JPH0255503B2 - - Google Patents

Info

Publication number
JPH0255503B2
JPH0255503B2 JP62316562A JP31656287A JPH0255503B2 JP H0255503 B2 JPH0255503 B2 JP H0255503B2 JP 62316562 A JP62316562 A JP 62316562A JP 31656287 A JP31656287 A JP 31656287A JP H0255503 B2 JPH0255503 B2 JP H0255503B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
powder
oxide
copper
superconducting
superconducting material
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
JP62316562A
Other languages
English (en)
Other versions
JPH01156458A (ja
Inventor
Takeshi Aizawa
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Nikkiso Co Ltd
Original Assignee
Nikkiso Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Nikkiso Co Ltd filed Critical Nikkiso Co Ltd
Priority to JP62316562A priority Critical patent/JPH01156458A/ja
Publication of JPH01156458A publication Critical patent/JPH01156458A/ja
Publication of JPH0255503B2 publication Critical patent/JPH0255503B2/ja
Granted legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Inorganic Compounds Of Heavy Metals (AREA)
  • Coating By Spraying Or Casting (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、超伝導材原料粉末の供給方法に関
し、さらに詳しくは、溶射法により超伝導材を製
造するに際して使用される溶射装置で、粉末の不
均一な供給あるいは粉末の閉塞事故を生じること
なく、超伝導材原料粉末を円滑に溶射装置内のノ
ズルに供給する方法に関する。
〔従来の技術およびその問題点〕
近年、超伝導物質はそのマイスナー効果、臨界
温度に達すると抵抗が0になること、およびジヨ
セフソン効果によつて、注目され、その工業的生
産方法およびその用途の開発が行なわれている。
特に、工業的用途に使用することができる超伝
導物質として、臨界温度が高く、加工の容易な超
伝導物質が探索されていると共に、セラミツクス
系超伝導物質については、その加工性の容易な物
質、あるいはその成形加工方法の開発が日夜研究
されている。
このような研究の中で最も重要なこととして、
臨界温度(Tc)を如何に常温に近づけるかの問
題点がある。
すなわち、従来の酸化物系セラミツクスの臨界
温度を高めて、高温で超伝導を有する酸化物系セ
ラミツクスの出現が望まれている。従来の酸化物
系セラミツクスの超伝導材はその臨界温度が高々
90Kであるから、工業的使用に際しては大規模の
冷却設備を必要として、これがために工業化の途
がはばまれているのである。よつて、常温で超伝
導を有する物質が開発されると、超伝導材の工業
的利用が飛躍的に拡大される。
一方、イツトリウム系超伝導物質の成形法とし
て、イツトリウム系超伝導物質を焼結してたとえ
ば円盤状に成形したり、薄膜化あるいは線材化の
基礎的な研究がなされているが、セラミツクス系
