JPH04307771A - Solar cells and solar cell modules using them - Google Patents
Solar cells and solar cell modules using themInfo
- Publication number
- JPH04307771A JPH04307771A JP3071463A JP7146391A JPH04307771A JP H04307771 A JPH04307771 A JP H04307771A JP 3071463 A JP3071463 A JP 3071463A JP 7146391 A JP7146391 A JP 7146391A JP H04307771 A JPH04307771 A JP H04307771A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- solar cell
- semiconductor layer
- conductivity type
- protection diode
- substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/547—Monocrystalline silicon PV cells
Landscapes
- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
Description
【0001】0001
【産業上の利用分野】本発明は、太陽電池及びそれを用
いた太陽電池モジュールに係り、特に保護ダイオードを
有する太陽電池及びそれを用いた太陽電池モジュールに
関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a solar cell and a solar cell module using the same, and more particularly to a solar cell having a protection diode and a solar cell module using the same.
【0002】0002
【従来の技術】従来、太陽電池が複数個接続された太陽
電池モジュールは、図1(a)に示すように、太陽電池
1と保護ダイオード(バイパスダイオード)2を逆並列
に接続することにより、入射光10により発電中に、い
ずれかの太陽電池が発電しなくなったときでも保護ダイ
オードを通して電流が流れ、太陽電池モジュールとして
は発電を続けることができるように構成されていた。こ
の保護ダイオードは一般に太陽電池とは別に形成したも
のが使用されていた。2. Description of the Related Art Conventionally, a solar cell module in which a plurality of solar cells are connected is constructed by connecting a solar cell 1 and a protection diode (bypass diode) 2 in antiparallel, as shown in FIG. 1(a). The structure was such that even if any of the solar cells stopped generating power during power generation by the incident light 10, current would flow through the protection diode and the solar cell module would be able to continue generating power. This protection diode was generally formed separately from the solar cell.
【0003】これに対して特開昭57−122580に
記載されている太陽電池モジュールは、図1(b)に示
すように、一対の太陽電池と保護ダイオードを、破線部
で示す一つの素子の中に作り込んでしまう構造としてい
た。図2はこれに用いる太陽電池の断面模式図である。
太陽電池を構成する光電流収集用の第1の半導体層3と
これと異なる導電型の第2の半導体層4とがそれぞれ太
陽電池基板12の表面及び裏面に形成されている。保護
ダイオード用の第1の半導体層6は上記第2の半導体層
4との間で保護ダイオードを構成する。配線7は光電流
収集用の第2の半導体層4と隣接する太陽電池の第1の
半導体層3′とを接続する。また配線8は保護ダイオー
ド用の第1の半導体層6と隣接する太陽電池の保護ダイ
オード用の第2の半導体層5′を接続する。さらに他の
太陽電池にも同様の配線の接続が繰り返される。On the other hand, the solar cell module described in Japanese Patent Application Laid-Open No. 57-122580 combines a pair of solar cells and a protection diode into one element as shown by the broken line, as shown in FIG. 1(b). It had a structure that could be built inside. FIG. 2 is a schematic cross-sectional view of a solar cell used in this. A first semiconductor layer 3 for collecting photocurrent and a second semiconductor layer 4 of a different conductivity type constituting a solar cell are formed on the front and back surfaces of a solar cell substrate 12, respectively. The first semiconductor layer 6 for a protection diode constitutes a protection diode with the second semiconductor layer 4 described above. The wiring 7 connects the second semiconductor layer 4 for photocurrent collection and the first semiconductor layer 3' of the adjacent solar cell. Further, the wiring 8 connects the first semiconductor layer 6 for a protection diode and the second semiconductor layer 5' for a protection diode of an adjacent solar cell. Furthermore, similar wiring connections are repeated for other solar cells.
【0004】0004
【発明が解決しようとする課題】上記従来技術は、異な
る導電型の半導体層がそれぞれ太陽電池の表面と裏面に
形成されているため、複数個の太陽電池を接続するため
の配線が太陽電池の表面及び裏面になされ、配線が繁雑
になるという問題があった。[Problems to be Solved by the Invention] In the above-mentioned conventional technology, since semiconductor layers of different conductivity types are formed on the front and back surfaces of the solar cell, wiring for connecting a plurality of solar cells is difficult to achieve. There was a problem that the wiring was complicated since it was done on the front and back sides.
