JPH0252459B2 - - Google Patents

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JPH0252459B2
JPH0252459B2 JP58176725A JP17672583A JPH0252459B2 JP H0252459 B2 JPH0252459 B2 JP H0252459B2 JP 58176725 A JP58176725 A JP 58176725A JP 17672583 A JP17672583 A JP 17672583A JP H0252459 B2 JPH0252459 B2 JP H0252459B2
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JP
Japan
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terminal
signal
transmission line
control circuit
diodes
Prior art date
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JP58176725A
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Japanese (ja)
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JPS6068731A (en
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Tadahiko Nakahara
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TOKO DENPA KK
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TOKO DENPA KK
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Publication date
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Publication of JPH0252459B2 publication Critical patent/JPH0252459B2/ja
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    • HELECTRICITY
    • H04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04BTRANSMISSION
    • H04B1/00Details of transmission systems, not covered by a single one of groups H04B3/00 - H04B13/00; Details of transmission systems not characterised by the medium used for transmission
    • H04B1/38Transceivers, i.e. devices in which transmitter and receiver form a structural unit and in which at least one part is used for functions of transmitting and receiving
    • H04B1/40Circuits
    • H04B1/44Transmit/receive switching

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  • Electronic Switches (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Networks & Wireless Communication (AREA)
  • Signal Processing (AREA)
  • Transceivers (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の技術分野〕 本発明はスイツチ装置に係り、特に、トランシ
ーバ例えばパーソナル無線器等のアンテナ端子と
アンテナ給電線間の使用に好適するスイツチ装置
に関する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Technical Field of the Invention] The present invention relates to a switch device, and particularly to a switch device suitable for use between an antenna terminal of a transceiver, such as a personal radio, and an antenna feed line.

〔従来技術とその問題点〕[Prior art and its problems]

トランシーバ等において、受信信号のS/N比
を高めて受信感度を向上するため、トランシーバ
のアンテナ端子にプリアンプ等を接続することが
行われている。
2. Description of the Related Art In transceivers and the like, in order to increase the S/N ratio of a received signal and improve reception sensitivity, a preamplifier or the like is connected to an antenna terminal of the transceiver.

このような場合、受信時にはプリアンプを通し
て受信信号を入力する一方、送信時にはプリアン
プを介さずに直接アンテナ給電線に出力するた
め、スイツチ装置を必要とする場合が多い。
In such cases, the received signal is input through a preamplifier during reception, but is output directly to the antenna feed line without going through the preamplifier during transmission, so a switch device is often required.

従来、この種のスイツチ装置としては、第1図
に示すように、例えば2回路2接点を有する電磁
型のリレー1を用いて構成することがよく知られ
ている。
Conventionally, it is well known that this type of switch device is constructed using, for example, an electromagnetic type relay 1 having two circuits and two contacts, as shown in FIG.

すなわち、トランシーバのアンテナ端子に接続
される第1の端子2をリレー1の一方のスイツチ
3の可動接点4に接続し、スイツチ3,5双方の
固定接点6,7どうしを接続し、他方のスイツチ
5の可動接点8をアンテナ給電線の接続される第
2の端子9に接続するとともに、スイツチ3,5
の他方の各固定接点10,11に第3および第4
の端子12,13を接続して構成し、駆動機構
(図示せず)によつて各可動接点4,8を切り換
え、トランシーバの送信時にはリレー1のみを介
して信号を出力し、受信時にあつては第4および
第3の端子13,12の間に挿入したプリアンプ
14を介して受信するようにしたものである。
That is, the first terminal 2 connected to the antenna terminal of the transceiver is connected to the movable contact 4 of one switch 3 of the relay 1, the fixed contacts 6 and 7 of both switches 3 and 5 are connected, and the other switch is connected to the movable contact 4 of one switch 3 of the relay 1. The movable contact 8 of switch 3 and 5 is connected to the second terminal 9 to which the antenna feed line is connected.
The third and fourth fixed contacts 10 and 11 are connected to the other fixed contacts 10 and 11 of
Terminals 12 and 13 of the transceiver are connected to each other, and each movable contact 4 and 8 is switched by a drive mechanism (not shown), and a signal is output only through relay 1 when the transceiver is transmitting, and a signal is output when receiving. The signal is received via a preamplifier 14 inserted between the fourth and third terminals 13 and 12.

