた場合、電子ビームが上記レンズ３の中
心位置を通つていればその焦点位置の微小変位に
よつてビーム軸が変化することがないので、第２
図ａに示すようにCRTモニタ１９に表示される
アパーチヤの像位置が変化することがなく、むし
ろ同図ｂに示すように像の明るさや大きさ、ある
いは像のボケ、分解能が変化するだけとなる。仮
りにビームの軸とレンズ３の中心位置との間にず
れがある場合、上記励起量の微小変化によつて焦
点位置が微小変化し、これによつてビームの軸の
曲りが変化するので、この変化が次段のレンズ
５，９と対物レンズに順次反映されて第２図ａに
示すように像位置が変化することになる。そこで
このコンデンサレンズ３への電子ビーム入射位置
を制御する軸合せコイル２を可変調整し、レンズ
３の励起の微小変化に拘らず像位置が一定化する
ようにすれば、ここにコンデンサレンズ３に対す
る軸合せが効果的に行われる。
しかるのち同様にしてレンズ５に対する軸合せ
を軸合せ用コイル７にて行い、その後レンズ９に
対する軸合せをコイル８にて行い、最后に軸合せ
コイル１０を調整して対物レンズアパーチヤ１１
に対する軸合せを行えば、全レンズに対する軸合
せを能率良く、高精度に行うことが可能となる。
尚、他のレンズ５，９，１１に対する軸合せ時
に、その励起を微小変化させながら行うことは勿
論である。またこの軸合せは、電子銃１側のレン
ズから順に行う。これを逆にした場合、前後のレ
ンズの軸合せを行う都度、後段レンズの軸合せを
再度繰返して行う必要が生じるので甚だ都合が悪
い。
を軸合せ用コイル７にて行い、その後レンズ９に
対する軸合せをコイル８にて行い、最后に軸合せ
コイル１０を調整して対物レンズアパーチヤ１１
に対する軸合せを行えば、全レンズに対する軸合
せを能率良く、高精度に行うことが可能となる。
尚、他のレンズ５，９，１１に対する軸合せ時
に、その励起を微小変化させながら行うことは勿
論である。またこの軸合せは、電子銃１側のレン
ズから順に行う。これを逆にした場合、前後のレ
ンズの軸合せを行う都度、後段レンズの軸合せを
再度繰返して行う必要が生じるので甚だ都合が悪
い。
以上のように、レンズの励起を微小変化させた
ときにアパーチヤ像の位置変化が生じないように
軸合せコイルを調整するだけで簡易にして高精度
な軸合せを行い得るので、その実用性が非常に高
い。またこのようにすれば、従来のように電子ビ
ームの不安定を招く虞れもなく、またビーム整形
時に軸が狂うこともない。つまり、電子ビームの
偏向系の制御を、光学鏡筒の外部において軸合せ
調整時にのみ変え、しかるのち元に戻せばよいの
で、電子光学鏡筒自体を何ら変化させる必要がな
く、実用性が高い。特に多段に亘るレンズ構成を
有する場合その効果が顕著であり、軸合せの判断
基準も単純なので取扱いが容易である。
ときにアパーチヤ像の位置変化が生じないように
軸合せコイルを調整するだけで簡易にして高精度
な軸合せを行い得るので、その実用性が非常に高
い。またこのようにすれば、従来のように電子ビ
ームの不安定を招く虞れもなく、またビーム整形
時に軸が狂うこともない。つまり、電子ビームの
偏向系の制御を、光学鏡筒の外部において軸合せ
調整時にのみ変え、しかるのち元に戻せばよいの
で、電子光学鏡筒自体を何ら変化させる必要がな
く、実用性が高い。特に多段に亘るレンズ構成を
有する場合その効果が顕著であり、軸合せの判断
基準も単純なので取扱いが容易である。
尚、本発明は上記実施例に限定されるものでは
ない。例えばアパーチヤ上を走査する手段とし
て、偏向系１２ａ，１２ｂの代りに軸合せコイル
１０を用いることも可能であるが、応答速度が遅
いこと等から、やはり静電偏向系を利用した方が
好ましい。また対物レンズに設けるアパーチヤを
縮小レンズ９に設けた構造のものにあつては、こ
の縮小レンズ９上のアパーチヤを電子ビームにて
走査するようにすればよく、要は試料面に最も近
いアパーチヤを走査するようにすればよい。また
CRTモニタ１９にて像表示し、これをモニタリ
ングする代りにCPU１５に走査情報と反射電子
検出器１７による検出信号を入力し、検出信号検
出時における走査電圧が常に一定となるべく自動
軸合せ制御を行わしめることも勿論可能である。
要するに本発明は、そに要旨を逸脱しない範囲で
種々変形して実施することができる。
ない。例えばアパーチヤ上を走査する手段とし
て、偏向系１２ａ，１２ｂの代りに軸合せコイル
１０を用いることも可能であるが、応答速度が遅
いこと等から、やはり静電偏向系を利用した方が
好ましい。また対物レンズに設けるアパーチヤを
縮小レンズ９に設けた構造のものにあつては、こ
の縮小レンズ９上のアパーチヤを電子ビームにて
走査するようにすればよく、要は試料面に最も近
いアパーチヤを走査するようにすればよい。また
CRTモニタ１９にて像表示し、これをモニタリ
ングする代りにCPU１５に走査情報と反射電子
検出器１７による検出信号を入力し、検出信号検
出時における走査電圧が常に一定となるべく自動
軸合せ制御を行わしめることも勿論可能である。
要するに本発明は、そに要旨を逸脱しない範囲で
種々変形して実施することができる。
第１図は本発明方法によつて軸合せに供される
電子光学鏡筒の一例を示す構成図、第２図ａ，ｂ
は本発明の軸合せ原理を説明する為の像位置変化
と像の大きさ変化を示す図である。 １……電子銃、２，７，８，１０……軸合せ用
コイル、３，５，９……レンズ、１１……対物レ
ンズアパーチヤ、１２ａ，１２ｂ……偏向系、１
３……試料面、１６……走査回路、１７……反射
電子検出器、１９……CRTモニタ。
電子光学鏡筒の一例を示す構成図、第２図ａ，ｂ
は本発明の軸合せ原理を説明する為の像位置変化
