JPH03504063A - マルチチヤネル‐擬似火花スイツチを有するガスレーザー用励起回路および励起回路の用途 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるため要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 マルチチャネル−擬似火花スイッチを有するガスレーザー用励起回路および励起 回路の用途 この発明は請求項１の前文によるレーザー電極の間のレーザーチャンバのガス空 間内に均等なグロー放電を発生するための、ＴＥ原理により動作するガスレーザ ー用の励起回路に関するものである。

本発明は請求項１０および１１によるこのような励起回路の用途をも対象として いる。

請求項１の前文に記載されている励起回路はヨーロッパ特許第００２４５７６号 およびドイツ連邦共和国特許第２９３２７８１号明細書により公知であり、これ らの明細書にＬＣインバージョンまたは電荷トランスファ回路の形態のパルス発 生回路網の実施例が説明されている。

さらにドイツ連邦共和国特許出願公開第３３２３６１４号明細書により冒頭に記 載した種類の励起回路が公知であり、この明細書にはインバージョン−電荷トラ ンスファ（Ｉ　ＣＴ）回路を有するパルス発生回路網が説明されており、また回 路網コンデンサの板の三次元配置を有する実施例に追加していわゆる平坦な配置 を有する実施例も示されている。第１の場合には回路網コンデンサ板のスタック 方向がレーザーの光学的軸線に対して平行に向けられており、第２の場合には回 路網コンデンサ板の広がり方向がレーザーの光学的軸線に対して平行に延びてお り、その際にコンデンサスタックは第１の配置に比較してその板または部分板の 数を制限されている。なぜならば、さもなけれ１ｆ必要な導線の長さのために過 度に高いインダクタンスが犠牲にされなければならないからである。それにもか かわらず、この構成形態はより小さいレーザーパワーに対して有意義である。

冒頭に記載した種類の励起回路はエキシマレーザ−に対して特に意義を有する。

この形式のレーザーに対しては励起回路のなかに、大きい電流のスイッチングに より高電圧パルスをレーザー電極に生じさせる少なくとも１つの高速の高電圧ス イッチ要素が必要である。その際に、エキシマレーザ−における従来通常のパワ ーおよび反復レートを上方超過したいならば、たとえばサイラトロンのような商 業的なスイッチング要素の仕様の外に位置し得るピークおよび反転電流が生ずる 。従って、大きい電流をスイッチングし得るように、既にレーザー励起回路のな かに２つのサイラトロンを並列に接続してきた。しかし、その際に、サイラトロ ンの均等な負荷に関して問題が生ずる０本発明の課題は、ＴＥ原理により動作す るガスレーザー、特にエキシマレーザ−用の冒頭に記載した種類の励起回路から 出発して、高速の高電圧スイッチと従来結び付けられた前記の問題が解決される ように励起回路を構成すること、さらに励起回路のなかに挿入する高電圧スイッ チに関して電流負荷可能性、電流上昇速度および反復レートの点で従来公知の冒 頭に記載した種類の励起回路よりも優れたを利な配置を示すことである。

この課題は、本発明によれば、請求項１の前文によるガスレーザー用の励起回路 において請求項１の特徴部分にあげた特徴により解決される。有利な実施態様は 請求項２ないし１１にあげられている。

本発明により得られる利点はなかんずく、冒頭に記載した種類のガスレーザー、 特にエキシマレーザ−のパワーが顕著に高められ得ることにある。低抵抗の短時 間の高圧グロー放電の周辺条件のもとにピーク電流強度、電流上昇速度、反転電 流強度および耐電圧性の点でスイッチング要素に課せられる要求が満足され得る 。

いわゆる擬似火花に対して特徴的なことは２ｎｓないし５０ｎｓ内の迅速な電圧 崩壊、同時に達成可能なｎｓ範囲内のわずかなジッター、１０”Ａ／ｓまたはそ れ以上の高い電流上昇速度および５Ｘ１０”Ａ／ｄの高い達成可能な電流密度で ある。しかし、直接に擬似火花物理から導き出されるこれらのデータとならんで 、決定的な技術的意義をもつ特性をあげることができる。擬似火花の放電は電極 の孔の軸線上を延び、また放電の加速された正および負の電荷担体が、スイッチ の構造設計が相応に行われていれば、電極の後の大きな体積の空間に分散する。

この放電ジオメトリは高い負荷の際にサイラトロンおよび天孔間隙の寿命を極端 に制限する浸食およびスパッター過程を回避する。擬似火花スイッチは１００％ の電流反転を許し、またスイッチの極性は自由に選択可能である。低圧放電のわ ずかなトリガーエネルギーおよび大きい動作範囲はｐ、　ｄ　（圧力、間隔）に 関して有利に作用する。放電空間のなかに構造および間隔体積を必要とする補助 電極および格子が位置していないコンパクトな構成はスイッチング要素に対する 非常に低い（構造により条件付けられる）固有インダクタンスを許し、またパル ス発生回路網のなかに比較的高いｉｔ電流上昇速度可能にする。

本発明の対象は、シールドされたケースの内部に収容されており、またたとえば 大電流差込み接続部を有する大電流ケーブルなどの形態の電位接続を介してトリ ガすべき高電圧パルス回路の陽極および接地電位と接続されている、分離した構 成ユニットとしてのマルチチャネル擬似火花スイッチ（Ｖ　Ｉ　Ｐスイッチ）の 使用でもある。

励起回路は、コンデンサ板のスタック方向がレーザーの光学的軸線に対してほぼ 平行に延びており、また冷却された流動性の誘電体、特に化学的に純粋な水が使 用される（従って“水コンデンサ”と呼ばれる）回路網コンデンサのいわゆる三 次元配置に適用されることが好ましいが、本発明は、いわゆる平坦なレーザー装 置に対してＬＣＣインバージラン電荷トランスファまたはインバージョン−電荷 トランスファ回路で有利に使用可能であり、その場合に回路網コンデンサの板お よびそれらの中間に位置する誘電体層がレーザーチャンバの光学的軸線に対して ほぼ平行な平面内を延びており、またそれによって板のスタック方向が光学的軸 線に対してほぼ垂直に向けられている。