しかしながら、このように構成された従来のス
イツチ装置は、可動接点4,8の機械的変位を利
用して切り換える構成となつているので、切り換
え応答速度が遅いうえ、所謂チヤタリングと言わ
れる各可動接点4,8の細い振動が発生し易く、
切り換え時に不確実な動作が生じたり、接点不良
を生じ易い。
However, since the conventional switch device configured in this way is configured to switch using mechanical displacement of the movable contacts 4 and 8, the switching response speed is slow, and the movable contacts suffer from so-called chatter. 4 and 8 thin vibrations are likely to occur,
Unreliable operation or contact failure is likely to occur during switching.

そのため、アンテナ給電線やプリアンプとの切
り換えが不確実なものとなり易く、信号の減衰が
生じ易い欠点がある。
Therefore, switching between the antenna feed line and the preamplifier tends to be uncertain, and signal attenuation tends to occur.

特に近年、高周波信号に対する周波数特性の良
好なガリウムヒ素FETをプリアンプに用いるこ
とが多くなり、スイツチ装置において上述したよ
うなチヤタリング等の不確実が接点動作が生じる
と、送信時にトランシーバからの高いレベルの高
周波出力信号がプリアンプが加えられ易く、高価
なガリウムヒ素FETが破壊される難点がある。
Particularly in recent years, gallium arsenide FETs, which have good frequency characteristics for high-frequency signals, are often used in preamplifiers, and when uncertainties such as chatter as mentioned above occur in switching devices, high-level noise from the transceiver during transmission can occur. The problem is that the high-frequency output signal is easily added to a preamplifier, which can destroy the expensive gallium arsenide FET.

〔発明の目的〕[Purpose of the invention]

本発明はこのような従来の欠点を解決するため
になされたもので、切り換え応答速度が極めて速
いうえ切り換え動作が確実で、信号の減衰の少な
いスイツチ装置の提供を目的とする。
The present invention has been made to solve these conventional drawbacks, and its object is to provide a switch device that has extremely fast switching response speed, reliable switching operation, and minimal signal attenuation.

〔発明の構成と効果〕[Structure and effects of the invention]

このような目的を達成するために本発明は、信
号源に接続される第1の端子と第2の端子を結ぶ
第1の伝送路と、この第1の伝送路に接続されか
つその第1の端子と前記第2の端子間を高周波的
にON/OFFする第1の無接点スイツチ素子と、
前記第1の端子と前記第1の無接点スイツチ素子
間の前記第1の伝送路と第3の端子とを結ぶ第2
の伝送路と、この第2の伝送路に直列に接続され
かつ前記第1の端子と前記第3の端子間を高周波
的にOFF/ONする第2の無接点スイツチ素子
と、前記第1の端子と前記第1の無接点スイツチ
素子の間に配置されかつ前記第1の端子からの信
号を検出する信号検出回路と、この信号検出回路
からの検出信号によつて前記第1の無接点スイツ
チ素子および前記第2の無接点スイツチ素子を切
り換え動作して、第1および第2の端子間を高周
波的に遮断するとともに第1および第3の端子間
に高周波的に導通させる制御回路を具備してなる
ものである。
In order to achieve such an object, the present invention provides a first transmission line connecting a first terminal connected to a signal source and a second terminal, and a first transmission line connected to the first transmission line and connected to the first transmission line. a first non-contact switch element that turns ON/OFF between the terminal and the second terminal at high frequency;
a second transmission line connecting the first transmission path between the first terminal and the first non-contact switch element and the third terminal;
a second non-contact switch element that is connected in series to the second transmission line and turns OFF/ON between the first terminal and the third terminal at high frequency; a signal detection circuit arranged between a terminal and the first non-contact switch element and detecting a signal from the first terminal; and a signal detection circuit that detects a signal from the first terminal; and a control circuit that switches the element and the second non-contact switch element to cut off the first and second terminals at high frequency and conduct the first and third terminals at high frequency. This is what happens.

