JPH03114197A - 有機薄膜el素子 - Google Patents

有機薄膜el素子

Info

Publication number
JPH03114197A
JPH03114197A JP1253207A JP25320789A JPH03114197A JP H03114197 A JPH03114197 A JP H03114197A JP 1253207 A JP1253207 A JP 1253207A JP 25320789 A JP25320789 A JP 25320789A JP H03114197 A JPH03114197 A JP H03114197A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
layer
light emitting
organic thin
thin film
organic
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP1253207A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2773297B2 (ja
Inventor
Masayasu Ishiko
雅康 石子
Keiji Nunomura
布村 恵史
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by NEC Corp filed Critical NEC Corp
Priority to JP1253207A priority Critical patent/JP2773297B2/ja
Publication of JPH03114197A publication Critical patent/JPH03114197A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP2773297B2 publication Critical patent/JP2773297B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00Organic light-emitting devices
    • H10K50/10OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/11OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers

Landscapes

  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は平面光源やデイスプレィに使用される有機薄膜
発光素子に関するものである。
〔従来の技術〕
有機物質を原料としたEL(電界発光)素子は、その豊
富な材料数と分子レベルの合成技術で、安価な大面積フ
ィルム状フルカラー表示素子を実現するらのとして注目
を集めている6例えばアントラセンやペリレン等綿合多
環芳香族系を原料としてLB法や真空蒸着法等で薄膜化
した直流駆動の有機薄膜発光素子が製造され、その発光
特性が研究されている。更に、最近有機薄膜を2層構造
にした新しいタイプの有機薄膜発光素子が報告され、強
い関心を集めている(アプライド・フィジックス・レタ
ーズ、51巻、913ページ、1987年)、これは第
4図に示すように強い蛍光を発する金属キレ−1・化合
物を発光層44に、アミン系材料を正孔伝導性有機物の
正孔注入層43に使用したもので明るい緑色発光を得な
と報告している。6〜7■の直流印加で約100 cd
/rr?の輝度を得ている。41はガラス板、42は透
明電極、45は金属電極である。
更に、発光層への電子注入を促進するため、電子注入層
を追加した3層構造素子が提案されている。
〔発明が解決しようとする課題〕
第4図に示したような構造をもつ有機薄膜E L素子の
発光領域は正孔注入層43と発光層44の界面的200
人程度であるといわれている。他の領域は直接発光には
関与していないと考えられている。
そればかりか、この非発光領域は高抵抗層として働くた
め、発売間値電圧を上げその結果発光効率を低下させて
いる。更に発光に関与していないこの領域の抵抗値が高
いと高輝度領域での輝度飽和現象を早めてしまう効果が
ある。
しかし、発光層44が500Å以下と薄いと素子のピン
ホール数が大きく増加し、表示素子としての特性を大き
く損ねる結果となる。従って、発光層44はある程度の
膜厚が代願性向上のために必要であった。
有機薄膜EL素子の実用化のためには従来の素子と同程
度の信頼性を確保しつつ、発光効率・発光輝度の向上が
求められている。そのためには、従来の素子以上に発光
領域を広げることが必要であるが、従来の技術ではこの
問題を解決することができなかった。
本発明の目的は前記課題を解決した有機薄膜El−素子
を提供することにある。
〔課題を解決するための手段〕
前記目的を達成するため、本発明に係る有機薄膜EL素
子は、少なくとも一方が透明である一対の電極間に少な
くとも1以上の電荷注入層と少なくとも1以上の有機蛍
光体よりなる発光層を積層してなる有機薄[F、L素子
において、前記電荷注入層と発行層間に、電荷注入材料
と有機蛍光体とを混合してなる混合層を挿入したもので
ある。
〔作用〕
この有機薄膜EL素子の発光メカニズムは次のように考
えられている。すなわち、第4図において、TTO等の
電[42から正孔注入層43へ正孔が流れ込むが、発光
層44には正孔は入りに<<、発光層44との界面近傍
で正孔濃度が高くなる。一方、電子は金属電極45から
発光層44に入り、この中を伝導し正孔注入層43との
界面に到達する。その結果、正孔注入層43と発光層4
4の界面では電子と正孔が再結合し、−重環励起子が生
成され、これが発光の源となっていると考えられている
。従来の有機薄膜EL素子では電子・正孔の移動度が小
さいために再結合領域が非常にせまく、その結果発光領
