JPH03227091A - 光半導体装置 - Google Patents

光半導体装置

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Publication number
JPH03227091A
JPH03227091A JP2023490A JP2349090A JPH03227091A JP H03227091 A JPH03227091 A JP H03227091A JP 2023490 A JP2023490 A JP 2023490A JP 2349090 A JP2349090 A JP 2349090A JP H03227091 A JPH03227091 A JP H03227091A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
optical
optical fiber
output
tip
dielectric film
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Pending
Application number
JP2023490A
Other languages
English (en)
Inventor
Kazutoyo Akase
赤瀬　一豊
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
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Filing date
Publication date
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Pending legal-status Critical Current

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Classifications

    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
    • G02B6/24—Coupling light guides
    • G02B6/42—Coupling light guides with opto-electronic elements
    • G02B6/4201—Packages, e.g. shape, construction, internal or external details
    • G02B6/4204—Packages, e.g. shape, construction, internal or external details the coupling comprising intermediate optical elements, e.g. lenses, holograms
    • G02B6/4207—Packages, e.g. shape, construction, internal or external details the coupling comprising intermediate optical elements, e.g. lenses, holograms with optical elements reducing the sensitivity to optical feedback

Landscapes

  • Optical Couplings Of Light Guides (AREA)
  • Semiconductor Lasers (AREA)
  • Optical Communication System (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、光半導体装置に関し、特に光通信用、光計測
用低出力レーザダイオードモジュールに関する。
〔従来の技術〕
従来、この種のレーザダイオードモジュールは構成され
る光半導体発光素子の特性及び光学部品の設計により光
ファイバからの光出力はほぼ決定される。しかもその設
計はできる限り大出力を得ることを目的としたものであ
った。そのため最大出力値の数％〜数１０％の低出力を
得る場合は、第２図に示すように光学系２で集光された
光ビーム３のビームウェスト６から光ファイバ４の端面
を遠ざけることにより光出力を低下させていた。
〔発明が解決しようとする課題〕
上述した従来の低出力レーザダイオードモジュールは、
光出力がドライブ電流の変化及びレーザダイオードの温
度変化により異常な振舞いをするものが発生するという
欠点が有る。これはビームウェストから遠く離れた位置
で光ファイバに結合しているためで、ファーフィールド
バタン（ＦＦＰ）の変動の影響を受けるためである。こ
の現象は光出力の低減率を大きくすればするほど顕著に
なるため５０％程度の低減率が限界であった。また、５
０％低減させると、不具合品の発生率は２０％程度であ
り、大きな問題であった。この不具合を解決するために
はビームウェスト近傍で光ファイバに結合しなければな
らない。
〔発明が解決しようとする課題〕
本発明の光半導体装置は、先端が斜めに研磨されかつ先
端に高い反射率を有する誘電体膜が蒸着された光ファイ
バと、光半導体発光素子と、この光半導体発光素子から
放射される光ビームを集光する光学系とを有しており、
光ファイバ端は光ビームウェスト近傍に固定されている
。
〔実施例〕
次に本発明について図面を参照して説明する。
第１図は本発明の一実施例の概略構成図である。
半導体発光素子１より放射された光ビーム３は光学系で
集光されビームウェスト６を形成する。光ファイバ４の
先端は反射戻り光を考慮して約９゜に傾けて研磨されて
いる。さらに光ファイバ４の先端には誘電体膜５が蒸着
されている。所望の光出力を得るためこの反射率は任意
に選定することができる。例えば、誘電体膜５が無いと
きの光出力が１ｍＷ得られるとき、１０μＷを得ないと
きは誘電体膜５の反射率は約９９％とすればよく、１０
０μＷを得たいときは約９０％とすれば良い、また、光
フアイバ先端の斜め研磨角度については６°〜２０°の
範囲が有効である。
〔発明の効果〕
以上説明したように本発明は、光フアイバ先端を斜めに
研磨し反射率の高い誘電体膜を蒸着することにより、フ
ァフィールドバタンの変動の影響を受けることなく、光
フアイバ出力を低減させることができる効果がある。こ
れにより光出力は数％〜数十％まで広い範囲で任意に低
減できかつ、ＦＦＰの影響を全く受けないため光出力が
変動する不具合の発生もなく安定して高い歩留で製造で
きる利点がある。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明の一実施例の概略構成図、第２図は従来
の光半導体装置の概略構成図である。 １・・・光半導体発光素子、２・・・光学系、３・・・
光ビーム、４・・・光ファイバ、５・・・誘電体膜、６
・・・ビームウェスト。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 　光半導体発光素子と、この光半導体発光素子より放出
    される光線を集光する光学系と、光ファイバとを有する
    光半導体装置において、前記光ファイバの端部が斜めに
    研磨されかつ高い反射率を有する誘電体膜が蒸着されて
    いることを特徴とする光半導体装置。
JP2023490A 1990-01-31 1990-01-31 光半導体装置 Pending JPH03227091A (ja)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111884039A (zh) * 2020-08-26 2020-11-03 广东瑞谷光网通信股份有限公司 一种新型光发射激光器、光发射组件及其组装方法

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111884039A (zh) * 2020-08-26 2020-11-03 广东瑞谷光网通信股份有限公司 一种新型光发射激光器、光发射组件及其组装方法
CN111884039B (zh) * 2020-08-26 2021-10-29 广东瑞谷光网通信股份有限公司 一种光发射激光器、光发射组件及其组装方法

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