そして、このような本発明の構成によれば、信
号源からの信号を検出してこの検出信号に基づい
て第1の伝送路に接続された第1の無接点スイツ
チ素子および第2の伝送路に挿入された第2の無
接点スイツチ素子をON/OFFさせ、これら第1
の伝送路をONするとともに第2の伝送路をOFF
する一方、第1の伝送路をOFFして第2の伝送
路をONすることが可能となるうえ、無接点スイ
ツチ素子を用いるので、速い切り換え応答速度が
得られるし、確実な切り換を確保することが可能
である。
According to the configuration of the present invention, the first non-contact switch element connected to the first transmission line and the second transmission line detect the signal from the signal source and based on this detection signal, The second non-contact switch element inserted into the
Turn on the first transmission line and turn off the second transmission line
On the other hand, it is possible to turn off the first transmission line and turn on the second transmission line, and since a non-contact switch element is used, a fast switching response speed is obtained and reliable switching is ensured. It is possible to do so.

特に、プリアンプ等を切り換え接続する場合に
あつても、プリアンプ中の半導体素子例えば高価
なガリウムヒ素FETの破壊等を抑えることがで
きる。
In particular, even when switching and connecting preamplifiers, etc., it is possible to suppress damage to semiconductor elements in the preamplifier, such as expensive gallium arsenide FETs.

〔発明の実施例〕[Embodiments of the invention]

以下本発明の詳細を説明する。 The details of the present invention will be explained below.

第2図は本発明のスイツチ装置の一実施例を示
す回路図である。
FIG. 2 is a circuit diagram showing an embodiment of the switch device of the present invention.

第2図において、信号源としての例えばトラン
シーバのアンテナ端子に接続される第1の端子1
5には、コンデンサC1、インダクタL1,L2、コ
ンデンサC2および第2の端子16が直列接続さ
れ、第1の端子15および第2の端子16間に第
1の伝送路17が形成されている。
In FIG. 2, a first terminal 1 is connected to an antenna terminal of a transceiver, for example, as a signal source.
5, a capacitor C 1 , inductors L 1 , L 2 , capacitor C 2 and a second terminal 16 are connected in series, and a first transmission path 17 is formed between the first terminal 15 and the second terminal 16. has been done.

なお、第2の端子16には例えばアンテナ給電
線が接続される。
Note that, for example, an antenna feed line is connected to the second terminal 16.

インダクタL1とインダクタL2との接続点には
インピーダンス整合用の半固定コンデンサC3
接続されるとともに、この接続点とアース間には
第1の無接点スイツチ素子としての複数弐PINダ
イオード(以下単にダイオードという)D1〜D4
が並列しかつアースに対して順方向接続されてい
る。
A semi-fixed capacitor C3 for impedance matching is connected to the connection point between inductor L1 and inductor L2 , and a plurality of two PIN diodes (2 PIN diodes) are connected between this connection point and ground as the first non-contact switch element. (hereinafter simply referred to as diodes) D 1 to D 4
are connected in parallel and forward to ground.

コンデンサC1とインダクタL1の接続点には、
インダクタL3を介してダイオードD5,D6が直列
接続され、さらにこのダイオードD6にはインダ
クタL4およびコンデンサC4が直列的に介して第
3の端子18が接続され、第2の伝送路19が形
成されている。
At the connection point of capacitor C 1 and inductor L 1 ,
Diodes D 5 and D 6 are connected in series via an inductor L 3 , and a third terminal 18 is connected to the diode D 6 via an inductor L 4 and a capacitor C 4 in series. A passage 19 is formed.

