JPH03261658A - 電圧非直線抵抗体用磁器組成物 - Google Patents
電圧非直線抵抗体用磁器組成物Info
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- JPH03261658A JPH03261658A JP2061981A JP6198190A JPH03261658A JP H03261658 A JPH03261658 A JP H03261658A JP 2061981 A JP2061981 A JP 2061981A JP 6198190 A JP6198190 A JP 6198190A JP H03261658 A JPH03261658 A JP H03261658A
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Landscapes
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
この発明は電圧非直線抵抗体用磁器組成物に関し、たと
えば、電子機器で発生する異常電圧、ノイズを吸収もし
くは除去する電圧非直線抵抗体を得るための電圧非直線
抵抗体用磁器ｍ酸物に関する。
えば、電子機器で発生する異常電圧、ノイズを吸収もし
くは除去する電圧非直線抵抗体を得るための電圧非直線
抵抗体用磁器ｍ酸物に関する。
（従来技術）
従来、この種の電圧非直線抵抗体用磁器組成物には、粒
界酸化型電圧非直線抵抗体用磁器組成物があった。この
粒界酸化型電圧非直線抵抗体用磁器組成物としては、た
とえば５ｒＴｉ０．系の半導体磁器の結晶粒界を空気中
酸化やＮａｚ○などの酸化剤によって酸化し、結晶粒界
に絶縁層を形成したものがあった。
界酸化型電圧非直線抵抗体用磁器組成物があった。この
粒界酸化型電圧非直線抵抗体用磁器組成物としては、た
とえば５ｒＴｉ０．系の半導体磁器の結晶粒界を空気中
酸化やＮａｚ○などの酸化剤によって酸化し、結晶粒界
に絶縁層を形成したものがあった。
このような電圧非直線抵抗体用磁器組成物は、その素体
がペロブスカイト結晶構造を有し、強誘電杜を示すため
、単にバリスタとしての機能のみでなく、コンデンサと
しての機能も有する。
がペロブスカイト結晶構造を有し、強誘電杜を示すため
、単にバリスタとしての機能のみでなく、コンデンサと
しての機能も有する。
したがって、この電圧非直線抵抗体用磁器組成物を用い
た電圧非直線抵抗体では、異常高電圧（サージ）の吸収
や電圧の安定化などを図ることができる。
た電圧非直線抵抗体では、異常高電圧（サージ）の吸収
や電圧の安定化などを図ることができる。
（発明が解決しようとする課題）
しかしながら、このような従来の電圧非直線抵抗体用磁
器組成物を用いた電圧非直線抵抗体では、大きな非直線
係数αを得ながら、サージが印加されても非直線係数α
およびバリスタ電圧の劣化の小さいものが得られないと
いう欠点を有していた。
器組成物を用いた電圧非直線抵抗体では、大きな非直線
係数αを得ながら、サージが印加されても非直線係数α
およびバリスタ電圧の劣化の小さいものが得られないと
いう欠点を有していた。
それゆえに、この発明の主たる目的は、高いバリスタ電
圧を持ち、かつ非直線係数αが大きい値を示し、さらに
、高いサージ耐量の特性を有する電圧非直線抵抗体用磁
器組成物を提供することである。
圧を持ち、かつ非直線係数αが大きい値を示し、さらに
、高いサージ耐量の特性を有する電圧非直線抵抗体用磁
器組成物を提供することである。
（課覇を解決するための手段〉
この発明にかかる電圧非直線抵抗体用磁器組成物は、（
Ｓ ｒ、−、Ｃａｗ ）Ｔ ｉｙ Ｏ３（ただし、０≦
ｘ≦０．２５．０．９９６≦ｙ≦１．００３）が９８．
０〜９９．９モル％と、Ｎｂ、Ｗ、Ｔａ、Ｉｎあるいは
希土類元素の酸化物が０．１〜２．０モル％とからなる
半導体磁器に、Ｎａ２Ｏ．５ｉ０２とＣｏ ｚ ０３
（ただし、０＜Ｎａ、０くＳｉ、Ｑ＜Ｃｏ）とをあわ
せて０．０１〜２．０モル％含有されてなる、電圧非直
線抵抗体用磁器組成物である。
Ｓ ｒ、−、Ｃａｗ ）Ｔ ｉｙ Ｏ３（ただし、０≦
ｘ≦０．２５．０．９９６≦ｙ≦１．００３）が９８．
０〜９９．９モル％と、Ｎｂ、Ｗ、Ｔａ、Ｉｎあるいは
希土類元素の酸化物が０．１〜２．０モル％とからなる
半導体磁器に、Ｎａ２Ｏ．５ｉ０２とＣｏ ｚ ０３
（ただし、０＜Ｎａ、０くＳｉ、Ｑ＜Ｃｏ）とをあわ