と像の大きさ変化を示す図である。 １……電子銃、２，７，８，１０……軸合せ用
コイル、３，５，９……レンズ、１１……対物レ
ンズアパーチヤ、１２ａ，１２ｂ……偏向系、１
３……試料面、１６……走査回路、１７……反射
電子検出器、１９……CRTモニタ。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 電子ビームの通路に複数の電子レンズと１個
以上のビーム整形用アパーチヤマスクを備えた電
子光学鏡筒における軸合せ方法において、所定の
アパーチヤ上を電子ビームで走査したとき、試料
面に設けられた低電子反射率基板上に高電子反射
率微粒子を付着させてなるターゲツトから得られ
るアパーチヤ像を表示し、表示されたアパーチヤ
像の位置が前記電子レンズの励起量の変化に対し
て変化しないように軸合せ用偏向手段を可変調整
することにより、前記軸合せを行なうことを特徴
とする電子光学鏡筒の軸合せ方法。 ２ 前記所定のアパーチヤは、試料面に最も近い
位置に設けられたアパーチヤである特許請求の範
囲第１項記載の電子光学鏡筒の軸合せ方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP55143308A JPS5767912A (en) | 1980-10-14 | 1980-10-14 | Axis aligning method of electronic optical lens barrel |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP55143308A JPS5767912A (en) | 1980-10-14 | 1980-10-14 | Axis aligning method of electronic optical lens barrel |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5767912A JPS5767912A (en) | 1982-04-24 |
| JPH0234139B2 true JPH0234139B2 (ja) | 1990-08-01 |
Family
ID=15335736
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP55143308A Granted JPS5767912A (en) | 1980-10-14 | 1980-10-14 | Axis aligning method of electronic optical lens barrel |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5767912A (ja) |
Families Citing this family (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6091540A (ja) * | 1983-10-25 | 1985-05-22 | Jeol Ltd | 透過電子顕微鏡における軸合せ方法 |
| JPH082400B2 (ja) * | 1991-07-02 | 1996-01-17 | 三洋電機株式会社 | アイロン |
| JP2006216299A (ja) * | 2005-02-02 | 2006-08-17 | Jeol Ltd | 荷電粒子線装置及び荷電粒子線装置における収差補正器の軸合わせ方法 |
| JP4628230B2 (ja) * | 2005-09-16 | 2011-02-09 | 日本電子株式会社 | 荷電粒子線偏向装置 |
| JP4928987B2 (ja) * | 2006-03-08 | 2012-05-09 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 荷電粒子線調整方法及び荷電粒子線装置 |
| DE102009028013B9 (de) | 2009-07-24 | 2014-04-17 | Carl Zeiss Microscopy Gmbh | Teilchenstrahlgerät mit einer Blendeneinheit und Verfahren zur Einstellung eines Strahlstroms in einem Teilchenstrahlgerät |
| JP2014212063A (ja) * | 2013-04-19 | 2014-11-13 | 日本電子株式会社 | 走査荷電粒子顕微鏡、走査荷電粒子顕微鏡の制御方法、および走査荷電粒子顕微鏡の軸合わせ方法 |
| JP6959969B2 (ja) * | 2016-01-29 | 2021-11-05 | 株式会社日立ハイテク | 荷電粒子線装置 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS54152456A (en) * | 1978-05-22 | 1979-11-30 | Akashi Seisakusho Kk | Device for centering charged particle beam |
-
1980
- 1980-10-14 JP JP55143308A patent/JPS5767912A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5767912A (en) | 1982-04-24 |
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