JPH03283612A - 搬送方法 - Google Patents
搬送方法Info
- Publication number
- JPH03283612A JPH03283612A JP2084260A JP8426090A JPH03283612A JP H03283612 A JPH03283612 A JP H03283612A JP 2084260 A JP2084260 A JP 2084260A JP 8426090 A JP8426090 A JP 8426090A JP H03283612 A JPH03283612 A JP H03283612A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- pressure
- gas
- flow rate
- container
- lock chamber
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- ing And Chemical Polishing (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
この発明は搬送方法に関する。
例えばプラズマエツチング装置等の真空処理装置におい
ては、スルーブツトを上げるため、エツチング処理室へ
の半導体ウェーハの搬入側及びつ工−ハの搬出側に真空
装置であるロードロック室を設ける。このロードロック
室は密閉容器で構成されると共に、エツチング処理室と
の間及び外気との間に、それぞれ開閉可能なゲートを設
ける。 そして、密閉容器内を大気圧にした状態で外気との間に
設けたゲートを開けて、このロードロック室内にウェー
ハを搬入あるいはロードロック室内よりウェーハを搬出
し、また密閉容器内を真空圧にした状態で、エツチング
処理室との間のゲートを開けて、エツチング処理室にロ
ードロック室からウェーハを搬入し、あるいはエツチン
グ処理室からロードロック室内にウェーハを搬出する。 このようにすると、ロードロック室は１枚の半導体ウェ
ーハごとに大気開放及び真空状態を交互に繰り返すよう
にするが、エツチング処理内は常に所定の真空状態を保
つことができ、スループットが向上するのである。 ところで、この場合にロードロック室を構成する密閉容
器内を大気圧にするためには、不活性ガス例えば窒素Ｎ
２ガスを密閉容器内に送り込むようにするが、従来、Ｎ
２ガスはガス供給源からニードルバルブを介して容器内
に送り込んでいた。
ては、スルーブツトを上げるため、エツチング処理室へ
の半導体ウェーハの搬入側及びつ工−ハの搬出側に真空
装置であるロードロック室を設ける。このロードロック
室は密閉容器で構成されると共に、エツチング処理室と
の間及び外気との間に、それぞれ開閉可能なゲートを設
ける。 そして、密閉容器内を大気圧にした状態で外気との間に
設けたゲートを開けて、このロードロック室内にウェー
ハを搬入あるいはロードロック室内よりウェーハを搬出
し、また密閉容器内を真空圧にした状態で、エツチング
処理室との間のゲートを開けて、エツチング処理室にロ
ードロック室からウェーハを搬入し、あるいはエツチン
グ処理室からロードロック室内にウェーハを搬出する。 このようにすると、ロードロック室は１枚の半導体ウェ
ーハごとに大気開放及び真空状態を交互に繰り返すよう
にするが、エツチング処理内は常に所定の真空状態を保
つことができ、スループットが向上するのである。 ところで、この場合にロードロック室を構成する密閉容
器内を大気圧にするためには、不活性ガス例えば窒素Ｎ
２ガスを密閉容器内に送り込むようにするが、従来、Ｎ
２ガスはガス供給源からニードルバルブを介して容器内
に送り込んでいた。
ところで、密閉容器内を真空状態からガス導入により大
気圧までにするときのガス供給源と容器内との差圧を考
えると、真空時からガス導入の初期は差圧が大きいが、
ガス送り込みにしたがって、差圧が小さくなる。 このために、ニードルバルブのように流路開口断面積が
一定である場合には、差圧が大きい時は流速が速く、流
量も多くなり、差圧が小さい時は流速が遅く、流量が少
なくなる。したがって、密閉容器内の圧力の変化は第５
図の曲線ａに示すように、ガス導入の初期時には圧力の
変化が急激であり、大気圧に近くなると、圧力の変化が
緩慢になる。 このように、従来のニードルバルブを用いる場合には、
ガス送り込みの初期時には、ガスの流量が多く、流速が
非常に大きくなるため、ロードロック室内の底等に滞留
