JPH03261654A - 電圧依存性非直線抵抗体磁器組成物およびバリスタの製造方法 - Google Patents
電圧依存性非直線抵抗体磁器組成物およびバリスタの製造方法Info
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- JPH03261654A JPH03261654A JP2061462A JP6146290A JPH03261654A JP H03261654 A JPH03261654 A JP H03261654A JP 2061462 A JP2061462 A JP 2061462A JP 6146290 A JP6146290 A JP 6146290A JP H03261654 A JPH03261654 A JP H03261654A
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- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は電気機器、電子機器で発生する異常高電圧、ノ
イズ、静電気などから、機器の半導体および回路を保護
するためのコンデンサ特性とバリスタ特性を有する電圧
依存性非直線抵抗体るｎ器組底物およびバリスタの製造
方法に関するものである。
イズ、静電気などから、機器の半導体および回路を保護
するためのコンデンサ特性とバリスタ特性を有する電圧
依存性非直線抵抗体るｎ器組底物およびバリスタの製造
方法に関するものである。
従来の技術
従来、各種の電気機器、電子機器における異常高電圧の
吸収、ノイズの除去、火花消去、静電気対策のために、
電圧依存性非直線抵抗特性を有するＳｉＣバリスタや、
ＺｎＯ系バリスタなどが使用されている。このようなバ
リスタの電圧−ｒｉ流時特性近似的に次式のように表す
ことができる。
吸収、ノイズの除去、火花消去、静電気対策のために、
電圧依存性非直線抵抗特性を有するＳｉＣバリスタや、
ＺｎＯ系バリスタなどが使用されている。このようなバ
リスタの電圧−ｒｉ流時特性近似的に次式のように表す
ことができる。
１＝（Ｖ／ｃ）α
ここで、ｌは電流、■は電圧、Ｃはバリスタ固有の定数
、αは電圧−電流非直線指数である。
、αは電圧−電流非直線指数である。
ＳｉＣバリスタのαは２＝７程度、ＺｎＯ系バリスタで
はαが５０にもおよぶものがある。このようなバリスタ
は比較的高い電圧の吸収には優れた性能を有しているが
、誘電率が低く、固有の静電容量が小さいため、バリス
タ電圧以下の比較的低い電圧の吸収にはほとんど効果を
示さず、また誘電損失ｔａｎδが５〜１０％と大きい。
はαが５０にもおよぶものがある。このようなバリスタ
は比較的高い電圧の吸収には優れた性能を有しているが
、誘電率が低く、固有の静電容量が小さいため、バリス
タ電圧以下の比較的低い電圧の吸収にはほとんど効果を
示さず、また誘電損失ｔａｎδが５〜１０％と大きい。
一方、これらの低電圧のノイズなどの除去には見かけの
誘電率が５Ｘ１０’程度で、ｔａｎδが１％前後の半導
体コンデンサが利用されている。しかし、このような半
導体コンデンサはサージなどによりある限度以上の電圧
または電流が印加されると、静電容量が減少したり破壊
したりしてコンデンサとしての機能を果たさなくなった
りする。
誘電率が５Ｘ１０’程度で、ｔａｎδが１％前後の半導