域がほぼ約200人程度と、小さいということが最近の
研究から明らかになった。
有機薄膜EL素子の場合、正孔注入層と発光層の界面に
正孔注入層と発光層からなる混合層を挿入しても、若干
移動度が低下するものの、ホッピングによる電荷輸送が
可能であった。この電荷輸送過程で電子・正孔再結合の
機会が正孔注入層と発光層が完全に分離している場合に
比べ増え、実質従来素子より再結合領域が拡大していた
0発光効率・輝度の向上が認められた。
正孔注入層としては電子写真等に使用されている有機低
分子材料で、ヒドラゾン誘導体、オフサゾール誘導体、
アミン誘導体、トリフェニルメタン誘導体などが使用で
きる。有機蛍光体としてはトリス(8−ハイドロキシキ
ノリン)アルミニウム、アントラセン、ペリレン、ナフ
タルイミド、フタロペリノン、トリフェニルシクロペン
タジェン、スチルベン等固体状で強い蛍光を示すものが
使用できる。有」の発光層に電子注入を促進する目的で
、発光層と金属電極の間に電子注入層を挿入した、いわ
ゆる3層楕遺素子においても、電子注入層・発光層間に
混合層を挿入しても、同様に発光特性の向上という効果
が得られた。
〔実施例〕
以下実施例を以て、本発明の詳細な説明する。
(実施例1) 第1図に示すように、ガラス板1上にITOなどからな
る透明電極2を形成してから、N、N。
N’ 、N′−テトラフェニル−4,4′−ジアミノビ
フェニル(以下ジアミンと略記)からなる正孔注入層3
を300人、有機蛍光体としてトリス(8−ハイドロキ
シキノリン)アルミニウム(以下アルミキノリンと略記
)とジアミンが1:1で混合した層からなる混合層4を
500人、最後にアルミキノリンを使用して発光層5を
300人順次形成した。I&後にMgとInが10:1
で混合した合金の金属型tif16を電子ビーム蒸着法
で1500人形成して有機薄膜EL素子が完成する。
この素子の発光特性を乾燥窒素中で測定したところ、約
5Vの直流電圧の印加で300 cd/rr?の緑色の
発光が得られた。従来の素子に比べ発光輝度・効率が2
から5倍改善されていることがわかる。
この有機薄膜発光素子を電流密度0.51A/−の状態
でエージング試験をしたところ輝度半減時間は100時
間以上であった。従来の素子では10から50時間であ
ったから、この素子の信頼性は大幅に改善されている。
また、電気特性のシフトも5層程度と、従来より大幅に
低下した。
本発明はトリス(8−ハイドロキシキノリン)アルミニ
ウム有機蛍光体ばかりでなく、アントラセン誘導体、ピ
レン誘導体、テトラセン誘導体、スチルベン誘導体、ペ
リレン誘導体、キノン誘導体、フェナンスレン誘導体、
ナフタン誘導体等、ナフタルイミド誘導体、フタロペリ
ノン誘導体、シクロペンタジェン誘導体、シアニン誘導
体、その他可視領域で強い蛍光を発する有機物を発光層
5の材料に使用しても同様な効果が認められた。
また、この有機蛍光体に10−5から1O−2no1程
度のローダミン、シアニン、ピラン、クマリン、フルオ
レン、POPOP、PBBO等、他の蛍光の強い有機分
子を更に添加して、発光波長を変えることができる。透
明電極2はITO以外にZnO:A Q R?S n 
02 : S b、I n20s 、Auなど仕事関数
が4.5cV以上ある導電性材料であればよい。
(実施例2) 本実施例は第1図において610nnから630r+n
に強い蛍光を発するペリレン誘導体を発光層5に用い、
正孔注入層3としてトリフェニルメタン誘導体を用いた
有機薄膜EL素子である。第2図に示すように、混合層
4はトリフェニルメタン誘導体100%からペリレン誘
導体100%に徐々に変化している。この混合層4の膜
厚は600人である。ペリレン誘導体からなる発光層5
の膜厚は400人である。またトリフェニルメタン誘導
体の膜厚は100人である。最後にMgとInが10=
1で混合した合金の金属電極6を電子ビーム蒸着法てづ
500人形成して有機薄膜発光素子が完成する。
第2図の混合層4の濃度分布は階段状であっても効果が
認められた。
(実施例3) 本実施例は第3図に示すように610r+nから630
nnmに強い蛍光を発するフタロペリノン誘導体を発光
層33に用い、電子注入層35としてアルミキノリンを
用いた有機薄膜EL素子である。31はガラス板、32
は透明電極である。混合層34はアルミキノリン100
%からフタロペリノン誘導体100%に徐々に変化して
いる。この混合層34のII!厚は700人である。フ
タロペリノン誘導体からなる発光層33の膜厚は400
人である。またアルミキノリンの膜厚は300人である
。最後にMgとInが10:1で混合した合金の背面金
属電極36を電子ビーム蒸着法で1500人形成して有
機薄膜発光素子が完成する。
電子注入層35の材料としてアントラセン、テトラセン
などを用いてもよい、更に、正孔注入層を加えた4層あ
るいは5層構造の素子でも同様な効果が得られた。
〔発明の効果〕
以上述べたように、本発明により従来の有機薄膜EL素
子に比べより低い電圧で発光輝度が高く、かつ発光効率
の優れた素子を提供することが可能となった。更に、従
来より低い電圧で明るく発光するため、小さな投入電力
で素子を駆動できる。
この結果、従来の素子に比べ素子劣化が少なく、100
時間でも駆動電圧の上昇・輝度低下が少ない。
このように、本発明は有機薄膜E L、素子の工業化に
寄与している。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の実施例1及び実施例2に1系る有機薄
膜Eし素子を示す断面図、第2図は本発明の実施例2に
使用した有機薄膜EL素子の濃度分布を示す図、第3図
は本発明の実施例3に係る有機薄[EL素子を示す図、
第4図は従来の有機薄膜EL素子を示す図である。 1 、31.41・・・ガラス板 2,32.42・・
・透明電極3.43・・・正孔注入層  5.33.4
4・・・発光層35・・・電子注入層    4,34
・・・混合層6、36.45・・・金属電極

