JPH04119988A - 液相エピタキシャル成長装置 - Google Patents
液相エピタキシャル成長装置Info
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- JPH04119988A JPH04119988A JP24206290A JP24206290A JPH04119988A JP H04119988 A JPH04119988 A JP H04119988A JP 24206290 A JP24206290 A JP 24206290A JP 24206290 A JP24206290 A JP 24206290A JP H04119988 A JPH04119988 A JP H04119988A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概 要）
液相エピタキシャル成長装置に関し、
エピタキシャル成長用基板上に均一な厚さと均−な組成
のエピタキシャル結晶が得られるようにした構造の液相
エピタキシャル成長装置の提供を目的とし、 アンプル内に封入された固定治具に挟持されたエピタキ
シャル成長用基板ホルダ上のエピタキシャル成長用基板
を回転し、該基板の下部に収容されて溶融したエピタキ
シャル成長用メルトに前記基板を接触し、該基板」二に
前記溶融したエピタキシャル成長用メルトの成分を析出
して基板上にエピタキシャル結晶を成長する装置に於い
て、前記固定治具に挟持され、前記溶融したエピタキシ
ャル成長用メルトを攪拌する攪拌手段を、前記基板ホル
ダの下部に設けたことで構成する。
のエピタキシャル結晶が得られるようにした構造の液相
エピタキシャル成長装置の提供を目的とし、 アンプル内に封入された固定治具に挟持されたエピタキ
シャル成長用基板ホルダ上のエピタキシャル成長用基板
を回転し、該基板の下部に収容されて溶融したエピタキ
シャル成長用メルトに前記基板を接触し、該基板」二に
前記溶融したエピタキシャル成長用メルトの成分を析出
して基板上にエピタキシャル結晶を成長する装置に於い
て、前記固定治具に挟持され、前記溶融したエピタキシ
ャル成長用メルトを攪拌する攪拌手段を、前記基板ホル
ダの下部に設けたことで構成する。
本発明は液相エピタキシャル成長装置に関する。
赤外線検知素子の形成材料としてエネルギーバンドギャ
ップの狭い水銀・カドミウム・テルル（ｌ＋ｇ＋−ｘ
Ｃｄｘ Ｔｅ）よりなる化合物半導体結晶が用いられて
いる。
ップの狭い水銀・カドミウム・テルル（ｌ＋ｇ＋−ｘ
Ｃｄｘ Ｔｅ）よりなる化合物半導体結晶が用いられて
いる。
このような化合物半導体結晶を検知素子形成材料として
都合が良いように、薄膜の状態でかつ大面積に形成する
方法として装置が簡単で結晶の組成の制御性が良好な液
相エピタキシャル成長力法が用いられている。
都合が良いように、薄膜の状態でかつ大面積に形成する
方法として装置が簡単で結晶の組成の制御性が良好な液
相エピタキシャル成長力法が用いられている。
１従来の技術〕
従来の液相エピタキシャル成長装置は第５図（ａ）に示
すように、エピタキシャル成長用基板ｌを保持する板状
の基板ホルダ２を挟持する溝３を有し、エピタキシャル
成長時の装置の回転時に溶融したエピタキシャル成長用
メルｌ−４を収容する空間部５を有するコの字状の形状
の固定治具６と、昌固定治具６を封入するアンプル７と
より成る。
すように、エピタキシャル成長用基板ｌを保持する板状
の基板ホルダ２を挟持する溝３を有し、エピタキシャル
成長時の装置の回転時に溶融したエピタキシャル成長用
メルｌ−４を収容する空間部５を有するコの字状の形状
の固定治具６と、昌固定治具６を封入するアンプル７と
より成る。
