JPH03131542A - 気相成長装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の目的〕 （産業上の利用分野） 本発明は、気相成長装置に係り、特に大口径のウェハに
高品位のエピタキシャル気相成長膜（以下、単に膜とい
う）全能率的に形成するための気相成長装置に関するも
のである。

（従来の技術） 従来のエピタキシャル気相成長装置は、縦型お↓びバレ
ル型のバッチ処理方式がほとんどであり、最近、処理枚
数をさらに増加させるための拡散炉型が検討されると共
に、ウェハの大口径化に対処は還元してピュアな表面全
農る工程と全分離してこれらを連続的に行なう連続処理
方式の気相成長装置が提案されている（特開昭６．０−
　＋　６．５３７９号ン。

（発明が解決（７エうとする課題） 縦型おＬびバレル型のバッチ処理方式は、エビタキャル
気相成長用として多用されてきたが、ウェハの大口径化
に伴ないスリップの発生や、比抵抗分布、膜厚分布の均
一性で問題音生じている〇これは多数の大口径ウェハを
均一に加熱し、かつ反応ガス全すべてのウェハ表面に均
一に接触させることの困難性によるものである。

また、エリ大量のバッチ処理方式でちる拡散炉型は、エ
ビタギシャル気相成長用としては未解決な部分が多く残
っている。

これに対し、枚葉処理方式は、１枚のウェハ全１つの反
応炉で処理するため、ウェハの均一加熱が比較的容易に
達成でき、スリップの発生金押え易いと共に、反応ガス
流速をウェハの表面全体に対して均一にすることができ
、比抵抗分布、膜厚分布の均一性全高めることができ、
８インチウェハにも十分対応し得るものであるが、枚葉
処理の友めに能率が著しく劣る欠点がある。これは、気
相成長工程を上記の工うな前処理と気相成長自身等のよ
うに細分化し、１つの連続したラインで処理する連続処
理方式とすることにより改善できるが、細分化した各単
位工程における処理時間の差おＬび各単位工程における
処理温度や雰囲気ガスの相違等がちるため、能率の向上
に限界があると共に、実現に当って種々の問題全残して
いる。

本発明は、上記の点に鑑みなされたもので、枚葉処理方
式の利点を生かしつつ、その欠点を押え、大口径ウェハ
に対し高品位の膜ヲエリ能率的に形成することができる
気相成長装置全提供すること全目的としている。

〔発明の構成〕

（課題を解決するための手段） 上記目的全達成するための本発明による気相成長装Ｒは
、内部が不活性ガス雰囲気下におかれるウェハ搬送室と
、このウェハ搬送室内に設けられた旋回かつ半径方向に
伸縮可能なウェハ搬送装置と、ウェハ搬送室の周囲にそ
れぞれウェハ搬送用の開口を介して接続可能になされた
前処理室、気相成長室ならびにロードロック室とからな
り、前処理室は複数のウェハ全多段に支持してウニ還元
すべく構成し、 気相成長室は１枚のウェハ全支持してウェハ搬送室から
しゃ断可能に構成したものである。

」二記前処理室は、ウェハ全支持して昇降する仕切板に
よってウェハ搬送室からしゃ断するように構成し、また
、気相成長室は、昇降可能な内側ペルジャにＬってウェ
ハ搬送室がらしゃ断する工うに構成することが好ましい
。

さらに葦た、気相成長室のウェハ支持部は、ウェハ中心
を回転中心として３０００ｒｐｍ程度で回転可能に構成
することが好ましい。

さらに′１．た、ウェハ搬送室の周囲にウェハ搬送用の
開口金倉して複数のウェハ全ストックするバブファ室金
設けることが好ましい。

（作用） ウェハ搬送室内は常にＨ２またはＮ２ガスなどの不活性
ガス雰囲気下におき、ロードロック室を介してウェハ搬
送装置により好ましくは例えば２５枚等の１力セツト分
のウェハ全前処理室へ搬入する。ウェハが搬入されると
前処理室はウェハ搬送室に対して閉じられ、ウェハ全９
５０〜１２００　℃にｌ？Ｉｌ含 一トドーピングや固相拡散金押えるためにできるだけ低
温で行うことが好ましく、３０〜４０分程度の時間全損
けて、ダメージが少ないＩ］２ガスにＬす、エリピュア
な面全得るように行う。このり二うにすることにより、
後述するエピタキシャル成長を例えばＳｉＨ４の場合に
９５０℃程度の低温で行っても、欠陥の少ない良質の膜
を得ることができる。