【0005】本発明の目的は、配線を太陽電池の一面の
みで行うことのできる太陽電池を提供することにある。
本発明の他の目的は、そのような太陽電池を用いた太陽
電池モジュールを提供することにある。An object of the present invention is to provide a solar cell in which wiring can be performed only on one side of the solar cell. Another object of the present invention is to provide a solar cell module using such a solar cell.
【0006】[0006]
【課題を解決するための手段】上記目的は、(1)半導
体基板並びに該基板の一方の面に設けられ、太陽電池を
構成するための第1の導電型の半導体層及び第2の導電
型の半導体層並びに該一方の面に設けられた、保護ダイ
オード用の第1の導電型の半導体層及び第2の導電型の
半導体層からなることを特徴とする太陽電池、(2)上
記1記載の太陽電池において、上記保護ダイオードは、
上記保護ダイオード用の第1の導電型の半導体層と上記
太陽電池を構成するための第2の導電型の半導体層とか
ら構成されることを特徴とする太陽電池、(3)上記1
又は2記載の太陽電池において、上記太陽電池を構成す
るための第2の導電型の半導体層は、上記保護ダイオー
ド用の第2の導電型の半導体層と電気的に接続されてな
ることを特徴とする太陽電池、(4)上記1、2又は3
記載の太陽電池において、上記基板の一方の面の一端は
、少なくとも上記太陽電池を構成するための第1の導電
型の半導体層と上記保護ダイオード用の第2の導電型の
半導体層とが形成され、上記基板の一方の面の該一端と
対向する端は、少なくとも上記太陽電池を構成するため
の第2の導電型の半導体層と上記保護ダイオード用の第
1の導電型の半導体層とが形成されてなることを特徴と
する太陽電池、(5)半導体基板並びに該基板の一方の
面に設けられ、太陽電池を構成するための第1の導電型
の第1半導体層及び第2の導電型の第2半導体層並びに
該第2半導体層と保護ダイオードを構成するために、該
一方の面に設けられた第1の導電型の第3半導体層から
なることを特徴とする太陽電池、(6)上記5記載の太
陽電池において、上記基板の一方の面の一端は、少なく
とも上記第1半導体層が形成され、上記基板の一方の面
の該一端と対向する端は、少なくとも上記第2半導体層
と上記第3半導体層とが形成されてなることを特徴とす
る太陽電池によって達成される。[Means for Solving the Problems] The above object is to provide (1) a semiconductor substrate, a semiconductor layer of a first conductivity type and a semiconductor layer of a second conductivity type provided on one surface of the substrate for constituting a solar cell; (2) A solar cell comprising a semiconductor layer of a first conductivity type for a protection diode and a second conductivity type semiconductor layer provided on one surface of the solar cell, (2) described in 1 above. In the solar cell, the protection diode is
(3) A solar cell comprising a semiconductor layer of a first conductivity type for the protection diode and a semiconductor layer of a second conductivity type for forming the solar cell;
Or, in the solar cell according to 2, the semiconductor layer of the second conductivity type for forming the solar cell is electrically connected to the semiconductor layer of the second conductivity type for the protection diode. (4) A solar cell according to 1, 2 or 3 above.
In the solar cell described above, one end of one surface of the substrate is formed with at least a semiconductor layer of a first conductivity type for forming the solar cell and a semiconductor layer of a second conductivity type for the protection diode. At least a second conductivity type semiconductor layer for forming the solar cell and a first conductivity type semiconductor layer for the protection diode are formed on the end of one surface of the substrate opposite to the one end. (5) a semiconductor substrate; a first semiconductor layer of a first conductivity type and a second conductivity provided on one surface of the substrate to constitute the solar cell; A solar cell comprising a second semiconductor layer of a type and a third semiconductor layer of a first conductivity type provided on one surface of the second semiconductor layer to constitute a protection diode, 6) In the solar cell according to 5 above, at least the first semiconductor layer is formed on one end of one surface of the substrate, and at least the second semiconductor layer is formed on the end opposite to the one end of the one surface of the substrate. This is achieved by a solar cell characterized in that the third semiconductor layer and the third semiconductor layer are formed.
