JPH03153102A - マイクロ波モノリシック集積回路 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野］ 本発明はマイクロ波モノリシック集積回路に関し、特に
マイクロストリップ型分布定数線路を用いたマイクロ波
モノリシック集積回路の高周波信号用電極に関する。

〔従来の技術〕

従来、マイクロストリップ型分布定数線路を用いたマイ
クロ波モノリシック集積回路は、半導体基板裏面に形成
された導体面を１つの共通接地電極とし、もう１つの電
極として信号の入力又は出力用電極を半導体基板表面に
形成していた。

〔発明が解決しようとする課題〕

従来のモノリシック集積回路は、扱う信号周波数が比較
的低いため安価なパッケージに組立封入後に高周波特性
を測定して良品の選別を行なっており、万一不良品が発
生しこれを廃棄しても、付加価値としてはそれほど高く
なく十分採算がとれていた。

しかしながら、扱う信号周波数がマイクロ波周波数の様
に高くなるにつれ、パッケージによる特性劣化を防ぐ為
に精密で高価なパッケージが必要とされる様になり、パ
ッケージ封入後の不良品発生は良品の原価に大きく影響
する。この為、組立用人前に高周波特性を３めて１゛７
エハ状態のまま良品ｊズ別を行なう必要が生じて来ｆ、
。

１述び）従来の精密高価なパッケージを用いるマイクｉ
ｌｌ波上ノリシック集積回路では、接地導体が半導体基
板裏＋ｎｉ　Ｌ−１入出力イ響号用電極が半導体基板人
＋ｆ１ｉにある。１−の／）、つＪ゛ハ状態の高周波特
ｒ１評価に際１−２では、通常、Ｊｊ口ｒ器から同軸ウ
ーフルにて供給される同軸モードの高周波１２号をマイ
タ℃７ス）ヘリツブモードに変換１〜で供給する・ビ・
要がある。

１〜かじ、高周波プローブ部分て、高周波の波長に村し
て無視出来ない長さに渡−）で４１マイクロストす・ツ
ブモードとなり、正常な測定が出−末なくなる。ｔ；ｔ
−）で　市販の高周波プローブ装置は、１訊号伝達路を
一平面で構成出来、被測定集積回路の近イ５７土て均一
・モー１−て１５１吋伝達か行なえる＝７ブし−す線路
又はス冒・ｌ、　ｌ−線路横）ろになっている。

しかしながら、マイク〔７ス１へり・ノブモート分布定
数よ♀路を用いた集積回路では、電気力線は半導体周板
裏面の接地面と半導体基板表面との間にノドじているの
て゛、このままでは高周波ア１７−ブと集積回路との間
ての伝播モートの不整合が４−じる／Ｓ、使用出来ない
とい５Ｘ点がある、し課題を解決するための手段１ 本発明のマイク［７波王１．ノリン・・／りｑ、積回路
は、１す、げ入力文（引信号出力用電極と、これと対を
成ず年積回路士導体基板裏面に形成され？、１共連接地
電極としての接地用導体面と導電性バイアポールで接続
さｉ−＋か接地用電極を集積回路半導体基板表面に有し
ている。

［実施例〕 次に本発明について図面を参１■（（ｉ−２で説［ＩＪ
］−ｄ−る、第１図は本発明の第１の実施例の説明図て
あり、第１図（ａ、　）は電極配置と導電性バイアポー
ルの関係を示す平面図、第１図１）、（Ｃ）はｆ！！Ｉ
Ｉ　１ｒｉｉ図である。第１図（ｌ−）　）　、　　（
（１：　）には、１１解を容騎にするノ）に高周波プロ
ーブもずく１加しである。

第１し１にお（、ビζ、１はマイクロ波モノリシック集
積回路を構成する半導体基板、２は高周波信号人力（又
は出力）電極、３は接地用電極、４は接地用電極３と半
導体基板１の裏面に形成されＡ：共通接地電極５を結ぶ
導電性バイアポール、０は高周波プローブ装置のへ・・
ノド部を構成する誘電体基板、７，８は高周波ブ冒−ブ
用接触宇）である。

ここて、電極２を信号入力電極と仮定して、動作を詳細
に説明する。

［マ１示されない高周波信号発生器で発生された高周波
信号は、へ・ソド部６の表面に形成されたスロットライ
ン若しくはコブ１）−ナラインにより、接触針７．８へ
導かれる１、この時、高周波電流はへ・ソ）・部０の誘
電体内部及び近傍の空間に電界を形［戊１２、第１し１
（ｃ）のＡの様な電界を形成しなかｔ、１云措し、接触
＆Ｌ７．８の間に高周波電圧を生ずる、 −ｊｉ、電極２に接続されている分布定数線路はり二連
接地電極５との間に高周波電流Ｂが流れる、二゛二Ｇこ
よりマイクＩＶス１へり・ツブモードの分４１定数線路
として正常に機能１〜、接触針８の電流を導電性バイア
ホール４を庁して半導体基板１の裏面の共通接地電極５
へ流１１、これを実現する。

−の様に、高周波プローブヘッド部のスロワ１−ライン
モー１〜又はコプレーナモードを入力電極部でマイクロ
スｌ−リ・ツブモードに変換してやる串により、パック
・−ジに組立てずとも高周波鴇゛性を測定ｉ＋Ｊ能とす
る。

第１図（ａ）は簡便の為に１つの集積回路チップの図と
して説明したが、同一チップの集合体であるウェハ状態
でも全く同じ事が出来、ウェハ＋の全てのチップの特性
を全て測定することにより、チップの良品選別が出来る
。信号出力部に関１〜ても同様の構造をとることにより
、集積回路からの信号は測定器へ導かれる。

第２図は本発明の第２の実施例の平面図であり、入力電
極（又は出力電極）が複数ある場合を示す。この場合は
、高周波プローブもこれに合せて作成する必要があるが
、接地用電極３は共通に用い、導電性バイアポール／１
で半導体基板１の裏面の共通接地電極５へ接続される。

［−発明の効果〕 以上説明したように本発明は、マイクロス１〜リツプ型
分布定数線路を用いたマ、イクロ波モノリシック集積回
路において、信号入力電極若しくは信号出力電極と対に
なる接地電極を半導体基板表面上に設け、これを導電性
バイアホールにて半導体半導体屑板裏面の共通接地電極
と接続することにより、市販のスロットモード又はコプ
レーナモー１〜の高周波プローブを用いて、ウェハ状態
で高周波特性を測定出来、良品選別かり能となるｌ）、
パッケージ組立後に不良品を廃棄する事がなくなり原価
低減に効果かある。

ド部の誘電体基板、７ 触針。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 　マイクロストリップ型分布定数線路を用いて構成する
   マイクロ波モノリシック集積回路において、前記マイク
   ロ波モノリシック集積回路が形成される半導体基板の表
   面に高周波信号用入力電極又は出力電極と対をなす接地
   電極を設け、前記接地電極と前記半導体基板の裏面に形
   成された接地用導体面とを前記半導体基板を貫通して開
   けた導電性バイアホールにより接続したことを特徴とす
   るマイクロ波モノリシック集積回路。