JPH03253572A - 真空容器内加熱装置 - Google Patents
真空容器内加熱装置Info
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- JPH03253572A JPH03253572A JP4955490A JP4955490A JPH03253572A JP H03253572 A JPH03253572 A JP H03253572A JP 4955490 A JP4955490 A JP 4955490A JP 4955490 A JP4955490 A JP 4955490A JP H03253572 A JPH03253572 A JP H03253572A
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- substrate
- heat
- heater
- reflecting plate
- heat reflecting
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Landscapes
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、熱透過率の高い単板状基材、例えばガラス基
板を真空装置内で均一に加熱する装置に関し、ａ−３ｉ
太陽電池のａ−３ｉ薄膜を形成するプラズマＣＶＤ装置
内のガラス基板を加熱するのに有利に適用される真空容
器内の加熱装置に関する。
板を真空装置内で均一に加熱する装置に関し、ａ−３ｉ
太陽電池のａ−３ｉ薄膜を形成するプラズマＣＶＤ装置
内のガラス基板を加熱するのに有利に適用される真空容
器内の加熱装置に関する。
従来、高温に加熱された表面での化学反応により薄膜を
作成するＣＶＤ法の反応空間にプラズマを導入したプラ
ズマＣＶＤ装置内の加熱装置は、基本的には第５図の（
ａ）に示すように、ヒーター１で基板２を直接加熱する
か、あるいは、（ｂ）図のようにヒーター１と基板２の
間に均熱板（金属）３を置いて基板２上の温度分布にむ
らができないようにしたものであった。しかし第５図の
（ａ）の場合もら）の場合も基板２の熱透過率が高いた
めにヒーター１からの熱が透過してしまい、基板２を効
率よく加熱できず、また、第６図（ａ）、（ｂ）に示す
ように基板２である温度勾配ができてしまい、これが基
板２のそりの原因となっていた。
作成するＣＶＤ法の反応空間にプラズマを導入したプラ
ズマＣＶＤ装置内の加熱装置は、基本的には第５図の（
ａ）に示すように、ヒーター１で基板２を直接加熱する
か、あるいは、（ｂ）図のようにヒーター１と基板２の
間に均熱板（金属）３を置いて基板２上の温度分布にむ
らができないようにしたものであった。しかし第５図の
（ａ）の場合もら）の場合も基板２の熱透過率が高いた
めにヒーター１からの熱が透過してしまい、基板２を効
率よく加熱できず、また、第６図（ａ）、（ｂ）に示す
ように基板２である温度勾配ができてしまい、これが基
板２のそりの原因となっていた。
従来の加熱装置では第５図、第６図に示すように、ガラ
ス基板２の高い熱透過率のためにヒーター１からの伝熱
がうまくいかず熱が透過してしまうので基板２の温度が
思うように上昇せず、また、ガラス基板２で温度勾配が
できてこれが基板２のそりの原因となっていた。さらに
基板２がそってしまうと、ヒーターｌからの加熱、伝熱
の状態が均一でなくなり、ガラス基板２上に温度分布が
できて、ますます状態が悪くなる。
ス基板２の高い熱透過率のためにヒーター１からの伝熱
がうまくいかず熱が透過してしまうので基板２の温度が
思うように上昇せず、また、ガラス基板２で温度勾配が
できてこれが基板２のそりの原因となっていた。さらに
基板２がそってしまうと、ヒーターｌからの加熱、伝熱
の状態が均一でなくなり、ガラス基板２上に温度分布が
できて、ますます状態が悪くなる。
本発明は上記技術水準に鑑み、従来技術におけるような
不具合が発生しない熱透過率の高い単板状基材を加熱す
ることができる真空容器内加熱装置を提供しようとする
ものである。
不具合が発生しない熱透過率の高い単板状基材を加熱す
ることができる真空容器内加熱装置を提供しようとする
ものである。
本発明は真空容器内でヒーターにより、熱透過率の高い
単板状基板を加熱する装置であって、該基板をはさんで
ヒーターの反対側に熱反射板を設置してなることを特徴
とする真空容器内加熱装置である。
単板状基板を加熱する装置であって、該基板をはさんで
ヒーターの反対側に熱反射板を設置してなることを特徴
とする真空容器内加熱装置である。
すなわち、本発明は第１図（ａ）、 （ｂ）に示すよう
に基板２をはさんでヒーター１と反対側に熱反射板４を