【0007】上記他の目的は、(7)上記1から4のい
ずれかに記載の太陽電池を複数個有し、該太陽電池の太
陽電池を構成するための第1の導電型の半導体層は、隣
接する太陽電池の太陽電池を構成するための第2の導電
型の半導体層と電気的に接続されてなることを特徴とす
る太陽電池モジュール、(8)上記7記載の太陽電池モ
ジュールにおいて、上記太陽電池の保護ダイオード用の
第2の導電型の半導体層は、上記隣接する太陽電池の保
護ダイオード用の第1の導電型の半導体層と電気的に接
続されてなることを特徴とする太陽電池モジュール、(
9)上記5又は6記載の太陽電池を複数個有し、太陽電
池の上記第1半導体層は、隣接する太陽電池の第2半導
体層と電気的に接続されてなることを特徴とする太陽電
池モジュール、(10)上記9記載の太陽電池モジュー
ルにおいて、上記第3半導体層は、上記隣接する太陽電
池の第2半導体層と電気的に接続されてなることを特徴
とする太陽電池モジュールによって達成される。Another object of the above is (7) having a plurality of solar cells according to any one of 1 to 4 above, wherein the semiconductor layer of the first conductivity type for forming the solar cells of the solar cells is , a solar cell module characterized in that it is electrically connected to a semiconductor layer of a second conductivity type for forming a solar cell of an adjacent solar cell, (8) the solar cell module according to 7 above, The semiconductor layer of the second conductivity type for the protection diode of the solar cell is electrically connected to the semiconductor layer of the first conductivity type for the protection diode of the adjacent solar cell. Battery module, (
9) A solar cell comprising a plurality of solar cells according to 5 or 6 above, wherein the first semiconductor layer of the solar cell is electrically connected to the second semiconductor layer of an adjacent solar cell. Module (10) In the solar cell module as described in 9 above, the third semiconductor layer is electrically connected to the second semiconductor layer of the adjacent solar cell. Ru.
【0008】[0008]
【作用】本発明の作用を図面を用いて説明する。図3は
、本発明の太陽電池の一例の模式図である。太陽電池基
板12の裏面に光電流収集用の第1の半導体層3と第2
の半導体層4を持ち、これに保護ダイオードが作り込ま
れている。この構造の下面図を図4に示す。太陽電池の
裏面には光電流収集用の第1の半導体層3と第2の半導
体層4が図の左側に、また保護ダイード用の第1の半導
体層6と第2の半導体層5が図の右側にそれぞれ形成さ
れている。これにより光電流収集用の半導体層を接続す
るための配線7及び保護ダイオード用の半導体層を接続
する配線8は太陽電池の裏面のみに配線する事が出来る
ため配線工程を簡略化することができる。[Operation] The operation of the present invention will be explained using the drawings. FIG. 3 is a schematic diagram of an example of the solar cell of the present invention. A first semiconductor layer 3 and a second semiconductor layer 3 for photocurrent collection are provided on the back surface of the solar cell substrate 12.
The semiconductor layer 4 has a semiconductor layer 4 in which a protection diode is built. A bottom view of this structure is shown in FIG. On the back side of the solar cell, a first semiconductor layer 3 and a second semiconductor layer 4 for photocurrent collection are on the left side of the figure, and a first semiconductor layer 6 and a second semiconductor layer 5 for a protection diode are on the left side of the figure. are formed on the right side of each. As a result, the wiring 7 for connecting the semiconductor layer for photocurrent collection and the wiring 8 for connecting the semiconductor layer for the protection diode can be wired only on the back side of the solar cell, thereby simplifying the wiring process. .
【0009】なお、通常の太陽電池は、上記各半導体層
の一部又は全部に電極が接続され、上記配線はこれらの
電極を介して接続されている場合が多いが、説明を簡略
にするため電極の説明は省略してある。[0009] In a typical solar cell, electrodes are connected to some or all of the above semiconductor layers, and the above wiring is often connected through these electrodes, but for the sake of brevity, Explanation of the electrodes is omitted.
