【発明の詳細な説明】
内燃エンジンにおける
ノックコントロール方法
本発明は新規なフッ素化4”−シアノ置換ターフェニル、かかるターフェニルの
新規な製造方法、及びかかる化合物を含有する液晶材料、特に、ネマチック相を
示す液晶材料に係る。かかる液晶材料は電気光学ディスプレイ装置の作動流体と
して工業利用され得る。
4−アルキル及び4−アルコキシ−4″−シアノターフェニルをに記載されてお
り、これらの化合物を含む液晶材料は多くの用途に使用されている。 GB 1
433130は、3つのフェニル環の1つが側基で置換される可能性を示唆して
おり、置換基がバルキーなメチル基または特定されないノ\ロゲンであ、ること
を示唆している。 にB toata’4、このような側位置換ターフェニルの
例は全く記載されていないし、またそれ換基が好ましいとも表明されていない。
にB 2039937^は、−殻構造:〔式中、Rはアルキル、xlまたはx2
のいずれが一方は水素で他方はメチルまたはハロゲン、好ましくはバルキー塩素
〕で示される少なくとも1つの側位置換4−アルキル−4”−シアノターフェニ
ルを含む液晶材料を開示している。CB 2,039゜937八には、これらの
ターフェニルの複雑な6段階製造方法が記載されている。また、Xlまたはx2
がハロゲンを示すターフェニルの実施例は全く記載されていない、即ち、このよ
うなターフェニルは全く製造されながった。
Mo1. Cryst、 Liq、 Cryst、 (1985) 1231
6!3−177は、2及び2′−フルオロ置換4−アルキル−4−シアノビフェ
ニルを記載しているが、この文献に与えられたデータは、側位のフッ素化によっ
てこれらの化合物の融点が上昇し、液晶材料中での溶解度が低下することを示唆
している。
−殻構造:
〔式中、R1及びR2はアルキルまたはアルコキシ〕で示される側位フルオロ1
換ターフエニルは公知であり、EP−^−0,132゜377にいくつかの例が
記載されている。該文献に記載された製造方法は末端シアノ置換ターフェニルの
製造には容易に応用できない。
本発明は、上記のごとき従来技術に基づいて、新しく製造されたと考えられ且つ
有利な緒特性を示す新種のターフェニル類を同定した。また、これらの化合物を
初めて商品化できる新規な合成方法を知見した。
本発明によれば、一般式I:
〔式中、R,はアルケニル、H,R,RO及びRCO(但しRは炭素原子数12
以下のアルキルまたはペルフルオロアルキル)、nは1.2または3、(1つま
たは複数の)側位フルオロ置換基は置換可能な側位の置換位置のいずれでもよい
〕で示されるフッ素化4”−シアノ置換ターフェニルが提供される。
液晶混合物の利用価値または諸成分及び製造し易さに基づいて特に好ましい構造
を以下に説明する。
基R1は好ましくはアルキルまたはアルコキシであり、直鎖(n>もしくは分枝
鎖(iso)のいずれでもよく、またはキラル基となる非対称置換炭素原子を含
有していてもよい。R3が有機基のとき、R2は好ましくは炭素原子を2〜9個
、特に好ましくは2〜7個含む、R1がn−アルキルもしくはn−アルコキシ、
またはキラル基(+)もしくは(−)の、2−メチルブチル、2−メチルブチル
オキシ、3−メチルペンチル、3−メチルペンチルオキシ、4−メチルヘキシル
または4−メチルへキシルオキシを示す化合物が特に有用である。
好ましくはnは1または2であり、式Iのターフェニルの好ましい構造は、表1
に示した位置にフルオロ置換基を有する構造である。側位置換基の位置は以下の
順序で命名されている。
2”−フルオロ
2−フルオロ
2.3″−ジフルオロ
3.3″−ジフルオロ
3.2″−ジフルオロ
2.2″−ジフルオロ
3.3′−ジフルオロ
3.2“−ジフルオロ
2.2′−ジフルオロ
2.3゛−ジフルオロ
3°、2″−ジフルオロ
2.3″−ジフルオロ
3’ 、3”−ジフルオロ
2’、2”−ジフルオロ
3.5−ジフルオロ
2.6−ジフルオロ
2.5−ジフルオロ
3、’5’−ジフルオロ
2’、6’−ジフルオロ
2°、5゛−ジフルオロ
3−5”−ジフルオロ
2″、6′−ジフルオロ
2”、5”−ジフルオロ
これらの化合物のうちで、4−アルキルまたはアルコキシ−2′−フルオロ、3
″−フルオロ、2−フルオロ、3°−フルオロ、2’ 、3”−ジフルオロ、2
,3”−ジフルオロ及び3” 、5”−ジフルオロ置換された式Iの化合物が好