超伝導物質の薄膜技術は未だ確立されていないと
言つても過言ではない。
たとえば、セラミツクス系の超伝導物質の薄膜
化技術および線材化技術が開発されると、超伝導
物質の用途は飛躍的に拡大する。
一般的なセラミツクスの薄膜化技術としては、
プラズマCVD法、スパツタリング法、イオンビ
ーム法等が知られている。
しかしながら、プラズマCVD法では、原料セ
ラミツクスを活性化して得られるプラズマを基板
(母材)に接触させてセラミツクス薄膜を形成し
ているので、造膜速度が例えば0.3μm/分程度で
あるから、工業的あるいは実用的な造膜速度とし
てはかなり低いものである。しかもプラズマ
CVD法では、減圧室内でホルダー上に載置され
た母材に、キヤリヤーガスで同伴されたプラズマ
を接触させるのであるから、母材の平坦な表面上
に薄膜を形成することができても、線材のような
曲面全周に薄膜を形成することが困難である。
また、スパツタリング法やイオンビーム法にお
いても、前記プラズマCVD法と同様に造膜速度
が小さいので、生産性が悪くて工業的ではない。
このような状況下において、本発明者らは、高
い臨界温度を有する超伝導材を製造する新規な方
法として、大きな造膜速度で高温超伝導物質の造
膜を実現する、簡便な超伝導材の新規な製造法と
して、あるいは、任意の形状の表面たとえば平坦
な表面および線材の周側面のような曲面のいずれ
にも高温超伝導材を形成することができる超伝導
材の新規な製造法として、溶射法を利用した超伝
導材の製造方法を先に提案した。
本発明者らが提案した超伝導材の新規な製造方
法は、概略的に述べると、溶射装置内に供給した
超伝導能を有する銅含有酸化物の粉末、および酸
化銅の粉末を基材表面に溶射することを内容とす
るものである。
前記提案に係る超伝導材の製造方法において
は、例えば配管すなわちチユーブあるいはパイプ
等を介して、超伝導能を有する銅含有酸化物の粉
末、および酸化銅の粉末を溶射部内たとえば溶射
ノズルに供給するのである。
本発明者らがその後さらに検討したところ、原
料を収納するフイーダーから溶射部内に配管を介
して超伝導能を有する銅含有酸化物の粉末、およ
び酸化銅の粉末を供給する際にしばしば配管内で
粉末の不均一な供給ないし輸送あるいは粉末の閉
塞事故が生じる新たな問題点を発見した。この現
象は粉末特に超伝導能を有する銅含有酸化物の粉
末が微細になると顕著であり、32μ以下の粉末で
しばしば観察されるところであつた。
本発明の目的は、前記問題点を解決することに
ある。
すなわち、本発明の目的は、超伝導材を製造す
る際に利用する溶射装置に超伝導能を有する銅含
有酸化物の粉末、および酸化銅の粉末を供給する
フイーダーあるいは配管における粉末の不均一な
供給あるいは閉塞事故を防止し、円滑な原料粉末
の輸送を実現して、溶射法による超伝導材の製造
方法を効率的なものにすることにある。
〔前記目的を達成するための手段〕
前記自的を達成するためにこの発明者が研究し
たところ、溶射装置に原料粉末を移送する際に、
有機化合物粉末を混入せしめて、有機化合物粉末
と前記超伝導能を有する銅含有酸化物の粉末およ
び/または酸化銅とを輸送することによつて、フ
イーダあるいは配管中での不均一な供給あるいは
閉塞事故を低減することができることを見出して
本発明に到達した。
すなわち、前記目的を達成するための本発明の
構成は、超伝導能を有する銅含有酸化物の粉末と
酸化銅の粉末とを溶射装置内に供給するに際し、
前記粉末に有機化合物粉末を混入せしめることを
特徴とする超伝導材原料粉末の供給方法である。
本発明において、超伝導材原料粉末を収納する
フイーダーと溶射部たとえばノズルとは配管によ
り結合されていて、前記超伝導材粉末はフイーダ
ーから配管中を通つて溶射部内に供給される。
超伝導材原料としては、超伝導能を有する銅含
有酸化物と銅酸化物を挙げることができる。
ここで、超伝導能を有するとは、第1図に示す
ように、対象となる物質の粉末から形成した芯材
をコイル中に挿入したときのインダクタンスLを
示す第1式において、 L=K(μπa2)N/l (1) (ただし、前記第1式において、Kは定数であ
り、μは透磁率であり、aはコイルの半径であ
り、Nはコイルの巻き数であり、lはコイルの長