なおダイオードD5,D6は第1の伝送路17に
対して順方向接続されており、符号C5,C6はイ
ンピーダンス整合用のコンデンサである。
Note that the diodes D 5 and D 6 are forward-connected to the first transmission line 17, and symbols C 5 and C 6 are capacitors for impedance matching.

コンデンサC2とインダクタL2の接続点にはイ
ンダクタL5を介してダイオードD7,D8が直列か
つ第1の伝送路17に対して順方向接続され、さ
らにこのダイオードD8にはインダクタL6および
コンデンサC7を直列的に介して第4の端子20
が接続され、第3の伝送路21が形成されてい
る。なお、符号C8,C9はインピーダンス整合用
のコンデンサである。
Diodes D 7 and D 8 are connected in series and in the forward direction to the first transmission path 17 via an inductor L 5 at the connection point between the capacitor C 2 and the inductor L 2 , and the inductor L is connected to the diode D 8 in series. 6 and the fourth terminal 20 through the capacitor C 7 in series.
are connected to form a third transmission path 21. Note that symbols C 8 and C 9 are capacitors for impedance matching.

インダクタL1にはこれと結合するようにイン
ダクタL7が近接配置され、第1の端子15から
の高周波信号を検出する信号検出回路22が構成
されており、インダクタL7はダイオードD9を介
して制御回路としてのキヤリアコントロール回路
23のトランジスタTR1のベースに接続されてい
る。
An inductor L 7 is arranged close to the inductor L 1 so as to be coupled thereto, and a signal detection circuit 22 for detecting a high frequency signal from the first terminal 15 is configured . It is connected to the base of the transistor TR1 of the carrier control circuit 23 as a control circuit.

なお、インダクタL7は、インダクタL2とも結
合するように配置すれば、より検出が確実とな
る。
Note that if the inductor L7 is arranged so as to be coupled to the inductor L2 , detection becomes more reliable.

キヤリアコントロール回路23は、トランジス
タTR1,TR2および、発光素子と受光素子を有す
るフオトカプラ24からなつている。トランジス
タTR1のエミツタはアースされ、コレクタは次段
のトランジスタTR2のベースに接続され、トラン
ジスタTR2のコレクタが電源に接続されるととも
に、エミツタがフオトカプラ24に接続されてい
る。
The carrier control circuit 23 includes transistors TR 1 and TR 2 and a photocoupler 24 having a light emitting element and a light receiving element. The emitter of the transistor TR 1 is grounded, the collector is connected to the base of the next stage transistor TR 2 , the collector of the transistor TR 2 is connected to the power supply, and the emitter is connected to the photocoupler 24.

キヤリアコントロール回路23は、信号検出回
路22から入力信号がない場合には、トランジス
タTR1のコレクタが高電位となつてトランジスタ
TR2がON動作し、フオトカプラ24の発光素子
が動作して受光素子から直流電流が出力されるよ
うに構成されている。
In the carrier control circuit 23, when there is no input signal from the signal detection circuit 22, the collector of the transistor TR1 becomes high potential and the transistor
The configuration is such that when TR 2 is turned ON, the light emitting element of the photocoupler 24 is activated and a direct current is output from the light receiving element.

一方、信号検出回路22から信号が出力される
と、トランジスタTR1のコレクタが低電位となつ
てトランジスタTR2がOFFとなり、フオトカプ
ラ24の発光素子が動作せず、出力がLレベルと
なるよう構成されている。
On the other hand, when a signal is output from the signal detection circuit 22, the collector of the transistor TR1 becomes a low potential and the transistor TR2 is turned off, the light emitting element of the photocoupler 24 does not operate, and the output becomes L level. has been done.

なお、キヤリアコントロール回路23への電源
は、電源端子25および保護用ダイオードD10
介して加えられ、電源端子25に電源が供給され
るとLED26が点燈するようになつている。
Note that power to the carrier control circuit 23 is applied via a power terminal 25 and a protection diode D10 , and when power is supplied to the power terminal 25, the LED 26 lights up.