このような従来の装置を用いてエピタキシャル結晶をエ
ピタキシャル成長用基板上に形成する場合に付いて述べ
る。
ピタキシャル成長用基板上に形成する場合に付いて述べ
る。
先ず第５図（ａ）に示すように、エピタキシャル成長用
基板１を基板ホルダ２上に設置した状態で溝３内に挿入
する。この固定治具は点線２１の位置より上下に分割さ
れるものとする。
基板１を基板ホルダ２上に設置した状態で溝３内に挿入
する。この固定治具は点線２１の位置より上下に分割さ
れるものとする。
次いで第５図（ａｌおよび第５図（ａｌのＩＶ−ＴＶ′
線に沿った断面図の第５図（ｂｌに示すように、エピタ
キシャル成長用基板１を設置した基板ホルダ２を前記し
た固定治具６の溝３内に設置し、該基板１を設置した固
定治具６、該基板と対向する反対側の位置に水銀、カド
ミウムおよびテルルより成るエピタキシャル成長用メル
ト４の形成材料を充填した状態でアンプル７内に封入す
る。
線に沿った断面図の第５図（ｂｌに示すように、エピタ
キシャル成長用基板１を設置した基板ホルダ２を前記し
た固定治具６の溝３内に設置し、該基板１を設置した固
定治具６、該基板と対向する反対側の位置に水銀、カド
ミウムおよびテルルより成るエピタキシャル成長用メル
ト４の形成材料を充填した状態でアンプル７内に封入す
る。
次いで上記アンプル７を加熱炉内の炉芯管（図示せず）
内に挿入し、アンプル７を加熱してアンプル７内の前記
エピタキシャル成長用メルトの形成材料を溶融する。
内に挿入し、アンプル７を加熱してアンプル７内の前記
エピタキシャル成長用メルトの形成材料を溶融する。
次いでアンプル７を矢印Ａ方向に沿って１８０度回軸回
転第５図（Ｃ＋に示すように、溶融したエピタキシャル
成長用メルト４にエピタキシャル成長用基板ｌを接触さ
せ、加熱炉の温度を降下させることで、エピタキシャル
成長用メルト４の温度を降下させ、該降下温度に対応す
る過飽和の溶質をエピタキシャル成長用基板上にエピタ
キシャル成長している。
転第５図（Ｃ＋に示すように、溶融したエピタキシャル
成長用メルト４にエピタキシャル成長用基板ｌを接触さ
せ、加熱炉の温度を降下させることで、エピタキシャル
成長用メルト４の温度を降下させ、該降下温度に対応す
る過飽和の溶質をエピタキシャル成長用基板上にエピタ
キシャル成長している。
次いで該アンプル７を矢印Ｂ方向に更に１００ ＋＝回
転し、エピタキシャル成長用基板上に付着しているエピ
タキシャル成長用メルトを下部に落下させるワイプオフ
の作業によってエピタキシャル成長を停止している。
転し、エピタキシャル成長用基板上に付着しているエピ
タキシャル成長用メルトを下部に落下させるワイプオフ
の作業によってエピタキシャル成長を停止している。
このような従来の構造のエピタキシャル成長装置を用い
てエピタキシャル成長する際、第６図Ｆａｔに示すよう
に、アンプル７をη軸を中心にして１８０度回軸回転エ
ピタキシャル成長用基板１に溶融したエピタキシャル成
長用メルト４を接触させた時に、溶融したエピタキシャ
ル成長用メルト４の量が多ずぎる場合には、基板ホルダ
２の側面とアンプル７の内装面の間に溶融したエピタキ
シャル成長用メルトが入り込み、この部分、つまりエピ
タキシャル成長用基板ｌの側面近傍では、エピタキシャ
ル成長用基板ホルダ２の中央に対して溶融したエピタキ
シャル成長用メルト４の対流による移動量が大きく成る
傾向がある。
てエピタキシャル成長する際、第６図Ｆａｔに示すよう
に、アンプル７をη軸を中心にして１８０度回軸回転エ
ピタキシャル成長用基板１に溶融したエピタキシャル成
長用メルト４を接触させた時に、溶融したエピタキシャ
ル成長用メルト４の量が多ずぎる場合には、基板ホルダ
