JPH03503946A

JPH03503946A - 高効率の太陽電池

Info

Publication number: JPH03503946A
Application number: JP2502898A
Authority: JP
Inventors: ホー，フランク　エフ; イエー，ミルトン　ワイ
Original assignee: アプライド　ソーラー　エナジー　コーポレイション
Priority date: 1989-02-03
Filing date: 1990-01-23
Publication date: 1991-08-29
Anticipated expiration: 2009-05-11
Also published as: US4915744A; EP0414844A1; EP0414844A4; WO1990009039A1; JPH0636430B2

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるため要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】

田立用２浬Ｂ

【氷夏一本発明は、改良されたゲルマニウム／ガリウムヒ素太陽電池に関する。ｌ尻生！１従来、主活性ジャンクションがｎ型とＰ型のガリウムヒ素からなる太陽電池に対する基板として、ゲルマニウムか、またはガリウムヒ素が用いられている。ガリウムヒ素の基板は、ゲルマニウム基板が有する問題点が少なく、かつ電気的特性が勝っている。これらの問題点の一つとして、「カスケード効果」がある、この効果により、全出力のいくらかが、ガリウムヒ素の基板とのジャンクション（接合部）から発生する。このジャンクションは、赤外線エネルギーに特に反応し易く、かつ相当に高い温度係数を有している。これらの問題点や、太陽電池の標準的製造方法に関しては、次に挙げる文献で報告されている。（１）エム・カド−（Ｍ、Ｋａｔｏ）らによるｒＭＯｃＶＤによるＡ　Ｑ　ＧａＡｓ／ＧａＡｓ太陽電池（ＭＯＣＶＤ　Ａ　ｎ　ＧａＡｓ／ＧａＡｓ　５ｏｌａｒ　Ｃｅ１ｌｓ）に１９８５年、米国電気電子学会（ＩＥＥＥ）　、発行８１１０１６０−８３７１／８５１００００−００１４゜（２）ニス・ピー・トビン（Ｓ、Ｐ、Ｔｏｂｉｎ）らによる「高効率ＧａＡｓ／Ｇｅモノリシックタンデム型太陽電池（Ｈｉｇｈ　Ｅｆｆｉｃｉｅｎｃｙ　ＧａＡｓ／Ｇ。Ｍｏｎｏｌｉｔｈｉｃ　Ｔａｎｄｓｍ　５ｏｌａｒ　Ｃｅ１ｌｓ）Ｊ　；　ＩＥＥＥ電子素子レターし、Ｖｏｌ、　９、＆５，１９８８年５月、２５６〜２５８ページ。（３）ワイ・シー・エム・イエ−（Ｙ、Ｃ，Ｍ、Ｙｅｈ）、エフ・ホー（Ｆ、Ｈｏ）らによる「頑丈な高効率ＧａＡｓ／Ｇｅ太陽電池の大量生産（ＨｉｇｈＶｏｌｕｍｅ　　Ｐｒｏｄｕｃｔｉｏｎ　　ｏｆ　　Ｒｕｇｇｅｄ　　）ｌｉｇｈ　　Ｅｆｆｉｃｉｅｎｃｙ　　ＧａＡｓ／Ｇｅ５ｏｌａｒ　Ｃｅ１ｌｓ）Ｊ　：ＩＥＥＥ太陽電池専門家会議、１９８８年９月、米国ネバダ州うスベガス。（４）アール・イー・ハート、ジュニア（Ｒ，Ｅ、Ｈａｒｔ＋Ｊｒ、）らによるｒ　ＧａＡｓ／Ｇｅ太陽電池の高電流−電圧測定（Ｈｉｇｈ　ＡｌｔｉｔｕｄａＣｕｒｒａｎｔ−Ｖｏｌｔａｇｅ　Ｍｅａｓｕｒｅｍｅｎｔ　ｏｆ　ＧａＡｓ／Ｇｏ　５ｏｌａｒ　Ｃｅ１ｌｓ）Ｊ　；ＩＥＥＥ太陽電池専門家会議−１９８８年９月、米国ネバダ州うスベガス。上記文献中、並びに本明細書中で使われている略語の意味するところは、次の通りである。アルミニウム元素をｒＡＱＪ−ゲルマニウム元素をｒＧｅＪ、ヒ素をｒＡｓＪ− ガリウム元素をｒＧａＪと、それぞれ呼ぶ、太陽電池の表示であるｒＧａＡｓ／ＧｅＪは、ゲルマニウム基板上にガリウムヒ素を成長させた太ｒｉＩＩ！池であることを表わす。