キヤリアコントロール回路23の出力は、抵抗
R1およびチヨークコイルRFC1を介して第2の伝
送路19におけるダイオードD6に接続されると
ともに、抵抗R2、チヨークコイルRFC2を介して
第3の伝送路21のダイオードD8に接続されて
いる。
The output of the carrier control circuit 23 is a resistor
It is connected to the diode D 6 in the second transmission path 19 via R 1 and the current coil RFC 1 , and is also connected to the diode D 8 in the third transmission path 21 via the resistor R 2 and the current coil RFC 2 . .

キヤリアコントロール回路23の出力に対して
ダイオードD5〜D8が順方向接続されているので、
キヤリアコントロール回路23から出力電流がダ
イオードD5〜D8およびダイオードD1〜D4を流
れ、各ダイオードD1〜D8がONとなる。
Since the diodes D 5 to D 8 are forward-connected to the output of the carrier control circuit 23,
Output current from the carrier control circuit 23 flows through the diodes D5 to D8 and the diodes D1 to D4 , and each of the diodes D1 to D8 is turned on.

一方、キヤリアコントロール回路23の電流出
力がなくなると、ダイオードD1〜D8はOFF状態
となる。
On the other hand, when the current output of the carrier control circuit 23 disappears, the diodes D1 to D8 are turned off.

なおLED27はキヤリアコントロール回路2
3が電流を出力している状態を示すものである。
Note that LED27 is carrier control circuit 2.
3 indicates a state in which current is being output.

次に、このように構成された本発明の動作を説
明する。
Next, the operation of the present invention configured as described above will be explained.

第1の端子15に例えばトランシーバのアンテ
ナ端子を接続し、第2の端子16にアンテナ給電
線を接続し、第4および第3の端子20,18間
にプリアンプ入出力端を接続して電源端子25に
所定の電源を供給すると、LED26が点燈し、
キヤリアコントロール回路23には電源が供給さ
れる。
For example, an antenna terminal of a transceiver is connected to the first terminal 15, an antenna feed line is connected to the second terminal 16, a preamplifier input/output end is connected between the fourth and third terminals 20 and 18, and the power supply terminal is connected. When the specified power is supplied to 25, the LED 26 lights up.
Power is supplied to the carrier control circuit 23.

ここで、トランシーバが受信状態にあると、キ
ヤリアコントロール回路23は、信号検出回路2
2から検出信号が入力されないので、トランジス
タTR1のコレクタ電位が高くなつてトランジスタ
TR2がON状態となり、フオトカプラ24が動作
し、フオトカプラ24から所定の電流が出力され
る。
Here, when the transceiver is in the receiving state, the carrier control circuit 23 controls the signal detection circuit 2.
Since no detection signal is input from transistor TR 2, the collector potential of transistor TR 1 becomes high and the transistor
TR 2 becomes ON, the photocoupler 24 operates, and a predetermined current is output from the photocoupler 24.

この出力電流は、チヨークコイルRFC1、ダイ
オードD6,D5、インダクタL3,L1およびダイオ
ードD1〜D4を流れる一方、チヨークコイル
RFC2、ダイオードD8,D7、インダクタL5,L2
よびダイオードD1〜D4を流れる。
This output current flows through the chiyoke coil RFC 1 , diodes D 6 , D 5 , inductors L 3 , L 1 and diodes D 1 to D 4 , while the chiyoke coil
RFC 2 flows through diodes D 8 , D 7 , inductors L 5 , L 2 and diodes D 1 to D 4 .

そして、ダイオードD1〜D4がONとなり、第1
の伝送路17におけるインダクタL1およびイン
ダクタL2間が高周波的に遮断された状態となる
一方、ダイオードD5〜D8がONとなつて第2およ
び第3の伝送路19,21が高周波的に導通状態
となる。
Then, diodes D 1 to D 4 turn on, and the first
The inductor L 1 and the inductor L 2 in the transmission line 17 are in a high frequency cut off state, while the diodes D 5 to D 8 are turned on and the second and third transmission lines 19 and 21 are in a high frequency cut off state. becomes conductive.

