JPH04171807A - X線露光装置本体の設置方法及びその装置 - Google Patents
X線露光装置本体の設置方法及びその装置Info
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- JPH04171807A JPH04171807A JP2299444A JP29944490A JPH04171807A JP H04171807 A JPH04171807 A JP H04171807A JP 2299444 A JP2299444 A JP 2299444A JP 29944490 A JP29944490 A JP 29944490A JP H04171807 A JPH04171807 A JP H04171807A
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- Japan
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- ray
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- exposure apparatus
- laser beam
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70058—Mask illumination systems
- G03F7/702—Reflective illumination, i.e. reflective optical elements other than folding mirrors, e.g. extreme ultraviolet [EUV] illumination systems
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- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の目的〕
(産業上の利用分野)
本発明は、X線を利用して露光を行うX線露光装置を構
成するX1m露光装置本体の設置方法及びその装置に係
り、特にX線露光装置本体をその中心をX線放射ビーム
の光軸に高精度に調整して設置するようにしたX線露光
装置本体の設置方法及びその装置に関する。
成するX1m露光装置本体の設置方法及びその装置に係
り、特にX線露光装置本体をその中心をX線放射ビーム
の光軸に高精度に調整して設置するようにしたX線露光
装置本体の設置方法及びその装置に関する。
(従来の技術)
従来、LSIパターンを形成するには、光露光装置が一
般に用いられていたが、LSIパターンの微細化に伴っ
て、微細化されたパターンを光露光装置で形成するのは
、解像度の面で限界に近くなってきている。そこで最近
では、光露光装置よりも微細なパターンを形成すること
が可能なX線露光装置の開発が進められている。このX
線露光装置では、高輝度のX線源が必要とされるが、こ
のようなX線源としてシンクロトロンが注目されている
。
般に用いられていたが、LSIパターンの微細化に伴っ
て、微細化されたパターンを光露光装置で形成するのは
、解像度の面で限界に近くなってきている。そこで最近
では、光露光装置よりも微細なパターンを形成すること
が可能なX線露光装置の開発が進められている。このX
線露光装置では、高輝度のX線源が必要とされるが、こ
のようなX線源としてシンクロトロンが注目されている
。
第5図は、X線源としてシンクロトロンを用いた従来の
一般的なX線露光装置を示す概略構成図である。
一般的なX線露光装置を示す概略構成図である。
即ち、図示しないシンクロトロンから放射されたX線照
射ビーム1は、X線反射ミラー2で反射されて、X線露
光装置本体3に導かれる。
射ビーム1は、X線反射ミラー2で反射されて、X線露
光装置本体3に導かれる。
このX線露光装置本体3は、X線マスク(図示せず)を
移動可能に保持するマスクチャック4を備えたマスクス
テージ5と、半導体ウェハ(図示せず)を移動可能に保
持するウェハチャック6を備えたウェハステージ7とか
ら主に構成され、X線マスクを通して半導体ウェハの表
面にX線照射ビーム1を照射することにより、半導体ウ
ェハ上C゛こX線マスクのパターンを露光するようなさ
れている。
移動可能に保持するマスクチャック4を備えたマスクス
テージ5と、半導体ウェハ(図示せず)を移動可能に保
持するウェハチャック6を備えたウェハステージ7とか
ら主に構成され、X線マスクを通して半導体ウェハの表
面にX線照射ビーム1を照射することにより、半導体ウ
ェハ上C゛こX線マスクのパターンを露光するようなさ
れている。
前記露光装置本体3、即ちマスクステージ5とウニハス
チーシフは、下部に弾性体としての空気ばね8を備えた