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)少なくとも一方が透明である一対の電極間に少な
    くとも1以上の電荷注入層と少なくとも1以上の有機蛍
    光体よりなる発光層を積層してなる有機薄膜EL素子に
    おいて、前記電荷注入層と発行層間に、電荷注入材料と
    有機蛍光体とを混合してなる混合層を挿入したことを特
    徴とする有機薄膜EL素子。
JP1253207A 1989-09-28 1989-09-28 有機薄膜el素子 Expired - Lifetime JP2773297B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP1253207A JP2773297B2 (ja) 1989-09-28 1989-09-28 有機薄膜el素子

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP1253207A JP2773297B2 (ja) 1989-09-28 1989-09-28 有機薄膜el素子

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH03114197A true JPH03114197A (ja) 1991-05-15
JP2773297B2 JP2773297B2 (ja) 1998-07-09

Family

ID=17248046

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP1253207A Expired - Lifetime JP2773297B2 (ja) 1989-09-28 1989-09-28 有機薄膜el素子

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2773297B2 (ja)

Cited By (45)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH03190088A (ja) * 1989-12-20 1991-08-20 Sanyo Electric Co Ltd 有機el素子
JPH0711244A (ja) * 1993-06-24 1995-01-13 Mitsui Petrochem Ind Ltd 薄膜電界発光素子並びにその製造方法
US5540999A (en) * 1993-09-09 1996-07-30 Takakazu Yamamoto EL element using polythiophene
US5792557A (en) * 1994-02-08 1998-08-11 Tdk Corporation Organic EL element
WO1999012396A1 (fr) * 1997-09-01 1999-03-11 Seiko Epson Corporation Element electroluminescent et procede de production
JP2000133453A (ja) * 1998-10-22 2000-05-12 Idemitsu Kosan Co Ltd 有機エレクトロルミネッセンス素子およびその製造方法
JP2000164359A (ja) * 1998-11-25 2000-06-16 Idemitsu Kosan Co Ltd 有機エレクトロルミネッセンス素子
JP2001052870A (ja) * 1999-06-03 2001-02-23 Tdk Corp 有機el素子
WO2001026425A1 (en) * 1999-10-05 2001-04-12 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Luminescent device and method for manufacturing the same, and display and illuminator comprising the same
JP2001267081A (ja) * 2000-03-16 2001-09-28 Matsushita Electric Ind Co Ltd 有機電界発光素子
JP2002324673A (ja) * 2001-02-22 2002-11-08 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 有機発光素子および前記素子を用いた表示装置
JP2003077656A (ja) * 2001-09-05 2003-03-14 Sony Corp 有機電界発光素子およびその製造装置
JP2004247313A (ja) * 1998-03-13 2004-09-02 Cambridge Display Technol Ltd エレクトロルミネッセンス素子及びその製造方法
WO2005009088A1 (ja) * 2003-07-23 2005-01-27 Konica Minolta Holdings, Inc. 有機エレクトロルミネッセンス素子、照明装置及び表示装置
JP2006309955A (ja) * 2005-04-26 2006-11-09 Sony Corp 有機電界発光素子の製造方法および有機電界発光素子
US7173370B2 (en) 2001-02-01 2007-02-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Organic light emitting element and display device using the element
US7196360B2 (en) 2001-02-08 2007-03-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device
US7332857B2 (en) 2001-01-18 2008-02-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device and manufacturing method thereof
US7342355B2 (en) 2000-12-28 2008-03-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device having organic light emitting material with mixed layer
US7387904B2 (en) 2003-10-03 2008-06-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting element and manufacturing method thereof, and light emitting device using the light emitting element
US7432116B2 (en) 2001-02-21 2008-10-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method and apparatus for film deposition
US7462372B2 (en) 2000-09-08 2008-12-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device, method of manufacturing the same, and thin film forming apparatus
US7488986B2 (en) 2001-10-26 2009-02-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device
US7550173B2 (en) 2001-01-17 2009-06-23 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Luminescent device and method of manufacturing same
US7572522B2 (en) 2000-12-28 2009-08-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Luminescent device
US7592193B2 (en) 2001-10-30 2009-09-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device
US7629025B2 (en) 2001-02-08 2009-12-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Film formation apparatus and film formation method
US7732811B2 (en) 2006-12-04 2010-06-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting element, light-emitting device, and electronic device
US7732808B2 (en) 2003-09-26 2010-06-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd Light-emitting device and method for manufacturing the same
US7745989B2 (en) 2005-06-30 2010-06-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd Light emitting element, light emitting device, and electronic apparatus
US7790296B2 (en) 2005-05-20 2010-09-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting element, light emitting device, and electronic device
US7851989B2 (en) 2005-03-25 2010-12-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device
US7893427B2 (en) 2004-07-23 2011-02-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting element and light emitting device using the same
US8017252B2 (en) 2005-06-22 2011-09-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device and electronic appliance using the same
JP2011224503A (ja) * 2010-04-22 2011-11-10 Fujifilm Corp 薄膜の作製方法及び作製装置
JP2012028823A (ja) * 2011-11-09 2012-02-09 Konica Minolta Holdings Inc 有機エレクトロルミネッセンス素子
US8334057B2 (en) 2005-06-08 2012-12-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting element, light-emitting device, and electronic device
US8404500B2 (en) 2009-11-02 2013-03-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing light-emitting element, light-emitting element, light-emitting device, lighting device, and electronic appliance
US8420227B2 (en) 2005-03-23 2013-04-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Composite material, light emitting element and light emitting device
US9224976B2 (en) 2008-11-19 2015-12-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting element, light-emitting device, electronic device, and lighting device
US9349977B2 (en) 2001-02-01 2016-05-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting device having mixed layer including hole transporting compound
US9564609B2 (en) 2011-02-11 2017-02-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting element including electrode of three layers
US9570697B2 (en) 2003-12-26 2017-02-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting element
JP2017038079A (ja) * 2011-03-30 2017-02-16 株式会社半導体エネルギー研究所 発光素子、発光装置
US10134996B2 (en) 2004-10-29 2018-11-20 Semicondcutor Energy Laboratory Co., Ltd. Composite material, light-emitting element, light-emitting device, and manufacturing method thereof

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006318835A (ja) 2005-05-16 2006-11-24 Seiko Epson Corp 多層化膜の形成方法および多層化膜、並びに電気光学装置、電子機器