体コンデンサが利用されている。しかし、このような半
導体コンデンサはサージなどによりある限度以上の電圧
または電流が印加されると、静電容量が減少したり破壊
したりしてコンデンサとしての機能を果たさなくなった
りする。
そこで最近になって５ｒＴｉＯｘを主成分とし、バリス
タ特性とコンデンサ特性の両方の機能を有するものが開
発され、コンピュータなどの電子機器におけるＩＣ，Ｌ
ＳＩなどの半導体素子の保護に利用されている。
タ特性とコンデンサ特性の両方の機能を有するものが開
発され、コンピュータなどの電子機器におけるＩＣ，Ｌ
ＳＩなどの半導体素子の保護に利用されている。
発明が解決しようとする課題
上記の５ｒＴｉＯｚを主成分とするバリスタとコンデン
サの両方のｍ能を有する素子は、ＺｎＯ系バリスタに比
べ誘電率が約１０倍と大きいが、αやサージ耐量が小さ
く、バリスタ電圧を低くすると特性が劣化しやすいとい
った欠点を有していた。
サの両方のｍ能を有する素子は、ＺｎＯ系バリスタに比
べ誘電率が約１０倍と大きいが、αやサージ耐量が小さ
く、バリスタ電圧を低くすると特性が劣化しやすいとい
った欠点を有していた。
そこで本発明では、誘電率が大きく、バリスタ電圧が低
く、αが大きいと共にサージ耐量が大きい電圧依存性非
直線抵抗体磁器＆＋１戒物およびバリスタの製造方法を
提供することを目的とするものである。
く、αが大きいと共にサージ耐量が大きい電圧依存性非
直線抵抗体磁器＆＋１戒物およびバリスタの製造方法を
提供することを目的とするものである。
課題を解決するための手段
上記課題を解決するために本発明では、Ｓｒ、。
Ｍｇ、Ｔｉ０ｚ（０，００１≦に≦０．３００） （以
下、第１成分と呼ぶ）を９０．００（１〜９９．９９８
＋ｅｏ１！ＸＮｂｔＯｓ、Ｔａｚ０５．ｌｌ０ｚ、０ｙ
ｚＯ１Ｙ２（１４，Ｌａ２０Ｊ、ｃｅｏｚ、Ｓ”１２０
：＋＋ＰｒｂＯ＋ ＋、ＮｄｚＯ＊のうち少なくとも１
神類以上（以下、第２戒分と呼ぶ）を０．００１〜５．
０００ｍｏｌχ、＾１ｚＯ＝、５ｂｚｏ３．ＢａＯ，Ｂ
ｅＯ，Ｉ”ｂＯＢｚＯｚ 、ＣｒｚＯｚ 、 Ｆｅｚｅ
ｓ、 ｃａｏ、 Ｋ ｔＯ，Ｃａｂ、 Ｃｏ２０ｚ、
Ｃｕｂ、 Ｃｕ ２０゜しｉｚＯ，ＬｉＦ、ＭｇＯ，Ｍ
ｎ０ｚ、ＭｏＯ３，ＮａｚＯ，ＮａＦ、ＮｉＯ，Ｒｈｔ
Ｏ。
下、第１成分と呼ぶ）を９０．００（１〜９９．９９８
＋ｅｏ１！ＸＮｂｔＯｓ、Ｔａｚ０５．ｌｌ０ｚ、０ｙ
ｚＯ１Ｙ２（１４，Ｌａ２０Ｊ、ｃｅｏｚ、Ｓ”１２０
：＋＋ＰｒｂＯ＋ ＋、ＮｄｚＯ＊のうち少なくとも１
神類以上（以下、第２戒分と呼ぶ）を０．００１〜５．
０００ｍｏｌχ、＾１ｚＯ＝、５ｂｚｏ３．ＢａＯ，Ｂ
ｅＯ，Ｉ”ｂＯＢｚＯｚ 、ＣｒｚＯｚ 、 Ｆｅｚｅ
ｓ、 ｃａｏ、 Ｋ ｔＯ，Ｃａｂ、 Ｃｏ２０ｚ、
Ｃｕｂ、 Ｃｕ ２０゜しｉｚＯ，ＬｉＦ、ＭｇＯ，Ｍ
ｎ０ｚ、ＭｏＯ３，ＮａｚＯ，ＮａＦ、ＮｉＯ，Ｒｈｔ
Ｏ。
５ｅａｔ 、 ＡｇｇＯ，５ｉＯｚ 、 ＳｉＣ，Ｓｒ
Ｏ，Ｔｌ ｚＬ 、 ＴｈｏＺ、 Ｔｉ０ｚ 、ＶｚＯ
ｓ１１＋２０ｉ、ＺｎＯ＋ＺｒＯ２，Ｓｎ（＋２のうち
少なくともＩ［！！以］二（以下、第３成分と呼ぶ）を
０．００１〜５．０００ｍｏｌχ含有してなる主成分１
００重量部と、ｎａＴｉｏ、、 ６０．０００〜３２
．５００ ｍｏｌＺ、Ｓｉｎ。４０．０００−６７．５
ｍｏｌＺからなる混合物を、１２００〜１３００’ｃ