していたパーティクルの巻き上げを生じることが多く、
処理の歩留まりを悪化させる原因になっていた。 このガス送り込みの初期時のパーティクルの巻き上げを
少なくするために、ニードルバルブを調整して、この初
期時の流速が小さくなるように流量を減らすことが考え
られるが、このようにすると、差圧が小さくなったとき
には、より流量が減少してしまうために、密閉容器内を
大気圧にするまでの時間が長時間かかることになり、ス
ループットが悪化してしまう。 また、不活性ガスを密閉容器が大気圧になるまで送り込
むが、圧力計の誤差等のためもあって、外気と全く同圧
にすることは困難であるので、必要上、密閉容器内部が
やや外圧より高めになるまでガスを送り込むようにして
いる。 しかしながら、密閉容器内を必要以上に加圧すると、ゲ
ートを開けたときに外部にガスを吹き出し、これもパー
ティクルの巻き上げの原因になる。 この発明は、以上の点に鑑みてなされたもので、ガス流
量可変手段を用いて、上記の欠点を改善するようにした
ものである。
気圧までにするときのガス供給源と容器内との差圧を考
えると、真空時からガス導入の初期は差圧が大きいが、
ガス送り込みにしたがって、差圧が小さくなる。 このために、ニードルバルブのように流路開口断面積が
一定である場合には、差圧が大きい時は流速が速く、流
量も多くなり、差圧が小さい時は流速が遅く、流量が少
なくなる。したがって、密閉容器内の圧力の変化は第５
図の曲線ａに示すように、ガス導入の初期時には圧力の
変化が急激であり、大気圧に近くなると、圧力の変化が
緩慢になる。 このように、従来のニードルバルブを用いる場合には、
ガス送り込みの初期時には、ガスの流量が多く、流速が
非常に大きくなるため、ロードロック室内の底等に滞留
していたパーティクルの巻き上げを生じることが多く、
処理の歩留まりを悪化させる原因になっていた。 このガス送り込みの初期時のパーティクルの巻き上げを
少なくするために、ニードルバルブを調整して、この初
期時の流速が小さくなるように流量を減らすことが考え
られるが、このようにすると、差圧が小さくなったとき
には、より流量が減少してしまうために、密閉容器内を
大気圧にするまでの時間が長時間かかることになり、ス
ループットが悪化してしまう。 また、不活性ガスを密閉容器が大気圧になるまで送り込
むが、圧力計の誤差等のためもあって、外気と全く同圧
にすることは困難であるので、必要上、密閉容器内部が
やや外圧より高めになるまでガスを送り込むようにして
いる。 しかしながら、密閉容器内を必要以上に加圧すると、ゲ
ートを開けたときに外部にガスを吹き出し、これもパー
ティクルの巻き上げの原因になる。 この発明は、以上の点に鑑みてなされたもので、ガス流
量可変手段を用いて、上記の欠点を改善するようにした
ものである。
この発明は、比較的負圧状態の容器内に所定のガスを送
り込み、所定の圧力にした状態で被処理体を前記容器内
に搬入あるいは前記容器から搬出する搬送方法において
、 上記負圧状態から圧力をガスを供給して高くする際、ガ
スの供給は、初期期間はガス流量を、その後の期間より
も少なくするように制御するようにしたことを特徴とす
る。 この発明は、また、前記容器内が所定の圧力近傍の予め
定められた圧力になったとき、前記ガスの流量をそれ以
前よりも少なくするように制御することを特徴とする。
り込み、所定の圧力にした状態で被処理体を前記容器内
に搬入あるいは前記容器から搬出する搬送方法において
、 上記負圧状態から圧力をガスを供給して高くする際、ガ
スの供給は、初期期間はガス流量を、その後の期間より
も少なくするように制御するようにしたことを特徴とす
る。 この発明は、また、前記容器内が所定の圧力近傍の予め
定められた圧力になったとき、前記ガスの流量をそれ以
前よりも少なくするように制御することを特徴とする。
上記のような構成のこの発明においては、容器内を真空
圧から所定の圧力にするガスの送り込みの初期には、ガ
ス流量が小さく、その後は大きくされる。差圧の大きい
真空状態からガス送り込みの初期時はガス流量が小さい
ので、流速も小さく、パーティクルの巻き上げが少なく
なる。そして、差圧が小さくなるその後の期間では、流
量が大きいのでスルーブツトが悪化することはない。 また、密閉容器内が所定の圧力近傍の、この所定の圧力
より低い予め定められた圧力に達したとき、それまでよ
りも流量が少なくされ、前記所定の圧力あるいはそれよ
り若干高めまでガスが送り込まれる。このとき、流量が