定盤9上に設置され、これによって床10からの暗振動
や衝撃的外乱に対する除振対策が施されている。
チーシフは、下部に弾性体としての空気ばね8を備えた
定盤9上に設置され、これによって床10からの暗振動
や衝撃的外乱に対する除振対策が施されている。
ここに、シンクロトロンによって得られるX線照射ビー
ム1は、水平に放射されるとともに横長の線状ビームで
あるので、X線マスクのパターンを半導体ウェハ上に露
光転写する照射領域を拡大するため、シンクロトロンと
X線露光装置本体3との間にX線反射ミラー2を配置し
、これを上下に揺動させることによって、X線照射ビー
ム1を上下に振って矩形状の照射領域を確保している。
ム1は、水平に放射されるとともに横長の線状ビームで
あるので、X線マスクのパターンを半導体ウェハ上に露
光転写する照射領域を拡大するため、シンクロトロンと
X線露光装置本体3との間にX線反射ミラー2を配置し
、これを上下に揺動させることによって、X線照射ビー
ム1を上下に振って矩形状の照射領域を確保している。
このため、X線反射ミラー2で反射されたX線照射ビー
ム1は、一般に水平面に対して2〜3″の傾きを持って
露光装置本体3に入射される。
ム1は、一般に水平面に対して2〜3″の傾きを持って
露光装置本体3に入射される。
従って、X線マスク上のパターンを半導体ウェハ上に正
確に露光転写させるためには、露光装置本体3を構成す
るマスクステージ5とウェハステージ7とを、前記X線
照射ビーム1の傾きに正確に合わせて傾斜させることに
より、X線マスクと半導体ウェハとのアライメント精度
を向上させる必要がある。
確に露光転写させるためには、露光装置本体3を構成す
るマスクステージ5とウェハステージ7とを、前記X線
照射ビーム1の傾きに正確に合わせて傾斜させることに
より、X線マスクと半導体ウェハとのアライメント精度
を向上させる必要がある。
このため、従来、同図に示すように、マスクステージ5
のX線取入口にX線が照射されると光を放射するX線蛍
光板11を、ウェハステージ7のウェハチャック6の前
面にも同じくX線蛍光板12を夫々取付け、X線照射ビ
ーム1の照射によって生じるこの両X線蛍光板11.1
2の光の放射状態をITVカメラ等によって観察するこ
とによって、マスクステージ5及びウェハステージ7の
位置、高さ及び傾斜を調整することが一般に行われてい
た。
のX線取入口にX線が照射されると光を放射するX線蛍
光板11を、ウェハステージ7のウェハチャック6の前
面にも同じくX線蛍光板12を夫々取付け、X線照射ビ
ーム1の照射によって生じるこの両X線蛍光板11.1
2の光の放射状態をITVカメラ等によって観察するこ
とによって、マスクステージ5及びウェハステージ7の
位置、高さ及び傾斜を調整することが一般に行われてい
た。
(発明が解決しようとする課題)
しかしながら、上記従来例では、ITVカメラを使用し
たとしても、X線露光装置本体の設置の際の位置出しは
目視に頼らざるを得ないため、X線照射ビームの光軸と
マスクステージ及びマスクステージの中心との高精度な
位置、高さ及び傾斜の調整を行うことがかなり困難であ
るばかりでなく、この調整作業の効率が著しく悪く、し
かもX線照射ビームのマスクステージ及びウェハステー
ジに対する入射角を所望の値に設定することも困難であ
るといった問題点があった。
たとしても、X線露光装置本体の設置の際の位置出しは
目視に頼らざるを得ないため、X線照射ビームの光軸と
マスクステージ及びマスクステージの中心との高精度な
位置、高さ及び傾斜の調整を行うことがかなり困難であ
るばかりでなく、この調整作業の効率が著しく悪く、し
かもX線照射ビームのマスクステージ及びウェハステー
ジに対する入射角を所望の値に設定することも困難であ
るといった問題点があった。
本発明は上記に鑑み、X線反射ミラーの傾斜角を最適反
射角となるよう保持した状態で、X線露光装置本体の中
心を高精度にしかも容易にX線照射ビームの光軸に一致
するように調整して設置できるようにしたものを提供す
ることを目的とする。
射角となるよう保持した状態で、X線露光装置本体の中
心を高精度にしかも容易にX線照射ビームの光軸に一致
するように調整して設置できるようにしたものを提供す
ることを目的とする。
(課題を解決するための手段)
上記目的を達成するため本発明に係るX線露光装置本体
の設置方法は、X線露光装置本体の設置位置におけるX
!s照射ビームの通過経路を該X線の強度を所定間隔離
間させた少なくとも2か所で測定して計測し、この計測
されたX線照射ビームの通過経路の光軸に沿って可視の
レーザ光を放射させ、このレーザ光の光軸に合わせてX
線露光装置本体を設置するようにしたものである。
の設置方法は、X線露光装置本体の設置位置におけるX
!s照射ビームの通過経路を該X線の強度を所定間隔離
間させた少なくとも2か所で測定して計測し、この計測