【0010】さらに、図5(a)、(b)に太陽電池の
他の例の下面図を示す。図に見られるように、光電流収
集用の第1の半導体層3と第2の半導体層4及び保護ダ
イード用の第1の半導体層6と第2の半導体層5の形状
は種々の形状であってもよい。また、太陽電池の第1の
半導体層3と第2の半導体層4が形成されている面に、
サブパターン11が形成され、光電流収集用の半導体層
又は電極(図示せず)がこれらのサブパターン11に接
続されていてもよい。また、さらに他の例を図6に示す
ように、光電流収集用の第1の半導体層3と第2の半導
体層4の中に、それぞれ保護ダイード用の第2の半導体
層5と第1の半導体層6が形成されていてもよい。Further, FIGS. 5(a) and 5(b) show bottom views of other examples of solar cells. As can be seen in the figure, the shapes of the first semiconductor layer 3 and second semiconductor layer 4 for photocurrent collection and the first semiconductor layer 6 and second semiconductor layer 5 for protection diode are various shapes. There may be. Further, on the surface where the first semiconductor layer 3 and the second semiconductor layer 4 of the solar cell are formed,
Sub-patterns 11 may be formed and semiconductor layers or electrodes (not shown) for photocurrent collection may be connected to these sub-patterns 11. In still another example, as shown in FIG. The semiconductor layer 6 may be formed.
【0011】つぎに保護ダイオードの作用について説明
する。図7は、太陽電池基板12にn型半導体を用い、
第1の半導体層3をp型のエミッタとし、第2の半導体
層4をn型のコレクタ4とした太陽電池の模式図である
。同図下側の太陽電池が発電しなくなった場合、電流9
は、下側の太陽電池の第2の半導体層(コレクタ)4′
、太陽電池基板12′、保護ダイオード用の第2の半導
体層(コレクタ)5′を通って上側の太陽電池の保護ダ
イオード用の第1の半導体層(エミッタ)6へ流れ、次
にこの第1の半導体層(エミッタ)6と光電流収集用の
第2の半導体層(コレクタ)4とから構成される保護ダ
イオードを通って上側の太陽電池に流れ込む。従って、
直列に多数の太陽電池が接続されて構成される太陽電池
モジュールが、動作中に一部の太陽電池が発電しなくな
っても、電流は迂回して流れる。Next, the function of the protection diode will be explained. In FIG. 7, an n-type semiconductor is used for the solar cell substrate 12,
2 is a schematic diagram of a solar cell in which the first semiconductor layer 3 is a p-type emitter and the second semiconductor layer 4 is an n-type collector 4. FIG. If the solar cell at the bottom of the diagram stops generating electricity, the current will be 9
is the second semiconductor layer (collector) 4' of the lower solar cell
, through the solar cell substrate 12', the second semiconductor layer (collector) 5' for the protection diode, to the first semiconductor layer (emitter) 6 for the protection diode of the upper solar cell, and then this first semiconductor layer (emitter) 6 for the protection diode of the upper solar cell. into the upper solar cell through a protection diode consisting of a semiconductor layer (emitter) 6 and a second semiconductor layer (collector) 4 for photocurrent collection. Therefore,
Even if some of the solar cells stop generating power during operation of a solar cell module configured by connecting a large number of solar cells in series, current will flow in a detour.
【0012】なお、上記の説明から明らかなように、光
収集用の第2の半導体層(コレクタ)と保護ダイオード
用の第2の半導体層(コレクタ)との間は抵抗が十分低
いことが必要である。このためには、これらの半導体層
がなるべく抵抗の小さい電極又は同じ導電型の半導体層
でつながれていることが望ましい。[0012] As is clear from the above explanation, it is necessary that the resistance be sufficiently low between the second semiconductor layer (collector) for collecting light and the second semiconductor layer (collector) for protecting diode. It is. For this purpose, it is desirable that these semiconductor layers be connected by an electrode with as low resistance as possible or a semiconductor layer of the same conductivity type.