以下、図面について本発明の複数の実施例を一層詳細に説明する０図面において 、 第１図はＶＩＰスイッチを含む本発明による励起回路を含んでいるレーザーのシ ステム全体のブロック回路図、第２図はシステム構成要素“パルス充電装置”を 有する励起回路を若干詳細に示す図、 第３図および第４図はパルス発生回路網が第１図および第２図の場合のようにＬ Ｃインバージョン回路として構成されている励起回路を示し、詳細には第３図は その回路図、第４図は三次元の回路網コンデンサ配置への回路図の転換を示す図 、第５図および第６図はパルス発生回路網が電荷トランスファ回路として構成さ れている励起回路を示す図、第７図および第８図はＩＣＴ回路（ＩＣＴ＝インバ ージョン−電荷トランスファ回路）を基礎とするパルス発生回路網を有する励起 回路を示し、詳細には第７図はその回路図、第８図は三次元の回路網コンデンサ 配置への回路図の転換を示す図である。第４図、第６図および第８図はそれぞれ 回路網コンデンサの板パケ・ントの平面図であり、その板は紙面に突き刺さるよ うに示されている。

第９図は一方の長辺に高電圧スイッチを有し、また他方の長辺にレーザーチャン バおよびこれと構造的に一体化された予備電離装置を有するいわゆる水コンデン サ（ｙＪ誘電体しての化学的に純粋な水と、剛固な互いに間隔をおいた金属板と してのコンデンサ板を含んでいる）の実施例中の回路網コンデンサの三次元配置 を部分的に概要断面図で示す斜視図、 第１０図は高電圧スイッチユニットを通る第９図の断面Ｘ−Ｘによる断面図によ りＶＩＰスイッチ配置の個々の擬似火花スイ・ンチ（Ｐスイッチ）を一層詳細に 示す図、第１１図は断面ＸＩ−ＸＩによる第６図による高電圧スイッチユニット および隣接する水コンデンサの部分縦断面図である。その際に第１１図および第 １０図は個別擬似火花スイッチの陽極側の電極が共通の電位母線により互いに接 続されているＶＩＰスイッチの第１の実施例を示す。

第１２図は第１１図に比較して若干変更された図であり、個々のスイッチ陽極が 電気的に互いに隔てられているＶＩＰスイッチの第１の実施例を示す部分縦断面 図である。

第１３図はそのつどの擬似火花スイッチの互いに向かい合う電極の中心に拡大す る電極間隔を有する電極配置の変形された実施例の、第１２図の断面ｘｍ−ｘｍ による部分断面図、第１４図は第１２図による実施例の第１２図に相応する若干 詳細な部分縦断面図、 第１５図は第１１図の細部Ｘｖを示す図である。

第１図に示されている励起回路にはレーザーチャンバＬＫ（レーザーヘッドとも 呼ばれる）と、ブリュムライン回路とも呼ばれるＬＣインバージョン回路を基礎 とするパルス発生回路ｗ４Ｐ　ＥＮｌとが属している。励起回路はＴＥ原理で動 作する（ＴＥ＝垂直励起）ガスレーザーに対して指定されており、またレーザー 電極Ｅ、、Ｅ、の間のレーザーチャンバＬＫのガス空間１００のなかに均等なグ ロー放電を発生する役割をする。前記レーザーチャンバＬＫの内部に少なくとも ２つのレーザー電極Ｅ＋、Ｅｚが間隔をおいて向かい合っており、またそれらの 電極面をレーザーチャンバの光学的軸線０−ｏに対して平行にして延びており、 また好ましくはこの方向に広げられた全断面を有する（第６図から一層詳細に明 らかである）。励起回路はさらに少なくとも１つの高速の高電圧スイッチＳを有 し、その能動化または点弧によりパルス発生回路￥ｌ４ＰＥＮＩを介して高電圧 パルスがレーザー電極Ｅ４、Ｅ２に発生可能である。高電圧スイッチＳは、互い に並列に接続されており同時に点弧される多数の個別擬似火花スイッチ（以下で は短縮してＰスイッチと呼ばれる）から成るマルチチャネル擬似火花スイッチ（ 短縮してＶＩＰスイッチと呼ばれる）として構成されている。さらに、好ましく はＸ線予備電離装置として構成される予備電離装置７が設けられており、この予 備電離装置は、レーザー電極Ｅ、、Ｅ、に与えられる高電圧パルスがレーザーグ ロー放電の点弧しきいに達する以前にレーザーチャンバＬＫのガス空間１００の 予ｍ電離を生じさせる役割をする。パルス発生回路網ＰＥＮＩは励起回路の少な くとも第１および第２の回路網コンデンサＣ＊　、Ｃｓ　’ｈよび付属の等価イ ンダクタンスＬｘ、Ｌｓを含んでいる。後者は特にレーザーチャンバＬＫのＶＩ Ｐスイッチ、導線ＰＳ１およびＰＳ２および回路網コンデンサＣＫ、Ｃ。

の開存インダクタンスから生ずる。これらの等価インダクタンスはパルス発生回 路網の設計の際に考慮に入れられなければならない。それらは、等価インダクタ ンスの値が十分に大きくないならば、離散的なインダクタンスと合一されていて もよい。ＰＳｌは高電圧電位にある、またはこの電位に接続されている電位母線 、またはその部分（導線）であり、ＰＳＯは接地電位母線またはその部分である 。Ｂは接地電位を意味する。

充電ユニットＡＥは商用電源から与えられるエネルギーを、レーザーガスの励起 のための高圧グロー放電を供給するパルス発生回路網ＰＥＮＩの電気技術的必要 性に合うように変換する。ＶＩＰスイッチＳの閉路後にレーザーチャンバＬＫの 電極Ｅ＋、Ｅｚの両端の電圧が上昇し、またガス放電間隙がブレークスルーし、 その後に点弧時点の到達の直前にＸ線予備！離装置７が十分な数の電荷担体をレ ーザー電極Ｅ、　、Ｅ、の間に用意し終わる。冷却器８、ブロワ−９およびガス 定量供給および浄化装置１０ならびに接続導管１０１を有する閉じられたガス循 環路を経て電極Ｅ、、Ｅ２の間の、好ましくはレーザーの光学的軸線０−０に対 して垂直（第６図参照）のレーザーガスの迅速な交換が行われ、その際に放電に より生ずる損失熱が冷却器８を介して導き出される。構成要素日ないし１０を有 するガス循環路１０１の設計はレーザー電極の間の均等なガスの流れおよびガス 空間１００の体積のなかの十分な交換速度を保証しなければならない。流れに起 因するガス循環路中の圧力降下の際の相応の質量スループットをブロワ−９が維 持する。装置１０は予め定められたレーザーガスの組成を監視し、レーザー作動 により惹起される汚染をガス循環路１０１から隔離する役割をする。