少ないから、容器内の圧力が異常なまでに加圧されてし
まうことを避けることができる。
圧から所定の圧力にするガスの送り込みの初期には、ガ
ス流量が小さく、その後は大きくされる。差圧の大きい
真空状態からガス送り込みの初期時はガス流量が小さい
ので、流速も小さく、パーティクルの巻き上げが少なく
なる。そして、差圧が小さくなるその後の期間では、流
量が大きいのでスルーブツトが悪化することはない。 また、密閉容器内が所定の圧力近傍の、この所定の圧力
より低い予め定められた圧力に達したとき、それまでよ
りも流量が少なくされ、前記所定の圧力あるいはそれよ
り若干高めまでガスが送り込まれる。このとき、流量が
少ないから、容器内の圧力が異常なまでに加圧されてし
まうことを避けることができる。
以下、この発明の一実施例を、前述したプラズマエツチ
ング装置のロードロック室の室内の圧力制御の場合を例
にとって図を参照しながら説明する。 このプラズマエツチング装置は、例えば第３図に示すよ
うに構成されている。 すなわち、エツチング処理室８のイン側及びアウト側に
はロードロック室６及び１０が連接されている。このロ
ードロック室６．１０内には、図示しないがウェーハ搬
入、搬出のためのハンドリングアームが設けられている
。エツチング処理室８とロードロック室６及び１０を構
成する密閉容器とのの間にはゲート７．９が設けられて
いる。 また、アウト側ロードロック室１０には、さらに必要に
応じて使用される後処理室１２がゲート１１を介して連
接されている。 イン側ロードロック室６のウェーハ搬入側にはゲート５
が設けられ、このゲート５に対面してアライメントステ
ージ４が設けられている。また、後処理室１２のウェー
ハ搬出側にはゲート１３が設けられている。そして、ア
ライメントステージ４及び後処理室１２とセンダー１及
びレシーバ１４との間において、矢印方向に摺動移動可
能に構成されたハンドリングアーム２が設けられている
。 さらに、エツチング処理室８には、真空ポンプ１５が接
続されると共に、所定のエツチング処理ガスが供給され
る。また、ロードロック室６及び１０には、真空ポンプ
１６及び１７が接続されると共に、ガス供給源２１．２
２からの不活性ガス例えば乾燥Ｎ２ガスが流量可変手段
２３．２４を介して、このロードロック室６及び１０に
供給される。 そして、エツチング処理装置においては、次のようにし
て処理がなされる。 すなわち、複数枚の半導体ウェーハが収容されているセ
ンダー１からハンドリングアーム２により、１枚の半導
体ウェーハ３を取り出し、アライメントステージ４に載
置する。そして、イン側ロードロック室６にはガス供給
源２１から例えば乾燥Ｎ２ガスを流量可変手段２３を介
して送り込んで、ロードロック室６内をほぼ大気圧にし
ておく。 次に、イン側のロードロック室（真空予備室）６のゲー
ト５を開けて、アライメントステージ４で位置合わせし
だウェーハ３を、このロードロック室６に搬入し、ゲー
ト５を閉じる。そして、ロードロック室６内を真空吸引
し、エツチング処理室８内と同一真空雰囲気になったら
ゲート７を開けて、゛ロードロック室６内に設けられる
ハンドリングアームによりウェーハ３をエツチング処理
室８に搬入する。そして、エツチング処理の間に、再び
、ロードロック室６にはＮ２ガスを送り込んで大気圧に
し、次のウェーハをアライメントステージ４からこのロ
ードロック室６に搬入しておく。 エツチング処理が終了したら、アウト側のロードロック
室１０内をエツチング処理室８と同一真空雰囲気にした
状態でゲート９を開け、処理済みウェーハを、ロードロ
ック室１０に設けられるハンドリングアームにより、こ
のロードロック室１０内に搬入する。 次に、ロードロック室１０を後処理室１２と同じ圧力状
態にしてゲート１１を開け、ウェーハを後処理室１２に
搬送する。後処理室１２で後処理が終了したらゲート１
３を開け、ウェーハは、ハンドリングアーム２によりレ
シーバ−１４に収納する。 ロードロック室１０では真空状態から後処理室１２内の
圧力にほぼ同一にするものであるが、この場合、後処理
室１２の圧力は大気圧とは限らない。 流量可変手段２３および２４は同一の構成のものが使用
され、この例では第２図に示すようなリークバルブが用
いられる。 すなわち、第２図において、入力端の継手３１はガス供
給源２１に接続されたガス配管に接続され、これはフラ
ンジ３２に取り付けられている。 また、出力側の継手３３はロードロック室６又は１０を
構成する密閉容器に接続されているガス配管に接続され