されたX線照射ビームの通過経路の光軸に沿って可視の
レーザ光を放射させ、このレーザ光の光軸に合わせてX
線露光装置本体を設置するようにしたものである。
また、上記方法に使用するX線露光装置本体の設置装置
は、筒状で前後両端面にX線放射ビームのビーム寸法と
ほぼ同じ大きさの開口部を設けるとともに、内部にピン
ホールを穿設した蓋体を前記開口部に着脱自在とした治
具本体と、この治具本体を上面に載置し6軸に移動可能
な移動台と、前記治具本体の前後両端部に配置される一
対のX線強度モニタと、前記X線の照射方向に沿って前
記測定治具の方向に向けて可視のレーザ光を放射するレ
ーザヘッドとを備えたものである。
は、筒状で前後両端面にX線放射ビームのビーム寸法と
ほぼ同じ大きさの開口部を設けるとともに、内部にピン
ホールを穿設した蓋体を前記開口部に着脱自在とした治
具本体と、この治具本体を上面に載置し6軸に移動可能
な移動台と、前記治具本体の前後両端部に配置される一
対のX線強度モニタと、前記X線の照射方向に沿って前
記測定治具の方向に向けて可視のレーザ光を放射するレ
ーザヘッドとを備えたものである。
(作 用)
上記のように構成した本発明によれば、X線の強度を所
定間隔離間させた複数か所で測定し両強度が等しくなっ
た時の位置を結ぶことによって、X線露光装置本体の設
置位置におけるX線照射ビ。
定間隔離間させた複数か所で測定し両強度が等しくなっ
た時の位置を結ぶことによって、X線露光装置本体の設
置位置におけるX線照射ビ。
−ムの通過経路を機械的に計測し、この計測されたX線
照射ビームの通過経路に沿ってレーザ光を走らせ、この
レーザ光の光軸に合わせてX線露光装置本体を設置する
ことにより、X線照射ビームとX線露光装置本体との芯
出しく位置、高さ及び傾き)の調整を高精度に実現する
ことができる。
照射ビームの通過経路に沿ってレーザ光を走らせ、この
レーザ光の光軸に合わせてX線露光装置本体を設置する
ことにより、X線照射ビームとX線露光装置本体との芯
出しく位置、高さ及び傾き)の調整を高精度に実現する
ことができる。
この結果、X線照射ビームとアライメント装置のアライ
メント光(レーザ光)との光軸合わせを行う際に、X線
マスクと半導体ウェハとのアライメント精度を向上させ
ることができる。
メント光(レーザ光)との光軸合わせを行う際に、X線
マスクと半導体ウェハとのアライメント精度を向上させ
ることができる。
(実施例)
以下、本発明の一実施例を第1図乃至第4図を参照して
説明する。
説明する。
シンクロトロンから放射されたX線照射ビーム1は、上
記と同様に、X線反射ミラー2で反射され、水平面に対
する傾きαを約2〜3″(α−2〜3″)として、X線
露光装置本体3のマスクステージ5に向かってくるので
あるが、このX線照射ビーム1のX線反射ミラー2で反
射後のビーム寸法W1は、約15m1口〜301m0程
度である。
記と同様に、X線反射ミラー2で反射され、水平面に対
する傾きαを約2〜3″(α−2〜3″)として、X線
露光装置本体3のマスクステージ5に向かってくるので
あるが、このX線照射ビーム1のX線反射ミラー2で反
射後のビーム寸法W1は、約15m1口〜301m0程
度である。
そして、X線露光装置本体3、即ちマスクステージ5と
ウェハステージ7の定盤9上への設置に先立って、先ず
この設置位置に円筒状または矩形状の中空筒状で、前後
両面に上記X線照射ビーム1のビーム寸法、即ち約15
1Im口〜3010と概略一致した大きさW2.W2′
の開口部13a#13bを備えた治具本体13を、6軸
方向に移動可能な載置台14の上に載置して配置する。
ウェハステージ7の定盤9上への設置に先立って、先ず
この設置位置に円筒状または矩形状の中空筒状で、前後
両面に上記X線照射ビーム1のビーム寸法、即ち約15
1Im口〜3010と概略一致した大きさW2.W2′
の開口部13a#13bを備えた治具本体13を、6軸
方向に移動可能な載置台14の上に載置して配置する。
この治具本体13は、その開口部13a、13b間の間
隔gが、X線露光装置本体3の幅、即ちマスクステージ
5とウェハステージ7とを合わせた奥行き以上になるよ
うなされている。
隔gが、X線露光装置本体3の幅、即ちマスクステージ
5とウェハステージ7とを合わせた奥行き以上になるよ
うなされている。
ここに、X線照射ビーム1は、ある拡がり角を有してい
るため、前段の開口部13aの大きさW は、X線反射
ミラー2から距離g1に相当すし、また後段の開口部1
3bの大きさW2′は、同じく距離II2に相当するよ
うなされている。
るため、前段の開口部13aの大きさW は、X線反射
ミラー2から距離g1に相当すし、また後段の開口部1
3bの大きさW2′は、同じく距離II2に相当するよ
うなされている。
更に、治具本体13の前段の開口部13aの後方及び後
段の開口部13bの後方に、夫々X線強度モニタ15.