２の側面とアンプル７の内装面の間に溶融したエピタキ
シャル成長用メルトが入り込み、この部分、つまりエピ
タキシャル成長用基板ｌの側面近傍では、エピタキシャ
ル成長用基板ホルダ２の中央に対して溶融したエピタキ
シャル成長用メルト４の対流による移動量が大きく成る
傾向がある。
そのため、第６図（ｂ）に示すようにエピタキシャル成
長用基板１の中央部に対して、該基板の端部上のエピタ
キシャル結晶８の成長速度が大となって、エピタキシャ
ル結晶の厚さが不均一になる不都合がある。
長用基板１の中央部に対して、該基板の端部上のエピタ
キシャル結晶８の成長速度が大となって、エピタキシャ
ル結晶の厚さが不均一になる不都合がある。
また第７図（ａ）に示すように、エピタキシャル成長用
基板１に溶融したエピタキシャル成長用メルト４を接触
するために、アンプルを１８０度回転した場合、基板ホ
ルダ２の裏面側に溶融したエピタキシャル成長用メルト
４が落下しない状態で、残留する場合があり、この場合
には、エピタキシャル成長用基板上に接触するエピタキ
シャル成長用タルトの量が不足する。この場合には、第
７図（ｂ）に示すように、エピタキシャル成長用基板１
の端部近傍にはエピタキシャル結晶８が成長しない不都
合を生じる。
基板１に溶融したエピタキシャル成長用メルト４を接触
するために、アンプルを１８０度回転した場合、基板ホ
ルダ２の裏面側に溶融したエピタキシャル成長用メルト
４が落下しない状態で、残留する場合があり、この場合
には、エピタキシャル成長用基板上に接触するエピタキ
シャル成長用タルトの量が不足する。この場合には、第
７図（ｂ）に示すように、エピタキシャル成長用基板１
の端部近傍にはエピタキシャル結晶８が成長しない不都
合を生じる。
また上記の溶融したエピタキシャル成長用メルトは、前
記したように水銀、カドミウム、テルルを各々、所定重
量秤量してアンプル内に封入した後、溶融後、史に固化
したものを用いており、この固化する際にｌ−記エビタ
キンヤル成長用メルトを構成する元素の偏析係数が異な
るために均一な組成で混合溶融しているとは限らない。
記したように水銀、カドミウム、テルルを各々、所定重
量秤量してアンプル内に封入した後、溶融後、史に固化
したものを用いており、この固化する際にｌ−記エビタ
キンヤル成長用メルトを構成する元素の偏析係数が異な
るために均一な組成で混合溶融しているとは限らない。
そしてこの固化したエピタキシャル成長用メルトを、前
記した？Ｆｊ、＃ロエピタキシャル成長装置のアンプル
７内に封入して溶融するわけであるが、この場合、均一
な組成で溶融されている保証が無く、そのため、溶融し
たエピタキシャル成長用メルトを、エピタキシャル成長
用基板に接触する以前に溶融したエピタキシャル成長用
タルトをＰＡ拌して均一な組成にすることが望ましい。
記した？Ｆｊ、＃ロエピタキシャル成長装置のアンプル
７内に封入して溶融するわけであるが、この場合、均一
な組成で溶融されている保証が無く、そのため、溶融し
たエピタキシャル成長用メルトを、エピタキシャル成長
用基板に接触する以前に溶融したエピタキシャル成長用
タルトをＰＡ拌して均一な組成にすることが望ましい。
本発明は上記した事項に鑑みてなされたもので、エピタ
キシャル成長用基板に組成の均一な溶融したエピタキシ
ャル成長用タルトが、過不足無く供給されるようにした
液相エピタキシャル成長装置の提供を目的とするもので
ある。
キシャル成長用基板に組成の均一な溶融したエピタキシ
ャル成長用タルトが、過不足無く供給されるようにした
液相エピタキシャル成長装置の提供を目的とするもので
ある。
上記目的を達成する本発明の液相エピタキシ中ル成長装
置は、第１図（ａ）および第１図（ｂ）に示すように、