、これはフランジ３４に取り付けられている。フランジ
３２と３４との間には、ガス流路３５を囲むように構成
されたコア３６が設けられ、このコア３６にコイル３７
が健常者介されている。そして、ガス流路３５の出口側
にプランジャ切片３８及びオリフィスを構成する部材４
０が設けられ、コイル３７に電流が流されることにより
生じる電磁力によりプランジャ切片３８がガス流路３５
の開口側における隙間３９の大きさをコントロールする
ように移動制御される。これにより、出力ガス流量が可
変となるようにされる。 コイル３７へのプランジャ制御電流はコントロールボッ
クス４２及びリード線４１を通じて供給される。なお、
気密保持のために必要箇所にＯリング４３が設けられて
いる。 この例の場合、時間経過に対して流量が第３図に示すよ
うになるように設定され、そのためのコイル電流がコネ
クタ４４を介してコイル３７に供給される。すなわち、
真空状態から一定時間ｔ。 経過後までは流量が時間に対して直線的に変化するよう
にして、差圧の大きい初期時の流量を少なくする。そし
て、前記一定時間ｔ、経過後、ロードロック室内の圧力
が大気圧近傍の例えば７２０Ｔｏｒｒになる時点ｔ２ま
では、一定流量Ｑｌになるようにする。そして、時点ｔ
２になったら、流量を急激にさげて、小さい流量Ｑ２に
なるようにする。 時間ｔｌ、ｔ２はロードロック室を構成する密閉容器の
容量により定まる。また、流量Ｑ、をどのような値にす
るかによっても異なる。 以上のような流量制御を行うと、容器内の圧力は時間に
対して第４図のように変化し、この結果、真空状態から
ガス注入の初期時の圧力変化は２次曲線的になり、流速
を小さく押さえることができるので、この初期時におけ
るパーティクルの巻き上げを軽減することができる。 そして、差圧が低くなった時点ｔ１以後は流量を一定の
比較的大きな値Ｑ、としているので、時間的に早く目的
圧力に近付けることができる。 また、大気圧より低い大気圧近傍の値７２０Ｔｏｒｒに
なったら流量を少なくしているので、密閉容器内が異常
な圧力まで加圧されてしまう事態を防止できる。 なお、以上の例では真空状態から大気圧まで加圧する場
合を説明したが、この発明は、真空状態から大気圧に限
らず所定の圧力にするために容器内にガスを送り込むよ
うにする真空装置のすべてに適用可能である。 また、流量可変手段は、第２図の実施例のものに限定さ
れるものではなく、例えば絞り開口の大きさを可変にす
る等により、流量を制御するもののほか、種々の流量可
変手段を用いることができる。
ング装置のロードロック室の室内の圧力制御の場合を例
にとって図を参照しながら説明する。 このプラズマエツチング装置は、例えば第３図に示すよ
うに構成されている。 すなわち、エツチング処理室８のイン側及びアウト側に
はロードロック室６及び１０が連接されている。このロ
ードロック室６．１０内には、図示しないがウェーハ搬
入、搬出のためのハンドリングアームが設けられている
。エツチング処理室８とロードロック室６及び１０を構
成する密閉容器とのの間にはゲート７．９が設けられて
いる。 また、アウト側ロードロック室１０には、さらに必要に
応じて使用される後処理室１２がゲート１１を介して連
接されている。 イン側ロードロック室６のウェーハ搬入側にはゲート５
が設けられ、このゲート５に対面してアライメントステ
ージ４が設けられている。また、後処理室１２のウェー
ハ搬出側にはゲート１３が設けられている。そして、ア
ライメントステージ４及び後処理室１２とセンダー１及
びレシーバ１４との間において、矢印方向に摺動移動可
能に構成されたハンドリングアーム２が設けられている
。 さらに、エツチング処理室８には、真空ポンプ１５が接
続されると共に、所定のエツチング処理ガスが供給され
る。また、ロードロック室６及び１０には、真空ポンプ
１６及び１７が接続されると共に、ガス供給源２１．２
２からの不活性ガス例えば乾燥Ｎ２ガスが流量可変手段
２３．２４を介して、このロードロック室６及び１０に
供給される。 そして、エツチング処理装置においては、次のようにし
て処理がなされる。 すなわち、複数枚の半導体ウェーハが収容されているセ
ンダー１からハンドリングアーム２により、１枚の半導
体ウェーハ３を取り出し、アライメントステージ４に載
置する。そして、イン側ロードロック室６にはガス供給
源２１から例えば乾燥Ｎ２ガスを流量可変手段２３を介
して送り込んで、ロードロック室６内をほぼ大気圧にし
ておく。 次に、イン側のロードロック室（真空予備室）６のゲー