ましく、2′−フルオロ化合物が特に好ましい。
上述の式■の化合物の適当な製造方法の1つでは、式■:〔式中、R3は式1と
同義、a及びbは0.1.2または3〕で示されるボロン酸と弐■:
(F)c
式中、Xは塩素、臭素またはヨウ素、CはOll、2または32あり、(a+b
+e)が1.2または3〕で示されるベンゾニトリルとを結合させて式Iの化合
物を形成させる。
この方法では、B(OR)2基及びX基が結合した環位置で結合が生じる8式中
のく1つ以上の)フッ素!換基(F)は置換可能な置換位置のいずれに存在して
もよい、好ましくはくa+ b+ e)が1または2であり、式■及び弐■の化
合物中の1つまたは2つのフッ素置換基は表1にまとめた式Iの化合物を形成す
るように配置されるのが好ましい、また、式■1び弐■の化合物の適当なフルオ
ロ1換パターンは当業者:明らかであろう。
ボロン酸■を製造するためには、弐■:〔式中、Yは塩素、臭素またはヨウ素、
好ましくは臭素〕で示される公知のビフェニルを出発物質として製造され得る。
アシルクロリドRCOC1を用い置換可能な4位に基RCOを付加するフリーデ
ル−クラフッ反応によって、R1が水素であるビフェニル■をR1がRまたはR
COである化合物に変換し、次いで例えば水和ヒドラジンまたはトリアルキルシ
ランを用いてアルキル基に還元する。トリアルキルシランが好ましい。
ボロン酸■を製造するためには、好ましくはまず例えばテトラヒドロフラン(T
IIF)のようなエーテル中でビフェニル■と金属マグネシウムとを反応させる
ことによってビフェニル■をグリニヤール試薬に変換する。グリニヤール試薬の
製造条件は公知である。
次いで、好ましくはグリニヤール試薬の製造に使用したものと同じ溶媒中でグリ
ニヤール試薬をトリアルキルボレート(R“o)sBc式中、Roはアルキル、
好ましくはメチルまたはイソプロピル〕と反応させる。得られたホウ酸処理生成
物を次に、例えば無機酸、好ましくは塩酸によって加水分解する0次いで化合物
■を単離し適宜精製する。未フッ素化、モノフッ素化及びジフッ素化した式■の
ビフェニルのいくつかの製造方法がI/4089102425及びPCT/GB
88100880に詳細に記載されている。
式■のベンゾニトリルは公知であり、市販製品を使用してもよく、または、例え
ば、GB 8804330^またはPCT/[;B 89100178に記載の
方法で合成してもよい、好ましくはXが臭素である。パラジウム(0)触媒、好
ましくはテトラキス(トリフェニルホスフィン)パラジウム(0)のようなカッ
プリング剤の存在下で結合処理するのが好ましい、結合反応にアルコール溶媒を
適宜使用してもよい1次に、得られた式■の化合物を従来の方法で単離し精製す
る。
本発明の第3の目的は、2種類以上の化合物を含み、化合物の少なくとも1つが
式Iの化合物から成るような液晶材料を提供することである。この液晶材料は好
ましくは、ネマチックまたはコレステリック液晶材料である。かかる材料は時計
、計算器などの電気光学ディスプレイ装置に使用され、また、色または反射光が
温度に伴って変化する熱変色性ディスプレイに使用され得る。
式Iの化合物、特に上記の好ましい化合物は、液晶材料の成分として極めて有用
な多くの好ましい特性を有する。
未フッ素化の対応化合物に比べてこれらの化合物はしばしば、ネマチック−等方
性(Nl)の透明点温度が上昇しており、融点(C−N)が低下している。これ
らの化合物は一般に高度な複屈折を示す。これらの化合物はまた概して、常用の
液晶材料中で未フッ素化対応化合物よりも高い溶解度を示す。これらの利点は前
述の従来技術では示唆されていない。
液晶材料のその他の成分として適当な化合物は当業者に明らかであろう、これら
の成分はまた、予定の用途の液晶材料に要求される緒特性、例えば誘電異方性、
複屈折、動作温度範囲などの特性に基づいて選択される。いくつかの適当な材料
について以下に簡単に説明する。
混合物は好ましくは、1種以上の式Iの化合物を含有すると共に、1種以上の式
V:
〔式中、Rhは好ましくは炭素原子1〜8個を有し且つ好ましくは直鎖状のアル
キルまたはアルコキシ、繭は0または1〕で示される化合物を含有するのが好ま
しい、かかる化合物はGB 1433130の主題である。
式■の化合物は正の誘電異方性を有し、材料は、例えばEP−^−013237