半導体の分野においてよく知られているように、ケイ素及びゲルマニウムは、４つの価電子を有する■族の半導体元素であり、かつ、５つの価電子を有する似た元素を加えることによる「ドーピング」を行なって、過剰の電子を有する状態のｎ型をつくり、また３つの価電子しか有しない似た元素によりドーピングを行なって、電子の欠損状態のｐ型をつくる。元素の周期表におけるＧａをはさむそれぞれの側にある。■族のＧａ及び■族のＡｓは、　Ｇｅのドーピングを行なうためによく用いられている。　Ｇｅを用いずそれらを一緒に用いた場合、優れた半導体であるガリウムヒ素を生成する。ＧａＡｓとＧｅは、非常によく似たいくつかの性質を有している。特に、格子定数（５，６５３４オングストロームと５．６５７４８オンダストローム）、および熱膨張係数（５，９Ｘ　１０−’／”Ｃと５．８　Ｘ　１０−’ ／”Ｃ）。これらの性質は、一方の物質の他方の物質に対する結晶の成長を有利にする。再び、本発明の背景について説明する。ゲルマニウムは、多くの理由で、ガリウムヒ素太陽電池のための基板として好適である。第１に、ゲルマニウムは、基板として、ガリウムヒ素よりも大きな破砕靭性を有している。　０．２０ｍ（８ミル）厚のゲルマニウムスライスは−０，３１■（１２ミル）厚のガリウムヒ素スライスの２倍も強い、第２に、コストの面で。ゲルマニウムのほうが有利である。つまり、ゲルマニウムは、ガリウムヒ素より３０〜４０％安くあがる。また、　０．２０■（８ミル）厚のゲルマニウムウェハーは＋　０．３１■（１２ミル）厚のガリウムヒ素よりも３４％も軽い０重量も、例えば場所的利用に関して、重要な要素である。しかも、冒頭で述べた逆の効果のために、ゲルマニウム基板の使用が阻まれている。ゲルマニウムを使用する際の厄介な別の問題は、ゲルマニウム基板を、ガリウムヒ素の析出のために用いられるガスに曝す際の高温状態で発生するｒセルフ・ドーピング」である。ゲルマニウムの融点は約９３７℃であり、またガリウムヒ素の気相成長は７８０ ℃までの温度で起こるので、ゲルマニウムがいくらか蒸発し、ｉｌ造の際、同じ密閉容積の中で処理されている別の太陽電池の微妙なドーピングに、悪い影響を与える。従来、このような影響をなくすため、相当に費用のかかる処理工程を含むガリウムヒ素の特殊なキャップが使用されている。本発明の主な目的は、ゲルマニウム基板上にガリウムヒ素の素子を形成する際に発生していた問題点を解消して、優れた太陽電池を提供することである。１王立ｌ豊本発明によれば、カスケード効果は、ゲルマニウム基板との界面に光起電性禁止ジャンクションを形成することにより阻止される。このジャンクションは、相当に低い温度、つまり、良好な表面形態（ｓｕｒｆａｃｅ　ｍｏｒｐｈｏｌｏｇｙ）を得るのに好適な７４０〜７８０℃の温度で成長を開始させることにより達成される。本発明によれば、ゲルマニウム基板を、通常の方法、つまり。軸１００とほぼ直角に、かつ軸１１０かまたは紬１１１に対して、約３度傾けて切断するのではなく、軸００１とほぼ直角であるが、結晶軸１１１及び０１１のほぼ中間の方向に、ある角度、即ち３〜２０度。好ましくは６〜１５度の角度で切断する。本発明の特徴は、不必要なセルフ・ドーピング効果を禁止するため、ゲルマニウム基板の表面に、二酸化ケイ素の安価なコーティングを施しであることである。本発明の利点は、高効率性、カスケード効果の排除、温度係数の低減、セルフ・ドーピングの防止を、大きな費用を掛けることなく達成しうることである。本発明の他の目的、特徴及び利点は、添付の図面を参照しての次の詳細説明により、明らかになることと思う。図面の簡単な説明第１図は、太陽電池の正面斜視図である。第２図は、第１図示の太陽電池の一部拡大断面斜視図である。第３図は、本発明による太陽電池における基板として用いられるゲルマニウムの結晶軸を示す立体模式図である。第４図は、本発明の実施に際して用いられるゲルマニウム基板の方向を示す幾何学的説明図である。