16を配置する。
段の開口部13bの後方に、夫々X線強度モニタ15.
16を配置する。
この状態で、X線照射ビーム1を放射し、両X線強度モ
ニタ15.16でX線強度を計測し、前段のX線強度モ
ニター5の計測値v1と、後段のX線強度モニター6の
計測値v2とが一致(V。
ニタ15.16でX線強度を計測し、前段のX線強度モ
ニター5の計測値v1と、後段のX線強度モニター6の
計測値v2とが一致(V。
−V2)するように、前記6軸方向に移動可能な載置台
14を移動させる。
14を移動させる。
なお、上記X線強度の測定については、2か所に限定さ
れることなく3か所以上測定して測定精度を向上させて
もよく、2か所の場合でも数メートル以上離間させて用
い、距離を離すほど精度が向上することは明らかである
。
れることなく3か所以上測定して測定精度を向上させて
もよく、2か所の場合でも数メートル以上離間させて用
い、距離を離すほど精度が向上することは明らかである
。
次に、第2図に示すように、前記治具本体13の両開口
部13a、13bの前面及び後面に形成した凹部内に、
中央に微細なピンホール17a。
部13a、13bの前面及び後面に形成した凹部内に、
中央に微細なピンホール17a。
18aを形成した蓋体17.18を嵌入させる。
これにより、2つのピンホール17a、18aを結ぶ線
が、X線照射ビーム1と同軸となる。
が、X線照射ビーム1と同軸となる。
なお、前記ピンホール17 a、 18 aの大きさ
W3は、下記のレーザ光19gの光束寸法と同程度(≧
1關)に設定されている。
W3は、下記のレーザ光19gの光束寸法と同程度(≧
1關)に設定されている。
この状態で、治具本体13の後方に配置したレーザヘッ
ド19からレーザ光19aを放射させ、直角に反射させ
た後のレーザ光19aが上記2つのピンホール17a、
18aを通るようにこの姿勢を調整する。これにより、
X線照射ビーム1と同軸のレーザ光(可視光)19aを
作ることができる。
ド19からレーザ光19aを放射させ、直角に反射させ
た後のレーザ光19aが上記2つのピンホール17a、
18aを通るようにこの姿勢を調整する。これにより、
X線照射ビーム1と同軸のレーザ光(可視光)19aを
作ることができる。
このレーザ光19aの光軸は、X線照射ビーム1の位置
、蕎さ及び傾きを計測するための手段となるので、調整
後のレーザヘッド19は半永久的に動かさない。
、蕎さ及び傾きを計測するための手段となるので、調整
後のレーザヘッド19は半永久的に動かさない。
次に、前記レーザヘッド19の下方に配置したオートコ
リメータ20から後段に位置するピンホール18gが形
成された蓋体18の端面に光ビームを当て、その表示が
零になるように該オートコリメータ20の姿勢を調整す
る。このようにして調整されたオートコリメータ20に
よって、X線照射ビーム1に対する傾きを計測するるこ
とかできる。
リメータ20から後段に位置するピンホール18gが形
成された蓋体18の端面に光ビームを当て、その表示が
零になるように該オートコリメータ20の姿勢を調整す
る。このようにして調整されたオートコリメータ20に
よって、X線照射ビーム1に対する傾きを計測するるこ
とかできる。
以上の操作により、レーザヘッド19及びオートコリメ
ータ20の調整が完了し、治具本体13を載置台14ご
と取り外す。
ータ20の調整が完了し、治具本体13を載置台14ご
と取り外す。
次に、定盤9上にX線露光装置本体3、即ちマスクステ
ージ5及びウェハステージ7を設置するのであるが、こ
れをjfiB図及び第4図を参照して説明する。
ージ5及びウェハステージ7を設置するのであるが、こ
れをjfiB図及び第4図を参照して説明する。
即ち、先ずマスクステージ5のマスクチャック4に反射
物体たるミラー21を取付け、これにオートコリメータ
20の光ビームを当て、その表示出力が零となるように
マスクステージ5をあおる。
物体たるミラー21を取付け、これにオートコリメータ
20の光ビームを当て、その表示出力が零となるように
マスクステージ5をあおる。
同様に、ウェハステージ7のウェハチャック6で反射物
体たるミラー22を吸着し、これにオートコリメータ2
0の光ビームを当て、その表示出力が零となるようにウ