さである。) aが4mmであり、Nが50であり、lが10mmであ
るときのインダクタンスLの低下(芯材を挿入し
ないときに比較して)が1μH以上となるような性
質を言う。
前記第1式におけるLが1μH未満であると、基
材表面に超伝導材原料粉末を容赦しても超伝導膜
を形成するのが困難である。
本発明における超伝導能を有する銅含有酸化物
としては、前記定義に従う限り特に制限がなく、
種々の酸化物が含まれる。具体的には、イツトリ
ウム系酸化物、ストロンチウム系酸化物、ユーロ
ピウム系酸化物、ランタン系酸化物などが挙げら
れる。
超伝導材を製造する場合、いずれの酸化物が好
適であるかは実験により適宜に決定することがで
るのであるが、イツトリウム系酸化物が好適な酸
化物の一つである。
超伝導能を有する前記イツトリウム系酸化物
は、通常、YBa2Cu3O7-xとして表わされる(た
だし、Xは7−Xが6.5〜6.8の範囲となるような
数である。)のであるが、前記式中においてBaの
全部または一部がストロンチウムなどの原子で置
換されていても良い。
超伝導能を有する前記イツトリウム系酸化物
は、イツトリウム酸化物と炭酸バリウムと酸化銅
とをY:Ba:Cu(原子比A)=1:2:3の割合
で混合し、焼成することにより得ることができ
る。
なお、前記イツトリウム酸化物と炭酸バリウム
と酸化銅との混合物を焼成する場合、各成分の平
均粒径を0.3〜1μmの粒度に調製しておくのが好
ましい。
前記焼成としては、前記原料を前記式における
組成比となるような比率で配合し、その後、たと
えば900〜970℃の範囲内の温度で1時間〜10時間
かけて加熱処理をし、この加熱処理を2〜4回繰
り返すのが望ましい。
加熱処理の際の温度が900℃未満であると、超
伝導能を有する物質を得ることができないことが
あり、また前記温度が970℃を超えると結晶構造
が変化して超伝導能を有する物質を得ることがで
きないことがある。
超伝導材原料である酸化銅としては、酸化第二
銅が好ましい。この酸化第二銅は、何の前処理を
施さない所謂グリーンパウダーであつても良く、
また、前処理として加熱処理をした酸化銅であつ
ても良い。
もつとも、好ましいのは、加熱処理してなる酸
化第二銅である。この加熱処理の条件として、加
熱温度は温度は900〜970℃が好ましく、加熱時間
は1〜10時間であり、加熱雰囲気については特に
制限がないが酸化性雰囲気であるのが好ましい。
前記酸化銅の平均粒径としては、1μm以下の範
囲内にあるのが好ましい。
前記溶射装置に供給する前記酸化銅の量として
は、条件によつて相違して一概に規定することが
できないが、たとえば溶射装置内でY−Ba−Cu
−O系において、Y;1、Ba;2に対してCu;
3以上の原子比となるようにするのであれば特に
制限がなく、通常、超伝導能を有する銅含有酸化
物特にイツトリウム系酸化物に対して5〜25重量
%、特に12〜20重量%が好ましい。
本発明において重要なことは、超伝導材原料粉
末を、フイーダーから溶射部に移送する際に、有
機化合物粉末を混入せしめることである。
配管中に有機化合物粉末を混入せしめる方法は
様々であり、超伝導材原料をフイーダーから溶射
部へ供給する態様に応じた適宜の方法を採用する
ことができる。
たとえば、(1)超伝導能を有する銅含有酸化物粉
末および酸化銅を予め混合して一個のフイーダー
に収納しておき、この混合物を溶射部に供給する
場合、前記混合物に有機化合物粉末を添加し、有
機化合物入りの超伝導材原料粉末を配管を介して
溶射部に供給する方法、 (2) 超伝導能を有する銅含有酸化物粉末と酸化銅
粉末とを別々にフイーダーに収容し、別個の配
管を介してそれぞれを溶射装置内に供給し、溶
射装置内で初めて前記超伝導能を有する銅含有
酸化物と銅酸化物とを混合しても良く、この場
合には、前記超伝導能を有する銅含有酸化物に
有機化合物粉末を混合し、この混合物を前記配
管を介して溶射部に供給する方法、あるいは、
前記超伝導能を有する銅含有酸化物に有機化合
物粉末を混合し、また前記銅化合物粉末にも有
機化合物を混合して、前記二種の混合物をそれ
ぞれ配管を介して溶射部に供給する方法、 (3) 超伝導能を有する銅含有酸化物粉末と酸化銅