全レーザーシステムは個別構成要素におけるセンサおよび操作端を介して電子式 制御ユニッ）ＳＨにより調節かつ監視される。

さらに制御ユニットＳＥは、パルスエネルギーおよび反復レートのような個々の 作動データを中央計算機を介して外部で設定することを許すターミナルとして構 成されている。制御ユニットＳＥは、矢印により示されているように、充電ユニ ットＡＥ、パルス発生回路網ＰＥＮＩ、レーザーチャンバＬＫ、予備電離ユニッ ト７およびガス循環路１０１を制御する。

第２図には、第１図による充電装置ＡＥと共に生ずる充電装置ＡＥＩの概要が示 されており、またパルス充電装置ＡＥ２が若干詳細に示されている。純容量性負 荷で動作する高電圧充電装置ＡＥ１は２つの放電の間にコンデンサＣ２を目標電 圧に充電する。

ＬＡはパルス充電装置ＡＥ２とパルス発生回路網ＰＥＮＩとの間の縦枝路内の別 のインダクタンスである。スイッチＳＬおよびＳの点弧は電子式制御ユニットＳ Ｅにより行われ、またナノ秒まで正確に調節され得る。電子式制御ユニッ）ＳＥ は正しい時点で予備電離装２７に対する点弧パルスをレリーズする。スイッチＳ Ｌはサイラトロンとして図示されている。それは好ましくはＶＩＰスイッチとし てスイッチＳと同じく構成されていてもよい。しかしながらパルス充電装置は本 発明の対象には属さない。

第３図には励起回路の第１図および第２図によるパルス発生回路ｙ４ＰＥＮＩが もう一度、抜き出して示されている。高電圧電位ＨＶにある（上側の）を位母線 ＰＳ１および接地電位にある（下側の）電位母線ＰＳＯに追加して横枝路が示さ れている。すなわち、参照符号Ｑ、を付して、第１の回路網コンデンサＣ８を含 む第１の横枝路が示されており、参照符号Ｑ２を付して、レーザーチャンバＬＫ およびそれに対して直列に位置する等価インダクタンスしＫを含む第２の横枝路 が示されており、参照符号Ｑ３を付して、インピーダンスし、を含む第３の横枝 路が示されている。

インピーダンスＬＬはグロー放電の際にはレーザー電極間隙Ｅ。

−Ｅ、の抵抗に比較して高抵抗であるが、それ以外のときには、それを経て第２ の回路網コンデンサＣＫの充電のための充電電流が流れ得るように、またレーザ ーのグロー放電の終了後に場合によってはレーザー電極に与えられている電位へ の放電が行われ得るように、低抵抗であり、従って励起回路はすぐ次のレーザー パルスの発生のためのすぐ次の充電および充電切換過程に対して準備されている 。キャパシタンスＣ工はインダクタンスし、と同じ（縦枝路内に位置している。

両回路網コンデンサの板は、図示されているように、通し番号１．２　（Ｃｓ　 ）および３．４（ＣＫ）を付されている。

第４図から理解されるように、第１および第２の回路網コンデンサＣｓ　、ＣＫ はそれらの機工ないし４（第４図では、部分層であるから、参照符号１／１．４ ／４．２／３を付されている）およびそれらの中間に位置する誘電体層ｄ（いま の場合には好ましくは流動性の誘電体、特に化学的に純粋な水が使用される）を レーザーチャンバＬＫの光学的軸線Ｏ−０に対してほぼ垂直にして延びており、 またレーザーチャンバＬＫの光学的軸線に対してほぼ平行にコンデンサパケット Ｋ。の形態にスタックされており、またパルス発生回路網ＰＥＮＩの内部で接続 されている。第３図および第４図は、前記のように、ＬＣインバージョンまたは ブリエムライン回路に関するもの、またはそれをシンボル化するものである。こ の回路では、後で説明する第５図ないし第８図による回路と同じく、第１の形式 の板１およびレーザー電極Ｅ２ならびにＶＩＰスイッチＳの一方の極Ｓ２は接地 電位Ｂに接続されている。回路網コンデンサＣ−２Ｃｔの第２の形式の板、すな わち板２．３（第３図）または板２／３、および高電圧スイッチまたはＶＩＰス イッチＳの他方の極Ｓ、は、パルス発生回路網Ｐ　ＥＮ　１が充電された状態で は、またＶＩＰスイッチＳが開かれている際には、高電圧電位ＨＶまたは陽極電 位にある。

第３図によるパルス発生回路網ＰＥＮＩ　（および第５図ないし第８図によるパ ルス発注回路網ＰＥＮ２およびＰＥＮ５）に対して特徴的なことは、さらに、回 路網コンデンサの第３の形式の板の電位、すなわち板４（第３図）または部分板 ４／４（第４図）の電位、および他方のレーザー電極Ｅ、の電位がパルス発生回 路網の３つの基本状態に関係することにある。

■　パルス発生回路網の放電された状態では、また■　パルス発生回路網の放電 された状態では、高電圧またはＶＩＰスイッチＳがなお開かれている際に回路網 コンデンサのこの第３の形式の板（４または４／４）ならびに他方のレーザー電 ｉＥ、はインピーダンスＬＬを介して接地電位にある。

■　それに対して前記第３の形式の板４または４／４ならびに他方のレーザー電 極Ｅ１にはＶＩＰスイッチＳの閉路により開始された転流期間の間、向がい合う 一方のレーザー電極Ｅ２に関して、レーザー電極間隙Ｅ、−Ｅ、をして高圧グロ ー放電の点弧を行わせ、またそのエネルギーによりこの放電を供給する高電圧パ ルスＵｙｓ（ｔ）　　・ｄｔが転流される。

第３図および第４図による先に説明した回路でも第５図ないし第８図による以下 に説明する回路でも■ｌＰスイッチＳは簡単化したシンボルにより示されており 、それに対して第１図および第２図中では電子管と類似のシンボルにより示され ている。このシンボルを選んだ理由は、擬像火花スイッチが、個別擬像火花スイ ッチ（Ｐスイッチ）としても、またはここに使用される多重擬偵火花スイッチ（ Ｖ　Ｉ　Ｐスイッチ）としても、１つまたはそれ以上の陰極−陽極バスを有し、 その際に陰極にそれぞれ遮蔽ハツトまたは格子、補助電極およびトリガー電極が 対応付けられているからである。すべてのこれらの補助機能は簡単化して陰極を それぞれ包囲する格子の図示により一括された。中断されている図示は、ＶＩＰ スイッチがいずれにせよ多数のＰスイッチから形成され得ることを示している。