の　　　な太陽光には、ｌｊ当たり約１３５．３ミリワツトに相当する強さがある。太陽電池は、この入射光を電気的なエネルギーに変えるものであるが、太陽電池の効率は、約１５〜２０％の範囲である。ここでいう効率とは、太陽電池に入射する太陽光に対する出力電力の比の意義である。高効率であることのほかに、太陽電池に必要な他の要件は、機械的強度が高いこと、温度変化による出力電力の温度係数が低いこと、耐逆バイアス状態が優れていることである。第１図及び第２図は、２つの重要な相違点を有する通常の太陽電池の構造を示す。２つの相違点とは、ゲルマニウム基板（１２）の結晶の方位と、基板（１２）及びｎ型ＧａＡｓバッファ層（１６）の間の不動態界面、即ち光禁止界面（１４）とである。しかし、分かり易くするため、第１図及び第２図では、太陽電池（１８）の全体構造を、簡潔に示しである。つまり、ｎ型ＧａＡｓベース層（２０）及びＰ型ＧａＡｓエミッタ層（２２）は、ｎ型ＧａＡｓバッファ層（１６）の上方に位置している。ＡρＧａＡｓ窓層（２４）、および２つの反射防止コーティング層（２６）は、半導体構造を完成している。全金属層（２８）が、基板（１２）の底面に施されている。太陽電池（１８）の頂面には、金属格子ライン（３０）及び上方接触領域（３２）が設けられている。格子ラインにより、太陽光線は。ベース（２０）とエミッタ（２２）との間のジャンクションに照射されこのような構造は公知であり、また太陽電池をつるく方法も、公知であって、上で゛述べたこと以外につ、いては、冒頭で引用した文献に記載されている。第３図及び第４図は１本発明によるゲルマニウム基板の新規の結晶方位を考える際に有用な説明図である。ゲルマニウムの結晶には、３つの基本的な結晶軸がある。それらの軸を、００１．１１１及び０１１として表わすことができる。これらの軸は、第３図示の幾何学的立体の面に対して直角である。軸１１１及び０１１は、それぞれ、軸００１に対して、５４度４４分及び４５度傾いている。従って、第４図に示すように、軸１１１及び０１１を。軸００１に直交する面上に投影すると、投影されたものは、互いに４５度の角度を形成する。従来、ゲルマニウム基板を有するガリウムヒ素太陽電池（ＧａＡｓ／Ｇｅ）は、００１方向（つまり、００１方向と直交するウェハー基板の面）にほぼ等しいが、１１１面の方向へ約６度傾いた方向角を用いて構成されている。本発明においては、第４図に示すように、基板が、０１１方向と１１１方向とのほぼ中間で、００１方向から鋭角に傾く方向をとった際に、優れた効率が達成されるようにしである。つまり、第４図において、００１方向は１紙面から垂直方向に伸びており。また、轄１１１及び軸０１１を軸００１に直交する面に投影したものを、それぞれ、符号（２４）及び（４４）で示し、かつそれらは、互いに４５度の角度をなしている。線（４６）は、軸１１１と軸０１１とのほぼ中間、つまり、軸１１１から約２５度、軸０１１からは約２０度のところに位置している。基板の面を、００１方向を含む垂直面から約５〜１５度で方向づけした際、即ち、軸１１１と軸０１１とのほぼ中間の方向に傾いている際、太陽電池の効率が相当に向上することが分かった。比較処理、および９度の傾斜角を用いた場合、電池の効率は約２０％よくなり、同じ変数を用いた別の場合でも、２０．０％以上の効率向上が達成された。６度の傾斜角、それに、第４図示の方向を用いた別の試みによると、電池の効率は２０％向上した。それぞれの場合について、前節で述べたように方向づけした基板を有する多くの同時処理した太陽電池による比較を行なった。９度の傾斜角、および第４図示の方向づけを用いた際、２２個のサンプルからなるテストによる太陽電池の平均効率は、１９．１％であった・第２図に示すｎ型ゲルマニウム基板（１２）と、ｎ型ガリウムヒ素バッファ（１６）との間におけるジャンクション（界面）（１４）について考察を行なう。