そのため、第1の端子15と第3の端子18間
が高周波的に導通し、第2の端子16と第4の端
子20間が高周波的に導通するので、第2の端子
16からの受信信号が第4の端子20を経てプリ
アンプへ出力され、プリアンプの出力が第3の端
子18から第1の端子15を経て出力される。
Therefore, the first terminal 15 and the third terminal 18 are electrically connected at high frequency, and the second terminal 16 and the fourth terminal 20 are electrically electrically connected at high frequency, so that the received signal from the second terminal 16 is outputted to the preamplifier via the fourth terminal 20, and the output of the preamplifier is outputted from the third terminal 18 via the first terminal 15.

次に、トランシーバが送信状態となつて高周波
信号が出力される場合を説明する。
Next, a case will be described in which the transceiver enters the transmitting state and outputs a high frequency signal.

この場合には、高周波信号が信号検出回路22
によつて検出されてキヤリアコントロール回路2
3に加えられる。
In this case, the high frequency signal is transmitted to the signal detection circuit 22.
carrier control circuit 2
Added to 3.

すると、トランジスタTR1のベース電位が高く
なつてコレクタ電位が下がり、トランジスタTR2
がOFF状態となつてフオトカプラ24からの電
流出力がなくなる。すなわち、キヤリアコントロ
ール回路23の出力が低レベルとなる。
Then, the base potential of transistor TR 1 increases, the collector potential decreases, and transistor TR 2
is turned off, and the current output from the photocoupler 24 disappears. That is, the output of the carrier control circuit 23 becomes low level.

従つて、第2および第3の伝送路19,21に
は直流電流が流れず、ダイオードD1〜D8がOFF
状態となるので、第1の端子15と第3の端子1
8間および第2の端子16と第4の端子20間が
遮断される。
Therefore, no direct current flows through the second and third transmission lines 19 and 21, and the diodes D1 to D8 are turned OFF.
state, the first terminal 15 and the third terminal 1
8 and between the second terminal 16 and the fourth terminal 20.

そのため、第1の端子15に加えられた高周波
信号が第2および第3の伝送路19,21に流れ
ることなく、直接第1の伝送路17を通つて第2
の端子16に出力される。
Therefore, the high frequency signal applied to the first terminal 15 does not flow to the second and third transmission paths 19 and 21, but directly passes through the first transmission path 17 to the second transmission path.
It is output to terminal 16 of.

なお、本出願人の実験によれば、例えば第1の
端子15および第3の端子18間における導通、
遮断時の信号分離度は30dB以上であつた。
According to the applicant's experiments, for example, continuity between the first terminal 15 and the third terminal 18,
The signal separation degree at the time of interruption was 30 dB or more.

電源がOFF状態にあれば、各ダイオードD1
D8がOFF状態となり、第1の端子15と第2の
端子16間が導通状態となり、第1の端子15と
第3の端子18間および第2の端子16と第4の
端子20間各々が高周波的に遮断状態となるの
で、第1の端子15に加えられた高周波信号およ
び第2の端子16に入力された受信信号が直接第
1の伝送路17を流れる。
If the power is in the OFF state, each diode D 1 ~
D 8 becomes OFF, the first terminal 15 and the second terminal 16 become conductive, and the first terminal 15 and the third terminal 18 and between the second terminal 16 and the fourth terminal 20 respectively. is cut off in terms of high frequency, so the high frequency signal applied to the first terminal 15 and the received signal input to the second terminal 16 flow directly through the first transmission path 17.