第５図および第６図によるパルス発生回路網ＰＥＮ２の電荷トランスファ回路で は両回路網コンデンサＣＬおよびＣＫの板は参照符号１’、２’、３’および４ ′を付されている。第３図による回路と相違して、横枝路内に位置する回路網コ ンデンサＣＬは縦技路内に位置する回路網コンデンサＣＫの、高電圧またはＶＩ Ｐスイッチと反対側の一方の板３′に接続されている。第５図および第６図の比 較により容易に確認されるように、部分板１′／ｌ′は板ｌ′に相当し、部分板 ２’／３’は板２′および３′の組み合わせに相当し、部分板４’／４’は板４ ′に相当する。第１の形式の板、一方のレーザー電極ならびにＶＩＰスイッチＳ の一方の極は参照符号１′または１’／１’、Ｅ、ならびに＄２を付されている 。回路網コンデンサの第２の形式の板と、パルス発生回路′Ｍ４ＰＥＮ２の充電 された状態でまたスイッチＳが開かれた際に高電圧側の電位ＨＶにあるＶＩＰス イッチの他方の極は参照符号４′または４’／４’およびＳｌを付されている。

回路網コンデンサの第３の形式の板と、３つの基本状態Ｉ、■および■が区別さ れなければならない他方のレーザー電極とは参照符号２′、３′または２’／３ ’およびＥ、を付されている。

第７図および第８図による付属のパルス発生回路網ＰＥＮ３を有する励起回路の 第３の実施例はインバージョン−電荷トランスファ回路（ＩＣＴ回路）によるも のである。これはドイツ連邦共和国特許出願公開第３３２３６１４号明細書に一 層詳細に説明されている。従って、この回路をここでは本発明の理解に必要な範 囲でのみ説明する。この回路は第３図による拡張されたＬＣインバージョンとし て考察し得るので、等しい回路要素および同形式の板には等しい参照符号が付さ れている。回路網コンデンサＣＬを有する第４の枝路Ｑ、が追加されている。第 ７図から第８図への空間的配置の転換は、板組み合わせ１〜６に部分板１／６が 相当し、板組み合わせ２−３に部分板２／３が相当し、また板組み合わせ４−５ に部分板４１５が相当することを示す。接地電位には再び板１および６（または 部分板１／６）、レーザー電極Ｅ２ならびにＶＩＰスイッチＳの極Ｓ、（第１の 形式の板または電極）がある。パルス発生回路網ＰＥＮ３の充電された状態でま たＶＩＰスイッチＳが開かれた際に高電圧側の電位ＨＶにある第２の形式の板ま たは電極は板２および３または部分板２／３およびＶＩＰスイッチの極Ｓ、であ る。第３の形式の板と、パルス発生回路ｍＰＥＮ３の３つの基本状態に関係する 電位の他方のレーザー電極とは板４および５（または部分板４１５）およびレー ザー電極Ｅ。

である。

第９図によるレーザーシステムの中央部分は第４図、第６図または第８図による 三次元の回路網コンデンサ配置の１つを含んでいてよい。より正確に見ると理解 されるように、ここではレーザー軸線方向Ｏ−０に相い続いている部分板４／４ ．２／３および１／１はＬＣインバージョン回路のなかのパルス発生回路ｍＰＥ Ｎ１に属している（第３図）。

詳細にはレーザーチャンバＬＫの壁１０２は、電極Ｅ、　、Ｅ。

の間の均等で迅速なガス交換をレーザーチャンバＬＫ内のできるかぎりわずかな 圧力降下で可能にする流動技術的観点で最適化された貫通孔１０３を有する。貫 通孔１０３の間のブリッジ１０４のなかに、ここではＸ線光に対して透過性の電 極Ｅ２からパルス発生回路網への電流帰路が延びており、またブリッジ１０４の なかには追加的に、中実の対向電極Ｅ、から出発してレーザーチャンバＬＫの壁 １０２へ向けてクリープ火花が発生するのを防止する電位シールド（図示せず） が取付けられている。由実電極Ｅ。

と直接に三次元の回路網コンデンサに０、この場合にはその部分板４／４が接続 されている。部分板４／４．２／３．１／１　（そのうち３つしか示されていな いが多数のこれらの部分板がレーザー軸線方向０−０に対して平行に並んでいる ）は耐蝕性の鋼から成る中実の板である。誘電体ｄ（これは図面を節単にするた め第６回および第８図中には省略された）としては好ましくは流動性の誘電体、 特に化学的に純粋な水が使用され、従って゛水コンデンサ”と呼ばれる。陽極電 位を導く部分板２／３は相応の端子片を介してＶＩＰスイッチＳの陽極Ｓ１と接 続されており、その陰極は接地電位Ｂにあり、接地電位には金属製の長方形のケ ースもその壁１０５で接続されている。水コンデンサに０のなかに組み込まれた パルス発生回路網は誘電体として水を有する多数の並列接続されている部分コン デンサを含んでいる。水は自己治癒性の誘電体として、その８０という値の高い 誘電定数および１００ｋＶ　／　ｃ　ｍ以上の高いブレークダウン電界強度のた めに、高いエネルギーレベル蓄積能力を有する低インダクタンスのパルス発生回 路網の構成に極めて適している。パルス発生回路網の部分コンデンサはバイフィ ラーな電流経路を有する多数の誘導的に減結合された板コンデンサをなしている 。

図面かられかるように１、ＶＩＰスイッチＳはレーザーチャンバＬＫと向かい合 う水コンデンサに０の長辺に配置されている。循環路のなかで（図示されていな い）水処理区間を介して供給された水は適当な取り出し孔１０６を経て取り出さ れ（矢印ｆ、参照）、また底壁の相応の孔１０７を通じて処理かつ冷却されて再 び供給される。レーザーチャンバＬＫは横方向にガス流を流される（方向矢印ｆ ２参照）、予備電離装置７は好ましくはＸ線予備電離装置（第１図および第２図 中の７）であるが、他の予備電離装置も基本的には遺している。第９図中では例 として長く延びてレーザーチャンバＬ　Ｋの外側長辺の上に載せられているＸ線 前期電離装置７が示されている。このＸ線前期電離装置は長（延びているＸ線管 を有し、その刃状の鋭い冷陰極７．１に絶縁された導線７．２を介してそれぞれ 負の極性の短い高電圧パルスが与えられる。重金属、たとえば金で被覆された陽 極７．３は透過陽極として構成されており、また接地電位にある。この透過陽極 ７．３の上に電子が衝突する際に放出されるＸ線はこの透過陽極およびＸ線光に 対して透過性のレーザー電極Ｅ２を貫く。冷陰極７．１の刃は好ましくはタンタ ルから成っている。