ト５を開けて、アライメントステージ４で位置合わせし
だウェーハ３を、このロードロック室６に搬入し、ゲー
ト５を閉じる。そして、ロードロック室６内を真空吸引
し、エツチング処理室８内と同一真空雰囲気になったら
ゲート７を開けて、゛ロードロック室６内に設けられる
ハンドリングアームによりウェーハ３をエツチング処理
室８に搬入する。そして、エツチング処理の間に、再び
、ロードロック室６にはＮ２ガスを送り込んで大気圧に
し、次のウェーハをアライメントステージ４からこのロ
ードロック室６に搬入しておく。 エツチング処理が終了したら、アウト側のロードロック
室１０内をエツチング処理室８と同一真空雰囲気にした
状態でゲート９を開け、処理済みウェーハを、ロードロ
ック室１０に設けられるハンドリングアームにより、こ
のロードロック室１０内に搬入する。 次に、ロードロック室１０を後処理室１２と同じ圧力状
態にしてゲート１１を開け、ウェーハを後処理室１２に
搬送する。後処理室１２で後処理が終了したらゲート１
３を開け、ウェーハは、ハンドリングアーム２によりレ
シーバ−１４に収納する。 ロードロック室１０では真空状態から後処理室１２内の
圧力にほぼ同一にするものであるが、この場合、後処理
室１２の圧力は大気圧とは限らない。 流量可変手段２３および２４は同一の構成のものが使用
され、この例では第２図に示すようなリークバルブが用
いられる。 すなわち、第２図において、入力端の継手３１はガス供
給源２１に接続されたガス配管に接続され、これはフラ
ンジ３２に取り付けられている。 また、出力側の継手３３はロードロック室６又は１０を
構成する密閉容器に接続されているガス配管に接続され
、これはフランジ３４に取り付けられている。フランジ
３２と３４との間には、ガス流路３５を囲むように構成
されたコア３６が設けられ、このコア３６にコイル３７
が健常者介されている。そして、ガス流路３５の出口側
にプランジャ切片３８及びオリフィスを構成する部材４
０が設けられ、コイル３７に電流が流されることにより
生じる電磁力によりプランジャ切片３８がガス流路３５
の開口側における隙間３９の大きさをコントロールする
ように移動制御される。これにより、出力ガス流量が可
変となるようにされる。 コイル３７へのプランジャ制御電流はコントロールボッ
クス４２及びリード線４１を通じて供給される。なお、
気密保持のために必要箇所にＯリング４３が設けられて
いる。 この例の場合、時間経過に対して流量が第３図に示すよ
うになるように設定され、そのためのコイル電流がコネ
クタ４４を介してコイル３７に供給される。すなわち、
真空状態から一定時間ｔ。 経過後までは流量が時間に対して直線的に変化するよう
にして、差圧の大きい初期時の流量を少なくする。そし
て、前記一定時間ｔ、経過後、ロードロック室内の圧力
が大気圧近傍の例えば７２０Ｔｏｒｒになる時点ｔ２ま
では、一定流量Ｑｌになるようにする。そして、時点ｔ
２になったら、流量を急激にさげて、小さい流量Ｑ２に
なるようにする。 時間ｔｌ、ｔ２はロードロック室を構成する密閉容器の
容量により定まる。また、流量Ｑ、をどのような値にす
るかによっても異なる。 以上のような流量制御を行うと、容器内の圧力は時間に
対して第４図のように変化し、この結果、真空状態から
ガス注入の初期時の圧力変化は２次曲線的になり、流速
を小さく押さえることができるので、この初期時におけ
るパーティクルの巻き上げを軽減することができる。 そして、差圧が低くなった時点ｔ１以後は流量を一定の
比較的大きな値Ｑ、としているので、時間的に早く目的
圧力に近付けることができる。 また、大気圧より低い大気圧近傍の値７２０Ｔｏｒｒに
なったら流量を少なくしているので、密閉容器内が異常
な圧力まで加圧されてしまう事態を防止できる。 なお、以上の例では真空状態から大気圧まで加圧する場
合を説明したが、この発明は、真空状態から大気圧に限
らず所定の圧力にするために容器内にガスを送り込むよ
うにする真空装置のすべてに適用可能である。 また、流量可変手段は、第２図の実施例のものに限定さ
れるものではなく、例えば絞り開口の大きさを可変にす
る等により、流量を制御するもののほか、種々の流量可
変手段を用いることができる。
以上説明したように、この発明によれば、真空装置を真
空状態から大気圧状態にする際に、真空状態からガスを
送り込む初期にはガス流量を少なくしたので、この初期
時におけるガスの容器内への流入によるパーティクルの
