JPH0387057A - 半導体集積回路 - Google Patents
半導体集積回路Info
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- JPH0387057A JPH0387057A JP22609589A JP22609589A JPH0387057A JP H0387057 A JPH0387057 A JP H0387057A JP 22609589 A JP22609589 A JP 22609589A JP 22609589 A JP22609589 A JP 22609589A JP H0387057 A JPH0387057 A JP H0387057A
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- Japan
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- wiring
- resistance layer
- contact holes
- semiconductor integrated
- integrated circuit
- Prior art date
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- Pending
Links
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- 239000010410 layer Substances 0.000 claims abstract description 33
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 claims abstract description 5
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- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 8
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 abstract description 8
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 abstract description 6
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- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 abstract description 4
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- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 3
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Landscapes
- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
- Design And Manufacture Of Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体集積回路に関し、特に拡散抵抗層を有す
る半導体集積回路に関する。
る半導体集積回路に関する。
従来、リニア回路用マスタースライス方式の半導体集積
回路の抵抗は、シート抵抗の約５〜１０倍程度の抵抗値
の抵抗、例えば低抵抗用にシート抵抗１００Ω／口で５
００Ω〜ＩＫΩの拡散抵抗層と比較的高抵抗用にシート
抵抗２にΩ／口で１ＯＫΩ〜２０にΩの多結晶シリコン
抵抗層をアレイ状に並べるか又は１本の抵抗層に抵抗値
を可変するために抵抗層上に設けた絶縁膜にあらがしめ
複数のコンタクト孔を設けて抵抗層の長さをコンタクト
孔により選択できる抵抗層をアレイ状に構成している。
回路の抵抗は、シート抵抗の約５〜１０倍程度の抵抗値
の抵抗、例えば低抵抗用にシート抵抗１００Ω／口で５
００Ω〜ＩＫΩの拡散抵抗層と比較的高抵抗用にシート
抵抗２にΩ／口で１ＯＫΩ〜２０にΩの多結晶シリコン
抵抗層をアレイ状に並べるか又は１本の抵抗層に抵抗値
を可変するために抵抗層上に設けた絶縁膜にあらがしめ
複数のコンタクト孔を設けて抵抗層の長さをコンタクト
孔により選択できる抵抗層をアレイ状に構成している。
上述した従来の半導体集積回路は、回路上で所定の抵抗
値を実現するために、前者は複数本の抵抗を直並列に接
続する必要があり、回路上の抵抗の本数が制限されてい
た。
値を実現するために、前者は複数本の抵抗を直並列に接
続する必要があり、回路上の抵抗の本数が制限されてい
た。
また後者は１本の抵抗上にコンタクト孔が複数個設けら
れ、コンタクト孔を任意に選択して配線を接続すること
により、抵抗値を可変できるが、未使用コンタクト孔内
に抵抗層が露出している為、レイアウト上配線設計の自
由度が制約されていた。
れ、コンタクト孔を任意に選択して配線を接続すること
により、抵抗値を可変できるが、未使用コンタクト孔内
に抵抗層が露出している為、レイアウト上配線設計の自
由度が制約されていた。
本発明の半導体集積回路は、半導体基板の一主面に設け
た拡散抵抗層と、前記拡散抵抗層の表面に設けた絶縁膜
と、前記拡散抵抗層上の前記絶縁膜に設けた複数のコン
タクト孔と、前記コンタクト孔の前記拡散抵抗層と接続
する配線と、前記配線と接続した以外の前記コンタクト
孔を被覆して設けた層間絶縁膜とを備えている。
た拡散抵抗層と、前記拡散抵抗層の表面に設けた絶縁膜
と、前記拡散抵抗層上の前記絶縁膜に設けた複数のコン
タクト孔と、前記コンタクト孔の前記拡散抵抗層と接続
する配線と、前記配線と接続した以外の前記コンタクト