【0013】次に、太陽電池基板12にp型半導体を用
い、第1の半導体層3をn型のエミッタとし、第2の半
導体層4をp型のコレクタとした太陽電池について、図
8を用いて保護ダイオードの働きを説明する。同図下側
の太陽電池が発電しなくなった場合、電流9は、上側の
太陽電池の光電流収集用の第2の半導体層(コレクタ)
4から、この第2の半導体層4と保護ダイオード用の第
1の半導体層(エミッタ)6とから構成される保護ダイ
オードを通って下側の太陽電池に流れ込み、下側の保護
ダイオード用の第2の半導体層(コレクタ)5′、太陽
電池基板12′、光電流収集用の第2の半導体層(コレ
クタ)4′を通って次の太陽電池へ流れる。Next, FIG. 8 shows a solar cell in which a p-type semiconductor is used for the solar cell substrate 12, the first semiconductor layer 3 is an n-type emitter, and the second semiconductor layer 4 is a p-type collector. The function of the protection diode will be explained using the following. When the lower solar cell in the figure stops generating power, the current 9 is transferred to the second semiconductor layer (collector) for photocurrent collection of the upper solar cell.
4 flows into the lower solar cell through a protection diode consisting of this second semiconductor layer 4 and a first semiconductor layer (emitter) 6 for the protection diode, It flows to the next solar cell through the second semiconductor layer (collector) 5', the solar cell substrate 12', and the second semiconductor layer (collector) 4' for photocurrent collection.
【0014】[0014]
【実施例】図9を用いて本発明の一実施例を説明する。
太陽電池基板12にはn型単結晶Siを用いた。この基
板の裏面に通常の燐拡散によりp型エミッタである第1
の半導体層3、6を、またボロン拡散によりn型コレク
タである第2の半導体層4、5を形成した。また、同時
に光電流の収集効率を上げるために光電流収集用の半導
体層と接続するサブパターン11を、上記と同時にそれ
ぞれの導電型の不純物で形成した。光電流収集用の第2
の半導体層4と保護ダイオード用第2の半導体層5は、
それらの間の抵抗を下げるために、同じ導電型の半導体
層からなるサブパターン11の一部で接続されている。
次に、A1電極13をそれぞれ半導体層の表面に形成し
た。これにより、複数の太陽電池を接続する場合に、図
のように配線7、保護ダイオード用の配線8を平行に太
陽電池の裏面に接続するだけですむため、工程が大幅に
簡略化出来た。[Embodiment] An embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. For the solar cell substrate 12, n-type single crystal Si was used. The first layer, which is a p-type emitter, is formed on the back side of this substrate by ordinary phosphorus diffusion.
Semiconductor layers 3 and 6 were formed, and second semiconductor layers 4 and 5, which were n-type collectors, were formed by boron diffusion. At the same time, in order to increase photocurrent collection efficiency, sub-patterns 11 connected to the semiconductor layer for photocurrent collection were formed with impurities of respective conductivity types at the same time as described above. 2nd for photocurrent collection
The semiconductor layer 4 and the second semiconductor layer 5 for protection diode are as follows:
In order to reduce the resistance between them, they are connected by a part of a sub-pattern 11 made of a semiconductor layer of the same conductivity type. Next, A1 electrodes 13 were formed on the surfaces of the semiconductor layers. As a result, when connecting multiple solar cells, it is only necessary to connect the wiring 7 and the protective diode wiring 8 to the back side of the solar cells in parallel as shown in the figure, which greatly simplifies the process.
【0015】なお、太陽電池モジュール構成する太陽電
池列の一端の太陽電池と同じ基板に形成されている保護
ダイオードは用いられない。また、列の他端の太陽電池
に対しては、外部に保護ダイオードを1つを付ける必要
がある。[0015] Note that the protection diode formed on the same substrate as the solar cell at one end of the solar cell array constituting the solar cell module is not used. Furthermore, it is necessary to attach one protection diode externally to the solar cell at the other end of the row.