前処理が終了すると前処理室内のウェハの温度”ｋ２０
０〜３００℃程度まで下げ、同室をウェノ・搬送室に対
して開放し、ウェハ搬送装置により前処理室内のウェハ
全１枚づつ気相成長室へ搬入し、枚葉式で気相成長を行
う。この気相成長は、昇温。

膜形成お工び降温の１サイクル全、−船釣半導体つエバ
仕様すなわち膜厚が数μｍの場合、５分程度で行うこと
が可能である。前処理室内の残りのウェハは、その１ま
置いて順次気相成長室へ搬入するか、またはバッファ室
へ移してそこから順次気相成長室へ搬入する。このバッ
ファ室全利用すれば、先行するウェハの組が順次気相成
長される間に次の組のウェハの前処理が可能となる。

前処理されて気相成長室へ搬入されるウニ／・は、不活
性ガス雰囲気下に置かれるため、大気に触れてウェハ表
面が酸化されることなく、ビ・ニアな状態に保たれる。

昇温、降温を含めた前処理時間と気相成長時間との関係
から前処理室での１バツチの処理枚数を適宜に設定する
ことにより、枚葉式気相成長の利点を生かしつつ、能率
的な気相成長全実行でき、前処理と気相成長を分離させ
たことによる不都合も生じない。

（実施例） 以下本発明の実施例について第（図ないし第３図全参照
して説明する。第１図において、中央のウェハ搬送室１
１は円形（多角形でもよい）をし、第２図および第３図
に示ｆ工うに比較的偏平に形成され、装置フレーム１０
にスペーサ１２金介して設置されている。

ウェハ搬送室１１の中央には、ウェハ搬送装置２０が設
けられている。ウェハ搬送装置２０は、第２図および第
３図に示す駆動部２１によって回転角全制御可能に回転
される回転軸２２を有し、回転軸２２に旋回台２３が固
定されている。旋回台２３上には、例えばフロブグレブ
グ式等の伸縮機構２４により半径方向へ移動可能にウェ
ハ保持体２５が成句けられている。−なお、第２図にお
いて、２６は伸縮機構２４全駆動するための軸である。

第１図に示すように、ウェノ・搬送室１１の周囲には、
前処理室３０　、気相成長室５０．ロードロック室８０
．９０ならびにバッファ室１００，１１０が配置されて
いる。

前処理室３０は、気相成長に先立ってウェノ・Ｗの表面
の酸化膜ｋＨｚガスにより還元してピュアな状態にする
ための室であり、第２図に示すように、石英管３１によ
って形成されている。石英管３１は上端にガス導入管３
２が接続され、Ｈ２ガスが供給されるようになっている
。石英管３１の下端は排気リング３３に気密に押圧され
、排気リング３３は下室３４全形成する下前３５の上端
に気密に取付けられている。排気リング３３には複数本
の排気管３６が接続され、前処理室３０の排気全行う工
うになっている。排気リング３３の下端には仕切板３７
が気密に押圧され、前処理室３０ｅ密閉するようになっ
ている。仕切板３７は、下前３５の底部全貫通して上下
に伸びる昇降軸３８の上端に取付けられている。昇降軸
３８の下端と下前３５の底部との間はベローズ３９によ
って気密に閉じられ、昇降軸３８は昇降装置４０によっ
て昇降されるようになっている。仕切板３７上には中空
回転軸４Ｉが回転自在に取付けられ、これに石英ガラス
製のウェハ支え４２が交換可能に取付けられる工うにな
っている。ウェハ支え４２は、ウェハＷの外周部を支持
して該ウェハＷを多段に配列するようになっており、い
わゆる拡散炉型の縦型加熱炉に用いられているものと同
様のものであり、ウェハｗｌ水平方向へ抜き差しできる
工うになっている。なお、４３．４４は石英カバーで、
排気リング３７と中空回転軸４Ｉの上にそれぞれ設置さ
れている。昇降軸３８中には回転駆動軸４５が貫通して
回転自在に取付けられ、この回転駆動軸４５は昇降軸３
８の下端に取付けられているモータ４６によって回転金
与えられるようになっている。回転駆動軸４５の上端と
中空回転軸４Ｉの下端は仕切板３７を介在させて互いに
接近して配置され、対をなすマグネブトカップリング４
７が取付けられ、回転駆動軸４５の回転全中空回転軸４
１へ伝達するようになっている。下前３５の上端寄りで
、かつ前述したウェハ搬送装置２ｏのウェハ保持体２５
の高さに対応する位置には、ウェハ搬送室１１に通じる
ウェハ搬送用の開口４８が明けら九でいる。ウェハ支え
４２は、昇降装置４０による昇降軸３８お工び仕切板３
７の上下動とその位置決めに裏ってウェハ支え４２の各
ウェハＷの支持位置をウェハ保持体２５に順次合致可能
に構成されると共に、モータ４６による回転駆動軸４５
の回転とその回転角位置の位置決めによってウェハ支え
４２をウェハ搬出入のための角度位置に保持する工うに
なっている。石英管３１の外側には、ヒータ４９が設け
られ、前処理室３０内に置かれたウェハＷｋｇ５０〜１
２００℃に加熱するようになっている。