第１０図および第１１図にはＶＩＰスインチＳの第１の実施例が示されている。

第１１図から認められるように、それぞれ対をなして互いに向かい合う電極孔１ ２．１．１３．１を有する陽極１２および陰極１３から成る電極対Ａ／には複数 個または多数の互いに電気的に並列に接続されている個別擬似火花スイッチ（Ｐ スイッチ）１１に属している（第１１図）。ＶＩＰスイッチＳのこれらのＰスイ ッチ１１（第８図中には１０個のＰスイッチが示されており、そのうち１５．２ ０またはそれ以上が使用されていてよい）は空間的に互いにレーザーの光学的軸 線０−０に対して平行に一直線上に位置し、またはレーザー軸線に対して平行に 並べられており（これについては第９図を参照）、従ってＶＩＰスイッチＳの長 手方向軸線は回路網コンデンサまたは水コンデンサに０の板または部分板４／４ ．２／３および１／１のスタック方向に対しても平行に向けられている。陰極１ ３は（第１０図および第１１図では見えないが）パルス発生回路網の接地電位に 、すなわち水コンデンサに０の金属ケース１０５と接続されている。各Ｐスイッ チ１１の陽極１２はコンデンサパケットまたは水コンデンサに０の軸線方向長さ にわたって分配されて回路網コンデンサの第２の形式の板に、またそれによって パルス発生回路網の高電圧側の陽極電位ＨＶに接続されている。さらに、第１０ 図と結び付いて第１１図に示されているように、電極１２および１３はいわゆる 陰極ハツト２３、第１の補助電極２４（第１０図）、第２の補助電極２１および トリガー電極２２を含めて共通の多重擬似火花チャンバ（ＶＩＰチャンバ）２０ のなかに収容されており、そのケース２０．０（第９図も参照）は長辺でガスレ ーザーのケース壁１０５の水コンデンサに０を含んでいる部分の相応の長辺に取 付けられている。トリガー空間２００はＶＩＰチャンバ２０のトリガー電極２２ に属する部分体積を形成している。ＶＩＰチャンバ２０のケース２０．０は高電 圧に耐える絶縁材料から成る断面Ｕ字状の部分２０．０　ａと、板状の金属製の 部分２０．　Ｏｂと、陰極への電流導入部としての断面Ｚ字状のフランジ部分２ ０．　Ｏｃとにより形成される。この金属製の２字状の、ケース２０．０の両長 辺に延びているフランジ部分２０．　Ｏｃは断面Ｚ字状（壁部分２０１）または 断面り字状（壁部分２０２）の壁部分２０１．２０２から成っており、これらの 壁部分はねしボルトにより互いに大面積で接触して締められている（ねじボルト は第１０図の右側部分にのみ示されている）。付属の通し孔２０３および付属の 相手孔２０４は内ねじを有するものとして示されている。

Ｌ字状の壁部分２０２はそのフランジでスイッチ絶縁板２０５に密に固定してね じ締めされている。後者はＵ字状の脚２０５．２．２０５、３と反対の側に中央 突起２０５．１を有する逆Ｕ字状の断面を有する。突起２０５．１は陽極電位に あるボルト状の電流導入部分２０６に対する絶縁性の密な導入部を形成しており 、その一方の端には陽極電位母線３２が接触を形成して固定ねじ締めされでおり 、また水コンデンサの側の他方の端には水コンデンサの陽極電位を導く板または 部分板２／３がたとえば接触を形成するバーによりねじ締めされている（接触ね じ２０７）。水コンデンサ）（。

の壁１０５との壁部分２０２の機械的な密な結合は壁部分２０２．２０９のなか の相応の通し孔２０８と、フランジ２０５．２．２０５．３のなかの孔２０９と 、後者のなかに入れられた金属製のねじ孔を有するレール２１０と、金属壁１０ ５のなかのねじを切られた袋孔２１１と、相応の結合ボルト２１２．２１３とに より行われる。レール２１０は、第１０図の右側部分に示されているように、ス イッチ絶縁板２０５に対する補強レールであり、そこで壁部分２０２のフランジ はレール２１１のなかに留められたねじボルトにより宝に対向フランジ２０５゜ ３にに向けて引かれている。

壁１０５に対してスイッチ絶縁板２０５を張るためにボルト２１２（第１０図の 右側部分に示されている）が孔２０９およびねじを切られた袋孔２】１のなかに 挿入される。壁１０５への壁部分２０２または２０】からの電流導入および電位 接続は銅帯から成る広い可撓性の電流帯により行われ、この電流帯には電流測定 分流器も挿入され、またこれらの電流帯はねじ孔２０４またはレール２１０のな かにねじ込まれる電流接続ボルト（図示せず）により接続される。相応して、： れらの電流帯は接触を形成して水コンデンサの金属壁１０５にねじ締めされる（ 同じく図示せず）。

参照符号３７を付して第１０図中には成形体として構成された陽極ホルダー絶縁 部も示されており、また参照符号３８を付して陰極成形体！３０を保持しまた陽 極ホルダー３０および陽極ホルダー絶縁部３７と一緒にＶ　ｉ　Ｐチャンバ２０ の部分チャンバ３９を境する（第１Ｏ図）別の絶縁体も示されている。

第」０図および第１１図による実施例ではすべての陽極は互いに金属で接続され ている。それらは電位接続ボルト３１を介してパルス発生回路網の電位母線３２ に接続されている金属製の陽極ホルダー３０のなかに収容されている。パルス発 生回路網としてＬＣインバージョン回路の場合にはコンデンサバケツ）Ｋ、１Ｍ １１図中には一部分のみ示されている）の部分板２／３が陽極電位母線３２およ び電流導入部２０６と金属により導電的に接続されている。電位接続ボルト３］ は第１０図および第１１図による実施例では同時に定められたインダクタンスを 形成する役割をするので、非常に低インダクタンスであるＶＩＰスイッチＳが高 電圧スイッチのより高いインダクタンスを必要とするこのようなパルス発生回路 網の必要条件に適合され得る。このことを必要としないパルス発生回路網を使用 する場合には、第１０図および第１１図中に示されているより長い電位接続ポル ｈ３１は省略され、またＶＩＰスイッチ全体が、レーザー軸線方向０−０に見て 横方向に、はるかに短く構成され得る。すなわち第１０図による図示は、長い電 位接続ボルト３１を無視すれば、第１２図ないし第１４図によるＶＩＰスインチ の第２の実施例の説明のためにも利用され得る。その際にＶＩＰスイッチはパル ス発生回路網ＰＥＮＩとより強い度合に一体化されている。すなわち個別陽極１ ２はいわばはるかに短い電流接続ボルト３３と融合されており（第１２＠）、ま たは少なくとも１つの容易に組み立て可能な陽極−ポルトーユニット１１２−３ ３として合一されている（第１４図）。