Cited By (106)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH03190088A (ja) * 1989-12-20 1991-08-20 Sanyo Electric Co Ltd 有機el素子
JPH0711244A (ja) * 1993-06-24 1995-01-13 Mitsui Petrochem Ind Ltd 薄膜電界発光素子並びにその製造方法
US5540999A (en) * 1993-09-09 1996-07-30 Takakazu Yamamoto EL element using polythiophene
US5792557A (en) * 1994-02-08 1998-08-11 Tdk Corporation Organic EL element
WO1999012396A1 (fr) * 1997-09-01 1999-03-11 Seiko Epson Corporation Element electroluminescent et procede de production
US6825611B2 (en) 1997-09-01 2004-11-30 Seiko Epson Corporation Electroluminescent elements with light-emitting layer containing first and second compounds
US6575800B1 (en) 1997-09-01 2003-06-10 Seiko Epson Corporation Electroluminescent element and method of producing the same
US8115199B2 (en) 1998-03-13 2012-02-14 Cambridge Display Technology Ltd. Electroluminescent devices
US7449714B2 (en) 1998-03-13 2008-11-11 Cambridge Display Technology Ltd. Electroluminescent devices
US7078251B2 (en) 1998-03-13 2006-07-18 Cambridge Display Technology Ltd. Electroluminescent devices
US7393704B2 (en) 1998-03-13 2008-07-01 Cambridge Display Tech Ltd Electroluminescent devices
JP2005174947A (ja) * 1998-03-13 2005-06-30 Cambridge Display Technol Ltd エレクトロルミネッセンス素子
US6897473B1 (en) 1998-03-13 2005-05-24 Cambridge Display Technology Ltd. Electroluminescent devices
JP2004247313A (ja) * 1998-03-13 2004-09-02 Cambridge Display Technol Ltd エレクトロルミネッセンス素子及びその製造方法
US7227180B2 (en) 1998-03-13 2007-06-05 Cambridge Display Technology Ltd. Electroluminescent devices
JP2000133453A (ja) * 1998-10-22 2000-05-12 Idemitsu Kosan Co Ltd 有機エレクトロルミネッセンス素子およびその製造方法
JP2000164359A (ja) * 1998-11-25 2000-06-16 Idemitsu Kosan Co Ltd 有機エレクトロルミネッセンス素子
JP2001052870A (ja) * 1999-06-03 2001-02-23 Tdk Corp 有機el素子
US6910933B1 (en) 1999-10-05 2005-06-28 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Light emitting element and producing method thereof, and display device and lighting device using the same
WO2001026425A1 (en) * 1999-10-05 2001-04-12 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Luminescent device and method for manufacturing the same, and display and illuminator comprising the same
JP2001267081A (ja) * 2000-03-16 2001-09-28 Matsushita Electric Ind Co Ltd 有機電界発光素子
US7462372B2 (en) 2000-09-08 2008-12-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device, method of manufacturing the same, and thin film forming apparatus
US7744949B2 (en) 2000-09-08 2010-06-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device and method of manufacturing method thereof and thin film forming apparatus
US9362518B2 (en) 2000-12-28 2016-06-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device and method of manufacturing the same
US7579089B2 (en) 2000-12-28 2009-08-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Luminescent device
US9209418B2 (en) 2000-12-28 2015-12-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device and method of manufacturing the same
US7342355B2 (en) 2000-12-28 2008-03-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device having organic light emitting material with mixed layer
US8878431B2 (en) 2000-12-28 2014-11-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device and method of manufacturing the same
JP2016028392A (ja) * 2000-12-28 2016-02-25 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置
US7572522B2 (en) 2000-12-28 2009-08-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Luminescent device
JP2013033762A (ja) * 2000-12-28 2013-02-14 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 発光装置
US8432094B2 (en) 2000-12-28 2013-04-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device and method of manufacturing the same
US7915807B2 (en) 2000-12-28 2011-03-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device and method of manufacturing the same
KR100890163B1 (ko) * 2000-12-28 2009-03-25 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 발광 디바이스 및 그 제조 방법
JP2014160850A (ja) * 2000-12-28 2014-09-04 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 発光装置
US7550173B2 (en) 2001-01-17 2009-06-23 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Luminescent device and method of manufacturing same
US7332857B2 (en) 2001-01-18 2008-02-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device and manufacturing method thereof
US7858977B2 (en) 2001-02-01 2010-12-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Organic light emitting element and display device using the element
US7459722B2 (en) 2001-02-01 2008-12-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Organic light emitting element and display device using the element