巻き上げを軽減することができる。 また、大気圧近傍の小圧力になったときには、流量を所
定の小さい値にするので、容器内の圧力を大気圧よりの
以上に大きい加圧状態となることがない。 また、初期時の後の差圧が比較的小さくなる期間では比
較的流量を大きく設定することが可能であるので、スル
ーブツトが悪化するのを防止することができる。
空状態から大気圧状態にする際に、真空状態からガスを
送り込む初期にはガス流量を少なくしたので、この初期
時におけるガスの容器内への流入によるパーティクルの
巻き上げを軽減することができる。 また、大気圧近傍の小圧力になったときには、流量を所
定の小さい値にするので、容器内の圧力を大気圧よりの
以上に大きい加圧状態となることがない。 また、初期時の後の差圧が比較的小さくなる期間では比
較的流量を大きく設定することが可能であるので、スル
ーブツトが悪化するのを防止することができる。
第１図はこの発明が適用されたエツチング処理装置の一
例の構成を示す図、第２図はこの発明の要部の一例の構
成図、第３図は流量制御特性の一例を示す図、第４図は
この発明の一例による圧力変化を示す図、第５図は従来
例における密閉容器内の圧力変化を示す図である。 ６．１０．ロードロック室 １５．１６．１７；真空ポンプ ２１．２２；ガス供給源 ２３．２４；流量可変手段 ３６；コア ３７；コイル ３８；プランジャ切片
例の構成を示す図、第２図はこの発明の要部の一例の構
成図、第３図は流量制御特性の一例を示す図、第４図は
この発明の一例による圧力変化を示す図、第５図は従来
例における密閉容器内の圧力変化を示す図である。 ６．１０．ロードロック室 １５．１６．１７；真空ポンプ ２１．２２；ガス供給源 ２３．２４；流量可変手段 ３６；コア ３７；コイル ３８；プランジャ切片
Claims (2)
- （１）比較的負圧状態の容器内に所定のガスを送り込み
、所定の圧力にした状態で被処理体を前記容器内に搬入
あるいは前記容器から搬出する搬送方法において、 上記負圧状態から圧力をガスを供給して高くする際、ガ
スの供給は、初期期間はガス流量を、その後の期間より
も少なくするように制御するようにしたことを特徴とす
る搬送方法。 - （２）比較的負圧状態の容器内に所定のガスを送り込み
、所定の圧力にした状態で被処理体を前記容器内に搬入
あるいは前記容器から搬出する搬送方法において、 前記容器内が前記所定の圧力近傍の予め定められた圧力
になったとき、前記ガスの流量をそれ以前よりも少なく
するように制御することを特徴とする搬送方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2084260A JPH03283612A (ja) | 1990-03-30 | 1990-03-30 | 搬送方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2084260A JPH03283612A (ja) | 1990-03-30 | 1990-03-30 | 搬送方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03283612A true JPH03283612A (ja) | 1991-12-13 |
Family
ID=13825485
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2084260A Pending JPH03283612A (ja) | 1990-03-30 | 1990-03-30 | 搬送方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03283612A (ja) |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63160228A (ja) * | 1986-12-24 | 1988-07-04 | Hitachi Ltd | ウエハ処理装置 |
-
1990
- 1990-03-30 JP JP2084260A patent/JPH03283612A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63160228A (ja) * | 1986-12-24 | 1988-07-04 | Hitachi Ltd | ウエハ処理装置 |
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