第１２図によるＶＩＰスイッチも多（の個別擬似火花間隙１１の並列回路を有し 、その際に各Ｐスイッチ１１の陽極１２はすべての他の陽極１２から絶縁されて おり、また別々に駆動され得る。

それに対して陰極１３ばすべての電極対Ａ／ＫまたはずべてのＰスイッチーチャ ネ、ルに共通である。別々の金属製陽極１２は共通の絶縁体ブロックである陽極 ホルダー１４のなかに位置している。

この陽極ホルダーのなかに金属製陽極インサート１２の間にスリット１５が加工 されている。陽極ホルダー　１４は絶縁体ブロックである主絶縁体１６により陰 極１３から隔てられ、またそれにより陰極１３から間隔ａ１に保たれる。ＶＩＰ スイッチＳは圧力Ｐの電離可能な低圧ガスで満たされている。陽極１２および陰 極１３にはそれぞれ、生ずるガス放電がパッシェン曲線の左枝上に落ち着くよう に、電圧が与えられる。

ＶＩＰスイッチＳは、すべてのＰスイッチ１１に対して共通ですべてのこれらの Ｐスイッチを越えて延びている陰極後方空間１７を設けられており、この空間は 金属から成る陰極ハツト２３により形成される。後者は主放電の点弧を可能にす る第１のＴＬｌＢおよび第２の孔１９を有する。直流−予備放電は縦方向にすべ ての放電チャネルを越えて延びている第２の補助電極２１とトリガ−電極２２と の間のトリガー空間２００（第１０図をも参照）の予備電離を生じさせる。トリ ガー電極２２から陰極ノ＼７ト２３へのトリガーを開始させるスイッチングパル スにより点弧が開始される。同じくすべてのＰスイッチ１１にわたって延びてい る第１の補助電極２４には阻止電位が与えられる。すべてのＰスイ・ノチ１１に 共通の、長（延びているほぼ長方形の基本輪郭の、個々の陰極１３に対する成形 体１３０は個々のＰスイッチ１１の火花チャネルに対する電極孔を設けられてい る。これらの電極孔は陰極１３に対する個々のインサートを設けられ（第１０図 および第１１図参照）、または、陰極成形体自体が火花およびプラズマに十分に 耐える合金から製造されているならば、それ自体で火花チャネルを形成する。そ の端（第１２図）およびその側面（第１Ｏ図）に成形体１３０は突起２６を設け られており、それにより成形体１３０は陽極ホルダー１４の相応の逆突起２５の なかに沈んでおり、従って縦および横方向に陽極ホルダー１４および陽極ホルダ ーを固定する主絶縁体１６の隣接する金属部分または絶縁材料部分へのＶＩＰチ ャンバ２０のサイトコネクションが遮断されている。

第１３図の断面図には、そのつどのＰスイ・ノチ１１または全ＶＩＰスイッチＳ の陰極１３および陽極１２の互いに向かい合う面のうち少なくとも一方の極性の 電極表面が面平行な電極配置Ａ／Ｋに比較してその間隔ａ２での特別な形状付与 により他方の極性の向かい合う電極表面に対して拡大されていることが示されて いる。加えて、好ましくは、陽極および隣接する陽極ホルダ一部分の面および（ または）向かい合う陰極１３の面は、ＶＩＰチャンバ２０の長手方向に見て、凹 面の溝輪郭３５ａ（陽極部分）または３５ｋ（陰極部分）を有し、その際に最大 の電極間隔は電極孔１２．１または１３．１の範囲内に生ずる。第１０図および 第１１図ならびに後で説明する第１４図から認識されるように、好ましくは、擬 似火花に直接に曝される電極孔１２．１．１３．１の壁部分は高い融点および高 いスパッタ耐性を有する金属または合金から成る保護ライニング（陽極または陰 極インサート１２．２．１３．２　）により被覆されている。

さらに、第１５図の詳細図Ｘ■に示されているように、好ましい実施例では、陽 極インサートにおいてそれぞれ第１の内のり幅Ｗ１の陽極孔１２．１に、各Ｐス イッチに対して擬似火花一部分チャンバを形成する拡大された内のり幅Ｗ２の拡 張された陽極孔１２．３が続いている。この実施例は第１０図ないし第１４図に よる図示に対しても、そこには示されていないが、有利に適用される。

この構成に基づいて陽極損失電力の減少および″スイ・ソチの閉路”の際の電流 回路抵抗の迅速な減少が生ずる。陰極インサートは好ましくは同種に構成されて いる。拡大された陰極孔１３．３およびそれから生ずる拡大された内のり幅ｗ４ ＞ｗ３　　（ここで１３．１に付属の内のり幅ｗ３　＝Ｗ＋　）を参照されたい 。

トリガー空間２０の方向に陰極ハツト２３（第１２図）の終端は孔明き板または 金属製格子から成っている。第２の補助電極２１はすべてのＰスイッチ１１を越 えて延びているスリットもしくは個別孔１９を有し、その際にスリットまたは個 別孔は電極対Ａ／にの軸線上に位置している。

第１４図には個別陽極配置が第１２図に比較して詳細に示されている。陽極ホル ダー１４のなかに特殊ボルト３３が密に嵌め込まれている（ボルト列の最初のボ ルトにおいて示されている０リング３３．１を参照）。端がそれぞれ中空であり 、部分火花チャンバ１２．４を境するこれらのボルトのなかに、陽極孔１２．１ を有するインサートブロック１２．２がねじ込まれている。特殊ボルト３３の頭 部３３．２は内側多角形３３．３を有する中空ねじとして構成されている。頭部 ３３．２とコンデンサ板に０の陽極電位を導く板が適当な仕方で電気的に接続さ れている。たとえば内側多角形に対する凹みは内ねじを有していてよい。そのな かに（第３図によるＬＣインバージョン回路の使用の場合には）板２／３の端に おける曲がり部がアイに貫いている接触頭部ねじかねし込まれる。

