JPH04109441A - 光情報記録媒体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野コ 本発明は光情報記録媒体にかかわるもので。

とくにプリグルーブの深さおよび幅の値を所定値に設定
することにより、ジッターおよびブロックエラーレート
等の信号特性を改善した光情報記録媒体に関するもので
ある。

［従来の技術］ この種の光情報記録媒体としては、スパイラル状に案内
溝としてプリグルーブを形成した透光性の基板と、この
基板上に設けるとともに有機色素を含む光吸収層と、こ
の光吸収層の上に設けた光反射層と、さらにこの光反射
層の上に設けた保＃！贋とを有し、情報を光学的に書き
込みおよび読み出し可能なものである。そして再生信号
がＣＤ規格を満足する光情報記録媒体が公知である。

こうした従来公知の光情報記録媒体のプリグルーブの形
状としては、トラックピッチが１．５−１．　７μｒｎ
、　　＠が０．　５−０．　　”７ｐｍ、深さが６０〜
９０　ｎ　ｍである。この光情報記録媒体に記録パワー
約７．６ｍＷのレーザ光を照射して基板を約３０〜４０
ｎｍだけ変形させることにより十記プリグルーブ部分に
ビットを形成し、光情報の記録を行っていた。

しかしながら、ＣＩ）規格におけるジッター（ディジタ
ル信号の時間軸方向の揺れないしゆらぎ）およびブロッ
クエラーレートが悪いという問題がある。

［発明が解決しようとする１１！ｇ］ 本発明は以上のような問題にかんがみてなされたもので
、有機色素からなる光吸収層を用い、記録光により基板
を変形させることによって光情報記録をおこなう光情報
記録媒体において、記録信号を明確に得ることができる
光情報記録媒体を提供することを１Ｎｇとする。

さらには、ＣＤ規格を満足可能な光情報記録媒体におい
て、ジッターを４０ｎｓ以下、かつブロックエラーレー
トを３Ｘ１０−’以下にすることができる光情報記録媒
体を提供することを課題とする。

ｃｉｕｇを解決するための手段］ すなわち本発明は、一方の主面にプリグルーブを形成し
た透光性を有する基板と、この基板上に設けるとともに
、記録光を吸収する光吸収物質を含む光吸収層とを有し
、該記録光を上記基板を透過して光吸収層に照射するこ
とにより情報を記録する光情報記録媒体であって、上記
プリグルーブの左右に位置するランドの部分における上
記光吸収層と上記基板との層外から、上記プリグルーブ
の部分におけるこの層外の最底部までの深さをｄ　ｓｕ
ｂとし、上記プリグルーブの幅をｗ　ｓｕｂとしたとき
に、ｄ　ｓｕｂ≧１５０ｎｍおよびｗ　ｓｕｂ≦０．　
６μｍとするとともに、上記光吸収層が上記記録光を吸
収することにより、上記プリグルーブ部分の上記基板の
主面が変形することを特徴とする光情報記録媒体である
。。

なお、上記ランドの部分における。［：、配光吸収層の
表面から１−記ブリグルーブの部分における該表面の最
底部の深さをｄ　ａｂｓとしたときに、ｄ　ａｂｓ≦０
．　８　Ｘ　ｄ　ｓｕｂとすることができ゛る。

また、上記先板な清の上に、前記記録光を反射する光反
射層を形成することができる。

さらに、上記光吸収層の複素屈折率の虚部をｋ　ａｂｓ
とするとともに、その実数部をｎａｂｓとし、上記光吸
収層の膜厚をｄａｖとし、再生光の波長をλとし、さら
にρ＝ｎａｂｓ−ｄａｖ／λとしたときに、０．０５≦
ρ≦１．６、およびｋ　ａｂｓ≦０．３とすることがで
きる。

なお、本発明における上記プリグルーブの深さｄ　ｓｕ
ｂとは、換言すれば基板の水平面を基準としたときのプ
リグルーブの最深部と最頂部との差をいい、ブリ゛グル
ープの＠ｗｓｕｂとはこの深さｄ　ｓｕｂに対する半値
＠（深さｄ　ｓｕｂの１／２の深さにおける幅の値）を
いうもので、従来のプリグルーブに比較してその深さを
より深くし、その幅をより狭くすることによフて、光吸
収層による記録光の吸収効果を高め、基板の変形つまり
ビットの形成をより明確にしようとするものである。