気相成長室５０は、装置フレーム１０上に設けらｉｉベ
ースプレー）５１．ベースリング５２゜内側ペルジャ５
３ならびにトッププレート５４に工って形成されている
。ベースリング５２は、ペースプレート５１　と共に装
置フレーム１０に気密に固定され、内側ペルジャ５３は
トッププレート５４に気密に取付けられ、トップグレー
ト５４は昇降装置５５によって上下動され、内側ペルジ
ャ５３の下端をベースリング５２の上端に気密に押圧す
ると共に、これらの間を開くことができるようになって
いる。内側ペルジャ５３の外側には外側ペルジャ５６が
設けられている。この外側ペルジャ５６は、下端がベー
スリング５２の上端に気密に固定され、上端はベローズ
５７を介してトッププレート５４に気密に接続され、内
側ペルジャ５３が開いても気相成長室５０全大気からし
ゃ断するようになっている。外側ペルジャ５６とウェハ
搬送室１１との間には、ウェハ搬送用の開口５８が明け
られている。ベースプレート５１には磁性流体シール５
９によって中空回転軸６ｏが回転自在に取付けられ、そ
の上端にＳｉＣコートされたカーボン製または石英ガラ
ス製のサセプタ６が取付けられている。サセプタ６１の
上面の高さは、ウェハ搬送装貿２０のウェハ保持体２５
の高さに対応しており、該ウェハ保持体２５に裏ってウ
ェハＷの授受が行われるようになっている。サセプタ６
１内にはヒータ６２が取付けら力１、サセプタ６１上に
載置されたウェハＷ’に９５０〜１２００℃のエピタキ
シャル気相成長温度に加熱するようになっている。中空
回転軸６０の下端側は磁性流体シール６３と固定プレー
ト６４によって大気に対し気密になされ、サセプタ５ｉ
内全図示しないガス給排パイプに工ってＨ２１ｆｃはＮ
２ガスなどの不活性ガス雰囲気下に置くようになってい
る。中空回転軸６０はモータ６５に工って３００Ｏｒｐ
ｍ程度の回転を与えられるようになっている。内側ペル
ジャ５３内にはラッパ状の石英管６６が取付けられ、そ
の上部に接続されたガス導入管６７からサセプタ６１の
上面に向けて反応ガスお工びパージガスを供給するよう
になっている。他方、ベースリング５２には排気管６８
が複数本接続されている。なお、６９は石英カバー　７
０はパージガスの導入管であり、７１は温度センサで、
トッププレート５４に設けられている窓７２、石英管６
６の後端全通してウェハＷの温度全測定し、ヒータ６２
の出力全制御する工うになっている。この温度センサ７
１は揺動可能に取ｆ１けられ、ウェハＷの半径方向の全
範囲を測定できるようになっている。

