JPH0290167A - 半導体製造装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は半導体集積回路素子を製造する半導体製造装置
（フォトレジスト塗布装置）に関する。

〔発明の概要〕

本発明はフォトレジスト塗布装置において、基板周辺部
のフォトレジストをガスにより圧送されたフォトレジス
トを溶解する溶剤を吐出して除去する際、溶剤中に溶存
したガスの気化による不具合を防止しようとしたもので
ある。

〔従来の技術〕

従来第２図に示すように、圧送タンク１に充填された溶
剤２は加圧ガス３により加圧され、制御弁４の開閉によ
りノズル５から吐出され、回転されて基板６の周辺部の
レジストを溶解除去する。

このあと基板６はさらに高速回転、溶剤２を振り切り乾
燥させ工程は終了する。

（発明が解決しようとする！！１題） しかし、従来の塗布装置は溶剤２中に溶存した加圧ガス
２が気化し、ガスと溶剤が混合され、吐出ノズル５から
霧状となって吐出されてしまう。

このため、溶剤が基板６に塗布されたレジスト上に飛散
し、レジストを熔解し、均一に塗布された基板６上のレ
ジストの厚さ均一性を著しく低下させてしまう。本発明
はこのような欠点を解決するためになされたもので、基
板６の表面に何らの影響をも与えず、基板周辺部のレジ
ストのみを除去することを目的としたものである。

〔課題を解決するための手段〕

上記問題を解決するため、本発明は加圧容器７およびガ
ス抜き弁８を設は溶剤２の中の溶存ガスを加圧容器中で
ガス化させ、加圧容器７に溜まったガスをガス抜き弁８
により大気放出させ、溶剤のみを吐出ノズル５から吐出
させるようにしたものである。

〔作用〕

上記のように構成されたフォトレジスト塗布装置は、加
圧容器内で溶存ガス、溶剤が分離されるため、吐出ノズ
ル５より吐出される溶剤２は溶剤のみとなり、溶剤とガ
スが混ざり合わず、霧状の吐出が避けられるのである。

（実施例〕 以下に本発明の実施例を図面に基づき説明する。

第１図において、加圧容器７を配管９の途中の吐出ノズ
ル５の近傍に設置する。加圧容器７にはガス抜き弁８を
設置した。圧送タンクは容！１００ｘのステンレスタン
ク、加圧ガスには乾燥Ｎ、ガス加圧容器７は４０ＣＣの
テフロンタンク、吐出ノズル５を圧送タンクの位置差は
５ｍであった。又、圧送圧力は圧送りンク位置で２ｋｇ
／ｃｄとした。

又、基板６は１５０ｍ＋＋＊のシリコンウェハを使用し
た。

従来方法での処理では処理基板すべてに何らかの欠陥が
現れたが本実施例での処理では欠陥は現れなかった。

実施例ではガス抜き弁８は手動としガスが圧力容器上部
に一定量発生後、手動でガス抜きを行ったが、液面セン
サーを設置し、一定量のガスが発生した状態でガス抜き
弁８を自動開放しガス抜き終了後自動閉鎖するような自
動化ができるのは当然である。

〔発明の効果］ 本発明は以上説明してきたように、加圧容器とガス抜き
弁を吐出ノズル近傍に取りつけたという簡単な構造で、
塗布されたフォトレジストに影響を与えずに周辺部のみ
のレジストを除去するという効果がある。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明にかかる半導体製造装置の構造図、第２
図は従来の半導体製造装置の構造図である。 ・圧送タンク ・溶剤 ・加圧ガス ・吐出ノズル ・基板 ・ガス抜き弁 ・加圧容器 以上 出願人　セイコー電子工業株式会社 代理人　弁理士　林　　敬　之　助

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 基板にフォトレジストを塗布し、前記基板の裏面、側面
   および表面の外周部に前記フォトレジストを溶解する溶
   剤をガスにより圧送して吐出させ、前記フォトレジスト
   を溶解除去させる半導体製造装置において、前記溶剤を
   吐出させる配管系統の吐出部近傍に圧力容器とガス抜き
   弁とを設置したことを特徴とする半導体製造装置。