つぎに、第１図ないし第５図にもとづき本発明をより具
体的に説明する。

第１図は、本発明による光情報記録媒体１の一部切り欠
き斜視図、第２図は同光情報記録媒体１の記録前の要部
縦断面図、第３図は同光情報記録媒体１の記録後の要部
縦断面図である。

この光情報記録媒体１は透光性の基板２と、この基板２
上に形成した光吸収層３と、この光吸収層３の」二に形
成した光反射層４と、この光反射層４の上に形成した保
護層５とを有する。なお、必要に応じて基板２と光吸収
層３との間、および光吸収層３と光反射層４との間には
中間Ｎ（図示せず）を設けることもある。

上記基板２には案内溝としてスパイラル状にプリグルー
ブ６を形成しである。このプリグルーブ６の左右には、
このプリグルーブ６以外の部分すなわちランド７が位置
している。

なお、基板２と光吸収層３とは第一の層外８により７ｆ
いに接している。光吸収Ｍ３と光反射層４とは第°、の
ＩＷ層界により接している、光反射層４と保Ｍ贋５とは
第三の層外１０により接している。

第３図に示すように、光情ｆｉｌ記録媒体１に記録光（
記録用レーザー光）Ｌ、１を照射しメ＝ときに、光吸収
層：３がこのレーザー光Ｔ、　］のエネルギーを吸収す
ることにより発熱し、基板２側に熱変形が生じてビット
１１を形成している。あるときには、光吸収層３に光学
的変化が生ずる場合もある。

とくに第２図に示すように、プリグルーブ６の左右に位
置するランド７の部分における上記第一の層外８から、
プリグルーブ６の部分における第一の層外８の最底部ま
での深さをｄ　ｓｕｂとする。

上記ランド７の部分における上記第二、の層外９から、
プリグルーブ６の部分における第二の層外９の最底部の
深さ（ランド７の部分における光吸収層３の表面から、
プリグルーブ６の部分における該表面の最底部の深さ）
をｄ　ａｂｓとする。

光吸収層３の複素屈折率の虚部をｋ　ａｂＳとするとと
もに、その実数部をｎａｂｓとする。

光吸収Ｍ３の平均膜厚をｄａｖとする。なお、ここで平
均膜厚ｄａｖとは、　（光吸収Ｍ３の体積）／（光吸収
Ｎ３が形成された領域の面積）により表される。

光吸収層３のプリグルーブ６の部分における膜厚をｄｇ
ｒとする。

光吸収ＷＩ３のランド７の部分における膜厚をｄｉｎと
する。

また、再生光（再生用レーザー光）■、２の波長をλと
する。

つぎに、ρ＝ＴＩａｂｓ−ｄａｖ／λにより定義される
光学的パラメーターについて説明する。

本発明者らによる実験およびシュミレーションの結果か
ら、光吸収１３の膜厚に関するこのρ＝ｎａｂｓ−ｄａ
ｖ／λが非常に重要なパラメーターであることに着目し
た。

すなわち、基板２上に光吸収Ｍ３および光反射層４を設
けた構成を有する光情報記録媒体１において、ＣＤ規格
に規定している反射率が７０％以上、かつ再生信号にお
ける変調振幅の変調度として示されるＩ　１１／　Ｉ　
ｔ；ｏｐｈ＜ｏ、　　６以丘、および変調度Ｉ　３／　
Ｉ　ｔｏｐが０．　３〜０．　７という出力信号を得る
ためには、光吸収層３の複素屈折率の実数Ｎｎ　ＩＩ　
ａｂｓと、プリグルーブ６部分の膜厚ｄにｒとランド７
部分の膜厚ｄｉｎとの平均の＊、厚ないしはその平均膜
厚ｄａｖと、再生光の波長λとてダえら肛るρ＝ｎａｂ
ｓ−ｄａｖ／λを０．０５≦ρ≦１．６の範囲内に設定
することにより、容易に反射率をＣ丁〕規格に適合する
反射率７０％以上とすることができることがわかってい
る。

上記ρが０．０５よりも小さい場合には、光吸収Ｎ３の
膜厚ｄａｖを０．０５μｍ以下と、相当薄くシなければ
ならないため、製造上実用的ではない。

したがって、０．０５≦ρ≦０．　６の範囲においては
、０．３０≦ρ≦０．　６の範囲が実用的であり、十分
な変調度を取るためには、０．１以上の範囲が望ましく
、変調度の大きい安定した記録特性を得るためには０．
４５±０．　１の範囲が最も望ましい範囲であるという
ことができる。