せて０．０１〜２．０モル％含有されてなる、電圧非直
線抵抗体用磁器組成物である。
（発明の効果）
この発明によれば、高いバリスタ電圧を有し、サージ耐
量にすくれ、かつ大きい非直線係数αを有する電圧非直
線抵抗体用磁器組成物が得られる。
量にすくれ、かつ大きい非直線係数αを有する電圧非直
線抵抗体用磁器組成物が得られる。
この発明の上述の目的、その他の目的、特徴および利点
は、以下の実施例の詳細な説明から一層明らかとなろう
。
は、以下の実施例の詳細な説明から一層明らかとなろう
。
（実施例）
まず、母材料である、５ｒＣＯｚ 、Ｔｉｅ、。
ＣａＣＯ３の粉末と、’ｒａｚｏｓおよび希土類元素の
酸化物であるＹ２Ｏ３．Ｌａｚ Ｏｚ 、ＥｒｚＯ３お
よび ＨＯ２Ｏ３の粉末とを準備し、これらの各原料粉
末を、表に示す組成比の電圧非直線抵抗体用磁器組成物
が得られるように杆量して湿式混合し、混合物を得た。
酸化物であるＹ２Ｏ３．Ｌａｚ Ｏｚ 、ＥｒｚＯ３お
よび ＨＯ２Ｏ３の粉末とを準備し、これらの各原料粉
末を、表に示す組成比の電圧非直線抵抗体用磁器組成物
が得られるように杆量して湿式混合し、混合物を得た。
そして、得られた混合物を乾燥後、１１５０℃で２時間
仮焼して粉砕し、わ）砕物を得た。
仮焼して粉砕し、わ）砕物を得た。
次いで、得られたわ）砕物に酢酸ビニル系樹脂を５重量
％添加して造粒し、造粒粉を得た。さらに、得られた造
粒粉を１Ｌｏｎ／ｃｏｔの圧力で直径ｌＯ關＋ Ｉ’Ｘ
さ１，５ｍｍのペレット状に成形して成形体を得た。
％添加して造粒し、造粒粉を得た。さらに、得られた造
粒粉を１Ｌｏｎ／ｃｏｔの圧力で直径ｌＯ關＋ Ｉ’Ｘ
さ１，５ｍｍのペレット状に成形して成形体を得た。
そして、この成形体を空気中で１０００℃で２時間仮焼
した後、体積比でＨ，：Ｎｚ、＝１ ： １００の混合
ガス雰囲気中において、■４５０℃で２時間焼成して半
導体磁器を得た。
した後、体積比でＨ，：Ｎｚ、＝１ ： １００の混合
ガス雰囲気中において、■４５０℃で２時間焼成して半
導体磁器を得た。
さらに、得られた半導体６ｉ器に、Ｎａ２０．ＳｉＯ２
およびＣｏ、０３からなる酸化剤を表に示す割合で添加
して、空気中で１２Ｏ０°Ｃで２時間熱処理を施して磁
器ユニットを得た。
およびＣｏ、０３からなる酸化剤を表に示す割合で添加
して、空気中で１２Ｏ０°Ｃで２時間熱処理を施して磁
器ユニットを得た。
このようにして得られた磁器ユニットの対抗面に銀電極
を形成して電圧非直線抵抗素子を得た。
を形成して電圧非直線抵抗素子を得た。
そして、この電圧非直ｖＡ抵抗素子の電気的特性を評価
した。
した。
この場合、得られた電圧非直線抵抗素子にｌ ｍＡの電
流を流したときのバリスタ電圧Ｖｌ−Ａ （Ｖ）、非
直線係数αおよび５０００ Ａ ／ ｃｔＡのサージ電
流を印加したときのバリスタ電圧ＶｌｆｉＡの変化率Δ
ＶｌｌｈＡと非直線係数αの変化率Δαとを測定し、表
に示した。
流を流したときのバリスタ電圧Ｖｌ−Ａ （Ｖ）、非
直線係数αおよび５０００ Ａ ／ ｃｔＡのサージ電
流を印加したときのバリスタ電圧ＶｌｆｉＡの変化率Δ
ＶｌｌｈＡと非直線係数αの変化率Δαとを測定し、表
に示した。
なお、表中の試料番号に＊印を付したものは、この発明
の範囲外である。
の範囲外である。
次に、この発明にかかる電圧非直線抵抗体用磁器組成物
の各成分のＭｉ威範囲を限定した理由について説明する
。
の各成分のＭｉ威範囲を限定した理由について説明する
。
試料番号３に示すように、半導体化剤としてのＮｂ、Ｗ
、Ｔａ、Ｉｎあるいは希土類元素の酸化物が添加されて
いない場合、その電気的特性を測定することはできなか
った。
、Ｔａ、Ｉｎあるいは希土類元素の酸化物が添加されて
いない場合、その電気的特性を測定することはできなか
った。
また、試ネ４番号７に示すように、半導体化剤が２．０
モル％を超えた場合、サージ電流を印加したときのバリ
スタ電圧の変化率ΔＶ１ｍＡおよび非直線係数の変化率
Δαが大きくなる。
モル％を超えた場合、サージ電流を印加したときのバリ
スタ電圧の変化率ΔＶ１ｍＡおよび非直線係数の変化率
Δαが大きくなる。
さらに、試料番号９に示すように、（Ｓｒ、−９ＣａＸ
）Ｔ゛ｉ、ＯｙのＸが０．２５を超えた場合、バリスタ
電圧Ｖ １ｍＡが小さくなるとともに、サージ電流を印
加したときのバリスタ電圧の変化率ΔＶＩＩＩＩＩＡお
よび非直線係数の変化率Δαが大きくなる。