ウェハ搬送室１１お工びこれに開口４８全介して連通さ
れている下室３４．ならびに開口５８を介してウェハ搬
送室１１に連通されている外側ペルジャ５６と内側ペル
ジャ５３との間の外側室７３は、好ましくは前処理室３
０お工び気相成長室５０で用いられるＮ２ガスの工うな
不活性ガスをガス導入管＋１８，３４３．７３ａから供
給（−１排気管１１ｂから排気することにより不活性ガ
ス雰囲気下に置かれ、かつ好１しくは前処理室３０′１
念は気相成長室５０内の処理圧力との関係から適宜な減
圧圧力下に置かれる工うになっている。

ロードロック室８０．９０は、第１図において左右対称
の構造となっており、ロードロック室８０の断面が第３
図に示されている。ロードロック室８０．９０は公知の
ものと同様であり、内部にカセット８１．９１を載置す
るエレベータ８２　、’？２が設けられ、フタ８３．９
３によって開閉可能になされると共に、ウェハ搬送室Ｉ
Ｉに通じるウェハ搬送用の開口ｇ４．’？４はゲート弁
８５．９５によって開閉可能になされている。ロードロ
ック’Ｍｈｏ、９０には、ガス導入管８０ａ、９０ａと
排気管ｓｏｂ、９ｏｂが接続され、例えばウェハ搬送室
ＩＩがＩ）２ガス雰囲気下にある場合には、ロードロッ
ク室８０゜９０内の空気ｋＮｚガスに置換した後、Ｎ２
ガス雰囲気と（〜、″また逆にＩ−１２ガス全Ｎ２ガス
に置換した後にフタ８３．９３’を開くように構成され
、圧力は選択的に大気圧おＬびウニＩ・搬送室１１の圧
力と略等しく設定できるようになっている。

バッファ室１００．１１０は、第１図において左右対称
の構造となっており、バッファ室１００の断面が第３図
に示されている。パブ７７室１００゜０はウェハ搬送用
の開口１０１．１１１に工ってウェハ搬送室１１に連通
され、内部にはロードロック室８０内のエレベータ８２
と同様のエレベータ０２、＋１２が設けられ、その上に
カセット８１　と同様のカセッ）１０３，１１３が設置
されている。バッファ室１００，１１０は常にウェハ搬
送室１１に連通されており、前述したガス導入管＋１ａ
、３４ａ。

７３ａと対をなすガス導入管＋００３，１ｌｏａによっ
て同じガス、すなわち好ましくはＮ２ガスが供給される
工うになっている。

次いで本装置の作用について説明する。ウェハ搬送室１
１の排気管＋＋ｂから排気しつつ、互いに開口４８，５
８．ｌｏｔ、ＩＩ　１によって連通しているウェハ搬送
室１１．前処理室３０の下室３４．気相成長室５０の外
側室７３ならびにバッファ室１００゜１０のそれぞれの
ガス導入管＋　１ａ、３４ａ、７３ａ。

００ａ、１ｌＯａから不活性ガス、好壕しくはＮ２ガス
を供給し、前記の各室を所定圧力に減圧された不活性ガ
ス雰囲気下に置く。なお、これらの室の圧力は、前処理
室３０または気相成長室５０での処理圧力に関係させて
設定、例えば画処理圧力のうち高い方の処理圧力と略等
しく設定することが好ましい。

前処理室３０と気相成長室５０は、ウェハ搬送時以外は
、仕切板３７と内側ペルジャ５３に工っ（パ でそれＸれウェハ搬送室１１からしゃ断されているＯ また、ロードロック室８０．９０は、ゲート弁８５．９
５’ｒ開くことに工ってウェハ搬送室１１に連通され、
ガス導入管８０ａ、’７０ａから前記のガス導入管＋１
ａ等と同じ不活性ガス、好ましくはＮ２ガス全供給して
、ウェハ搬送室１１と同じ不活性ガス雰囲気下に置かれ
る。

ウェハＷを搬入する場合は、上記の状態から例えば、ロ
ードロック室８０のゲート弁８５を閉じ、排気管８０ｂ
から排気しつつ、ガス導入管８０ａがらの供給ガスｔＮ
ｚガスに切換え、ロードロック室８０を大気圧のＮ２ガ
ス雰囲気下に変えてフタ８３全開き、ウニ・・Ｗを装填
し之カセット８１をエレベータ８２」二にセットする。