設置することにより従来の加熱方式の問題点を解決した
ものである。
に基板２をはさんでヒーター１と反対側に熱反射板４を
設置することにより従来の加熱方式の問題点を解決した
ものである。
本発明真空容器内加熱装置は第１図（ａ）に示すように
基板２をはさんでヒーター１と反対側に熱反射板４を設
置するだけでもよいが、第１図〜）に示すように第１図
（ａ）の基板２のヒーター１側に従来法で説明したよう
な均熱板３を更に設置することもできる。
基板２をはさんでヒーター１と反対側に熱反射板４を設
置するだけでもよいが、第１図〜）に示すように第１図
（ａ）の基板２のヒーター１側に従来法で説明したよう
な均熱板３を更に設置することもできる。
本発明真空容器内加熱装置に設置される熱反射板は、Ｓ
ＵＳなどの金属の表面を鏡面加工したものや、ガラスな
どの基板に熱反射率の高いコーテイング材をスパッタリ
ングあるいは蒸着法などによりコーティングしたものな
どが用いられる。図中、Ａは熱反射板４の反射面を示す
。
ＵＳなどの金属の表面を鏡面加工したものや、ガラスな
どの基板に熱反射率の高いコーテイング材をスパッタリ
ングあるいは蒸着法などによりコーティングしたものな
どが用いられる。図中、Ａは熱反射板４の反射面を示す
。
本発明真空容器内加熱装置のような構成にすることによ
り、ガラス基板２を透過した熱は熱反射板４により反射
され、裏面から基板２が暖められることになり、温度上
昇をはかることができる。また基板２表面に均熱板３を
設置すれば基板２上での温度分布をなくすことができ、
さらに加熱、伝熱状態をよりよくすることができ、全体
的に温度上昇がはかれる。
り、ガラス基板２を透過した熱は熱反射板４により反射
され、裏面から基板２が暖められることになり、温度上
昇をはかることができる。また基板２表面に均熱板３を
設置すれば基板２上での温度分布をなくすことができ、
さらに加熱、伝熱状態をよりよくすることができ、全体
的に温度上昇がはかれる。
本発明の一実施例を第２図によって説明する。
第２図の装置は大面積薄膜（ａ−３ｉ膜）懲戒可能なプ
ラズマＣＶＤ装置の概略図である。反応ガス導入孔６か
ら真空容器４内に導入された反応ガスは、プラズマ電源
８により電圧のかかった電極９間あるいは電極９と均熱
板３間で成膜粒子としてプラズマ化され、磁界変調コイ
ル５により磁場のかかった真空容器４内で均一に分散さ
れて、基板２の表面に均一な薄膜として成膜する。この
ときこのガラス基板２はヒーター１により均熱板３を通
して加熱されており、ガラス基板２を透過した熱は鏡面
加工あるいは金などの熱反射率の高いコーテイング材を
蒸着（あるいはスパッタリング）した真空容器４の内壁
面Ａ（熱反射面）で反射されヒーター１とは逆の面から
ガラスを加熱する。真空容器４の内面全体を熱反射面Ａ
とすることによりガラス基板２の温度上昇をはかること
ができそりも抑制できる。
ラズマＣＶＤ装置の概略図である。反応ガス導入孔６か
ら真空容器４内に導入された反応ガスは、プラズマ電源
８により電圧のかかった電極９間あるいは電極９と均熱
板３間で成膜粒子としてプラズマ化され、磁界変調コイ
ル５により磁場のかかった真空容器４内で均一に分散さ
れて、基板２の表面に均一な薄膜として成膜する。この
ときこのガラス基板２はヒーター１により均熱板３を通
して加熱されており、ガラス基板２を透過した熱は鏡面
加工あるいは金などの熱反射率の高いコーテイング材を
蒸着（あるいはスパッタリング）した真空容器４の内壁
面Ａ（熱反射面）で反射されヒーター１とは逆の面から
ガラスを加熱する。真空容器４の内面全体を熱反射面Ａ
とすることによりガラス基板２の温度上昇をはかること
ができそりも抑制できる。
なお、第２図中、７は反応ガス排出孔、１０は成膜粒子
、１１はグロー放電プラズマ、１２は磁界の方向、１３
はａ−３ｉ薄膜を示す。
、１１はグロー放電プラズマ、１２は磁界の方向、１３
はａ−３ｉ薄膜を示す。
上記実施例装置と従来装置（熱反射面、Ａを設けないも
の〉のヒーター温度に対する基板表面温度の関係を第３
図に示す。また、その時の両者装置における基板上の温
度分布の一例を第４図に示す。第３図、第４図より本発
明真空容器内加熱装置によれば従来装置より基板の温度
上昇率が高く、かつ温度分布の探検も優れていることが
判る。
の〉のヒーター温度に対する基板表面温度の関係を第３
図に示す。また、その時の両者装置における基板上の温
度分布の一例を第４図に示す。第３図、第４図より本発
明真空容器内加熱装置によれば従来装置より基板の温度
上昇率が高く、かつ温度分布の探検も優れていることが
判る。
以上、本発明真空容器内加熱装置としてａ−３ｉＯ□薄
膜を形成するプラズマＣＶＤ装置を例にあげて説明した
が、本発明は半導体プロセスでの窒化膜、酸化膜、ＰＳ