さらに、第４図に示すようにρが０．　６以上の範囲で
あっても、グラフ上でのピーク点であれば、反射率が７
０％を越えることが可能である。。

０．６〈ρ〈１．６の範囲においては、ピーク点は２点
あり、常に０．６〈ρく１゜１０の範囲と、１．１０＜
ρ＜１．６の範囲とにあり、それらのピーク点において
高い反射率を得ることができることがわかっている。

ρ〉１．６の時には膜厚が厚くなるため、膜厚の制御が
困難になり、製造り実用的ではない。

このρと反射率との関係を示すグラフは、指数関数と周
期関数との組み合わされた関数として表され、ρが大き
くなるにしたがって周期関数の振幅が大きくなる。

こうした周期関数の振幅は、光情報記録媒体１を構成す
る層の複素屈折率、膜厚、それらの均質性等をパラメー
ターとして変化する。たとえば。

光吸収！ｊ１３から光が入射する側にある屑の屈折率が
小さいと、反射率はグラフ全体とじて反射率が高くなる
方向にシフトする等である。

また、このグラフは先板収贋３の複素屈折率の虚部ｋ　
ａｂｓ、およびｄａｖをパラメーターとする指数関数で
表され、ｆｆ１５図に示すようにｋａｂｓが大きくなる
ほどグラフ全体の反射率の減衰が人きくなるということ
もわかっている。

光吸収Ｎ３が均質であり、その複素屈折率の実部ｎａｂ
ｓ、膜厚ｄａｖに不均一な分布がない限り、上記グラフ
のピークを示す点の周期には変化がないことが本発明者
らのシミュレーションによりわかっている。

なお、条件により、第４図におけるグラフのボトム点の
反射率についても、上記パラメーター条件を制御するこ
とによりこれを高くすることが可能であるが、ρをボト
ム点付近に設定した場合には、変調度を大きく取ること
が困難であり、ある場合には、記録前よりも反射率が上
昇してしまう場合も生じる。したがって、ρはピーク点
付近に設定することが望ましい６ 上記ｋａｂｓについても言及する。

高い反射率を得るためにはこのｋ　ａｂｓが０．　３以
下であることが必要である。

なお本発明者らは、ｋ　ａｂｓの数（Ｌ１！設定が￥Ｃ
，要なパラメーターであることを見い出している。すな
わちこのｋ　ａｂｓが０．３以下であれば、Ｏに近くな
るほど反射率は向上する。したがって、この範囲が最も
望ましい。しかしＯに近づくほど記録感度が悪くなるた
め、Ｏより大きいことが必要である。

具体的には、０．０１以との範囲が望ましく、実際には
０．０５前後が望ましい。

上記ρが０．０５〜０．６の範囲においては同層の複素
屈折率の虚部ｋ　ａｂｓは０．　３以下であることが望
ましい。またρが０．　６〜１．６の範囲においては、
ｋ　ａｂｓは０．２以下であることが望ましい。

つぎに、各層の材質ないし物性等について説明する。

まず、透光性の基板２は、レーザー光に対する屈折率が
１．４〜１．６の範囲内の透明度の高い材料て、＃ｆｇ
ｆＩ撃性に優れた主として樹脂により形成したもの、た
とえばガラス板、アクリル板、エポキシ板等を用いる。

なお、ポリカーボネート等の＠脂を射出成形により成形
することが望ましい。また基ＦＪ、２上に他の贋、たと
えば５ｉ０２等の耐溶剤層やエンハンス層をコーティン
グしておいてもよい。

これらの材料を射出成型法等の手段により成型する。基
＠２の厚さは、ＣＤ規格に準拠するように、１．Ｉｍｍ
〜１．．５ｍｍが望ましい。

こうした基板２の光吸収Ｉ′Ｗ３側の表面に形成するト
ラッキングガイド手段としては、スパイラル状に形成し
た前記プリグルーブ６（第２図、第３図）が望ましい。

プリグルーブ６は、データ信号を記録するときのトラッ
キングをガイドするために用いられる。こうしたプリグ
ルーブ６はスパイラル状に限らず、蛇行していてもよい
。

このプリグルーブ６部分の深さ、つまり前記ｄ　ｓｕｂ
は、１５０ｎｍ以上、好ましくは１６０ｎｍ以−１；が
望ましい。

またプリグルーブ６の＠ｗｓｕｂは、０．６μｍ以下、
好ましくは０．５μｍ以下が望ましい。

光吸収層３部分の深さの比ｄ　ａｂｓ／　ｄ　ｓｕｂは
、０．８以下、好ましくは０．　６以下が望ましい。

記録光のパワーが約７．５〜７．９ｍＷの範囲において
変形する基板２の部分の高さ、つまりビット１１の高さ
は、プリグルーブ６部分の深さｄ　ｓｕｂのおよそ半分
で、５０ｎｍ以上であることが確認されている。