粉末とを別々にフイーダーに収容し、別個の配
管を介してそれぞれを溶射部内に供給し、溶射
部内で初めて前記超伝導能を有する銅含有酸化
物と銅酸化物とを混合する場合、および超伝導
能を有する銅含有酸化物粉末および酸化銅を予
め混合して一個のフイーダーに収納しておき、
この混合物を溶射装置に供給する場合に、配管
に有機化合物粉末を移送する第2配管を接続
し、超伝導能を有する銅含有酸化物粉末およ
び/または銅酸化物を移送する配管中でこれら
と有機化合物粉末とを混合する方法を挙げるこ
とができ、配管中で有機化合物粉末を、超伝導
材原料とを混入せしめることができる。
ここで、前記有機化合物としては粉末となる低
分子化合物および高分子化合物のいずれも使用す
ることができる。
前記低分子化合物としては、たとえば、トリア
コンタン、ペンタトリアコンタン、テトラコンタ
ン、トリアコンテン、ペンタトリアコンテン、テ
トラコンテンなどの飽和または不飽和の脂肪族炭
化水素、ヘキサコシルベンゼン、ノナコシルベン
ゼン、ヘキサトリアコンチルベンゼン、p−テル
フエニル、p−クアテルフエニル、p−キンクフ
エニル等の芳香族炭化水素、ボルナン、ボルネオ
ール、フロイン飽和もしくは不飽和の脂環族炭化
水素または複素環化合物などが挙げられる。
前記高分子化合物としては、熱硬化性樹脂およ
び熱可塑性樹脂が挙げられる。
前記熱可塑性樹脂としては、たとえば、ポリオ
レフイン樹脂、塩化ビニル樹脂およびその共重合
樹脂、塩化ビニリデン樹脂、酢酸ビニル系樹脂、
ポリスチレンおよびその共重合樹脂等の一般用樹
脂、ポリアミド系樹脂、ポリアセタール、ポリカ
ーボネート、熱可塑性ポリエステル樹脂、ポリフ
エニレンオキサイドおよびノリル樹脂、ポリスル
フオン等のエンジニアリングプラスチツクが挙げ
られる。
前記ポリオレフイン樹脂としては、たとえば、
超高密度ポリエチレン、高密度ポリエチレン、
中、低密度ポリエチレン、直鎖状低密度ポリエチ
レン等のポリエチレン、アイソタクチツクポリプ
ロピレン、シンジオタクチツクポリプロピレン、
アタクチツクポリプロピレン等のポリプロピレ
ン、ポリブテン、4−メチルペンテン−1樹脂等
が挙げられ、また、この発明においては、エチレ
ン−プロピレン共重合体、エチレン−酢酸ビニル
共重合体、エチレン−塩化ビニル共重合体、プロ
ピレン−塩化ビニル共重合体等のオレフインとの
共重合体をも使用することができる。
前記塩化ビニルの共重合樹脂としては、たとえ
ば、塩化ビニル−酢酸ビニル樹脂、塩化ビニル−
塩化ビニリデン共重合樹脂、塩化ビニル−アクリ
ロニトリル共重合樹脂等が挙げられる。
前記酢酸ビニル系樹脂としては、たとえば、酢
酸ビニル樹脂、ポリビニルアセトアセタール、ポ
リビニルブチラール等が挙げられる。
前記ポリスチレンの共重合樹脂としては、たと
えば、ABS樹脂、SAN樹脂、ACS樹脂等が挙げ
られる。
ポリアミド系樹脂としては、たとえばナイロン
6、ナイロン8、ナイロン11、ナイロン66、ナイ
ロン610等が挙げられる。
前記ポリアセタールは、単一重合体であつても
共重合体であつてもよい。
前記ポリカーボネートとしては、たとえば、ビ
スフエノールAとホスゲンとから得られるポリカ
ーボネート、ビスフエノールAとジフエニルカー
ボネートとから得られるポリカーボネート等が挙
げられる。
前記熱可塑性ポリエステル樹脂としては、たと
えば、ポリエチレンテレフタレート、ポリプロピ
レンテレフタレート等が挙げられる。
また、熱硬化性樹脂としては、フエノール樹
脂、メラミン樹脂、ユリア樹脂、エポキシ樹脂な
どが挙げられる。
前記各種の高分子の中でも熱可塑性樹脂が好ま
しく、中でもポリオレフイン樹脂が好ましく、特
にポリエチレン樹脂、ポリプロピレン樹脂、ポリ
ブテン樹脂、およびポリブタジエンなどが好まし
く、さらにはポリエチレン樹脂およびポリプロピ
レン樹脂が好ましい。
配管中に供給される前記有機化合物の粉末は、
粉末状、ビーズ状、フレーク状などの種々の態様
で供給することができ、特に粉末状であるのが好
ましい。
また、前記有機化合物は、通常、粒径が1〜
50μm、好ましくは10〜25μmであるのが好まし
い。
前記有機化合物粉末の配合量は、溶射条件によ
り相違して一概に規定することができないが、超