以上で焼成してなる添加物（以下、第４成分と呼ぶ）
０．００１−１０．０００重量部とからなる電圧依存
性非直線抵抗体位２；耕成物を得ることにより、課題を
解決しようとするものである。
Ｏ，Ｔｌ ｚＬ 、 ＴｈｏＺ、 Ｔｉ０ｚ 、ＶｚＯ
ｓ１１＋２０ｉ、ＺｎＯ＋ＺｒＯ２，Ｓｎ（＋２のうち
少なくともＩ［！！以］二（以下、第３成分と呼ぶ）を
０．００１〜５．０００ｍｏｌχ含有してなる主成分１
００重量部と、ｎａＴｉｏ、、 ６０．０００〜３２
．５００ ｍｏｌＺ、Ｓｉｎ。４０．０００−６７．５
ｍｏｌＺからなる混合物を、１２００〜１３００’ｃ
以上で焼成してなる添加物（以下、第４成分と呼ぶ）
０．００１−１０．０００重量部とからなる電圧依存
性非直線抵抗体位２；耕成物を得ることにより、課題を
解決しようとするものである。
作用
上記の発明において、第１威分は主たる成分であり、５
ｒＴｉＯ，のＳｒの一部を？１ｇで置換することにより
、粒界に形成される高抵抗層がサージに対して強くなる
。第２戒分は主に第１戒分の半導体化を促進する金属酸
化物である。また、第３成分は誘電率、α、サージ耐量
の改善に寄与するものであり、第４７ｉ１２分はバリス
タ電圧の低下、誘電率の改善に有効なものである。特に
、第４戒分は融点が１２３０〜１２５０°Ｃと比較的低
いため、融点前後の温度で焼成すると液相となり、その
他の成分の反応を促進すると共に粒子の成長を促進する
。そのため粒界部分に第３戊分が偏析しやすくなり、粒
界が高抵抗化され易くなり、バリスタ機能およびコンデ
ンサ機能が改善される。また、粒成長が促進されるため
バリスタ電圧が低くなり、粒径の均一性が向上するため
特性の安定性が良くなり、特にサージ耐量が改善される
こととなる。
ｒＴｉＯ，のＳｒの一部を？１ｇで置換することにより
、粒界に形成される高抵抗層がサージに対して強くなる
。第２戒分は主に第１戒分の半導体化を促進する金属酸
化物である。また、第３成分は誘電率、α、サージ耐量
の改善に寄与するものであり、第４７ｉ１２分はバリス
タ電圧の低下、誘電率の改善に有効なものである。特に
、第４戒分は融点が１２３０〜１２５０°Ｃと比較的低
いため、融点前後の温度で焼成すると液相となり、その
他の成分の反応を促進すると共に粒子の成長を促進する
。そのため粒界部分に第３戊分が偏析しやすくなり、粒
界が高抵抗化され易くなり、バリスタ機能およびコンデ
ンサ機能が改善される。また、粒成長が促進されるため
バリスタ電圧が低くなり、粒径の均一性が向上するため
特性の安定性が良くなり、特にサージ耐量が改善される
こととなる。
実施例
以下に、本発明を実施例を挙げて具体的に説明する。
まず、ＢａＴｉ０＝、 ｓｉｏ。を下記の第１表に示す
ように組成比を種々変えて秤量し、ボールミルなどで２
０Ｈｒ混合する。次に、乾燥した後、下記の第１表に示
すように温度を種々変えて焼成し、再びボールミルなど
で２０）Ｉｒ粉砕した後、乾燥し、第４ａ分とする。次
いで、第１戒分、第２成分、第３戒分、第４成分を下記
の第１表に示した＆［ｌ酸比になるように秤量し、ボー
ルミルなどで２４Ｈ「混合した後、乾燥し、ポリビニル
アルコールなどの有機バインダーをｌ０ｗｔ％添加して
造粒した後、１（ｔ／ｃｄ）のプレス圧力でｌＯφＸＩ
Ｌ（Ｉｌｌ）の円板状に底形し、１０００°Ｃで１０Ｉ
Ｉｒ焼成し脱バインダーする。次に、第１表に示したよ