US8174007B2 (en) 2001-02-01 2012-05-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Organic light emitting element and display device using the element
US9608224B2 (en) 2001-02-01 2017-03-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Organic light emitting element and display device using the element
US7173370B2 (en) 2001-02-01 2007-02-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Organic light emitting element and display device using the element
US9219241B2 (en) 2001-02-01 2015-12-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Organic light emitting element and display device using the element
US9349977B2 (en) 2001-02-01 2016-05-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting device having mixed layer including hole transporting compound
US7456425B2 (en) 2001-02-08 2008-11-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device
US7196360B2 (en) 2001-02-08 2007-03-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device
US8513648B2 (en) 2001-02-08 2013-08-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device
US7629025B2 (en) 2001-02-08 2009-12-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Film formation apparatus and film formation method
US7432116B2 (en) 2001-02-21 2008-10-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method and apparatus for film deposition
US7663149B2 (en) 2001-02-22 2010-02-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Organic light emitting device and display device using the same
JP2002324673A (ja) * 2001-02-22 2002-11-08 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 有機発光素子および前記素子を用いた表示装置
US7399991B2 (en) 2001-02-22 2008-07-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Organic light emitting device and display device using the same
JP2003077656A (ja) * 2001-09-05 2003-03-14 Sony Corp 有機電界発光素子およびその製造装置
US7488986B2 (en) 2001-10-26 2009-02-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device
KR100961626B1 (ko) * 2001-10-26 2010-06-08 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 발광 장치
US7592193B2 (en) 2001-10-30 2009-09-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device
WO2005009088A1 (ja) * 2003-07-23 2005-01-27 Konica Minolta Holdings, Inc. 有機エレクトロルミネッセンス素子、照明装置及び表示装置
JP4650265B2 (ja) * 2003-07-23 2011-03-16 コニカミノルタホールディングス株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子、照明装置及び表示装置
JPWO2005009088A1 (ja) * 2003-07-23 2006-09-07 コニカミノルタホールディングス株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子、照明装置及び表示装置
US8507903B2 (en) 2003-09-26 2013-08-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting device and method for manufacturing the same
US7732808B2 (en) 2003-09-26 2010-06-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd Light-emitting device and method for manufacturing the same
US8178869B2 (en) 2003-09-26 2012-05-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting device and method for manufacturing the same
US8216875B2 (en) 2003-09-26 2012-07-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting device and method for manufacturing the same
US7994496B2 (en) 2003-10-03 2011-08-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting element and manufacturing method thereof, and light emitting device using the light emitting element
US7387904B2 (en) 2003-10-03 2008-06-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting element and manufacturing method thereof, and light emitting device using the light emitting element
US9461271B2 (en) 2003-10-03 2016-10-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting element and manufacturing method thereof, and light emitting device using the light emitting element
US9570697B2 (en) 2003-12-26 2017-02-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting element
US10886497B2 (en) 2003-12-26 2021-01-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting element
US9520532B2 (en) 2004-07-23 2016-12-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting element and light emitting device using the same
US8368060B2 (en) 2004-07-23 2013-02-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting element and light emitting device using the same
US8368059B2 (en) 2004-07-23 2013-02-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting element and light emitting device using the same
US8872169B2 (en) 2004-07-23 2014-10-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting element and light emitting device using the same
US7893427B2 (en) 2004-07-23 2011-02-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting element and light emitting device using the same