次いで、フタ８３を閉じて、再び排気管８０ｂから排気
しつつ、ガス導入管１ａからＮ２ガスを所定時間供給し
てロードロック室８０内全空気がらＮ２ガスに置換した
後、Ｎ２ガスを供給して同室８０内をウェハ搬送室１１
と略等しい圧力のト）２ガス雰囲気とし、ゲート弁８５
を開く。

この動作と関連して前処理室３０用の昇降装置４０を作
動させて昇降＠３８ヲ介して仕切板３７−タ８２お工び
ウェハ支え４２の高さ位置制御とに工ってロードロック
室８０のカセット８Ｉに装填されているウェハｗ−６ウ
エハ支え４２に搬入する。このウェハ支え４２へのウェ
ハＷの搬入量は、カセット分、例えば２５枚程度とする
ことが好ましい。

ウェハ支え４２へのウェハＷの搬入が完了したならば、
昇降装置４０に裏って仕切板３７を再び閉じ、ヒータ４
９に工って昇温勾配全制御しつつウェハＷ　′ｆｃ９５
０〜１２００℃に加熱すると共に、排気管３６に１って
排気しつつ、ガス導入管３２がら所定量のＮ２ガスを供
給し、好ましくは２００Ｔｏｒｒ程度の減圧下において
ウェハＷの表面に形成された酸化膜を還元する。このＨ
２ガスによる酸化膜の還元は、上記９５０〜１２００℃
のうちの好１しくは低温部で３０〜４０分程度の時間全
損けて行うことが好ましく、これによりダメージが少な
く、エリピュアな面が得られる。

このＨ２ガスによる酸化膜の還元すなわち前処理が終了
したならば、好１しくけスリップを生じさせないように
ヒータ４９の降温勾配を制御しつつ、ウェノ・Ｗをスリ
ップの発生がない２００〜３００℃程度まで降温させて
から、再び仕切板３７を開くと共に、気相成長室５０用
の昇降装置５５を作動させ、トッププレート５４を介し
て内側ペルジャ５３および石英管６６を上昇させて気相
成長室５０にウェハ搬送室１１に対して開く。このとき
外側ペルジャ５６はベローズ５７が伸びることによって
閉じたままの状態に置かれる。

次いで、前処理を済ませ之つェノ・支え４２上のウェハ
Ｗｋ１枚だけ、ウェノ・搬送装置２０によってサセプタ
６１上へ搬入する。ウェノ１支え４２上の残りのウェノ
・Ｗは、その−！！−！置いてもよいが、好ましくは次
の前処理を行う定め、バッファ室１００のカモブト１０
３上へ移送する。

サセプタ６１上へ１枚のウェハＷが搬入されると、内側
ペルジャ５３が再び閉じられ、ヒータ６２に工ってウェ
ハｗｌガス導入管６７から供給する反応ガスの種類に応
じて９５０〜１２００℃に加熱すると共に、モータ６５
によってサセプタ６１ヲ回転させる。気相成長室５０内
における処理は、公知の気相成長と同様であり、ガス導
入管６７からウェハＷの表面に向けて反応ガスを供給し
つつ、排気管６８から排気して行うが、上記の↓うｌ前
処理に工っでウェハＷの表面をエリピュアな状態にして
おけば、例えば反応ガスがＳｉＨ４の場合、’７５０℃
程度の温度でエピタキシャル成長させることが可能とな
り、欠陥のより少ない膜を得ることができる。なお、こ
のとき、サセプタ６．１３００Ｏｒｐｍ程度で回転させ
れば、エリ均一な比抵抗分布お：び膜厚分布が得られる
。気相成長に要する時間は、成長させる膜厚に工って異
なるが、−船釣な半導体ウェハ仕様ｆなわち５μｍ程度
の膜形成は３分程度でよい。気相成長全所定時間行った
に降温し１、内側ペルジャ５３全開いてウェハ搬送装置
２０により該ウェハＷをロードロック室８０内のカセッ
ト８１に戻す。なお、このカセフト８１へのウェハＷの
戻しは、搬入時の位置へ戻すことが好ましいことは言う
１でもない。前記気相成長室５０へのウェハ搬入から搬
出までに要する時間は、昇温、降温時間を含めて前記気
相成長時間に前後各１分程度を加えた時間、すなわち５
分程度である。