アンプル７内に封入された固定治具６に挟持された基板
ホルダ２上のエピタキシャル成長用基キル１を回転し、
該基板の下部に収容されて溶融したエピタキシャル成長
用メルト４に前記基板を接触し７、該基板上に前記溶融
したエピタキシャル成長用メルト４の成分を付着して基
板上にエピタキシャル結晶を成長する装置に於いて、前
記固定治具６に挟持され、前記溶融したエピタキシャル
成長用メルト４を攪拌する攪拌手段１１を、前記基板ホ
ルダ２の下部に設けたことを特徴とするものである。
置は、第１図（ａ）および第１図（ｂ）に示すように、
アンプル７内に封入された固定治具６に挟持された基板
ホルダ２上のエピタキシャル成長用基キル１を回転し、
該基板の下部に収容されて溶融したエピタキシャル成長
用メルト４に前記基板を接触し７、該基板上に前記溶融
したエピタキシャル成長用メルト４の成分を付着して基
板上にエピタキシャル結晶を成長する装置に於いて、前
記固定治具６に挟持され、前記溶融したエピタキシャル
成長用メルト４を攪拌する攪拌手段１１を、前記基板ホ
ルダ２の下部に設けたことを特徴とするものである。
また前記攪拌１段１１が前記アンプルの長平方向に沿っ
て傾いて設けられ、前記固定治具６に近接する位置に溶
融したエピタキシャル成長用メルト４が移動可能な切り
欠き領域１２を設けた板状部材であることを特徴とする
。
て傾いて設けられ、前記固定治具６に近接する位置に溶
融したエピタキシャル成長用メルト４が移動可能な切り
欠き領域１２を設けた板状部材であることを特徴とする
。
更に第３図（ａ）、および第３図（ｂ）に示すように、
前記固定治具６の側面に余分な溶融したエピタキシャル
成長用メルト４を前記アンプル７の端部と固定治具６と
の間に流出するような満１３を設ける。
前記固定治具６の側面に余分な溶融したエピタキシャル
成長用メルト４を前記アンプル７の端部と固定治具６と
の間に流出するような満１３を設ける。
また第４図（ａ）、および第４図（１））に示すように
、前記基板ホルダ２の裏面側に、前記アンプル７を回転
した際に、前記基板ホルダ２の裏面側より溶融したエピ
タキシャル成長用メル！−４が落下可能とする傾斜面１
４を設ける。
、前記基板ホルダ２の裏面側に、前記アンプル７を回転
した際に、前記基板ホルダ２の裏面側より溶融したエピ
タキシャル成長用メル！−４が落下可能とする傾斜面１
４を設ける。
〔作 用］
本発明の液相エピタキシャル成長装置は、第１図（２１
）、第１図（ｂ）および第２図に示すように、溶融り、
タエピタキシャル成長用メルト４を、エピタキシャル成
長用基板ｌに接触する以前に、前記メルトを撹拌できる
ようなサファイア製の板状部材より成る（Ｗ押板１１を
、前記した固定治具６に溝１５を設けて取り付ける。そ
してこの攪拌板１１Ｔ：溶融したエピタキシャル成長用
タルト４を攪拌する。
）、第１図（ｂ）および第２図に示すように、溶融り、
タエピタキシャル成長用メルト４を、エピタキシャル成
長用基板ｌに接触する以前に、前記メルトを撹拌できる
ようなサファイア製の板状部材より成る（Ｗ押板１１を
、前記した固定治具６に溝１５を設けて取り付ける。そ
してこの攪拌板１１Ｔ：溶融したエピタキシャル成長用
タルト４を攪拌する。
この撹拌板１１はアンプル７を攪拌した時に、溶融した
エピタキシャル成長用メルト４が通過するための切り欠
き領域１２を固定治具６の近傍に設けるとともに、溶融
したエピタキシャル成長用メルト４の移動が容易となる
ようにアンプル７の長手方向に沿って、所定の角度θ傾
けるようにする。
エピタキシャル成長用メルト４が通過するための切り欠
き領域１２を固定治具６の近傍に設けるとともに、溶融
したエピタキシャル成長用メルト４の移動が容易となる
ようにアンプル７の長手方向に沿って、所定の角度θ傾