うに温度と時間を種々変えて焼成（第１焼成）し、その
後還元性雰囲気、例えばＮ、：１１よ・９：１のガス中
で温度と時間を種々変えて焼成（第２焼成）する。さら
にその後、酸化性雰囲気中で温度と時間を種々変えて焼
威（第３焼成）する。
ように組成比を種々変えて秤量し、ボールミルなどで２
０Ｈｒ混合する。次に、乾燥した後、下記の第１表に示
すように温度を種々変えて焼成し、再びボールミルなど
で２０）Ｉｒ粉砕した後、乾燥し、第４ａ分とする。次
いで、第１戒分、第２成分、第３戒分、第４成分を下記
の第１表に示した＆［ｌ酸比になるように秤量し、ボー
ルミルなどで２４Ｈ「混合した後、乾燥し、ポリビニル
アルコールなどの有機バインダーをｌ０ｗｔ％添加して
造粒した後、１（ｔ／ｃｄ）のプレス圧力でｌＯφＸＩ
Ｌ（Ｉｌｌ）の円板状に底形し、１０００°Ｃで１０Ｉ
Ｉｒ焼成し脱バインダーする。次に、第１表に示したよ
うに温度と時間を種々変えて焼成（第１焼成）し、その
後還元性雰囲気、例えばＮ、：１１よ・９：１のガス中
で温度と時間を種々変えて焼成（第２焼成）する。さら
にその後、酸化性雰囲気中で温度と時間を種々変えて焼
威（第３焼成）する。
こうして得られた第１図、第２図に示す焼結体ｌの両平
面に外周を残すようにしてＡｇなとの誘電性ペーストを
スクリーン印刷などにより塗布し、６００’Ｃ，５ｍ１
ｎで焼威し、電極２．３を形成する。
面に外周を残すようにしてＡｇなとの誘電性ペーストを
スクリーン印刷などにより塗布し、６００’Ｃ，５ｍ１
ｎで焼威し、電極２．３を形成する。
次に、半田などによりリード線（図示せず）を取付け、
エポキシなどの樹脂を塗装する。このようにして得られ
た素子の特性を下記の第２表に示す。
エポキシなどの樹脂を塗装する。このようにして得られ
た素子の特性を下記の第２表に示す。
なお、誘電率は１Ｋｌｌｚでの静電容量から計算したも
のであり、αは ａ ＝ １ ／ Ｌｏｇ（Ｖ＋ｏａＡ／ν１．Ａ）（た
だし、νＩｍＡ＋ ＶＩＯｍＡは１ｍＡ、 ｌ０ＩＩＩ
Ａの電流を流した時に素子の両端にかかる電圧である。
のであり、αは ａ ＝ １ ／ Ｌｏｇ（Ｖ＋ｏａＡ／ν１．Ａ）（た
だし、νＩｍＡ＋ ＶＩＯｍＡは１ｍＡ、 ｌ０ＩＩＩ
Ａの電流を流した時に素子の両端にかかる電圧である。
）で評価した。また、サージ耐量はパルス性の電流を印
加した後のｖｌｌ、の変化率が±ｌＯ％以内である時の
最大のパルス性電流値により評価した。
加した後のｖｌｌ、の変化率が±ｌＯ％以内である時の
最大のパルス性電流値により評価した。
（以下余白）
また、第１成分のＳｒ＋−ｘＭｇ＋＋Ｔｉｏ：＋のＸの
範囲を規定したのは、Ｘが０．００１よりも小さいと効
果を示さず、０．３００を超えると格子欠陥が発生しに
くくなるため半導体化が促進されず、粒界に醜が単一相
として析出するため、組織が不均一になり、ＶｌａＡが
高くなりすぎて特性が劣化するためである。
範囲を規定したのは、Ｘが０．００１よりも小さいと効
果を示さず、０．３００を超えると格子欠陥が発生しに
くくなるため半導体化が促進されず、粒界に醜が単一相
として析出するため、組織が不均一になり、ＶｌａＡが
高くなりすぎて特性が劣化するためである。
さらに、第２成分は０．００１ｍｏ１％未満では効果を
示さず、５．０００＋＊ｏ１％を超えると粒界に偏析し
て粒界の高抵抗化を抑制し、粒界に第２相を形成するた