プリグルーブ６とこれに隣合うプリグルーブ６との間の
間隔いわゆるトラックピッチは１．６μｍが望ましい。

つぎに、前記光吸収層３はこうした基板２のトラッキン
グガイド手段の上に形成した光吸収性の物質からなる層
で、レーザーを照射することにより、発熱、溶融、昇華
、変形または変性をともなう贋である。この光吸収ＪＷ
３はたとえばシアニン色素等の光吸収性の有機色素含有
層であることが望ましい。すなわちたとえば溶剤により
溶解したシアニン系色素等を、スピンコード法等の手段
により、基板２の表面に一様にコーティングすることに
よってこれを形成する。

つぎに、前記光反射Ｍ４は必要に応じて形成するもので
、金属膜であり、たとえば、金、銀、銅、アルミニラｌ
＼、あるいはこれらを含む合金を、蒸着法、スパッタ法
等の手段によりこれを形成する。反射率７０％以上を有
することが必要なため、これらの中でも、金または金を
含む合金を主体とする金属膜が望ましい。

また、光反射層４の酸化を防止するため、光反射層４の
上に耐酸化層等の他の贋を設けてもよい。

つぎに、前記保ＦｆＩ＃５は同じく必要に応じて形成す
るもので、基板２と同様の耐衝撃性に優れた樹脂により
これを形成する。たとえば、紫外線硬化樹脂をスピンコ
ード法により塗布し、これに紫外線を照射して硬化させ
ることによりこれを形成する。このほか、エポキシ樹脂
、アクリル樹脂、シリコーン系ハードコート樹脂等を使
用することもある。

［作用］ 本発明による光情報記録媒体は公知のｙＣ情報記録装置
によって記録を行うことができる。光情報記録装置のレ
ーザー照射手段すなわちピックアップを設けた側に透光
性の基板２の表面が面するように光情報記録媒体１を配
置する。この光情報記録媒体１をスピンドルモータによ
り回転させながら、ＣＤ規格に準拠した信号に変調され
たレーザースポットを、前記トラッキングガイド手段に
したがってトラッキングしながら、ピックアップにより
光情報記録媒体１の光吸収層３に照射することによって
、光吸収層が熱を発生し、その熱により基板２を変形さ
せ、これによりビット１１を形成する。

なお記録にあたっては、波長λが７８０ｎｍ付近のレー
ザースポットを照射することが望ましい。またＣＤ規格
との関連から、線速度は１．２〜１．４ｍ／ｓｅａであ
る必要があり、記録パワーは６〜９ｍＷ程度でよい。

本発明においては、プリグルーブ６の形状としてその深
さｄ　ｓｕｂを１５０　ｎ　ｍ以ｈ、かつその幅Ｗ　ｓ
ｕｈを０．　６μｍ以下にすることにより、狭いプリグ
ルーブ６内に光吸収性の材料を多く取容することとなり
、吸収した熱がここに閉じこめられ、エツジの良いきれ
いなビット１１を作ることができる。すなわち、光吸収
層３の記録用レーザー光Ｌ１の吸収にもとづく熱が外部
に拡散する割合を抑えられてプリグルーブ６内に閉じこ
められ、基板２表面に明瞭な変形部（ビット１１）を形
成することができる。

さらに光吸収層３のプリグルーブ６部分の深さｄ　ａｂ
ｓを、基板２のプリグルーブ６の深さｄ　ｓｕｂの０．
　８倍以下に形成することにより、従来の光情報記録媒
体に比較してプリグルーブ６部分の光吸収層３の膜厚ｄ
ｇｒがプリグルーブ６以外の部分（ランド７部分）の膜
厚ｄｌｎよりも厚くなる。

しかして、光吸収層３の膜厚は厚いほど概して高感度で
あるため、プリグルーブ６内はランド７内より高感度と
なる。したがって、記録されたビット１１はプリグルー
ブ６の幅より広い領域に広がりにくく、基板２表面に明
瞭で大きな変形部を形成することが容易となり、物理的
にプリグルーブ６に直行する方向（光情報記録媒体１の
半径方向、ないしはプリグルーブ６の幅方向）が仕切ら
れるため、ビット１１の幅が広がらず、再生信号におけ
るクロストーク（未記録状態の反射率を基準としたとき
の、ビット１１があるべき部分の反射率に対する、ビッ
トＩＬがない部分の反射率の比）、およびジッターの原
因を抑制可能となり、これらの値を小さくすることがで
きる。