けるようにする。
このような攪拌板１１で、エピタキシャル成長用基板ｌ
を接触する以前の溶融したエピタキシャル成長相メル１
−４を攪拌することで、溶融したエピタキシャル成長用
メルトの組成が均一な組成となる。
を接触する以前の溶融したエピタキシャル成長相メル１
−４を攪拌することで、溶融したエピタキシャル成長用
メルトの組成が均一な組成となる。
また第３図（ａ）、および第３図（ｂ）に示すように、
固定治具６の側面に溝１３を設けることで、余分な溶融
したエピタキシャル成長用メルト４が固定治具６とアン
プル７の端部の間の隙間に流出するようにして適正量の
溶融したエピタキシャル成長用メルトがエピタキシャル
成長用基板１に接触するように成る。
固定治具６の側面に溝１３を設けることで、余分な溶融
したエピタキシャル成長用メルト４が固定治具６とアン
プル７の端部の間の隙間に流出するようにして適正量の
溶融したエピタキシャル成長用メルトがエピタキシャル
成長用基板１に接触するように成る。
更に第４図（ａ）、および第４図（ｂ）に示すように、
基板ホルダ２の裏面側が傾斜面と成るようにして、アン
プル７を回転して溶融したエピタキシャル成長用メルト
４とエピタキシャル成長用基板１とを接触させた時に、
基板ホルダ２の裏面側に溶融したエピタキシャル成長用
メルトが残留しないようにして、適正な量の）８融した
エピタキシャル成長相メルＩ・が、エピタキシャル成長
用基板に接触するように成り、均一な厚さ、および組成
のエピタキシャル結晶がエピタキシャル成長用基板上に
形成されるようになる。
基板ホルダ２の裏面側が傾斜面と成るようにして、アン
プル７を回転して溶融したエピタキシャル成長用メルト
４とエピタキシャル成長用基板１とを接触させた時に、
基板ホルダ２の裏面側に溶融したエピタキシャル成長用
メルトが残留しないようにして、適正な量の）８融した
エピタキシャル成長相メルＩ・が、エピタキシャル成長
用基板に接触するように成り、均一な厚さ、および組成
のエピタキシャル結晶がエピタキシャル成長用基板上に
形成されるようになる。
以下、図面を用いて本発明の実施例につき詳細に説明す
る。
る。
本発明の液相エピタキシャル成長装置は、第１図（ａ）
、および第１図（ａ）の１−１ ′線断面図の第１図（
ｂ）、および第２図に示すように、溶融したエピタキシ
ャル成長用メルト４を、エピタキシャル成長用基板１に
接触する以前に、前記溶融メルトを撹拌できるようなサ
ファイア製の板状部材より成る撹拌板１１を、前記した
固定治具６に適当な溝１５を設けて、この溝にはめこん
で取り付ける。
、および第１図（ａ）の１−１ ′線断面図の第１図（
ｂ）、および第２図に示すように、溶融したエピタキシ
ャル成長用メルト４を、エピタキシャル成長用基板１に
接触する以前に、前記溶融メルトを撹拌できるようなサ
ファイア製の板状部材より成る撹拌板１１を、前記した
固定治具６に適当な溝１５を設けて、この溝にはめこん
で取り付ける。
そしてこの撹拌板１１で７容融したエピタキシャル成長
相メルｌ−４を攪拌する。この攪拌板１１は攪拌する際
に、溶融したエピタキシャル成長相メルｈ４が移動でき
るような切り欠き領域１２を固定治具６の近傍に設ける
とともに、溶融したエピタキシャル成長用メルト４の移
動が容易となるようにアンプル７の長手方向に沿って所
定の角度θ（０〜１０度以内）傾けるようにする。
相メルｌ−４を攪拌する。この攪拌板１１は攪拌する際
に、溶融したエピタキシャル成長相メルｈ４が移動でき
るような切り欠き領域１２を固定治具６の近傍に設ける
とともに、溶融したエピタキシャル成長用メルト４の移
動が容易となるようにアンプル７の長手方向に沿って所
定の角度θ（０〜１０度以内）傾けるようにする。