孔を被覆して設けた層間絶縁膜とを備えている。
次に本発明について図面を参照して説明する。
第１図（ａ）、（ｂ）は本発明の第１の実施例を示す平
面図及びＡ−Ａ’線断面図である。
面図及びＡ−Ａ’線断面図である。
半導体基板１の一主面に選択的に拡散抵抗層２を設け、
拡散抵抗層２を含む表面に窒化シリコンｌｌｌ３を設け
、窒化シリコン３の上に選択的に多結晶シリコン抵抗層
４を形成する。次に、拡散抵抗層２の上の窒化シリコン
膜３に配線接続用の複数のコンタクト穴５ａ、５ｂ、５
ｃ、５ｄを設ける。次に、抵抗層と接続しないコンタク
ト孔５ｂと５ｄを被覆する酸化シリコン膜７及び多結晶
シリコン抵抗層４の上の酸化シリコン膜６をそれぞれ選
択的に形成する。次に、アルミニウム配線９を選択的に
設けて、コンタクト孔５ａと５ｃと接続し、アルミニウ
ム配線１０を選択的に設けて多結晶シリコン抵抗層４の
両端に接続し、所望の抵抗値を実現している。ここでコ
ンタクト孔５ｂ。
拡散抵抗層２を含む表面に窒化シリコンｌｌｌ３を設け
、窒化シリコン３の上に選択的に多結晶シリコン抵抗層
４を形成する。次に、拡散抵抗層２の上の窒化シリコン
膜３に配線接続用の複数のコンタクト穴５ａ、５ｂ、５
ｃ、５ｄを設ける。次に、抵抗層と接続しないコンタク
ト孔５ｂと５ｄを被覆する酸化シリコン膜７及び多結晶
シリコン抵抗層４の上の酸化シリコン膜６をそれぞれ選
択的に形成する。次に、アルミニウム配線９を選択的に
設けて、コンタクト孔５ａと５ｃと接続し、アルミニウ
ム配線１０を選択的に設けて多結晶シリコン抵抗層４の
両端に接続し、所望の抵抗値を実現している。ここでコ
ンタクト孔５ｂ。
５ｄ上に設けた酸化シリコン膜７の上に配線１１を設け
ることができ配線の自由度が向上できる。
ることができ配線の自由度が向上できる。
第２図（ａ）、（ｂ）は本発明の第２の実施例を示す平
面図及びＢ−Ｂ’線断面図である。
面図及びＢ−Ｂ’線断面図である。
拡散抵抗層２の上に設けた窒化シリコン膜３に拡散抵抗
層２より小さい拡散抵抗層２と相似の開孔部１２を設け
、開孔部１２を含む表面に酸化シリコン膜７を選択的に
形成してコンタクト孔５ａ、５ｄを設け、コンタクト孔
５ａ、５ｄで拡散抵抗層２と接続するアルミニウム配線
９を形成する。この実施例では酸化シリコン膜７の上に
配線１１を設けることができる。
層２より小さい拡散抵抗層２と相似の開孔部１２を設け
、開孔部１２を含む表面に酸化シリコン膜７を選択的に
形成してコンタクト孔５ａ、５ｄを設け、コンタクト孔
５ａ、５ｄで拡散抵抗層２と接続するアルミニウム配線
９を形成する。この実施例では酸化シリコン膜７の上に
配線１１を設けることができる。
以上説明したように本発明は、拡散抵抗層の上に設けた
絶縁膜に複数のコンタクト孔を設は所要の抵抗値に相当
するコンタクト孔に配線を接続し、配線を接続しないコ
ンタクト孔を層間絶縁膜により被覆することにより、被
覆した層間絶縁膜上に他の配線を形成できるため、配線
の自由度を向上させるという効果を有する。
絶縁膜に複数のコンタクト孔を設は所要の抵抗値に相当
するコンタクト孔に配線を接続し、配線を接続しないコ
ンタクト孔を層間絶縁膜により被覆することにより、被
覆した層間絶縁膜上に他の配線を形成できるため、配線
の自由度を向上させるという効果を有する。
第１図（ａ）、（ｂ）は本発明の第１の実施例を示す平
面図及びＡ−Ａ’線断面図、第２図（ａ）、（ｂ）は本
発明の第２の実施例を示す平面図及びＢ−Ｂ’線断面図
である。 １・・・半導体基板、２・・・拡散抵抗層、３・・・窒
化シリコン膜、４・・・多結晶シリコン抵抗層、５ａ。 ５ｂ、５ｃ、５ｄ・・・コンタクト孔、６，７・・・酸
化シリコン膜、９．１０．１１・・・配線、１２・・・
開孔部。
面図及びＡ−Ａ’線断面図、第２図（ａ）、（ｂ）は本
発明の第２の実施例を示す平面図及びＢ−Ｂ’線断面図
である。 １・・・半導体基板、２・・・拡散抵抗層、３・・・窒
化シリコン膜、４・・・多結晶シリコン抵抗層、５ａ。 ５ｂ、５ｃ、５ｄ・・・コンタクト孔、６，７・・・酸
化シリコン膜、９．１０．１１・・・配線、１２・・・
開孔部。
Claims (1)
- 半導体基板の一主面に設けた拡散抵抗層と、前記拡散抵
抗層の表面に設けた絶縁膜と、前記拡散抵抗層上の前記
絶縁膜に設けた複数のコンタクト孔と、前記コンタクト
孔の前記拡散抵抗層と接続する配線と、前記配線と接続
した以外の前記コンタクト孔を被覆して設けた層間絶縁
膜とを備えたことを特徴とする半導体集積回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22609589A JPH0387057A (ja) | 1989-08-30 | 1989-08-30 | 半導体集積回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22609589A JPH0387057A (ja) | 1989-08-30 | 1989-08-30 | 半導体集積回路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0387057A true JPH0387057A (ja) | 1991-04-11 |
Family
ID=16839747
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22609589A Pending JPH0387057A (ja) | 1989-08-30 | 1989-08-30 | 半導体集積回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0387057A (ja) |
-
1989
- 1989-08-30 JP JP22609589A patent/JPH0387057A/ja active Pending
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