JPH0349107A - 窒化アルミニウム焼結体用導電ペースト - Google Patents
窒化アルミニウム焼結体用導電ペーストInfo
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- JPH0349107A JPH0349107A JP18307589A JP18307589A JPH0349107A JP H0349107 A JPH0349107 A JP H0349107A JP 18307589 A JP18307589 A JP 18307589A JP 18307589 A JP18307589 A JP 18307589A JP H0349107 A JPH0349107 A JP H0349107A
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- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 title claims description 15
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims abstract description 16
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims abstract description 16
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 15
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 15
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims abstract description 8
- BVKZGUZCCUSVTD-UHFFFAOYSA-L Carbonate Chemical compound [O-]C([O-])=O BVKZGUZCCUSVTD-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims description 9
- CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L Sodium Carbonate Chemical compound [Na+].[Na+].[O-]C([O-])=O CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims description 4
- BWHMMNNQKKPAPP-UHFFFAOYSA-L potassium carbonate Chemical compound [K+].[K+].[O-]C([O-])=O BWHMMNNQKKPAPP-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims description 4
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 3
- WPFGFHJALYCVMO-UHFFFAOYSA-L rubidium carbonate Chemical compound [Rb+].[Rb+].[O-]C([O-])=O WPFGFHJALYCVMO-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims description 3
- 229910000026 rubidium carbonate Inorganic materials 0.000 claims description 3
- XGZVUEUWXADBQD-UHFFFAOYSA-L lithium carbonate Chemical compound [Li+].[Li+].[O-]C([O-])=O XGZVUEUWXADBQD-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims description 2
- 229910052808 lithium carbonate Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910000027 potassium carbonate Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910000029 sodium carbonate Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract description 14
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 abstract description 5
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 abstract description 4
- 239000001856 Ethyl cellulose Substances 0.000 abstract description 2
- ZZSNKZQZMQGXPY-UHFFFAOYSA-N Ethyl cellulose Chemical compound CCOCC1OC(OC)C(OCC)C(OCC)C1OC1C(O)C(O)C(OC)C(CO)O1 ZZSNKZQZMQGXPY-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 2
- 229920001249 ethyl cellulose Polymers 0.000 abstract description 2
- 235000019325 ethyl cellulose Nutrition 0.000 abstract description 2
- 238000004898 kneading Methods 0.000 abstract description 2
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 abstract description 2