このような攪拌板を用いて攪拌効果が有ることは本発明
者等がエチレングリコールのような溶融したエピタキシ
ャル成長用メルトと略同様な粘度を有する液体に、例え
ばレジスト剤のような有機物を分散させて、その有機物
の移動状態をアンプルを回転することで実験的に確認し
た。
者等がエチレングリコールのような溶融したエピタキシ
ャル成長用メルトと略同様な粘度を有する液体に、例え
ばレジスト剤のような有機物を分散させて、その有機物
の移動状態をアンプルを回転することで実験的に確認し
た。
またこの切り欠き領域１２は固定治具の近傍に二箇所設
けたが、この切り欠き領域の数は攪拌板の長手方向の所
定位置に適宜設けて差支え無い。
けたが、この切り欠き領域の数は攪拌板の長手方向の所
定位置に適宜設けて差支え無い。
このような攪拌板ＩＩで、エピタキシャル成長用基板ｌ
を接触する以前の溶融したエピタキシャル成長用メルト
４を矢印ＥおよびＦ方向に１２０〜３０度の角度で攪拌
することで、該メルトの組成が均一な組成となる。
を接触する以前の溶融したエピタキシャル成長用メルト
４を矢印ＥおよびＦ方向に１２０〜３０度の角度で攪拌
することで、該メルトの組成が均一な組成となる。
またこの攪拌時、およびアンプルを回転して溶融したエ
ピタキシャル成長用メルトに基板を接触させる際には、
例えば矢印ａ、ｂ、、ｃＸｄに示すように溶融したエピ
タキシャル成長層メルトカ移動する。
ピタキシャル成長用メルトに基板を接触させる際には、
例えば矢印ａ、ｂ、、ｃＸｄに示すように溶融したエピ
タキシャル成長層メルトカ移動する。
また第３図（ａｌ、および第３図（８１を１８０度矢印
Ｃ方向に回転した第３図（ｂｌに示すように、固定治具
６の側面に溝１３を設ける。この溝はその溝の出口１３
八がエピタキシャル成長用基板ｌの表面に合致する位置
に設ける。このようにして、エピタキシャル成長用基板
に対して適正な供給量より多いメルトを）４解した後、
アンプル７を回転してエピタキシャル成長用基板１にエ
ビクキシャル成長用メル］−４を接触した際に、余分な
溶融したエピタキシャル成長用メルト４Ａが固定治具６
とアンプル７の端部の間の隙間に流出するように成り、
適正量の溶融したエビクキシャル成長用メルＩ・４がエ
ピタキシャル成長用基板１に接触するように成る。
Ｃ方向に回転した第３図（ｂｌに示すように、固定治具
６の側面に溝１３を設ける。この溝はその溝の出口１３
八がエピタキシャル成長用基板ｌの表面に合致する位置
に設ける。このようにして、エピタキシャル成長用基板
に対して適正な供給量より多いメルトを）４解した後、
アンプル７を回転してエピタキシャル成長用基板１にエ
ビクキシャル成長用メル］−４を接触した際に、余分な
溶融したエピタキシャル成長用メルト４Ａが固定治具６
とアンプル７の端部の間の隙間に流出するように成り、
適正量の溶融したエビクキシャル成長用メルＩ・４がエ
ピタキシャル成長用基板１に接触するように成る。
更に第４図（ａｌ、および第４図（ａｌを１８０度矢印
り方向に回転した第４図（ｂｌに示すように、基板ボル
ダ２の裏面側が傾斜面１４と成るように加工して、アン
プル７を回転して溶融したエピタキシャル成長用メルト
４とエピタキシャル成長用基板１とを接触させた時に、
基板ホルダ２の裏面側に溶融したエピタキシャル成長用
メルトが残留しないようにすると、適正な量の前記メル
トがエピタキシャル成長用基板に接触するように成り均
一な厚さ、および組成のエピタキシャル結晶がエピタキ
シャル成長用基板上に形成されるようになる。
り方向に回転した第４図（ｂｌに示すように、基板ボル
ダ２の裏面側が傾斜面１４と成るように加工して、アン
プル７を回転して溶融したエピタキシャル成長用メルト