ガリウムヒ素の析出は、キャリヤーである水素ガス中で、（ＣＨ，）、Ｇａ及びＡｓＨ，を用いて行なう、良好な表面形態を得るため、通常、気相成長を約７４０℃で開始し、かつ７８０℃程度まで昇温させるが、いずれにせよ、ガリウムヒ素の気相成長をよくするため、この温度範囲にとどめておく、ちなみに、ガリウムヒ素の融点は１　、２３８℃であり、ゲルマニウムの融点は約９３７℃である。通常の析出方法を用いた場合、よい表面形態が得られ、かつ第２図示の界面（１４）のところに、よい光起電性カスケードジャンクションが形成される。しかし、上で説明したように、主として赤外線エネルギーに反応し易いこの種のジャンクションが存在すると、さまざまな問題が生じる０例えば、温度係数を大きくしたり、また前述の文献にも詳述されているように、ユニットの電力出力及び効率に低下をもたらす電流−電圧出力特性における「キンク」を生じさせたりする。本発明によれば、ジャンクション（１４）における光起電力効果を禁止、即ち不動態化するため、ガリウムヒ素層（１６）を最初に析出させる開始温度は、７４０℃〜７８０℃以下、好ましくは７００℃以下となるように設定される。より詳しくいうと、６６０℃で開始し、かつ７４８℃まで急速に立ち上げる。完全な層が形成されたら成功であり、ジャンクション（１４）における光起電力効果は、はぼ不動態化する。すなわちなくなる。しかし１通常、００１方向に近接して方向づけられたゲルマニウム結晶に、このような低温度条件の下でＧａＡｓ層を成長させると、劣化結晶完成体（貧弱な表面形態のもの）が１！察され、その結果得られる電池の効率は悪かった。正確な方向づけと、低温度成長とを組合わせることによって、優れた電池性能が得られる。本発明の別の特徴について説明する。上で述べたように、太陽電池が形成されていく連続処理過程において、ゲルマニウム基板、特にその表面は、蒸発したり、また全太陽電池におけるいくつかのガリウムヒ素もしくは他の層と一緒に析出される。この発生を防止するため、従来、相当高くつく方法で、ゲルマニウム基板の裏側にガリウムヒ素のコーティングを施す方法が提案されている。しかし１本発明によれば、約４００℃で行なう簡単な化学的気相成長方法により、ゲルマニウム基板（１２）の裏面に、二酸化ケイ素による被膜をつくる。その際、ゲルマニウム基板の裏面には、シランガス及び酸素を与える。次に、太陽電池のジャンクションが形成された後、フッ化水素酸を用いて、二酸化ケイ素の被膜を取り除き、裏面接合金属体を形成する。本発明による太陽電池は、次の段階を経て製造される。（１）結晶軸００１に対してほぼ直角であるが、１１１方向と０１１方向とのほぼ中間の角度へ約５〜１５度傾いているウェハー基板の面を有するゲルマニウム基板をつくる段階。（２）ゲルマニウム基板の片面に、二酸化ケイ素の被膜を形成させる段階。（３）　７００℃以下の温度で開始させるが、その温度を、７４０℃〜７８０℃ に急速に立ち上がらせて、ガリウムヒ素によるｎ型バッファ層を気相成長させ、非光起電性ジャンクションを形成させる段階。（４）半導体の層を析出させ、ガリウムヒ素の太陽電池ジャンクションを形成する段階。（５）酸腐蝕により、二酸化ケイ素の層を除去する段階。（６）二酸化ケイ素が予め被覆されているゲルマニウム基板に。裏面接合金属体をつける段階。（７）太陽電池の上面に、金属格子ライン及び接触領域を設ける段階。完全を期すため、別の技術的問題についても注意を払った。つまり、基板をつくっているゲルマニウムの結晶の方向にっいて、００１結晶方向、および隣接する２つの結晶軸、即ち軸０１１と軸１１１を取り上げて、説明を行なった。しかし、０】１方向と等しい結晶の方向は６つあり、これらは、六面体の互いに直交する面になっている。第３図において、００１方向は、図の上面に表示されており、かつ２つの等価軸、即ち１００方向及び０１０方向も、見えている。