ェハステージ6全体をあおる。
体たるミラー22を吸着し、これにオートコリメータ2
0の光ビームを当て、その表示出力が零となるようにウ
ェハステージ6全体をあおる。
これにより、マスクステージ5及びウェハステージ7の
傾き調整を行うことができる。
傾き調整を行うことができる。
次に、レーザヘッド19からレーザ光19aを放射させ
、このレーザ光19aが第4図に示すように前記ミラー
21.22のマスクステージ5及びウェハステージ7の
夫々の中心に穿設したピンホール21g、22a内を通
過するよう、マスクステージ5及びウェハステージ7の
位置と高さを調整する。
、このレーザ光19aが第4図に示すように前記ミラー
21.22のマスクステージ5及びウェハステージ7の
夫々の中心に穿設したピンホール21g、22a内を通
過するよう、マスクステージ5及びウェハステージ7の
位置と高さを調整する。
以上により、X線照射ビーム1の中心とマスクステージ
5及びウェハステージ7の中心との位置出しを行って、
これを高精度に設置することができることになる。
5及びウェハステージ7の中心との位置出しを行って、
これを高精度に設置することができることになる。
なお、図示の実施例では、レーザヘッド19及びオート
コリメータ20をウェハステージ7側に配置し、ウェハ
ステージ7側からレーザ光及び光ビームを入射するよう
にしているが、逆にレーザヘッド19及びオートコリメ
ータ20をマスクステージ5側に配置し、マスクステー
ジ5側からレーザ光及び光ビームを入射するようにする
こともできる。
コリメータ20をウェハステージ7側に配置し、ウェハ
ステージ7側からレーザ光及び光ビームを入射するよう
にしているが、逆にレーザヘッド19及びオートコリメ
ータ20をマスクステージ5側に配置し、マスクステー
ジ5側からレーザ光及び光ビームを入射するようにする
こともできる。
また、前記ミラー21.22の内部にマスクステージ5
の中心及びウェハステージ7の中心に一致したピンホー
ル21 a * 22 aを設ける代わりに、マスク
ステージ5の中心及びウェハステージ7の中心に一致し
たピンホールを該マスクステージ5及びウェハステージ
7に設けるようにすることもできる。
の中心及びウェハステージ7の中心に一致したピンホー
ル21 a * 22 aを設ける代わりに、マスク
ステージ5の中心及びウェハステージ7の中心に一致し
たピンホールを該マスクステージ5及びウェハステージ
7に設けるようにすることもできる。
本発明は上記のような構成であるので、X線照射ビーム
とX線露光装置本体の中心との位置出し、即ちX線露光
装置本体のX線照射ビームの通過経路に沿った位置、高
さ及び傾きの調整を高精度に実現することができ、これ
によって露光光であるX線照射ビームとアライメント光
との光軸合わせを行って、X線マスクと半導体ウェハと
のアライメント精度を向上させることができるといった
効果がある。
とX線露光装置本体の中心との位置出し、即ちX線露光
装置本体のX線照射ビームの通過経路に沿った位置、高
さ及び傾きの調整を高精度に実現することができ、これ
によって露光光であるX線照射ビームとアライメント光
との光軸合わせを行って、X線マスクと半導体ウェハと
のアライメント精度を向上させることができるといった
効果がある。
第1図乃至第4図は本発明に一実施例を示し、第1図は
X#!露光装置本体の設置前における全体の概略構成図
、第2図は蓋体を取付けた治具本体の縦断正面図、第3
図はX線露光装置本体の設置時における概略構成図、第
4図は第3図の■部拡大図、第5図は従来のX線露光装
置の概略構成図である。 1・・・X線照射ビーム、2・・・X線反射ミラー、3
・・・X線露光装置本体、4・・・マスクチャック、5
・・・マスクステージ、6・・・ウェハチャック、7・
・・ウェハチャック、13・・・治具本体、13g。 13b・・・同開口部、14・・・載置台、15.16
・・・X線強度モニタ、17.18−・・蓋体、17a
。 18a・・・同ピンホール、19・・・レーザヘッド、
19a・・・レーザ光、20・・・オ、−トコリメータ
、21.22・・・ミラー、21a、22a・・・ピン
ホール。 出願人代理人 佐 藤 −雄 帛 5 囮