め特性が劣化するものである。そして、第３威分は０．
００１ｍｏ１％未満では効果を示さず、５．ＯＯＯｍｏ
１％を超えると粒界に偏析して第２相を形成するため、
特性が劣化するものである。また、第４成分はＢａＴｉ
Ｏ３とＳｉｎｇの２成分系の相図のなかで最も融点の低
い領域の物質であり、その範囲外では融点が高くなるも
のである。さらに、第４戒分の添加量は、０．００１重
量部未満では効果を示さず、１０．０００重量部を超え
ると粒界の抵抗は高くなるが粒界の幅が厚くなるため、
静電容量が小さくなると共にＶｌａＡが高くなり、サー
ジに対して弱くなるものである、また、第４威分の焼成
温度を規定したのは、低融点の第４ｄ分が合成される温
度が１２００’ｃ以上であるためである。さらに、第１
焼戒の温度を規定したのは、第４戒分の融点が１２３０
〜１２５０°Ｃであるため、１１００’Ｃ以上の温度で
焼成すると第４戒分が液相に近い状態になって焼結が促
進されるためであり、１１００°Ｃ未満では第４戒分の
液相焼結効果がないためである。また、第２焼威の温度
を規定したのは、１２００°Ｃ未満では第１焼成後の焼
結体が十分に還元されず、バリスタ特性、コンデンサ特
性共に劣化するためである。そして、第３焼戒の温度を
規定したのは、９００°Ｃ未満では粒界の高抵抗化が十
分に進まないため、ｖＩＩＩＡが低くなりすぎバリスタ
特性が劣化するためであり、１３００°Ｃを超えると静
電容量が小さくなりすぎコンデンサ特性が劣化するため
である。また、第１焼成の雰囲気は酸化性雰囲気でも還
元性雰囲気でも同様の効果があることを確認した。なお
、本実施例では添加物の組み合わせについては、第１威
分としてＳｒ、−。
示さず、５．０００＋＊ｏ１％を超えると粒界に偏析し
て粒界の高抵抗化を抑制し、粒界に第２相を形成するた
め特性が劣化するものである。そして、第３威分は０．
００１ｍｏ１％未満では効果を示さず、５．ＯＯＯｍｏ
１％を超えると粒界に偏析して第２相を形成するため、
特性が劣化するものである。また、第４成分はＢａＴｉ
Ｏ３とＳｉｎｇの２成分系の相図のなかで最も融点の低
い領域の物質であり、その範囲外では融点が高くなるも
のである。さらに、第４戒分の添加量は、０．００１重
量部未満では効果を示さず、１０．０００重量部を超え
ると粒界の抵抗は高くなるが粒界の幅が厚くなるため、
静電容量が小さくなると共にＶｌａＡが高くなり、サー
ジに対して弱くなるものである、また、第４威分の焼成
温度を規定したのは、低融点の第４ｄ分が合成される温
度が１２００’ｃ以上であるためである。さらに、第１
焼戒の温度を規定したのは、第４戒分の融点が１２３０
〜１２５０°Ｃであるため、１１００’Ｃ以上の温度で
焼成すると第４戒分が液相に近い状態になって焼結が促
進されるためであり、１１００°Ｃ未満では第４戒分の
液相焼結効果がないためである。また、第２焼威の温度
を規定したのは、１２００°Ｃ未満では第１焼成後の焼
結体が十分に還元されず、バリスタ特性、コンデンサ特
性共に劣化するためである。そして、第３焼戒の温度を
規定したのは、９００°Ｃ未満では粒界の高抵抗化が十
分に進まないため、ｖＩＩＩＡが低くなりすぎバリスタ
特性が劣化するためであり、１３００°Ｃを超えると静
電容量が小さくなりすぎコンデンサ特性が劣化するため
である。また、第１焼成の雰囲気は酸化性雰囲気でも還
元性雰囲気でも同様の効果があることを確認した。なお