３つの基板は、基本的な方向として、これらの軸方向のいずれかを用いるが、隣接する２つの軸の中間の角度で傾くようにして形成される１例えば、０１０方向を基本に選ぶと、ゲルマニウム基板の面は、０１０方向とほぼ直交するが５軸１１０と軸１１１とのほぼ中間の方向に傾いている。従って、本発明において、軸００１．および隣接軸について説明すると、６つの基本方向はいずれも包含され、かつ上で述べたように、これらの基本方向からの傾きは、あらゆる２つの隣接軸の中間にある。次に、第１図示の太陽電池の大きさについて説明するが、これらは、大して重要なことではない。第１図示の太陽電池の厚さは、約０，２０３■（８ミル）であり、その大部分は、ゲルマニウム基板の厚さである。セルの長さは、約３９７７園（２５／１６インチ）であり、その幅は、約１９．８ｍ　（２５／　３２インチ）である、セルの厚さを薄くしようと思えば、７６ミクロン（３ミル）とすることも可能である。セルの表面領域は、勿論、いろいろ変えることができる。前述の寸法は、好ましい一つの例に過ぎない。以上、図面を参照し、好適実施例に基づいて本発明を説明してきたが２、本発明の概念から逸脱することなく、上記した実施例に種々の変形変更を加えて本発明を実施することが出来る。従って、上記の実施例は１本発明を制約するものではない。例えば、太陽電池は、上で述べた以外のさまざまな厚さ及び寸法のものとすることができる。また、表面の格子ライン、および接触領域は、無反射式とは別の構造にすることができる。窓コーティングも、説明した以外のものを使用することができる。ゲルマニウム基板近傍の光起電力作用を禁止させるのに、別の方法を用いることもできる。ｎ型ゲルマニウム基板、並びにｎ型ベース及び上方Ｐ型エミッタを含むｎ型材料を用いる代わりに、Ｐ型ゲルマニウム基板。ｐ型ＧａＡｓベース及び上方ｎ型ＧａＡｓエミッタを含むＰ型層、並びにｎ型窓を用いて、極性を反転させるようにしてもよい。従って、本発明は、上で述べた構造または方法に制約されない。替　　　ｎ国際調査報告１Ｍ１ｍ＃ｌＡ−ａｍｓＸｓ、”τ／ＬＩ５９０１００４１０

Claims

【特許請求の範囲】

１．高効率の太陽電池であって、表面及び裏面を有するゲルマニウム基板と、前記基板の裏面上の裏面接合金属体と、前記基板表面との光起電性禁止ジャンクションを有するバッファ層と、前記バッファ層上の一方の導電型のガリウムヒ素ベースと、前記ベース上の他方の導電型のガリウムヒ素エミッタと、前記エミッタの上に伸びるとともに、それに結合されている金属格子ラインとを有し、前記ゲルマニウム基板が、結晶軸００１に対する垂直面から遠ざかる方向へ約３〜２０度、つまり、結晶軸１１１と０１１とのほぼ中間の角度に方向づけられた表面を有していることを特徴とする高効率の太陽電池。
２．基板が、結晶軸００１に対する垂直面から遠ざかる方向へ、約６〜１５度をもって方向づけられていることを特徴とする請求項１記載の太陽電池。
３．基板が、結晶軸００１に対する垂直面から遠ざかる方向へ、ほぼ９度をもって方向づけられていることを特徴とする請求項１記載の太陽電池。
４．軸００１に対する垂直面から遠ざかる方向が、軸１１１と００１との中間の角度である１５度以内の方向であることを特徴とする請求項１記載の太陽電池。
５．ベースがｎ型ガリウムヒ素からなり、かつエミッタがｐ型ガリウムヒ素からなっていることを特徴とする請求項１記載の太陽電池。
６．高効率の太陽電池であって、表面及び裏面を有するゲルマニウム基板と、前記基板の裏面上の裏面接合金属体と、前記基板の表面に析出されたガリウムヒ素層と、ｎ型ガリウムヒ素ベース及びｐ型ガリウムヒ素エミッタと、前記エミッタの上に伸びるとともに、それに結合されている金属格子ラインとを有し、前記ゲルマニウム基板が、結晶軸００１に対する垂直面から遠ざかる方向へ約３〜２０度、つまり、結晶軸１１１と０１１とのほぼ中間の角度に方向づけられた表面を有していることを特徴とする高効率の太陽電池。