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- SKBXVAOMEVOTGJ-UHFFFAOYSA-N xi-Pinol Chemical compound CC1=CCC2C(C)(C)OC1C2 SKBXVAOMEVOTGJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 2
- 101100453572 Arabidopsis thaliana KCO3 gene Proteins 0.000 abstract 1
- 229910012988 LiCo3 Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 101100453573 Oryza sativa subsp. japonica TPKC gene Proteins 0.000 abstract 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 5
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 4
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 2
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 2
- DOIRQSBPFJWKBE-UHFFFAOYSA-N dibutyl phthalate Chemical compound CCCCOC(=O)C1=CC=CC=C1C(=O)OCCCC DOIRQSBPFJWKBE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 2
- 239000007791 liquid phase Substances 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- WUOACPNHFRMFPN-VIFPVBQESA-N (R)-(+)-alpha-terpineol Chemical compound CC1=CC[C@H](C(C)(C)O)CC1 WUOACPNHFRMFPN-VIFPVBQESA-N 0.000 description 1
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-M Acetate Chemical compound CC([O-])=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000013405 beer Nutrition 0.000 description 1
- 239000007767 bonding agent Substances 0.000 description 1
- 238000005219 brazing Methods 0.000 description 1
- 125000000484 butyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 150000004649 carbonic acid derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000005496 eutectics Effects 0.000 description 1
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 1
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 1
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 238000000691 measurement method Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 230000005012 migration Effects 0.000 description 1
- 238000013508 migration Methods 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 1
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/02—Details
- H05K1/09—Use of materials for the conductive, e.g. metallic pattern
- H05K1/092—Dispersed materials, e.g. conductive pastes or inks
Landscapes
- Conductive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
この発明は、窒化アルミニウム焼結体基板上に形成され
る導電パターン、電極等に用いられる導電ペーストに関
する。
る導電パターン、電極等に用いられる導電ペーストに関
する。
従来から半導体装置の絶縁と放熱を兼ねた絶縁板として
、アルミナ(A2□0.)焼結体基板が多用されてきた
。しかしながら最近の半導体装置の高出力化などの背景
から、熱伝導率の高い絶縁板が求められている。 窒化アルミニウム(AI2N)焼結体基板は、熱伝導率
が高く、200W/−Kを越える高熱伝導率のものが実
用化されている。また窒化アルミニウムは、熱膨張係数
がSiに近いこと、絶縁特性が優れていることなど基板
材料として優れた面が多い。 しかし、この反面窒化アルミニウム焼結体基板は、いわ
ゆるぬれ性が悪く、また純度が高いので、液相反応を起
こし、接合強度向上に寄与するシリカ等の不純物を含ま
ないことと相まって、導電ペーストとの強固な接合が得
られないという欠点がある。 窒化アルミニウム焼結体基板の表面に、導電体を形成す
る手段としては、例えばDBC法と称されるCu−0共
晶液相を利用してCu箔を直接基板上へ張り付ける方法
。ペースト状のW、Mo等の高融点金属を焼結させる方