４とエピタキシャル成長用基板１とを接触させた時に、
基板ホルダ２の裏面側に溶融したエピタキシャル成長用
メルトが残留しないようにすると、適正な量の前記メル
トがエピタキシャル成長用基板に接触するように成り均
一な厚さ、および組成のエピタキシャル結晶がエピタキ
シャル成長用基板上に形成されるようになる。
〔発明の効果］
以上の説明から明らかなように本発明によれば、エピタ
キシャル成長用基板に接触する以前の溶融したエピタキ
シャル成長用メルトが充分に攪拌されるので、組成が安
定した溶融エピタキシャル成長用メルトが得られ、その
ために基板上に成長するエピタキシャル結晶の組成が安
定する。
キシャル成長用基板に接触する以前の溶融したエピタキ
シャル成長用メルトが充分に攪拌されるので、組成が安
定した溶融エピタキシャル成長用メルトが得られ、その
ために基板上に成長するエピタキシャル結晶の組成が安
定する。
またエピタキシャル成長用基板に適正な量の溶融したエ
ピタキシャル成長用メルトが過不足無く供給されるので
、厚さが均一なエピタキシャル結晶がエピタキシャル成
長用基板上に形成される効果がある。
ピタキシャル成長用メルトが過不足無く供給されるので
、厚さが均一なエピタキシャル結晶がエピタキシャル成
長用基板上に形成される効果がある。
第１図（ａ）および第１図（ｂ）は本発明の’ｔＭ’ｆ
Ｊの第１実施例の断面図、および該断面図のＩ−１′線
断面図、 第２図は攪拌板による溶融メルトの移動状態図、第３図
（ａ）および第３図（ｂ）は本発明の装置の第２実施例
を示す断面図、 第４図（ａ）および第４図（ｂ）は本発明の装置の第３
実施例を示す断面図、 第５図（ａ）、第５図（ｂ）および第５図（Ｃ）は従来
の装置を示す断面図、 第６図（ａ）および第６図（ｂ）、第７図（ａ）および
第７図（ｂ）は従来の装置に於ける不都合な状態を示す
断面図である。 図において、 ｌはエピタキシャル成長用基板、２は基板ホルダ、３．
１３．１５は溝、１３Ａは溝の出口、４，４Ａ はエ
ピタキシャル成長用メルト、６は固定治具、７はアンプ
ル、１１は攪拌手段（攪拌板）、１２は切り欠き領域、
１４は傾斜面を示す。 第 図 第 図 ネ発Ｆｊ脳襞賀偽≠２ｒ爬例を和ｉヶ面目第３＠ （ｂ＞ 手金ｇＪｌ、襞１１帥τ建例−１酎面７第４図 ７アシフ０ル 従；ｆ−の劉り救幹面□□□ 第５図
Ｊの第１実施例の断面図、および該断面図のＩ−１′線
断面図、 第２図は攪拌板による溶融メルトの移動状態図、第３図
（ａ）および第３図（ｂ）は本発明の装置の第２実施例
を示す断面図、 第４図（ａ）および第４図（ｂ）は本発明の装置の第３
実施例を示す断面図、 第５図（ａ）、第５図（ｂ）および第５図（Ｃ）は従来
の装置を示す断面図、 第６図（ａ）および第６図（ｂ）、第７図（ａ）および
第７図（ｂ）は従来の装置に於ける不都合な状態を示す
断面図である。 図において、 ｌはエピタキシャル成長用基板、２は基板ホルダ、３．
１３．１５は溝、１３Ａは溝の出口、４，４Ａ はエ
ピタキシャル成長用メルト、６は固定治具、７はアンプ
ル、１１は攪拌手段（攪拌板）、１２は切り欠き領域、
１４は傾斜面を示す。 第 図 第 図 ネ発Ｆｊ脳襞賀偽≠２ｒ爬例を和ｉヶ面目第３＠ （ｂ＞ 手金ｇＪｌ、襞１１帥τ建例−１酎面７第４図 ７アシフ０ル 従；ｆ−の劉り救幹面□□□ 第５図
Claims (4)
- （１）アンプル（７）内に封入された固定治具（６）に
挟持された基板ホルダ（２）上のエピタキシャル成長用
基板（１）を回転し、該基板の下部に収容されて溶融し
たエピタキシャル成長用メルト（４）に前記基板を接触
し、該基板上に前記溶融したエピタキシャル成長用メル
ト（４）の成分を析出してエピタキシャル成長用基板（