７．光起電力作用を禁止するため、ジャンクションを不動態化したことを特徴とする請求項６記載の太陽電池。
８．基板が、結晶軸００１に対する垂直面から遠ざかる方向へ、約６〜１５度をもって方向づけられていることを特徴とする請求項６記載の太陽電池。
９．高効率の太陽電池を製造する方法であって、表面と裏面を有し、かつ前記表面が、結晶軸００１に対してほぼ直交するが、軸１１１と０１１とのほぼ中間の角度方向へ約３〜２０度傾いているゲルマニウム基板をつくる段階と、間に非光起電性ジャンクションを有する基板の表面に、ガリウムヒ素のバッファ層を形成する段階と、前記バッファ層に半導体層を析出させ、ガリウムヒ素太陽電池ジャンクションを形成する段階と、ゲルマニウム基板の裏面に裏面接合金属体を施す段階と、太陽電池の上面に、金属格子ライン及び接触領域をつける段階とからなることを特徴とする高効率太陽電池の製造方法。
１０．ゲルマニウム基板の裏面に裏面接合金属体をつける前に、前記基板の裏面に、二酸化ケイ素によるコーティングを施す段階を含む請求項９載の太陽電池の製造方法。
１１．ゲルマニウム基板の面を、結晶軸００１に対する垂直面から遠ざかる方向へ約６〜１５度傾ける請求項９記載の太陽電池の製造方法。
１２．ゲルマニウム基板の面を、結晶軸００１に対する垂直面から遠ざかる方向へほぼ９度傾ける請求項９記載の太陽電池の製造方法。
１３．軸１１１と０１１との中間の角度である１５度以内の傾斜角を用いて．基板をつくる請求項９記載の太陽電池の製造方法。
１４．バッファ層を形成する段階が、７００℃以下の温度で開始させるが、析出が進行するように、その温度を急速に７４０〜７８０℃の範囲に立ち上がらせて、ガリウムヒ素のｎ型バッファ層を気相成長させる段階を含む請求項９記載の太陽電池の製造方法。
１５．高効率の太陽電池を製造する方法であって、表面と裏面を有し、かつ前記表面が、結晶軸００１に対してほぼ直交するが、軸１１１と０１１とのほぼ中間の角度方向へ約３〜２０度傾いているゲルマニウム基板をつくる段階と、前記表面上に複数の半導体層を析出させ、ガリウムヒ素太陽電池ジャンクションを形成させる段階と、ゲルマニウム基板の裏面に、裏面接合金属体を施す段階と、太陽電池の上面に、金属格子ライン及び接触領域をつける段階とからなることを特徴とする太陽電池の製造方法。
１６．ゲルマニウム基板の片面に裏面接合金属体を施す前に、前記基板の片面に、二酸化ケイ素によるコーティングを行なう段階を含む請求項１５記載の太陽電池の製造方法。
１７．ゲルマニウム基板の面を、結晶軸００１に対する垂直面から遠ざかる方向へ約６〜１５度傾ける請求項１５記載の太陽電池の製造方法。
１８．ゲルマニウム基板の面を、結晶軸００１に対する垂直面から遠ざかる方向へほぼ９度傾ける請求項１５記載の太陽電池の製造方法。
１９．軸１１１と０１１との中間の角度である１５度以内の傾斜角を用いて、基板をつくる請求項１５記載の太陽電池の製造方法。
２０．高効率の太陽電池であって、表面と裏面とを有する基板であって、前記表面が、結晶軸００１に対する垂直面から遠ざかる方向へ約３〜２０度、つまり、結晶軸１１１と０１１とのほぼ中間の角度に方向づけられているものと、前記基板の表面に析出されたｐ−ｎジャンクションを含むとともに、前記基板に最も近接して位置する一方の導電型である第１のガリウムヒ素層、および前記基板から更に隔離して位置する他方の導電型である第２のガリウムヒ素層を有するガリウムヒ素太陽電池と、前記基板の裏面上の裏面接合金属体と、ｐ−ｎジャンクションを有するガリウムヒ素太陽電池の上に伸びるとともに、前記第２のガリウムヒ素層に結合されている金属格子ラインとからなることを特徴とする高効率太陽電池。