7、特にその第8図及び鎖国に関する文中の説明に記載されているような正の誘
電異方性を有するその他の液晶化合物を含有してもよい。
これに代替または付加して、材料が、例えば中間的な誘電異方性を有する混合物
または熱変色性混合物を形成するように低い誘電異方性を有する液晶化合物を含
有してもよい、かかる化合物のいくつかの例は、EP−^−0132377、特
にその第9図及び鎖国に関する文中の説明に記載されている。
これらに代替または付加して、材料が、例えばN−I転移温度を上昇させるため
に高い透明点を有する液晶化合物を含有してもよい、かかる化合物のいくつかの
例は、EP−^−0132377、特にその第10図及び鎖国に関する文中の説
明に記載されている。
本発明のこの目的に適う材料がコレステリック(Ch)(ま素原子を含む化合物
を少なくとも1種類含有していなければならない、これは式■のキラル化合物で
もよい、また、該化合物に代替または付加して、材料が、前記の式Vのキラル化
合物、例えば(+)またはく−)の4−(2−メチルブチル)−4′−シアノビ
フェニルまたは4−(2−メチルブチルオキシ)−4”−シアノビフェニルを含
有してもよい。
材料はまた、1種以上の多色性染料、例えばEP−^−82300891,7に
記載の染料を含有し得る。
本発明のこの目的に適う材料中で使用されるこれらの諸化合物の割合は予定の用
途に左右され、また、ターフェニル系に種々の置換基または種々の置換位置を有
する式Iの化合物を2種類以上含有する材料が有用である。
本発明のこの目的に適う材料は、公知の形態のいかなる液晶ディスプレイ装置に
も使用され得る0例えば、ねじれネマチック効果デバイス、Freetcksz
効果デバイス、コ 。
レステリツクメモリモードデバイス、コレステリック−ネマチック相変化効果デ
バイス、動的散乱効果デバイス、2周波数スイッチング効果デバイス、「スーパ
ーツイスト」効果デバイスに使用され、また、熱変色性材料を使用して温度計に
も使用され得る。かかるデバイスの作製及び操作方法、並びにかかる用途に適し
た液晶材料の特性は当業界でよく知られている0作動流体として上記のごとき材
料を組み込んだ液晶ディスプレイ装置を提供することが本発明の第4の目的であ
る。
次に本発明を第1図に基づいて非限定的に説明する。第1図は、2−フルオロ−
4−ブロモビフェニルを出発物質として4−アルキル−2′−フルオロ−4”−
シアノターフェニルを製造する実施例1の調製プロセスを示す、第1図の8はア
ルキこれらの実施例で、C−Nは因島からネマチック液晶への転移、N−Iはネ
マチック液晶から等方性液晶への転移、S^はスメクチック^液晶相を示す、E
7、E8及びに15はBOB Ltd、。
Poole、CB製の市販の液晶材料の商標、ZLI 1132はE、 Mer
ckGmbH,Darmstadt DE製の市販の液晶材料の商標である。こ
れらの材料の組成は公開されている。
割ILL
一般構造:
〔式中、R3はn−アルキル〕の化合物の製造ステップ(i)エ ルー4−4′
−ブロモ−2゛−フル ロビフェニ止工欠]浸仁のn
ジクロロメタン(100z1)中の塩化アルミニウム(409;0.3moi’
)の懸濁液を攪拌し且つ水浴で冷却しながらジクロロメタン<10i1)中のプ
ロピオニルクロリド(20,h ;0.29+oi’)及び2−フルオロ−4−
ブロモビフェニル(62,5g、0.25輸o1)の溶液をゆっくりと添加した
。混合物を20℃で16時間攪拌し、次いで氷/水(500g>に慎重に注ぎ、
有機物質をジクロロメタンに抽出しく2 X 200zf)、ブライン(2X
100i1)で洗浄し、硫酸ナトリウムで脱水した。ジクロロメタンを蒸発させ
、2倍容の工業用アルコールから固体を晶出させた。収量62.3ステツプ(i
)の生成物(60g、0.196鯵ol)をトリフルオロ酸M(100i1)に
溶解し、混合物の温度を10℃〜20℃に維持しながらトリエチルシラン<76
xl:476鯵ol)を添加し、次いで20℃で16時間攪拌した6次に反応混
合物を水(11)に注ぎ、エーテル(3x 100if)で抽出した。脱水後、
エーテルを蒸発させ、生成物を高真空下(1,5mmHg)に蒸留した。収量5
1.4g、90%。
テトラヒドロフラン(35xl>中のステップ(ii)の生成物(109;0.