、本実施例では添加物の組み合わせについては、第１威
分としてＳｒ、−。
ＭｇＸＴｉ（ｈ （０，００１≦×≦０．３００）、第
２戊分としてＮｂｔＯｓ。
２戊分としてＮｂｔＯｓ。
Ｔａ、Ｏｓ、ＷＯ，、ＤｙｚＯ：＋、Ｙ、Ｏ，，Ｌａ、
０１ＣｅＯ！、ＳｍｚＯｉ、ＰｒｈＯＮｄｚＯｉ 、第
３戒分としてＡｌｔｏｓ、ＰｂＯ，ＣｒｔＯｘ、Ｆｅｚ
Ｏ５＋ＣｄＯ，にｔ Ｏ＋ ＣＯｚ Ｏ、Ｃｕ Ｏ＋
Ｃ１１ｚ Ｏ＋ Ｌ Ｉ ｘ Ｏ＋ Ｍ ｇ Ｏ＋ Ｍ
ｎ Ｏｚ ＋ Ｍ Ｏ０１Ｎ Ｉ Ｏ。
０１ＣｅＯ！、ＳｍｚＯｉ、ＰｒｈＯＮｄｚＯｉ 、第
３戒分としてＡｌｔｏｓ、ＰｂＯ，ＣｒｔＯｘ、Ｆｅｚ
Ｏ５＋ＣｄＯ，にｔ Ｏ＋ ＣＯｚ Ｏ、Ｃｕ Ｏ＋
Ｃ１１ｚ Ｏ＋ Ｌ Ｉ ｘ Ｏ＋ Ｍ ｇ Ｏ＋ Ｍ
ｎ Ｏｚ ＋ Ｍ Ｏ０１Ｎ Ｉ Ｏ。
５ｅＯｚ、ＡｇｚＯ，ＳｉＣ，ＴＩｚＯ＊、Ｚｒ０ｚ、
第４戒分としてＢａＴｉＯ３゜Ｓ１０．についてのみ示
したが、第３成分として５ｂｚＯｓＢａＯ，［ｌｅｏ、
８２０３． Ｃａｂ、 Ｌｉｄ、 ＮａｚＯ，ＮａＦ
、 ＲｈｚＯｓ、 ５ｉＯｚ＋ ５ｒＯＴｈＯ２，Ｔｉ
Ｏ２，Ｖ２Ｏ３，Ｉｌ＋ｚＯｉ、ＺｎＯ，ＳｎＯ２を用
いた組成の耕み合わせでも同様の効果が得られることを
＆１１ Ｌ’２した。また、第１ｔ２分、第２成分、第
３戒分、第４威分を第１焼威しただけでもバリスタ電圧
が低く、誘電率εを大きくするのに有効であることを確
認した。
第４戒分としてＢａＴｉＯ３゜Ｓ１０．についてのみ示
したが、第３成分として５ｂｚＯｓＢａＯ，［ｌｅｏ、
８２０３． Ｃａｂ、 Ｌｉｄ、 ＮａｚＯ，ＮａＦ
、 ＲｈｚＯｓ、 ５ｉＯｚ＋ ５ｒＯＴｈＯ２，Ｔｉ
Ｏ２，Ｖ２Ｏ３，Ｉｌ＋ｚＯｉ、ＺｎＯ，ＳｎＯ２を用
いた組成の耕み合わせでも同様の効果が得られることを
＆１１ Ｌ’２した。また、第１ｔ２分、第２成分、第
３戒分、第４威分を第１焼威しただけでもバリスタ電圧
が低く、誘電率εを大きくするのに有効であることを確
認した。
発明の効果
以上に示したように本発明によれば、第４成分による液
相焼結効果により粒子径が大きいためバリスタ電圧が低
く、誘電率εおよびαが大きく、粒子径のばらつきが小
さいためサージ電流が素子に均一に流れ、またＭｇによ
って粒界が効果的に高抵抗化されるため、サージ耐量が
大きくなるという効果が得られる。
相焼結効果により粒子径が大きいためバリスタ電圧が低
く、誘電率εおよびαが大きく、粒子径のばらつきが小
さいためサージ電流が素子に均一に流れ、またＭｇによ
って粒界が効果的に高抵抗化されるため、サージ耐量が
大きくなるという効果が得られる。
ｌ・・・・・・焼結体、２，３・・・・・・電極。
Claims (3)
- （１）Ｓｒ＿１＿−＿ｘＭｇ＿ｘＴｉＯ＿３（０．００
１≦ｘ≦０．３００）を９０．０００〜９９．９９８ｍ
ｏｌ％、Ｎｂ＿２Ｏ＿５，Ｔａ＿２Ｏ＿５，ＷＯ＿３，
Ｄｙ＿２Ｏ＿３，Ｙ＿２Ｏ＿３，Ｌａ＿２Ｏ＿３，Ｃｅ
Ｏ＿２，Ｓｍ＿２Ｏ＿３，Ｐｒ＿６Ｏ＿１＿１，Ｎｄ＿
２Ｏ＿３のうち少なくとも１種類以上を０．００１〜５
．０００ｍｏｌ％、Ａｌ＿２Ｏ＿３，Ｓｂ＿２Ｏ＿３，
ＢａＯ，ＢｅＯ，ＰｂＯ，Ｂ＿２Ｏ＿３，Ｃｒ＿２Ｏ＿
３，Ｆｅ＿２Ｏ＿３，ＣｄＯ，Ｋ＿２Ｏ，ＣａＯ，Ｃｏ
＿２Ｏ＿３，ＣｕＯ，Ｃｕ＿２Ｏ，Ｌｉ＿２Ｏ，ＬｉＦ
，ＭｇＯ，ＭｎＯ＿２，ＭｏＯ＿３，Ｎａ＿２Ｏ，Ｎａ