）Ｔ゛ｉ、ＯｙのＸが０．２５を超えた場合、バリスタ
電圧Ｖ １ｍＡが小さくなるとともに、サージ電流を印
加したときのバリスタ電圧の変化率ΔＶＩＩＩＩＩＡお
よび非直線係数の変化率Δαが大きくなる。
さらにまた、試料番号１０に示すように、酸化剤の添加
量が０．０１モル％より少ない場合、バリスタ電圧Ｖｌ
＋ａＡおよび非直線係数αが小さくなる。
量が０．０１モル％より少ない場合、バリスタ電圧Ｖｌ
＋ａＡおよび非直線係数αが小さくなる。
試料番号１１および１２のように、酸化剤が０．２モル
％添加されているものの３つの酸化剤の全てが添加され
ない場合、サージ電流を印加したときのバリスタ電圧の
変化率ΔＶｌ＠６が大きくなったり、非直線係数の変化
率Δαが大きくなったりする。
％添加されているものの３つの酸化剤の全てが添加され
ない場合、サージ電流を印加したときのバリスタ電圧の
変化率ΔＶｌ＠６が大きくなったり、非直線係数の変化
率Δαが大きくなったりする。
また、試料番号１４に示すように、酸化剤の添加量が２
．０モル％を超えた場合、サージ電流を印加したときの
バリスタ電圧の変化率ΔＶＩＩＩＡおよび非直線係数の
変化率Δαが大きくなる。
．０モル％を超えた場合、サージ電流を印加したときの
バリスタ電圧の変化率ΔＶＩＩＩＡおよび非直線係数の
変化率Δαが大きくなる。
さらに、試料番号１５に示すように、ｙが０゜９９６よ
り小さい場合は、非直線係数αが小さくなり、試料番号
１８に示すように、ｙが１．００３より大きい場合は、
サージ電流を印加したときのバリスタ電圧の変化率ΔＶ
１ｍＡおよび非直線係数の変化率Δαが大きくなる。
り小さい場合は、非直線係数αが小さくなり、試料番号
１８に示すように、ｙが１．００３より大きい場合は、
サージ電流を印加したときのバリスタ電圧の変化率ΔＶ
１ｍＡおよび非直線係数の変化率Δαが大きくなる。
それに対して、この発明の電圧非直線抵抗体用磁器Ｍ１
底物を用いれば、高いバリスタ電圧を有し、サージ電流
が印加されても特性が変わりにくく、かつ大きい非直線
係数を有する電圧非直線抵抗体を得ることができる。
底物を用いれば、高いバリスタ電圧を有し、サージ電流
が印加されても特性が変わりにくく、かつ大きい非直線
係数を有する電圧非直線抵抗体を得ることができる。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 （Ｓｒ＿１＿−＿ｘＣａ＿ｘ）Ｔｉ＿ｙＯ＿３（ただし
、０≦ｘ≦０．２５、０．９９６≦ｙ≦１．００３）が
９８．０〜９９．９モル％と、Ｎｂ、Ｗ、Ｔａ、Ｉｎあ
るいは希土類元素の酸化物が０．１〜２．０モル％とか
らなる半導体磁器に、 Ｎａ＿２Ｏ、ＳｉＯ＿２およびＣｏ＿２Ｏ＿３（ただし
、０＜Ｎａ、０＜Ｓｉ、０＜Ｃｏ）をあわせて０．０１
〜２．０モル％含有されてなる、電圧非直線抵抗体用磁
器組成物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2061981A JPH03261658A (ja) | 1990-03-12 | 1990-03-12 | 電圧非直線抵抗体用磁器組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2061981A JPH03261658A (ja) | 1990-03-12 | 1990-03-12 | 電圧非直線抵抗体用磁器組成物 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03261658A true JPH03261658A (ja) | 1991-11-21 |
Family
ID=13186867
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2061981A Pending JPH03261658A (ja) | 1990-03-12 | 1990-03-12 | 電圧非直線抵抗体用磁器組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03261658A (ja) |
-
1990
- 1990-03-12 JP JP2061981A patent/JPH03261658A/ja active Pending
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