34mo1)を、テトラヒドロフラン(5i1)中のマグネシウムチップ(0,
88y)の懸濁液に滴下した。グリニヤール反応が開始すると混合物を75℃に
加熱した。追加量のブロモ化合物をゆっくりと添加し、外部熱源を取り除いて穏
やかな還流を維持した。添加の終了後、混合物を還流下に30分間加熱し、次い
で15℃まで放冷した。
乾燥窒素雰囲気を導入し、トリメチルボレート(3,77g。
0.0363mo1’)をゆっくりと添加し、混合物を15℃〜20℃で16時
間攪拌した。20%塩酸溶液(50z1)をゆっくりと添加し、有機層を分離し
、水相をエーテルで抽出した(2 X 50yjり。
有機層を合わせてブラインで洗浄し、硫酸ナトリウムで脱水した。溶媒の蒸発後
に黄色固体が得られた。収量8.7g。
ステップ(市)の粗生成物(8,7y:0.034wxol)と4−ブロモベン
ゾニトリル(5,0FI;0.0275mof)とテトラキス(トリノ二二ルホ
スフィン)パラジウム(0,64g)とメチルアルコール(20z1)とを激し
く攪拌しながら還流下で5時間加熱した。冷却後、有8!暦を分離し、水洗し、
硫酸ナトリウムで脱水し、蒸発乾固した。粗生成物をシリカゲルカラムクロマト
グラフィーで精製し、次いで酢酸エチルがら晶出させた。収量s、ag;s1%
。
ステップ(i)で適当なアシルクロリドを使用し実施例1の方法で調製した数種
の化合物の特性を以下にまとめる。
1m
実施例1と同様の方法で式Iのその他の化合物を調製した。結果を以下にまとめ
る。
五−一ユー
寒1」[L
適宜フッ素化した出発物質を用い実施例1の方法を使用して以下のジフッ素化タ
ーフェニルを調製した。
これらの化合物の未フッ素化類似体の比較データを以下にまとめる。
老−生
このデータより、本発明のフッ素化化合物の融点が未)・ン素化顕似体の融点を
かなり下回ること、しかしながらネマチック相の範囲はほとんど変化しないこと
が理解されよう。
え1漣支
本発明の化合物を含有する液晶混合物に関するいくつかのデータを後出の表5及
び表6にまとめる。これらの組成物は式■のビフェニル及びターフェニルを含有
している。
E7は以下の組成を有する。
表5及び表6より、本発明のフッ素化化合物は、その未フッ素化類似体に比べて
、該化合物を含有する液晶の複屈折及び溶解度を改良し、また、化合物をE8の
ような液晶材料に添加するとN−1転移温度及び複屈折が改良されたことが理解
されよう。
E7中に30重量%の1bを含む溶液は凍結し難いことが知見された。この要因
が混合物のN−1及びΔnを増加させるのである。
民i
旺 II糺C上) E7中の溶解度(wt$) zo℃粘度(c’st
)11未満 N−I未満
T15 0.4138 0.330 9* 1091b
O,45310,37723202281c O,3431
0195紅
旦8 E8+20wt%1bN−1(”C) 71
93η(20℃のcSt) 54 75.7Δn(20℃)
0.2463 0.278国際調査報告
+−電−−−IIm−,iie*a(−+−−x−PCT/GB8910064
7国際調査報告
国際調査報告