第１４図中の回路網コンデンサ板の参照符号は、第５図によるノクルス発生回路 網ＰＥＮ２または第７図によるパルス発生回路ｍＰＥＮ３が基礎とされたならば 、意義的には異なるであろう。陽極および陰極インサート１２．２．１３．２の 構成に対しても好ましくは、図面を見易くするため第１４図中には含まれていな い第１５図による実施例が選ばれ得る。

第１０図を考慮に入れて第１２図ないし第１４図による個別陽極配置から生ずる 利点は特に下記の点である。

−スイッチングチャネルの減結合。すなわち互いに無関係に放電回路をスイッチ ングすることが可能である。それにもかかわらず、共通のトリガリングに基づい て、このことを非常に良好な時間的精度で行うことが可能である。

−分離された放電回路によりＶＩＰスイッチＳのチャネルにわたる電流分布が予 め定められ、またスタティックに変動し得す、このことは寿命の延長に通ずる。

一本発明による個別陽極構成はトリガー精度への要求を減する。

従って、同時にトリガー精度にマイナスに作用するであろう寿命延長のための別 の措置がスイッチおよびトリガ一部分に実施可能である。

個別擬似火花スイッチまたはＰスイッチの機能は原理的にドイツ連邦共和国特許 第２８０４３９３号明細書に記載されている。このような擬似火花スイッチのそ の後の開発はＪ、Ｐｈｙｓ、Ｅ１９　（１９８６Ｌ第４６６〜４１０頁のチー・ メヒターシャイマー、アール・コーラ−、チー・ラッサーおよびアール・マイヤ ーの論文、Ｊ、Ｐｈ、ｙｓ、Ｅ２０　（１９８７）、第２７０〜２７３頁のチー ・メヒターシャイマーおよびアール・コーラ−の別の論文およびニー・ボガッシ ュ、バー・リーグおよびファウ・ブリュクナーの第５回アイトリプルイー・パル スト・パワー・コンフエレンス（チーリントン、１９８５年６月）論文集、第８ ２０〜８２３頁の１つのコンフエレンスペーパーに記載されている。

第１３図中に示されている請求項７による措置により、ＶＩＰスインチの陽極と 陰極との間の最大の電極間隔ａ２、従ってまた耐電圧性の最も低い個所が電極孔 １２．ｌ、１３．１の範囲内に位置することが保証される。第１５図により説明 した陽極１２および陰極１３のなかの孔の特別な形状はスイッチ内に生ずる損失 電力の減少の役割をする。経験によれば、擬似火花スイッチにおける陽極１２お よび陰極１３の互いに向かい合う側の電極孔１２．１．１３．１の周りの範囲は 電極の最も損傷しやすい範囲である。

従って、そこには、請求項８に記載されているように、放電に耐える特別な材料 、たとえばタングステン合金が使用される。

交点１１を有する鎖線３６は、ＶＩＰスイッチの構成のためにＰスイッチの直線 が使用されるだけでなく多くの平行な直線１ｌ−ＩＩ−１１などが使用されると きのＰスイッチの位置を斜視図で示す。

なお言及すべきこととして、第７図によるいわゆるＩＣ７回路および第８図によ るその三次元コンデンサ配置への転換では、一方ではコンデンサＣＩおよびＣ２ の直列回路、他方ではそれに対して並列に接続されている第３の回路網コンデン サＣ２から成る固有および接続インダクタンスはそれぞれ小さく、好ましくはレ ーザー電極Ｅ３、Ｅｚの枝路内の等価インダクタンスＬｌ＋に対してほぼ１桁だ け小さい。たとえば米国特許第４５７３１６０号明細書に（いわゆる平坦配置お よびいわゆる三次元配置で）説明されているように、いわゆる帯導体コンデンサ としての回路網コンデンサの図示された実施例の利点は特に顕著に低い固有イン ダクタンスにある。換言すれば、回路網コンデンサの等価インダクタンスは導線 およびその他の回路要素（レーザー、高電圧スイッチなど）の等価インダクタン スに比較して相対的に非常に小さい。いわゆる帯導体コンデンサとしての実施例 中の前記の回路網コンデンサＣｓ　、Ｃ＊　、ＣＬなとはいわゆる伝送線と異な っている。伝送線の特徴的なことは、それがその長さにわたりできるかぎり均等 に分布したキャパシタンスおよびインダクタンス板を有することである。帯導体 コンデンサとしての実施例では板はその構造的に一体化されたレーザーの光学的 軸線に対して垂直にして延びており、また通過するＴＥレーザー電極と電気的に 接続されている。このようなコンデンサ配置は伝送線をなしていない、なぜなら ば、パルス発生回路網のインダクタンスが実際上レーザーヘッドのなかに集中さ れているからである。コンデンサ配置は、前記のように、実際上無視可能なイン ダクタンス板を有する。キャパシタンスは規則的な順番で繰り返す個々の回路網 コンデンサユニットに正確に局部化すべきである。誘電体は好ましくは液体（た とえば化学的に純粋な水、従って水コンデンサと呼ばれる）であるが、固体、た とえばセラミフクスも誘電体として通している。