このような本発明のスイツチ装置は、第1〜第
3の伝送路17,19,21の無接点スイツチ素
子としてPINダイオードD1〜D8を用い、第1の
伝送路17を流れる高周波信号を信号検出回路2
2で検出し、この検出信号を用いてダイオード
D1〜D8をON/OFF動作させたので、従来のリ
レーを用いる構成に比べ、切り換え応答速度が速
く、しかもチヤタリング等の不確実な動作がな
く、確実な動作を確保することができる。
Such a switch device of the present invention uses PIN diodes D 1 to D 8 as non-contact switch elements of the first to third transmission lines 17 , 19 , and 21 to switch the high-frequency signal flowing through the first transmission line 17 . Signal detection circuit 2
2 and use this detection signal to connect the diode.
Since D 1 to D 8 are operated ON/OFF, the switching response speed is faster than in a configuration using a conventional relay, and there is no uncertain operation such as chattering, and reliable operation can be ensured.

従つて、ガリウムヒ素FET等を用いるプリア
ンプを用いる場合にも、それら高価なガリウムヒ
素FETを破壊することがなくなる。
Therefore, even if a preamplifier using gallium arsenide FETs or the like is used, the expensive gallium arsenide FETs will not be destroyed.

なお、本発明の実施にあたつては、上述の無接
点スイツチとしてPINダイオードD1〜D8以外に
も他の無接点スイツチ素子を用いることが可能で
あるが、PINダイオードを用いれば、構成が簡単
となる。
In carrying out the present invention, it is possible to use other non-contact switch elements in addition to the PIN diodes D 1 to D 8 as the non-contact switches described above, but if the PIN diodes are used, the configuration becomes easy.

また、キヤリアコントロール回路23にフオト
カプラ24を用いる例を示したが、本発明にあつ
ては、これを用いる例に限らず、ダイオードD1
〜D8をON/OFFさせる制御回路で構成すれば本
発明の目的達成が可能である。
Further, although an example in which the photocoupler 24 is used in the carrier control circuit 23 has been shown, the present invention is not limited to the example in which this is used;
The object of the present invention can be achieved by constructing a control circuit that turns D8 ON/OFF.

もつとも、ダイオードD5〜D8が若干ではある
が信号の検波作用をする場合があり、フオトカプ
ラ24を用いない場合には、第2および第3の伝
送路19,21、キヤリアコントロール回路23
および信号検出回路22によつて閉ループ回路が
形成され易く、その検波信号がキヤリアコントロ
ール回路23を介して信号検出回路22に流れて
ゲインを低下することが考えられる。
However, the diodes D 5 to D 8 may have a slight signal detection function, and if the photocoupler 24 is not used, the second and third transmission lines 19 and 21 and the carrier control circuit 23
A closed loop circuit is likely to be formed by the signal detection circuit 22 and the detected signal flows to the signal detection circuit 22 via the carrier control circuit 23, reducing the gain.

しかし、キヤリアコントロール回路23にフオ
トカプラ24を用いれば、電気的な閉ループ回路
が構成されず、信号のゲイン低下を抑えることが
できる。
However, if the photocoupler 24 is used in the carrier control circuit 23, an electrical closed loop circuit is not constructed, and a decrease in signal gain can be suppressed.

さらに、本発明にあつては、第1の伝送路17
に対して第2の伝送路19および第3の伝送路2
1を接続する例を示したが、第2の伝送路19も
しくは第3の伝送路21を省略しても本発明の目
的達成が可能である。
Furthermore, in the present invention, the first transmission line 17
The second transmission line 19 and the third transmission line 2
1 is shown, however, the object of the present invention can be achieved even if the second transmission line 19 or the third transmission line 21 is omitted.

なお、第2図のような構成によれば、第1およ
び第2の端子15,16を入力端と出力端専用に
分けて用いることがなくいずれを入出力端に用い
てもよく、方向性を考慮しなくてもよいという利
点を有する。
In addition, according to the configuration shown in FIG. 2, the first and second terminals 15 and 16 are not used separately for input ends and output ends, and either one can be used as an input/output end. This has the advantage that there is no need to take this into account.