Ｇ薄膜作成のプラズマＣＶＤ装置にも適用できることは
勿論である。
膜を形成するプラズマＣＶＤ装置を例にあげて説明した
が、本発明は半導体プロセスでの窒化膜、酸化膜、ＰＳ
Ｇ薄膜作成のプラズマＣＶＤ装置にも適用できることは
勿論である。
本発明によれば真空中でヒーターによりガラスなどの熱
透過率の高い単板状基板を加熱する場合に、基板をはさ
んでヒーターと反対側に熱反射板として鏡面加工を施し
たＳＵＳなどの金属板あるいは、熱反射率の高い金など
を蒸着（あるいはスパッタリング）したガラスなどの基
板を設置することによりガラス基板を透過して逃げた熱
を反射し基板を逆の面から加熱しガラス基板の温度上昇
をはかることができる。
透過率の高い単板状基板を加熱する場合に、基板をはさ
んでヒーターと反対側に熱反射板として鏡面加工を施し
たＳＵＳなどの金属板あるいは、熱反射率の高い金など
を蒸着（あるいはスパッタリング）したガラスなどの基
板を設置することによりガラス基板を透過して逃げた熱
を反射し基板を逆の面から加熱しガラス基板の温度上昇
をはかることができる。
プラズマＣＶＤ装置に適用すれば大面積薄膜の成形が可
能となる。
能となる。
第１図は本発明真空容器内加熱装置の原理の説明図、第
２図に本発明の一実施例としてａ−３ｉ膜形成可能なプ
ラズマＣＶＤ装置に適用した場合の具体的な真空容器加
熱装置の構成国、第３図は本発明装置の効果を示す図表
でヒーター温度に対するガラス基板表面温度を従来の真
空容器内加熱装置の場合と対比して示した図表、第４図
も同じく本発明装置の効果を示す図表で、従来装置にお
ける基板表面温度の分布と対比して示した図表、第５図
は従来の真空容器内加熱装置の原理の説明図、第６図は
同従来装置の欠点を示す説明図である。
２図に本発明の一実施例としてａ−３ｉ膜形成可能なプ
ラズマＣＶＤ装置に適用した場合の具体的な真空容器加
熱装置の構成国、第３図は本発明装置の効果を示す図表
でヒーター温度に対するガラス基板表面温度を従来の真
空容器内加熱装置の場合と対比して示した図表、第４図
も同じく本発明装置の効果を示す図表で、従来装置にお
ける基板表面温度の分布と対比して示した図表、第５図
は従来の真空容器内加熱装置の原理の説明図、第６図は
同従来装置の欠点を示す説明図である。
Claims (1)
- 真空容器内でヒーターにより、熱透過率の高い単板状
基板を加熱する装置であって、該基板をはさんでヒータ
ーの反対側に熱反射板を設置してなることを特徴とする
真空容器内加熱装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4955490A JPH03253572A (ja) | 1990-03-02 | 1990-03-02 | 真空容器内加熱装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4955490A JPH03253572A (ja) | 1990-03-02 | 1990-03-02 | 真空容器内加熱装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03253572A true JPH03253572A (ja) | 1991-11-12 |
Family
ID=12834420
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4955490A Pending JPH03253572A (ja) | 1990-03-02 | 1990-03-02 | 真空容器内加熱装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03253572A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006190731A (ja) * | 2005-01-04 | 2006-07-20 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | 基板加熱装置、真空装置及び基板加熱方法 |
-
1990
- 1990-03-02 JP JP4955490A patent/JPH03253572A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006190731A (ja) * | 2005-01-04 | 2006-07-20 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | 基板加熱装置、真空装置及び基板加熱方法 |
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