Ｆ，ＮｉＯ，Ｒｈ＿２Ｏ＿３，ＳｅＯ＿２，Ａｇ＿２Ｏ
，ＳｉＯ＿２，ＳｉＣ，ＳｒＯ，Ｔｌ＿２Ｏ＿３，Ｔｈ
Ｏ＿２，ＴｉＯ＿２，Ｖ＿２Ｏ＿５，Ｂｉ＿２Ｏ＿３，
ＺｎＯ，ＺｒＯ＿２，ＳｎＯ＿２のうち少なくとも１種
類以上を０．００１〜５．０００ｍｏｌ％含有してなる
主成分１００重量部と、ＢａＴｉＯ＿３６０．０００〜
３２．５００ｍｏｌ％、ＳｉＯ＿２４０．０００〜６７
．５ｍｏｌ％からなる混合物を１２００℃以上で焼成し
てなる添加物０．００１〜１０．０００重量部とからな
ることを特徴とする電圧依存性非直線抵抗体磁器組成物
。 - （２）Ｓｒ＿１＿−＿ｘＭｇ＿ｘＴｉＯ＿３（０．００
１≦ｘ≦０．３００）を９０．０００〜９９．９９８ｍ
ｏｌ％、Ｎｂ＿２Ｏ＿５，Ｔａ＿２Ｏ＿５，ＷＯ＿３，
Ｄｙ＿２Ｏ＿３，Ｙ＿２Ｏ＿３，Ｌａ＿２Ｏ＿３，Ｃｅ
Ｏ＿２，Ｓｍ＿２Ｏ＿３，Ｐｒ＿６Ｏ＿１＿１，Ｎｄ＿
２Ｏ＿３のうち少なくとも１種類以上を０．００１〜５
．０００ｍｏｌ％、Ａｌ＿２Ｏ＿３，Ｓｂ＿２Ｏ＿３，
ＢａＯ，ＢｅＯ，ＰｂＯ，Ｂ＿２Ｏ＿３，Ｃｒ＿２Ｏ＿
３，Ｆｅ＿２Ｏ＿３，ＣｄＯ，Ｋ＿２Ｏ，ＣａＯ，Ｃｏ
＿２Ｏ＿３，ＣｕＯ，Ｃｕ＿２Ｏ，Ｌｉ＿２Ｏ，ＬｉＦ
，ＭｇＯ，ＭｎＯ＿２，ＭｏＯ＿３，Ｎａ＿２Ｏ，Ｎａ
Ｆ，ＮｉＯ，Ｒｈ＿２Ｏ＿３，ＳｅＯ＿２，Ａｇ＿２Ｏ
，ＳｉＯ＿２，ＳｉＣ，ＳｒＯ，Ｔｌ＿２Ｏ＿３，Ｔｈ
Ｏ＿２，ＴｉＯ＿２，Ｖ＿２Ｏ＿５，Ｂｉ＿２Ｏ＿３，
ＺｎＯ，ＺｒＯ＿２，ＳｎＯ＿２のうち少なくとも１種
類以上を０．００１〜５．０００ｍｏｌ％含有してなる
主成分１００重量部と、ＢａＴｉＯ＿３６０．０００〜
３２．５００ｍｏｌ％、ＳｉＯ＿２４０．０００〜６７
．５ｍｏｌ％からなる混合物を１２００℃以上で焼成し
てなる添加物０．００１〜１０．０００重量部とからな
る組成物を、１１００℃以上で焼成したことを特徴とす
るバリスタの製造方法。 - （３）Ｓｒ＿１＿−＿ｘＭｇ＿ｘＴｉＯ＿３（０．００
１≦ｘ≦０．３００）を９０．０００〜９９．９９８ｍ
ｏｌ％、Ｎｂ＿２Ｏ＿５，Ｔａ＿２Ｏ＿５，ＷＯ＿３，
Ｄｙ＿２Ｏ＿３，Ｙ＿２Ｏ＿３，Ｌａ＿２Ｏ＿３，Ｃｅ
Ｏ＿２，Ｓｍ＿２Ｏ＿３，Ｐｒ＿６Ｏ＿１＿１，Ｎｄ＿
２Ｏ＿３のうち少なくとも１種類以上を０．００１〜５
．０００ｍｏｌ％、Ａｌ＿２Ｏ＿３，Ｓｂ＿２Ｏ＿３，
ＢａＯ，ＢｅＯ，ＰｂＯ，Ｂ＿２Ｏ＿３，Ｃｒ＿２Ｏ＿
３，Ｆｅ＿２Ｏ＿３，ＣｄＯ，Ｋ＿２Ｏ，ＣａＯ，Ｃｏ
＿２Ｏ＿３，ＣｕＯ，Ｃｕ＿２Ｏ，Ｌｉ＿２Ｏ，ＬｉＦ
，ＭｇＯ，ＭｎＯ＿２，ＭｏＯ＿３，Ｎａ＿２Ｏ，Ｎａ
Ｆ，ＮｉＯ，Ｒｈ＿２Ｏ＿３，ＳｅＯ＿２，Ａｇ＿２Ｏ
，ＳｉＯ＿２，ＳｉＣ，ＳｒＯ，Ｔｌ＿２Ｏ＿３，Ｔｈ
Ｏ＿２，ＴｉＯ＿２，Ｖ＿２Ｏ＿５，Ｂｉ＿２Ｏ＿３，
ＺｎＯ，ＺｒＯ＿２，ＳｎＯ＿２のうち少なくとも１種
類以上を０．００１〜５．０００ｍｏｌ％含有してなる
主成分１００重量部と、ＢａＴｉＯ＿３ ６０．０００
〜３２．５００ｍｏｌ％、ＳｉＯ＿２ ４０．０００〜
６７．５ｍｏｌ％からなる混合物を１２００℃以上で焼
成してなる添加物０．００１〜１０．０００重量部とか
らなる組成物を、１１００℃以上で焼成した後、還元性
雰囲気中で１２００℃以上で焼成し、その後酸化雰囲気
中で９００〜１３００℃で焼成したことを特徴とするバ