伝導物を有する銅含有酸化物に対して通常1重量
%以上、好ましくは3〜20重量%である。
配管中を前記超伝導材原料粉末および有機化合
物粉末を輸送するに際して、キヤリヤーガスとし
て、たとえばアルゴン、酸素などを使用すること
ができる。
前記溶射装置は、前記超伝導能を有する銅含有
酸化物特に前記イツトリウム系酸化物の粉末と前
記酸化銅の粉末と前記有機化合物の粉末とを供給
し、これをプラズマと共に基材表面に溶射するこ
とができれば特に制限がない。
溶射装置として、公知の溶射装置を使用するこ
とができ、たとえば、プラズマ溶射装置、フレー
ムジエツト溶射装置、爆発溶射装置を使用するこ
とができる。
本発明の方法では、超伝導材原料粉末に有機化
合物粉末を混入せしめるので、前記超伝導材原料
の溶射部への輸送が円滑になり、溶射部たとえば
ノズルから前記超伝導材原料と前記有機化合物と
を溶射した時、有機化合物は殆ど燃焼するので、
超伝導材原料による超伝導材の製造に前記有機化
合物が悪影響を及ぼすこともない。
さらに本発明者等の研究によると、前記溶射装
置によつて、前記超伝導材原料と有機化合物とを
例えば基材上に溶射すると、超伝導材としての性
能特にマイスナー効果あるいは臨界電流値(Jc)
がかなり改善されることがある。この理由につい
ては今のところ明確ではない。
〔実施例〕
次に、溶射法による超伝導材の製造方法に本発
明を適用した場合を実施例として、本発明をさら
に具体的に説明する。
超伝導材を製造する場合、溶射部内に供給した
前記イツトリウム系酸化物の粉末と前記酸化銅の
粉末と有機化合物の粉末とを溶射して、プラズマ
を基材表面に接触させる。
溶射法としては、プラズマ溶射法およびフレー
ムジエツト溶射法あるいは爆発溶射法が好まし
い。
フレームジエツト溶射法は、たとえば酸素−ア
セチレン炎を熱源とし、たとえば約3000℃に加熱
した酸素−アセチレン炎中に溶射粉末を投入し、
キヤリヤーガスによつて、この燃焼炎をノズルか
ら噴出させると共に前記溶射粉末を十分な溶融状
態で噴出させ、基材表面に高速度で前記溶射粉末
を衝突させる手法である。
また、プラズマジエツト溶射法は、たとえば、
直流アーク放電により陰極とたとえば水冷ノズル
陽極との間に直流アークを発生させ、供給する作
動ガスをこのアークによつて加熱し、これによつ
て発生した超高温プラズマをプラズマジエツトと
してノズルから噴出させると共に、キヤリヤーガ
スにより前記粉末を前記直流アーク内に供給する
ことによつて前記粉末を溶融し、このプラズマジ
エツトの中に吹き込み、かつ加速してノズルから
噴出させる所謂プラズマ溶射法により、原料粉末
を含むプラズマを基材に高速で接触させる手法で
ある。
プラズマ溶射法の場合、前記作動ガスとして、
アルゴン、ヘリウム、窒素、水素あるいはこれら
の混合ガスを使用することができる。前記作動ガ
スの種類に応じてプラズマジエツトを還元性にし
ても良いのであるが、本発明においては作動ガス
中に酸素ガスを加えて酸化性のプラズマジエツト
とするのが好ましい。
プラズマジエツトを酸化性にすると、基材表面
に形成されるセラミツク物質中の酸素含有量の低
減を防止して超伝導材を有利に形成することがで
きる。換言するとすると、還元性のプラズマジエ
ツトでは、基材表面に超伝導材が形成されないこ
とがある。
また、キヤリヤーガスとしては、たとえばアル
ゴン、酸素などを使用することができる。
溶射法により基材表面に超伝導材を形成する場
合、プラズマを発するノズル先端と基材表面との
距離には注意すべきである。
プラズマ溶射装置を採用するにせよ、フレーム
ジエツト溶射装置を採用するにせよ、溶射装置の
ノズル先端と基材表面との距離を85mm以上、好ま
しくは85〜140mmの距離に維持するのが望ましい。
85mmよりも距離が短いと、基材表面に超伝導材
の形成されないことがある。また、ノズル先端と
基材表面との距離が140mmを超えると、基材表面
に付着する超伝導材の基材に対する密着性が低下
し、剥離し易い膜となる傾向を生じる。
なお、溶射は、大気中で行なつても良いし、ま
た密閉された容器内で行なつてもよい。
前記基材としては、高温のフレームジエツトあ
るいはプラズマジエツトに対して耐熱性を有する