１）上にエピタキシャル結晶を成長する装置に於いて、 前記固定治具（６）に挟持され、前記溶融したエピタキ
シャル成長用メルト（４）を攪拌する撹拌手段（１１）
を、前記基板ホルダ（２）の下部に設けたことを特徴と
する液相エピタキシャル成長装置。 - （２）前記撹拌手段（１１）が前記アンプル（７）の長
手方向に沿って傾いて設けられ、前記固定治具（６）に
近接する位置に溶融したエピタキシャル成長用メルト（
４）が移動可能な切り欠き領域（１２）を設けた板状部
材であることを特徴とする請求項（１）記載の液相エピ
タキシャル成長装置。 - （３）請求項（１）記載の液相エピタキシャル成長装置
の固定治具（６）の側面に、余分な溶融したエピタキシ
ャル成長用メルトを、前記アンプル（７）端部と固定治
具（６）との間に流出するような溝（１３）を設けたこ
とを特徴とする液相エピタキシャル成長装置。 - （４）請求項（１）記載の液相エピタキシャル成長装置
の基板ホルダ（２）に、前記アンプル（７）を回転した
際に、前記基板ホルダ（２）の裏面側より溶融したエピ
タキシャル成長用メルトが落下可能とする傾斜面（１４
）を設けたことを特徴とする液相エピタキシャル成長装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24206290A JPH04119988A (ja) | 1990-09-11 | 1990-09-11 | 液相エピタキシャル成長装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24206290A JPH04119988A (ja) | 1990-09-11 | 1990-09-11 | 液相エピタキシャル成長装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04119988A true JPH04119988A (ja) | 1992-04-21 |
Family
ID=17083717
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24206290A Pending JPH04119988A (ja) | 1990-09-11 | 1990-09-11 | 液相エピタキシャル成長装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04119988A (ja) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5325317A (en) * | 1976-08-13 | 1978-03-09 | Kokusai Electric Co Ltd | Data item input device |
| JPH01270589A (ja) * | 1988-04-20 | 1989-10-27 | Fujitsu Ltd | 液相エピタキシャル成長装置 |
-
1990
- 1990-09-11 JP JP24206290A patent/JPH04119988A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5325317A (en) * | 1976-08-13 | 1978-03-09 | Kokusai Electric Co Ltd | Data item input device |
| JPH01270589A (ja) * | 1988-04-20 | 1989-10-27 | Fujitsu Ltd | 液相エピタキシャル成長装置 |
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