℃ゴ ＦＩＧ　１２ ＦＩＧ　ｉ４ 国際調査報告 国際調査報告　　　　Ｏε８９００２６６

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １．レーザー電極の間のレーザーチャンバのガス空間内に均等なグロー放電を発 生するための、ＴＥ原理により動作するガスレーザー用の励起回路であって、シ ステム構成要素として、Ａ）その内部に前記レーザー電極（Ｅ１、Ｅ２）の少な くとも２つが互いに間隔をおいて向かい合っており、それらの電極表面をレーザ ーチャンバ（ＬＫ）の光学的軸線（Ｏ−Ｏ）に対して平行にして延びており、ま た好ましくはこの方向に広げられた全断面を有する前記レーザーチャンバと、Ｂ ）その能動化または点弧によりパルス発生回路網を介して高電圧パルスがレーザ ー電極に発生可能である少なくとも１つの高速の高電圧スイッチと、 Ｃ）レーザー電極に与えられる高電圧パルスがレーザーーグロー放電の点弧しき いに到達する前にレーザーチャンバのガス空間に前期電離を生じさせるための手 段と、Ｄ）少なくとも第１および第２の回路網コンデンサ（ＣＫ、ＣＳ）と、特 に高電圧スイッチ、レーザーチャンバ、導線および帯導体コンデンサが有する固 有インダクタンスから生ずる励起回路の付属の等価インダクタンス（ＬＫ、ＬＳ ）とを含んでいる前記パルス発生回路網とを含んでおり、Ｅ）その際に少なくと も第１および第２の回路網コンデンサがそれらの板およびそれらの中間に位置す る誘電体層をレーザーチャンバの光学的軸線に対してほぼ平行にコンデンサパケ ットとして並べられ、またパルス発生回路網の内部で接続されている 励起回路において、マルチチャネル擬似火花スイッチ（ＶＩＰスイッチ）が使用 されており、 ａ）ＶＩＰスイッチ（Ｓ）の多数の互いに電気的に並列に接続されている個別擬 似火花スイッチ（１１）（Ｐスイッチ）の、対を成して互いに向かい合う電極孔 を有する電極対（Ａ／Ｋ）が空間的に互いに一直線上にレーザー軸線に対して平 行に並べられて位置しており、従ってＶＩＰスイッチの長手方向軸線も回路網コ ンデンサ（ＣＳ、ＣＫ、ＣＬ）の並び方向に対して平行に向けられており、 ｂ）各Ｐスイッチ（１１）の陰極がパルス発生回路網の接地電位（Ｂ）に接続さ れており、 ｃ）各Ｐスイッチの陽極（１２）がコンデンサ列（Ｋ０）の軸線方向長さにわた り分布されて回路網コンデンサの第２の形式の板に、またそれによってパルス発 生回路網（ＰＥＮ１、ＰＥＮ２、ＰＥＮ３）の高電圧側の陽極電位に接続されて おり、 ｄ）ＶＩＰスイッチ（Ｓ）の電極（１２、１３）ならびに補助およびトリガー電 極（２１、２２、２４）が共通の多重擬似火花チャンバ（２０）（ＶＩＰチャン バ）の内部に収容されており、そのケースが１つの長辺で、コンデンサ列（Ｋ０ ）を含んでいるガスレーザーのケース部分の相応の長辺に取付けられている ことを特徴とするガスレーザー用の励起回路。 ２．個々のＰスイッチ（１１）の陽極（１２）が互いに電気的に絶縁されてパル ス発生回路網の陽極電位に接続されていることを特徴とする請求項１記載の励起 回路。 ３．各個のＰスイッチ（１１）の分離した陽極（１２）が互いに電気的に絶縁さ れて、放電に耐える絶縁材料から成る共通の陽極ホルダ−（１４）のなかに位置 していることを特徴とする請求項２記載の励起回路。 ４．陽極ホルダ−（１４）内の表面積拡大のためにＶＩＰチャンバ（２０）のほ うを向いた側に陽極インサートの間にスリット（１５）が配置されていることを 特徴とする請求項３記載の励起回路。 ５．ＶＩＰスイッチ（Ｓ）のすべてのＰスイッチ（１１）に共通のほぼ長方形の 基本輪郭の陰極成形体（１３０）が個々のＰスイッチの火花チャネルに対する電 極孔を設けられており、またその端およびその樹面で突起（２６）により陽極ホ ルダ−（３０、１４）の相応の逆突起（２５）のなかに沈んでおり、従って縦お よび横方向に陽極ホルダ−（３０または１４）および陽極ホルダーを固定する主 絶縁体（１６）の隣接する金属部分または絶縁材料部分へのＶＩＰチャンバ（２ ０）のサイトコネクションが遮断されていることを特徴とする請求項１ないし４ の１つに記載の励起回路。 ６．ＶＩＰスイッチ（Ｓ）の互いに向かい合う電極表面のうち少なくとも一方の 極性（３５ａまたは３５ｋ）の電極表面が面平行な電極配置に比較してその間隔 （ａ２）における特別な形状付与により他方の極性の向かい合う電極表面に対し て拡大されていることを特徴とする請求項１ないし５の１つに記載の励起回路。 ７．ＶＩＰスイッチ（Ｓ）の陽極面および隣接する陽極ホルダー部分（３５ａ） および（または）向かい合う陰極面（３５ｋ）が、ＶＩＰチャンバ（２０）の長 手方向に見て凹面の溝輪郭を有し、その際に最大の電極間隔（ａ２）が電極孔（ １２．１、１３．１）の範囲内に生ずることを特徴とする請求項６記載の励起回 路。 ８．擬似火花に直接に曝される電極孔の壁部分が保護ライニングとして高い融点 および高いスパッタ耐性を有する金属または合金から成る陽極および（または） 陰極インサートを有することを特徴とする請求項１ないし７の１つに記載の励起 回路。 ９．陽極インサートにおいてそれぞれ第１の内のり幅（Ｗ１）の陽極孔（１２． １）に、各Ｐスイッチに対して擬似火花−部分チャンバを形成する拡大された内 のり幅（Ｗ２）の拡張された陽極孔（１２．３）が続いていることを特徴とする 請求項１ないし８の１つに記載の励起回路。 １０．陰極インサート（１３．２）においてそれぞれ第１の内のり幅（Ｗ３）の 陰極孔（１３．１）に、各Ｐスイッチ（１１）の中空陰極（１３）の内部で擬似 火花−部分チャンバを形成する拡大された内のり幅（Ｗ４）の拡張された陰極孔 （１３．３）が続いていることを特徴とする請求項１ないし９の１つに記載の励 起回路。 １１．少なくとも第１および第２の回路網コンデンサがそれらの板およびそれら の中間に位置する誘電体層をレーザーチャンバの光学的軸線に対してほぼ垂直に して延びており、またレーザーチャンバの光学的軸線に対してほぼ平行にしてコ ンデンサバケットの形式で並べられていることを特徴とする請求項１記載の励起 回路。 １２．ＶＩＰスイッチ（Ｓ）が分離した構成ユニットとして使用され、シールド されたケースの内部に収容されており、またたとえば大電流差込み接続部を有す る大電流ケーブルなどの形態の電位接続を介してトリガすべき高電圧パルス回路 の陽極および接地電位と接続されていることを特徴とする請求項１ないし１１の １つに記載の励起回路。 １３．いわゆる平坦なレーザー装置に対してＬＣインバージョン、電荷トランス ファまたはインバージョン−電荷トランスファ（ＩＣＴ）回路で使用され、回路 網コンデンサの板およびそれらの中間に位置する誘電体層がレーザーチャンバの 光学的軸線に対してほぼ平行な平面内を延びており、またそれによって板のスタ ック方向が光学的軸線に対してほぼ垂直に向けられていることを特徴とする請求 項１ないし１０の１つに記載の励起回路。