なお、記録用レーザー光Ｌ１を反射する光反射層４を光
吸収層３の上に形成することにより、基板２を変形させ
易くし、記録効率の良好な光情報記録媒体を得ることが
できる。

さらに、光吸収層３の膜厚に関するパラメーターｐ＝ｎ
ａｂｓ−ｄａｖ／λを０．０５−１−．６の範囲にする
とともに、光吸収層のｒｉ素屈折率の虚部ｋａｂｓを０
．　３以下とすることにより、ＣＤ規格を満足しかつブ
ロックエラーレートおよびジッターの低い光情報記録媒
体とすることができる。

［実施例］ つぎに本発明による光情報記録媒体に−）いてその実施
例を以−ドに説明する。なお、実施例１は基板上に色素
含有層を形成したものであり、実施例２は基板、色素含
有層、光反射層、保ｆｆ層からなるものである。

（実施例１） ＠０．　５μｍ、深さ１６５　ｎ　ｍ、およびピッチ１
．６μｍのスパイラル状のプリグルーブを形成した円板
状の基板Ｈに、シアニン色素として濃度１００ｇ／リッ
トルの３．　３．　３’　　３’テトラメチル４ｙ５Ｈ
４’５’　−ジベンゾインドジカーボシアニンパークロ
レート（日本感光色素株式会社製、ＮＫ−３２１，９）
と、ＰＡ１００６（三井重圧ファイン社製）との２：　
１溶液をスピンコードすることにより、平均膜厚ｄａｖ
が１１００ｎの色素含有層（光吸収＃）を形成した。

上記基板のプリグルーブにおける深さｄ　ｓｕｂは１６
５ｎｍ、プリグルーブの＠　Ｗ　５ＬＩｂはＯ，Ｅ５ｐ
ｍ、光吸収層のプリグルーブにおける深さｄａｂＳは８
０ｍｍである。

光吸収層の複素屈折率の虚部ｋａｂｓは０．０８、実数
部ｎａｂＳは２．５、再生光の波長λは７８００ｍであ
るから、このときの光学パラメータρは０゜３２である
。

こうして得た光情報記録媒体に基板入射により、波長７
８０ｎｍの半導体レーザーでＥＦＭ信号をプリグルーブ
に記録したところ、ブロックエラーレートが０，５Ｘ］
、０−２、およびジッターは７　ｎ　ｓと良好であった
。ビット１１の高さは３０ｍｍであった。

（実施例２） １１０．５５μｍ、深さ１．８０　ｎ　ｍ、およびピッ
チ１．６μｍでスパイラル状にプリグルーブを設けた円
形状基板上に濃度１２０ｇ／リットルの第６図に示す化
合物（シアニン色素）と、ＩＲＧ００３（日本化薬社製
）との２：　１溶液をスピンコードして平均膜厚１４０
　ｎ　ｍの色素含有層を形成した。さらにスパッタリン
グ法により膜厚５０ｎｍの金を？Ｊ膜してこ九を光反射
層とし、この１−二にＩＪＶ硬化した保＃！贋を設け、
光情報記録媒体を作成した。

上記基板のプリグルーブにおける深さｃｌｓｕｂは１８
０　ｎ　ｍ、　　プリグルーブの＠ｗｓｕｂはＯ−５５
７１ｍ、光吸収層のプリグルーブにおける深さｄ　ａｂ
ｓは８０ｍｍ、である。

光吸収層の複素屈折率の虚部に、ａｂｓは０．１−１実
数部ｎ、ａｂｓは２．７、再生光の波長λは８００ｎｍ
であるから、このときの光学パラメータρは０゜４７で
ある。

こうして得た光情報記録媒体に実施例１と同様に波長８
００ｎｍの半導体レーザーでＥＦＭ信号をプリグルーブ
に記録し、この記録部を実施例１と同様に再生したとこ
ろ、ブロックエラーレートが１．０ＸＩＯ−３、ジッタ
ー２２ｎ　ｓであった。