部材であれば特に制限がなく、たとえば、鉄、コ
バルト、ニツケル、チタン、銅、亜鉛、アルミニ
ウムなどの金属およびこれら金属の合金たとえば
あるいはケイ素などの半金属、ガラス、窒化ケイ
素のような窒化物および炭化ケイ素のような炭化
物などのセラミツクス、ならびに炭素繊維などを
挙げることができる。また、場合により、基材と
して、耐熱性の合成樹脂も使用することができ
る。これら各種の基材の材質の中でも銅、部分安
定化ジルコニア等が好ましい。
前記基材の形状には、超伝導材付きの基材をど
のような用途に供するのかにより適宜に決定さ
れ、たとえば、平板状態であつても良いし、また
線状であつてもよい。
溶射により基材の表面に形成する超伝導材の厚
みは、その膜付き基材をどのような用途に供する
かにより相違する。
特筆す可きことは、前記銅含有酸化物特にイツ
トリウム系酸化物と前記酸化銅とを溶射すると、
超伝導材を形成することができるのであるが、前
記銅含有酸化物特にイツトリウム系酸化物と前記
酸化銅と前記有機化合物とを溶射すると、大幅な
臨界電流値(Jc)の改善が見られることである。
ともかく、超伝導材原料粉末に有機化合物の粉
末を混入せしめると、フイーダーおよび配管中で
の超伝導材原料の不均一な供給あるいは粉末の閉
塞事故を防止することができるだけでなく、超伝
導材原料粉末と有機化合物粉末とを溶射すること
により、優れた臨界電流値(Jc)を有するものを
得ることができるのは驚く可きことである。
(実施例 1) 平均粒径1μmの酸化第一銅、平均粒径0.7μmの
酸化イツトリウムおよび平均粒径0.7μmの炭酸バ
リウムとをY:Ba:Cu(原子比A)=1:2:3
の割合で混合した。この混合物を950℃で8時間
かけて加熱する高温熱処理を2回行なつた。
高温熱処理後の混合物を細長のガラス容器に詰
めてこれを芯材とし、第1図に示すコイル装置に
より、芯材を入れないときと入れたときとのイン
ダクタンスの変化を調べたところ、3.2μHのイン
ダクタンス低下があつた。
すなわち、熱処理後のこの混合物は超伝導能を
有する。
一方、950℃で8時間の高温処理を行ない、か
つ平均粒径が1μmの酸化第二銅の焼成粉末を得
た。
次いで、前記混合物を粒径が32μm以下となる
ように分級し、分級した混合物100重量部と前記
焼成粉末の酸化第二銅15重量部とポリエチレン粉
末8重量部とを混合し、これを溶射装置プラズマ
トロン〔プラズマダイン社製〕にて、銅基板(縦
横5cm、厚み1.2mm)の表面にプラズマ溶射した。
溶射条件は以下の通りであつた。
作動ガスの種類 アルゴン、ヘリウム キヤリヤーガスの種類 酸素 溶射厚 100μm ノズル先端と基材との距離 140mm 前記銅基板の表面に形成された膜につき、四端
子法により臨界電流値(Jc)を測定した結果、常
温でJcは510mAであつた。
また、溶射を繰返して多数の膜を形成したが、
溶射装置におけるフイーダーおよび配管における
超伝導材粉末の不均一な供給、あるいは閉塞事故
が無かつた。
(実施例 2) 平均粒径1μmの酸化第一銅、平均粒径0.7μmの
酸化イツトリウムおよび平均粒径0.7μmの炭酸バ
リウムとを重量比1:2:3となる割合で混合し
た。この混合物を950℃で8時間かけて加熱する
高温熱処理を2回行なつた。
高温熱処理後の混合物を細長のガラス容器に詰
めてこれを芯材とし、第1図に示すコイル装置に
より、芯材を入れないときと入れたときとのイン
ダクタンスの変化を調べたところ、3.2μHのイン
ダクタンス低下があつた。
すなわち、熱処理後のこの混合物は超伝導能を
有する。
次いで、この混合物を粒径が32μm以下となる
ように分級した。
一方、これとは別に950℃で8時間の高温処理
を行なつて平均粒径1μm以下の酸化第二銅の焼成
粉末を製造した。
そして、超伝導能を有する粉末を溶射装置プラ
ズマトロン〔プラズマダイン社製〕にて溶射する
と同時に、前記酸化第二銅の焼成粉末およびポリ
エチレン粉末を別位置から溶射するようにして、
銅基板(直径1mm)にプラズマ溶射した外は、前
記実施例1と同様に溶射した。
溶射条件は以下の通りであつた。