US10134996B2 (en) 2004-10-29 2018-11-20 Semicondcutor Energy Laboratory Co., Ltd. Composite material, light-emitting element, light-emitting device, and manufacturing method thereof
US8420227B2 (en) 2005-03-23 2013-04-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Composite material, light emitting element and light emitting device
US8916276B2 (en) 2005-03-23 2014-12-23 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Composite material, light emitting element and light emitting device
US9246056B2 (en) 2005-03-25 2016-01-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device
US7851989B2 (en) 2005-03-25 2010-12-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device
US8362688B2 (en) 2005-03-25 2013-01-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device
JP2006309955A (ja) * 2005-04-26 2006-11-09 Sony Corp 有機電界発光素子の製造方法および有機電界発光素子
US8445121B2 (en) 2005-05-20 2013-05-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting element, light emitting device, and electronic device
US7790296B2 (en) 2005-05-20 2010-09-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting element, light emitting device, and electronic device
US8048543B2 (en) 2005-05-20 2011-11-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting element, light emitting device, and electronic device
US8227097B2 (en) 2005-05-20 2012-07-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting element, light emitting device, and electronic device
US7883788B2 (en) 2005-05-20 2011-02-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting element, light emitting device, and electronic device
US9263645B2 (en) 2005-06-08 2016-02-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting element, light-emitting device, and electronic device
US8334057B2 (en) 2005-06-08 2012-12-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting element, light-emitting device, and electronic device
US8017252B2 (en) 2005-06-22 2011-09-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device and electronic appliance using the same
US8252434B2 (en) 2005-06-22 2012-08-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device and electronic appliance using the same
US8541114B2 (en) 2005-06-22 2013-09-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device and electronic appliance using the same
US8815419B2 (en) 2005-06-22 2014-08-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device and electronic appliance using the same
US8519617B2 (en) 2005-06-30 2013-08-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting element having a metal oxide composite layer, and light emitting device, and electronic apparatus
US7948169B2 (en) 2005-06-30 2011-05-24 Semiconductor Energy Larboratory Co., Ltd. Light emitting element with composite layers of varying concentration, light emitting device, and electronic apparatus
US7745989B2 (en) 2005-06-30 2010-06-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd Light emitting element, light emitting device, and electronic apparatus
US8378570B2 (en) 2005-06-30 2013-02-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting element, light emitting device, and electronic apparatus having first and second composite layers with different metal concentrations
US8319210B2 (en) 2006-12-04 2012-11-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting element, light-emitting device, and electronic device
US7732811B2 (en) 2006-12-04 2010-06-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting element, light-emitting device, and electronic device
US8916857B2 (en) 2006-12-04 2014-12-23 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting element, light-emitting device, and electronic device
US9224976B2 (en) 2008-11-19 2015-12-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting element, light-emitting device, electronic device, and lighting device
US8404500B2 (en) 2009-11-02 2013-03-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing light-emitting element, light-emitting element, light-emitting device, lighting device, and electronic appliance
US8803188B2 (en) 2009-11-02 2014-08-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing light-emitting element, light-emitting element, Light-emitting device, lighting device, and electronic appliance
JP2011224503A (ja) * 2010-04-22 2011-11-10 Fujifilm Corp 薄膜の作製方法及び作製装置
US9564609B2 (en) 2011-02-11 2017-02-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting element including electrode of three layers
JP2017038079A (ja) * 2011-03-30 2017-02-16 株式会社半導体エネルギー研究所 発光素子、発光装置
JP2024149668A (ja) * 2011-03-30 2024-10-18 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置
JP2012028823A (ja) * 2011-11-09 2012-02-09 Konica Minolta Holdings Inc 有機エレクトロルミネッセンス素子