法。窒化アルミニウムと金属間にTiを添加したAg−
Cu系のろう材を挿入して張り付ける方法などが試みら
れている。しかし、いずれの方法も焼結に高い温度を必
要としたり、工程が複雑であるなどの問題点があり、現
状の要求に十分に答えられる状態ではない。
、アルミナ(A2□0.)焼結体基板が多用されてきた
。しかしながら最近の半導体装置の高出力化などの背景
から、熱伝導率の高い絶縁板が求められている。 窒化アルミニウム(AI2N)焼結体基板は、熱伝導率
が高く、200W/−Kを越える高熱伝導率のものが実
用化されている。また窒化アルミニウムは、熱膨張係数
がSiに近いこと、絶縁特性が優れていることなど基板
材料として優れた面が多い。 しかし、この反面窒化アルミニウム焼結体基板は、いわ
ゆるぬれ性が悪く、また純度が高いので、液相反応を起
こし、接合強度向上に寄与するシリカ等の不純物を含ま
ないことと相まって、導電ペーストとの強固な接合が得
られないという欠点がある。 窒化アルミニウム焼結体基板の表面に、導電体を形成す
る手段としては、例えばDBC法と称されるCu−0共
晶液相を利用してCu箔を直接基板上へ張り付ける方法
。ペースト状のW、Mo等の高融点金属を焼結させる方
法。窒化アルミニウムと金属間にTiを添加したAg−
Cu系のろう材を挿入して張り付ける方法などが試みら
れている。しかし、いずれの方法も焼結に高い温度を必
要としたり、工程が複雑であるなどの問題点があり、現
状の要求に十分に答えられる状態ではない。
この発明は、従来からアルミナ用として用いられている
導電ペーストを基本組成とし、これに接合助剤を添加す
ることで、窒化アルミニウム焼結体基板に対しても十分
な接合強度が得られる導電ペーストを得ることを目的と
している。
導電ペーストを基本組成とし、これに接合助剤を添加す
ることで、窒化アルミニウム焼結体基板に対しても十分
な接合強度が得られる導電ペーストを得ることを目的と
している。
この発明の導電ペーストは、Ag粉末70〜95重量部
、Pd粉末5〜30重量部、ガラスフリット05〜lO
重量部の範囲の組成からなる基礎組成に対し、IA属金
属の炭酸化物を0.1〜10重量部の範囲で添加したこ
とを特徴としている。 更にこの発明では、IA属金属の炭酸化物として、炭酸
リチウム(LiZCOl)、炭酸ナトリウム(N a
z CO= ) 、炭酸カリウム(KzCo。 )、炭酸ルビジウム(Rb2CO3)の中から選択され
た何れか一種もしくは二種以上を添加することも特徴と
している。 すなわちこの発明によれば、導電ペーストの基本組成と
してAg粉末、Pd粉末およびガラスフリ、トの混合物
を基礎組成とし、これにIArFA金属の炭酸化物を接
合助剤として添加することにより、この発明の目的を達
成している。 基礎組成の好ましい範囲とし7ては、Ag粉末が70な
いし95重量部、Pd粉末を5ないL30重量部、ガラ
スフリットを0.5ないし10重量部の範囲一で選択し
た組成比のものを用いれば好適である。 このような組成とすることは、Ag粉末が多過ぎるとマ
イグレーションや半田浸漬性が悪くなる。 またPdが多過ぎると導体の抵抗イーの増加や1′[1
1のぬれ性が悪くなる。またガラスフリソ1〜について
も量が多くなると、窒化アルミニウム焼結体との反応が
激しくなり、ペーストの特性が不安定乙こなるなどの理
由による。 この基礎組成に対し、この発明ではIA属金属の炭酸化
物を0.1重量部から10重量部の範囲で添加して用い
ればよい。 また混練に用いるバインダーについては、既知のものを
用いることができるが、具体例を例示するとα−ターピ
ノール、ジブチルフタレート、ブチルカルピトールアセ
テートなどの有機溶媒中にエチルセルロース、アルキン
ド樹脂などの有機ビヒクルを分散させたものなどが挙げ
られる。
、Pd粉末5〜30重量部、ガラスフリット05〜lO
重量部の範囲の組成からなる基礎組成に対し、IA属金
属の炭酸化物を0.1〜10重量部の範囲で添加したこ
とを特徴としている。 更にこの発明では、IA属金属の炭酸化物として、炭酸
リチウム(LiZCOl)、炭酸ナトリウム(N a
z CO= ) 、炭酸カリウム(KzCo。 )、炭酸ルビジウム(Rb2CO3)の中から選択され
た何れか一種もしくは二種以上を添加することも特徴と
している。 すなわちこの発明によれば、導電ペーストの基本組成と
してAg粉末、Pd粉末およびガラスフリ、トの混合物
を基礎組成とし、これにIArFA金属の炭酸化物を接
合助剤として添加することにより、この発明の目的を達
成している。 基礎組成の好ましい範囲とし7ては、Ag粉末が70な
いし95重量部、Pd粉末を5ないL30重量部、ガラ
スフリットを0.5ないし10重量部の範囲一で選択し
た組成比のものを用いれば好適である。 このような組成とすることは、Ag粉末が多過ぎるとマ
イグレーションや半田浸漬性が悪くなる。 またPdが多過ぎると導体の抵抗イーの増加や1′[1
1のぬれ性が悪くなる。またガラスフリソ1〜について
も量が多くなると、窒化アルミニウム焼結体との反応が
激しくなり、ペーストの特性が不安定乙こなるなどの理
由による。 この基礎組成に対し、この発明ではIA属金属の炭酸化
物を0.1重量部から10重量部の範囲で添加して用い
ればよい。 また混練に用いるバインダーについては、既知のものを
用いることができるが、具体例を例示するとα−ターピ
ノール、ジブチルフタレート、ブチルカルピトールアセ
テートなどの有機溶媒中にエチルセルロース、アルキン
ド樹脂などの有機ビヒクルを分散させたものなどが挙げ
られる。
以下実施例に基づいて、この発明の詳細な説明する。
まず、導電ペーストの基礎組成として、A g粉末85
重量部、Pd粉末15重量部、ガラスフリソ1〜5重量
部からなる混合物を作成し、これに以下の表に示す4つ
の炭酸化物粉末を添加量を変えて添加し、バインダーと
共に混練してペーストを作成した。 この各種ペーストをスクリーン印刷によって窒化アルミ
ニウム焼結体基板」二に2閤角のパターンを印刷し、レ
ベリング後、120°Cで乾燥させ、その後焼結炉で9
00°C,10分間で焼結させた。 接合強度の測定は、いわゆるビール(引っ張り)強度測
定法に従った。焼結した2 mm角の導電ペーストパタ
ーン上に線径0 、8 mmのネイルヘントビンを半田