作動ガスの種類 アルゴン、ヘリウム キヤリヤーガスの種類 酸素 溶射厚 100μm ノズル先端と基材との距離 140mm 前記銅基板の表面に形成された膜につき、四端
子法により臨界電流値(Jc)を測定した結果、常
温でJcは720mAであつた。
また、溶射を繰返して多数の膜を形成したが、
溶射装置におけるフイーダーおよび配管における
超伝導材の不均一な供給あるいは閉塞事故が無か
つた。
〔発明の効果〕
本発明によると、超伝導材原料を収納したフイ
ーダーから溶射部に超伝導材原料を移送する際、
有機化合物を混入せしめることによつて移送途中
での不均一供給あるいは閉塞事故を防止し、超伝
導材原料の移送を円滑なものとすることができ
る。と同時に優れた臨界電流値(Jc)の超伝導材
を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
第1図はインダクタンスを測定するコイル装置
の説明図である。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1 超伝導能を有する銅含有酸化物の粉末と酸化
    銅の粉末とを溶射装置内に供給するに際し、前記
    粉末に有機化合物粉末を混入せしめることを特徴
    とする超伝導材原料粉末の供給方法。 2 前記銅含有酸化物がイツトリウム系酸化物で
    ある前記特許請求の範囲第1項に記載の超伝導材
    原料粉末の供給方法。 3 前記イツトリウム系酸化物が、酸化イツトリ
    ウム、炭酸バリウムおよび酸化銅をY:Ba:Cu
    (原子比A)=1:2:3の割合で配合した混合物
    を熱処理してなる前記特許請求の範囲第1項に記
    載の超伝導材原料粉末の供給方法。 4 前記酸化銅が加熱未処理のものである前記特
    許請求の範囲第1項に記載の超伝導材原料粉末の
    供給方法。 5 前記酸化銅が加熱処理されたものである前記
    特許請求の範囲第1項に記載の超伝導材原料粉末
    の供給方法。 6 前記有機化合物が高分子化合物である前記特
    許請求の範囲第1項に記載の超伝導材原料粉末の
    供給方法。 7 前記有機化合物が熱可塑性樹脂である前記特
    許請求の範囲第1項に記載の超伝導材原料粉末の
    供給方法。 8 前記有機化合物がポリオレフイン樹脂である
    前記特許請求の範囲第1項に記載の超伝導材原料
    粉末の供給方法。 9 前記有機化合物がポリエチレン樹脂、ポリプ
    ロピレン樹脂、ポリブテン樹脂およびポリスチレ
    ン樹脂よりなる群から選択される少なくとも一種
    である前記特許請求の範囲第1項に記載の超伝導
    材原料粉末の供給方法。 10 前記有機化合物がポリエチレン樹脂およ
    び/またはポリプロピレン樹脂である前記特許請
    求の範囲第1項に記載の超伝導材原料粉末の供給
    方法。
JP62316562A 1987-12-14 1987-12-14 超伝導材原料粉末の供給方法 Granted JPH01156458A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP62316562A JPH01156458A (ja) 1987-12-14 1987-12-14 超伝導材原料粉末の供給方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP62316562A JPH01156458A (ja) 1987-12-14 1987-12-14 超伝導材原料粉末の供給方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH01156458A JPH01156458A (ja) 1989-06-20
JPH0255503B2 true JPH0255503B2 (ja) 1990-11-27

Family

ID=18078478