これらはＣＤ規格に定める基準を十分に満足している。

なおビット１１の高さ８０ｍｍであった。

［発明の効果コ 以−ヒのように本発明によれば、プリグルーブを従来の
ものより深くかつ狭く形成したので、基板や光吸収層の
変形をともなう記録を行う場合、基板の変形がプリグル
ーブの幅および深さにより限定されることとなるため、
ビットの幅およびエツジの整った記録を行うことができ
る。したがって、現在のＣＤ規格に準拠した、とくにＣ
Ｄ規格に定められたブロックエラーレートおよびジッタ
ーの規格値を満足することが可能な光情報記録媒体を提
供することができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明による光情報記録媒体１−の−部切り欠
き斜視図、 第２図は同、光情報記録媒体１およびこの光情報記録媒
体１への光情報記録方法を説明するための要部縦断面図
、 第３図は同、プリグルーブ６にビット］−１を形成した
状態の要部縦断面図。 第４図はρ　（＝ｎａｂｓ−ｄａｖ／λ）と反射率との
関係のグラフ、 第５図は光吸収層３のｒｉ素屈折率ｋ　ａｂｓと反射率
との関係のグラフ、 第６図は実施例２の光吸収層を形成するためのシアニン
色素を示す図である。 １、、、、、、、、光情報記録媒体 ２　、、、、、、透光性の基板 ３　、、、、、、光＠成層 ４、、、、、、、光反射層 ５　、、、、、、保護層 ６　、、、、、、プリグルーブ（案内溝）７　、、、、
、、ランド ８、、、、、、第一の層外 ９　、、、、、、第二の層外 １０、、、、、、第三の層外 １１　、、、、、、ビット ｄ　ｓｕｂ、、、、、ランド７の部分における光吸収Ｉ
Ｗ３ど基板２との第一の層外８から、 プリグルーブ６の部分における第一 の層外８の最底部の深さ ｄａｂｓ、、、、、ランド７の部分における光吸収Ｎ３
と光反射ｒｑＩ４との第二の層界９から。 プリグルーブ６の部分における第二 の層外９の最底部の深さ ｎａｂｓ、、、、、光吸収Ｎ３の複素屈折率の実数部ｋ
ａｂｓ、−−１．光吸収Ｎ３の複素屈折率の虚数部ｄ　
ａｖ、、、、、、光吸収Ｎ３の平均膜厚ｄ　ｇｒ、、、
、、、先板１１１５！１３のプリグルーブ６の部分にお
ける膜厚 ｄ　Ｉｎ、、、、、、光吸収Ｎ３のランド７の部分にお
ける膜厚 ｗｓｕｂ、、、、、プリグルーブ６の幅λ、８９０００
１．再生光の波長 Ｌ　Ｌ　、、、、、、記録用レーザー光Ｌ　２　、、、
、、、再生用レーザー光第　　１ 図 特詐出廓人　太陽誘電株式会社

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 （１）一方の主面にプリグルーブを形成した透光性を有
   する基板と、 この基板上に設けるとともに、記録光を吸収する光吸収
   物質を含む光吸収層とを有し、 該記録光を前記基板を透過して光吸収層に照射すること
   により情報を記録する光情報記録媒体であつて、 前記プリグルーブの左右に位置するランドの部分におけ
   る前記光吸収層と前記基板との層界から、前記プリグル
   ーブの部分における該層界の最底部までの深さをｄｓｕ
   ｂとし、 前記プリグルーブの幅をｗｓｕｂとしたときに、ｄｓｕ
   ｂ≧１５０ｎｍ、および ｗｓｕｂ≦０．６μｍとするとともに、 前記光吸収層が前記記録光を吸収することにより、前記
   プリグルーブ部分の前記基板の主面が変形することを特
   徴とする光情報記録媒体。 （２）前記ランドの部分における前記光吸収層の表面か
   ら、前記プリグルーブの部分における該表面の最底部の
   深さをｄａｂｓとしたときに、ｄａｂｓ≦０．８×ｄｓ
   ｕｂ であることを特徴とする請求項（１）記載の光情報記録
   媒体。 （３）前記光吸収層の上に、前記記録光を反射する光反
   射層を有することを特徴とする請求項（１）記載の光情
   報記録媒体。 （４）前記光吸収層の複素屈折率の虚部をｋａｂｓとす
   るとともに、その実数部をｎａｂｓとし、前記光吸収層
   の膜厚をｄａｖとし、再生光の波長をλとし、さらに ρ＝ｎａｂｓ・ｄａｖ／λとしたときに、 ０．０５≦ρ≦１．６、およびｋａｂｓ≦０．３ であることを特徴とする請求項（１）記載の光情報記録
   媒体。