リスタの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2061462A JP2830321B2 (ja) | 1990-03-13 | 1990-03-13 | 電圧依存性非直線抵抗体磁器組成物およびバリスタの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2061462A JP2830321B2 (ja) | 1990-03-13 | 1990-03-13 | 電圧依存性非直線抵抗体磁器組成物およびバリスタの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03261654A true JPH03261654A (ja) | 1991-11-21 |
| JP2830321B2 JP2830321B2 (ja) | 1998-12-02 |
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ID=13171728
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2061462A Expired - Fee Related JP2830321B2 (ja) | 1990-03-13 | 1990-03-13 | 電圧依存性非直線抵抗体磁器組成物およびバリスタの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2830321B2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100390468B1 (ko) * | 2000-09-15 | 2003-07-04 | 한국과학기술연구원 | 초미립 유전체 세라믹스의 제조방법 |
| CN109206134A (zh) * | 2018-10-24 | 2019-01-15 | 天津大学 | 一种高品质因数钛酸镁基微波介质陶瓷的制备方法 |
| CN118344136A (zh) * | 2024-03-20 | 2024-07-16 | 四川中光防雷科技股份有限公司 | 一种瓷料配方、一种氧化锌压敏电阻器及其制备方法 |
| CN119841624A (zh) * | 2025-03-19 | 2025-04-18 | 洛阳晶联光电材料有限责任公司 | 一种大尺寸氧化镍平面靶的生产方法 |
-
1990
- 1990-03-13 JP JP2061462A patent/JP2830321B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100390468B1 (ko) * | 2000-09-15 | 2003-07-04 | 한국과학기술연구원 | 초미립 유전체 세라믹스의 제조방법 |
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| CN119841624A (zh) * | 2025-03-19 | 2025-04-18 | 洛阳晶联光电材料有限责任公司 | 一种大尺寸氧化镍平面靶的生产方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2830321B2 (ja) | 1998-12-02 |
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