Also Published As

Publication number Publication date
JP2773297B2 (ja) 1998-07-09

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPH03114197A (ja) 有機薄膜el素子
JP2727620B2 (ja) 有機薄膜el素子
JP2926845B2 (ja) 有機薄膜el素子
TW585012B (en) Organic electroluminescence device having current injection layer between light emitting layer and cathode
JPH03152184A (ja) 有機薄膜el素子
JP3905265B2 (ja) 有機エレクトロルミネッセンス素子
JPH10106748A5 (ja)
JPH09199276A (ja) 有機薄膜el素子
JPH10106748A (ja) エキシプレックスを有する有機エレクトロルミネセント素子
CN1319184C (zh) 有机电致发光装置
JP3861743B2 (ja) 電界発光素子の駆動方法
JPH03274694A (ja) 有機薄膜el素子
JPH02139892A (ja) 有機薄膜el素子
CN100380701C (zh) 有机电致发光器件
JP2869447B2 (ja) 電界発光素子
CN1238656A (zh) 有机电致发光器件
JP2881212B2 (ja) 電界発光素子
JP2002289360A (ja) 有機電界発光素子
JPH04363896A (ja) 有機薄膜el素子とその製造方法
JP2888740B2 (ja) 有機エレクトロルミネッセンス素子
KR20040044066A (ko) 유기 전계 발광 소자 및 발광 장치
JPH11102786A (ja) 有機エレクトロルミネセンス素子
JP3910010B2 (ja) 有機電界発光素子
JP2886218B2 (ja) 電界発光素子
JPH0337994A (ja) 有機薄膜発光素子

Legal Events

Date Code Title Description
S111 Request for change of ownership or part of ownership

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090424

Year of fee payment: 11

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090424

Year of fee payment: 11

S111 Request for change of ownership or part of ownership

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090424

Year of fee payment: 11

R360 Written notification for declining of transfer of rights

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R360

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090424

Year of fee payment: 11

R360 Written notification for declining of transfer of rights

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R360

R371 Transfer withdrawn

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R371

S111 Request for change of ownership or part of ownership

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090424

Year of fee payment: 11

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090424

Year of fee payment: 11

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100424

Year of fee payment: 12

EXPY Cancellation because of completion of term
FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100424

Year of fee payment: 12