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP62316562A Granted JPH01156458A (ja) 1987-12-14 1987-12-14 超伝導材原料粉末の供給方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH01156458A (ja)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2014527575A (ja) * 2011-07-25 2014-10-16 エッカルト ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツングEckart GmbH 基材コーティングのための方法、およびそのような方法における添加剤含有粉末化コーティング物質の使用

Also Published As

Publication number Publication date
JPH01156458A (ja) 1989-06-20

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPH08506216A (ja) 低温にて形成された超伝導YBa▲下2▼Cu▲下3▼O▲下7−x▼
EP0330196B1 (en) Subathmospheric pressure plasma spraying of superconductive ceramic
Yamaguchi et al. Superconducting properties of Ba2YCu3O7− x thin films prepared by chemical vapor deposition on SrTiO3 and a metal substrate
US5348797A (en) Copper oxide coated substrates
Zhao et al. Superconducting YBa2Cu3O7− x thin films on silver substrates by in situ plasma‐enhanced metalorganic chemical vapor deposition
EP0288711B1 (en) Rapid, large area coating of high-Tc superconductors
JPH0255503B2 (ja)
Salazar et al. Aerosol assisted chemical vapor deposition of superconducting YBa2Cu3O7− χ
JP2615079B2 (ja) 超伝導膜の製造方法
US5279852A (en) Process for coating a substrate with copper oxide and uses for coated substrates
EP0351139B1 (en) Method of making composite ceramic and copper superconducting elements
JPH01167226A (ja) 超伝導膜の製造法
JPH01131025A (ja) 酸化物系超電導材料の製造方法
JPH0716929B2 (ja) 超伝導膜の製造法
US5455223A (en) Coated precursor powder for oxide superdonductors
JPH01222039A (ja) 超伝導膜の製造方法
JP2662552B2 (ja) 磁気シールド用超電導材
Wasa et al. Superconducting phase control for rare-earth-free high-Tc superconducting thin films
JPH0238310A (ja) 酸化物高温超電導薄膜の製造方法
JPH01313324A (ja) 超伝導膜の製造方法
JP2527755B2 (ja) 酸化物系超電導コイルの製造方法
JPH02133905A (ja) プラズマによる超電導セラミックスコイルの製造法
Ho et al. Electrophoretic deposition of Bi-based superconductors with T/sub c/near 80 K
JPH01249613A (ja) 超電導体の製造方法
JPH0313556A (ja) 酸化物超電導体の製造方法