X#!露光装置本体の設置前における全体の概略構成図
、第2図は蓋体を取付けた治具本体の縦断正面図、第3
図はX線露光装置本体の設置時における概略構成図、第
4図は第3図の■部拡大図、第5図は従来のX線露光装
置の概略構成図である。 1・・・X線照射ビーム、2・・・X線反射ミラー、3
・・・X線露光装置本体、4・・・マスクチャック、5
・・・マスクステージ、6・・・ウェハチャック、7・
・・ウェハチャック、13・・・治具本体、13g。 13b・・・同開口部、14・・・載置台、15.16
・・・X線強度モニタ、17.18−・・蓋体、17a
。 18a・・・同ピンホール、19・・・レーザヘッド、
19a・・・レーザ光、20・・・オ、−トコリメータ
、21.22・・・ミラー、21a、22a・・・ピン
ホール。 出願人代理人 佐 藤 −雄 帛 5 囮
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、X線露光装置本体の設置位置におけるX線照射ビー
ムの通過経路を該X線の強度を所定間隔離間させた少な
くとも2か所で測定して計測し、この計測されたX線照
射ビームの通過経路の光軸に沿って可視のレーザ光を放
射させ、このレーザ光の光軸に合わせてX線露光装置本
体を設置することを特徴とするX線露光装置本体の設置
方法。 2、筒状で前後両端面にX線照射ビームのビーム寸法と
ほぼ同じ大きさの開口部を設けるとともに、内部にピン
ホールを穿設した蓋体を前記開口部に着脱自在とした治
具本体と、この治具本体を支持して位置決め移動可能な
移動台と、前記治具本体の前後両端部に配置される一対
のX線強度モニタと、前記X線の照射方向に沿って前記
測定治具の方向に向けて可視のレーザ光を放射するレー
ザヘッドとを備えたことを特徴とする請求項1記載の方
法に使用するX線露光装置本体の設置装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2299444A JPH04171807A (ja) | 1990-11-05 | 1990-11-05 | X線露光装置本体の設置方法及びその装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2299444A JPH04171807A (ja) | 1990-11-05 | 1990-11-05 | X線露光装置本体の設置方法及びその装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04171807A true JPH04171807A (ja) | 1992-06-19 |
Family
ID=17872661
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2299444A Pending JPH04171807A (ja) | 1990-11-05 | 1990-11-05 | X線露光装置本体の設置方法及びその装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04171807A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN107050665A (zh) * | 2014-11-21 | 2017-08-18 | 深圳市奥沃医学新技术发展有限公司 | 放疗设备及其激光验证装置 |
-
1990
- 1990-11-05 JP JP2299444A patent/JPH04171807A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN107050665A (zh) * | 2014-11-21 | 2017-08-18 | 深圳市奥沃医学新技术发展有限公司 | 放疗设备及其激光验证装置 |
| CN107050665B (zh) * | 2014-11-21 | 2020-01-24 | 深圳市奥沃医学新技术发展有限公司 | 放疗设备及其激光验证装置 |
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