また、本発明にあつては、ダイオードD1〜D8
の接続方向として、上記の第2図とは逆方向に接
続することも可能であり、制御回路はそれに合わ
せて構成すればよい。
Further, in the present invention, diodes D 1 to D 8
It is also possible to connect in the opposite direction to that shown in FIG. 2 above, and the control circuit may be configured accordingly.

以上説明したように本発明のスイツチ装置は、
速い応答速度で確実な切り換え動作を得ることが
可能である。
As explained above, the switch device of the present invention has
It is possible to obtain reliable switching operation with fast response speed.

特に、大きな入力に弱い半導体素子を用いた回
路例えばプリアンプ等を切り換える場合には、そ
の効果が著しい。
This effect is particularly significant when switching circuits such as preamplifiers that use semiconductor elements that are sensitive to large inputs.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図は従来のスイツチ装置を示す回路図、第
2図は本発明のスイツチ装置の一実施例を示す回
路図である。 1…リレー、2,15…第1の端子、9,16
…第2の端子、12,18…第3の端子、13,
20…第4の端子、17…第1の伝送路、19…
第2の伝送路、21…第3の伝送路、22…信号
検出回路、23…制御回路(キヤリアコントロー
ル回路)、24…フオトカプラ、C1〜C9…コンデ
ンサ、D1〜D4…第1の無接点スイツチ素子
(PINダイオード)、D5,D6…第2の無接点スイ
ツチ素子(PINダイオード)、D7,D8…第3の無
接点スイツチ素子(PINダイオード)、L1〜L7
インダクタ。
FIG. 1 is a circuit diagram showing a conventional switch device, and FIG. 2 is a circuit diagram showing an embodiment of the switch device of the present invention. 1... Relay, 2, 15... First terminal, 9, 16
...Second terminal, 12, 18...Third terminal, 13,
20... Fourth terminal, 17... First transmission line, 19...
2nd transmission line, 21...Third transmission line, 22...Signal detection circuit, 23...Control circuit (carrier control circuit), 24...Photocoupler, C1 to C9 ...Capacitor, D1 to D4 ...First non-contact switch element (PIN diode), D 5 , D 6 ... second non-contact switch element (PIN diode), D 7 , D 8 ... third non-contact switch element (PIN diode), L 1 to L 7 ...
inductor.

Claims (1)

【特許請求の範囲】 1 信号源に接続される第1の端子と第2の端子
を結ぶ第1の伝送路と、 この第1の伝送路に接続されかつ前記第1の端
子と前記第2の端子間を高周波的にON/OFFす
る第1の無接点スイツチ素子と、 前記第1の端子と前記第1の無接点スイツチ素
子間の前記第1の伝送路と第3の端子とを結ぶ第
2の伝送路と、 この第2の伝送路に直列に接続されかつ前記第
1の端子と前記第3の端子間を高周波的に
OFF/ONする第2の無接点スイツチ素子と、 前記第1の端子と前記第1の無接点スイツチ素
子の間に配置されかつ前記第1の端子からの信号
を検出する信号検出回路と、 この信号検出回路からの検出信号によつて前記
第1の無接点スイツチ素子および前記第2の無接
点スイツチ素子を切り換え動作する制御回路を具
備してなることを特徴とするスイツチ装置。
[Claims] 1. A first transmission line connecting a first terminal and a second terminal connected to a signal source; and a first transmission line connecting the first terminal and the second terminal connected to the first transmission line. a first non-contact switch element that turns ON/OFF between terminals at high frequency; and a third terminal is connected to the first transmission line between the first terminal and the first non-contact switch element. a second transmission line; and a second transmission line connected in series to the second transmission line and connected at high frequency between the first terminal and the third terminal.
a second non-contact switch element that turns OFF/ON; a signal detection circuit that is arranged between the first terminal and the first non-contact switch element and detects a signal from the first terminal; 1. A switch device comprising: a control circuit that switches the first non-contact switch element and the second non-contact switch element based on a detection signal from a signal detection circuit.
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