こうして１枚のウェハＷに対する気相成長が終了したな
らば、バッファ室１００内の残りのウェハＷ’に１枚づ
つ順次処理するが、バッファ室１００お工びウェハ搬送
室１１ばＦ１２ガスなどの不活性ガス雰囲気下に置かれ
ているため、前処理されたウェハＷはピュアな状態に保
たれる。

なお、前処理室３０での１バツチの処理枚数を２５枚と
し、気相成長室５０での１枚のウェハの処理が５分であ
ったとすると、気相成長室５０が前記１バツチ分を処理
するのに１２５分を要する。

他方、前処理は上記のように４００分程でよいため、ロ
ードロック室９０お工びバッファ室＋１０全用いて、上
記気相成長処理中に次の１バツチ分前述した実施例は、
前処理室３０と気相成長室５０に１つづつ設けた例を示
したが、前処理室３０の処理能力に合わせて気相成長室
５０を２つ以上設けてもよ＜、ｔｉ、バッファ室１００
，１１０は省いたり、さらにはロードロック室およびバ
ッファ室全適宜増減しても工い等、種々変更可能である
。

〔発明の効果〕

以上述べたように本発明によれば、前処理室と気相成長
室がウェノ・搬送室によって完全に分離可能に構成され
ているため、前処理と気相成長とを互いに他に影響全及
ぼすことなく行うことができ、かつ前処理をバッチ処理
とし、気相成長を枚葉処理としたため、大口径ウェハに
対し高品位の気相成長を容易に確実にかつ能率的に行う
ことができる効果が得られる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の実施例を示す概要平面図、第２図は第
１図のｎ−■線による展開断面図、第３図は第１図の■
−ｍ線による展開断面図である。 ・・・ウェハ搬送室、 ２０・・・ウェノ・搬送装置、 ３０・・・前処理室、　３１・・・石英管、３４・・・
下室、　３７・・・仕切板、４０・・・昇降装置、　４
５・・・回転軸、４７・・・マグネットカップリング、 ４ｇ　、５ｇ　、８５　＋９５．Ｉｏ　ｌ　−ｌ　１　
ｌ・・・開口、４９・・・ヒータ、　５０・・・気相成
長室、５３・・・内側ペルジャ、　５５・・・昇降装置
、５６・・・外側ペルジャ、　６１・・・サセプタ、６
２・・・ヒータ、６６・・・石英管、７１・・・温度セ
ンサ、　７３・・・外側室、８０．９０・・・ロードロ
ック室、 ８２　、’？２・・・エレベータ、　８３．９３・・・
フタ、８５．９５・・・ゲート弁、 ００、＋１０・・・バブファ室、 １０２．１１２・・・エレベータ。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、内部が不活性ガス雰囲気下に置かれるウェハ搬送室
   と、同ウェハ搬送室内に設けられた旋回かつ半径方向に
   伸縮可能なウェハ搬送装置と、前記ウェハ搬送室の周囲
   にそれぞれウェハ搬送用の開口を介して接続可能になさ
   れた前処理室、気相成長室ならびにロードロック室とか
   らなり、 前記前処理室は複数のウェハを多段に支持して前記ウェ
   ハ搬送室からしゃ断可能に構成されると共にウェハを加
   熱してＨ＿２ガスによりウェハ表面酸 の酸化膜を還元すべく構成され、 前記気相成長室は１枚のウェハを支持して前記ウェハ搬
   送室からしゃ断可能に構成されていることを特徴とする
   気相成長装置。 ２、前処理室は、ウェハを支持して昇降する仕切板によ
   ってウェハ搬送室からしゃ断されるように構成されてい
   ることを特徴とする請求項１記載の気相成長装置。 ３、気相成長室は、昇降可能な内側ペルジャによってウ
   ェハ搬送室からしゃ断されるように構成されていること
   を特徴とする請求項１または２記載の気相成長装置。 ４、気相成長室のウェハ支持部は、ウェハ中心を回転中
   心として３０００ｒｐｍ程度で回転可能に構成されてい
   ることを特徴とする請求項１、２または３記載の気相成
   長装置。 ５、ウェハ搬送室の周囲にウェハ搬送用の開口を介して
   複数のウェハをストックするバッファ室が設けられてい
   ることを特徴とする請求項１、２、３または４記載の気
   相成長装置。