付けし、これを基板に対して垂直方向に引っ張り、剥が
れる強さを測定した。この結果を以下の表に示す。 なお表中の添加量の単位は(重計部)、接合強度の単位
は(kg/4m+n” )である。 −表一 この結果かられかるように、IA属金属の炭酸化物を全
く添加しない場合の接着強度は低く、IA属金属の炭酸
化物を添加した場合であっても、添加量が001重量部
未満の場合には、添加の効果が全くないか殆ど得られな
い。また添加量が10重量部を越えると、接着強度は低
下することが認められた。 この結果から、添加量として好ましい範囲は、いずれの
添加物についてもO81重量部から10重量部であった
。 またこの実施例では、添加物を単独で添加したが、これ
らの添加物は二種以上を混合して添加してもよい。更に
この実施例で挙げた以外のIAfiA素化物であっても
、同様の効果が得られる。
重量部、Pd粉末15重量部、ガラスフリソ1〜5重量
部からなる混合物を作成し、これに以下の表に示す4つ
の炭酸化物粉末を添加量を変えて添加し、バインダーと
共に混練してペーストを作成した。 この各種ペーストをスクリーン印刷によって窒化アルミ
ニウム焼結体基板」二に2閤角のパターンを印刷し、レ
ベリング後、120°Cで乾燥させ、その後焼結炉で9
00°C,10分間で焼結させた。 接合強度の測定は、いわゆるビール(引っ張り)強度測
定法に従った。焼結した2 mm角の導電ペーストパタ
ーン上に線径0 、8 mmのネイルヘントビンを半田
付けし、これを基板に対して垂直方向に引っ張り、剥が
れる強さを測定した。この結果を以下の表に示す。 なお表中の添加量の単位は(重計部)、接合強度の単位
は(kg/4m+n” )である。 −表一 この結果かられかるように、IA属金属の炭酸化物を全
く添加しない場合の接着強度は低く、IA属金属の炭酸
化物を添加した場合であっても、添加量が001重量部
未満の場合には、添加の効果が全くないか殆ど得られな
い。また添加量が10重量部を越えると、接着強度は低
下することが認められた。 この結果から、添加量として好ましい範囲は、いずれの
添加物についてもO81重量部から10重量部であった
。 またこの実施例では、添加物を単独で添加したが、これ
らの添加物は二種以上を混合して添加してもよい。更に
この実施例で挙げた以外のIAfiA素化物であっても
、同様の効果が得られる。
以上述べたようにこの発明によれば、窒化アルミニウム
焼結体基板用の導電ペーストとして、高い接着強度が得
られる。 また基礎組成の導電ペーストは、アルミナ基4かへの流
用も可能であり、添加剤の配合のみによって、各種の絶
縁基板への適用が可能なため、製造現場においてペース
トの種類を少なくでき、生産効率が良くなる。
焼結体基板用の導電ペーストとして、高い接着強度が得
られる。 また基礎組成の導電ペーストは、アルミナ基4かへの流
用も可能であり、添加剤の配合のみによって、各種の絶
縁基板への適用が可能なため、製造現場においてペース
トの種類を少なくでき、生産効率が良くなる。
Claims (2)
- (1)Ag粉末70〜95重量部、Pd粉末5〜30重
量部、ガラスフリット0.5〜10重量部の範囲の組成
からなる基礎組成に対し、IA属金属の炭酸化物を0.
1〜10重量部の範囲で添加したことを特徴とする窒化
アルミニウム焼結体用導電ペースト。 - (2)IA属金属の炭酸化物が、炭酸リチウム、炭酸ナ
トリウム、炭酸カリウム、炭酸ルビジウムのいずれかか
ら選択された一種もしくは二種以上であるところの請求
項1記載の窒化アルミニウム焼結体用導電ペースト。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18307589A JPH0349107A (ja) | 1989-07-15 | 1989-07-15 | 窒化アルミニウム焼結体用導電ペースト |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18307589A JPH0349107A (ja) | 1989-07-15 | 1989-07-15 | 窒化アルミニウム焼結体用導電ペースト |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0349107A true JPH0349107A (ja) | 1991-03-01 |
Family
ID=16129319
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18307589A Pending JPH0349107A (ja) | 1989-07-15 | 1989-07-15 | 窒化アルミニウム焼結体用導電ペースト |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0349107A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5293331A (en) * | 1992-06-01 | 1994-03-08 | National Semiconductor Corporation | High density EEPROM cell with tunnel oxide stripe |
| KR100685680B1 (ko) * | 1998-12-10 | 2007-02-23 | 가부시키가이샤 고마쓰 세이사쿠쇼 | 건설기계의 공기조화장치 |
-
1989
- 1989-07-15 JP JP18307589A patent/JPH0349107A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5293331A (en) * | 1992-06-01 | 1994-03-08 | National Semiconductor Corporation | High density EEPROM cell with tunnel oxide stripe |
| KR100685680B1 (ko) * | 1998-12-10 | 2007-02-23 | 가부시키가이샤 고마쓰 세이사쿠쇼 | 건설기계의 공기조화장치 |
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