【0016】以上の実施例は、n型基板を用いて説明を
行ったが、p型基板、i型基板を用いても同様の事がい
える。また、基板は単結晶、多結晶、微結晶、アモルフ
ァスの半導体材料からなっていてもよいことはいうまで
もない。さらに、基板材料はGaAs、InP、CIS
、CdS、CdTe、AIGaAs等の光電変換特性を
持つ材料であればよい。また、入射光10は太陽電池の
裏面から入射していてもよい。Although the above embodiments have been explained using an n-type substrate, the same can be said for using a p-type substrate or an i-type substrate. Furthermore, it goes without saying that the substrate may be made of a single crystal, polycrystal, microcrystal, or amorphous semiconductor material. Furthermore, the substrate material is GaAs, InP, CIS
, CdS, CdTe, AIGaAs, or other materials having photoelectric conversion properties may be used. Further, the incident light 10 may be incident from the back surface of the solar cell.
【0017】[0017]
【発明の効果】本発明を用いることにより、上記の如く
基板の一面側のみの配線ですむためモジュール化の工程
が非常に簡略化できた。また、上記実施例の場合は、太
陽電池間の配線と保護ダイオード用の配線は平行に同様
の方法で接続することができるため、保護ダイオードを
接続するための煩雑な配線を行う必要がない。[Effects of the Invention] By using the present invention, the modularization process can be greatly simplified because wiring is required only on one side of the substrate as described above. Further, in the case of the above embodiment, since the wiring between the solar cells and the wiring for the protection diode can be connected in parallel in the same manner, there is no need to perform complicated wiring for connecting the protection diode.
【図1】太陽電池と保護ダイオードの等価回路図である
。FIG. 1 is an equivalent circuit diagram of a solar cell and a protection diode.
【図2】従来の太陽電池の断面模式図である。FIG. 2 is a schematic cross-sectional view of a conventional solar cell.
【図3】本発明の一実施例の太陽電池の模式図である。FIG. 3 is a schematic diagram of a solar cell according to an embodiment of the present invention.
【図4】本発明の一実施例の太陽電池の下面図である。FIG. 4 is a bottom view of a solar cell according to an embodiment of the present invention.
【図5】本発明の他の実施例の太陽電池の下面図である
。FIG. 5 is a bottom view of a solar cell according to another embodiment of the present invention.
【図6】本発明のさらに他の実施例の太陽電池の下面図
である。FIG. 6 is a bottom view of a solar cell according to still another embodiment of the present invention.
【図7】本発明の太陽電池の電流経路を説明するための
模式図である。FIG. 7 is a schematic diagram for explaining the current path of the solar cell of the present invention.
【図8】本発明の太陽電池の電流経路を説明するための
模式図である。FIG. 8 is a schematic diagram for explaining the current path of the solar cell of the present invention.
【図9】本発明の実施例の太陽電池の下面図である。FIG. 9 is a bottom view of a solar cell according to an example of the present invention.
1 太陽電池
2 保護ダイオード
3、3′、6、6′ 第1の半導体層4、4′、5、
5′ 第2の半導体層7、8 配線
9 電流経路
10 入射光
11 サブパターン
12、12′ 太陽電池基板
13 Al電極1 Solar cell 2 Protection diode 3, 3', 6, 6' First semiconductor layer 4, 4', 5,
5' Second semiconductor layer 7, 8 Wiring 9 Current path 10 Incident light 11 Sub-pattern 12, 12' Solar cell substrate 13 Al electrode
Claims (10)
られ、太陽電池を構成するための第1の導電型の半導体
層及び第2の導電型の半導体層並びに該一方の面に設け
られた、保護ダイオード用の第1の導電型の半導体層及
び第2の導電型の半導体層からなることを特徴とする太
陽電池。Claims: 1. A semiconductor substrate, a semiconductor layer of a first conductivity type and a semiconductor layer of a second conductivity type provided on one surface of the substrate for configuring a solar cell, and a semiconductor layer provided on the one surface of the substrate. Furthermore, a solar cell comprising a semiconductor layer of a first conductivity type and a semiconductor layer of a second conductivity type for a protection diode.
護ダイオードは、上記保護ダイオード用の第1の導電型
の半導体層と上記太陽電池を構成するための第2の導電
型の半導体層とから構成されることを特徴とする太陽電
池。2. The solar cell according to claim 1, wherein the protection diode includes a semiconductor layer of a first conductivity type for the protection diode and a semiconductor layer of a second conductivity type for forming the solar cell. A solar cell characterized by comprising:
上記太陽電池を構成するための第2の導電型の半導体層
は、上記保護ダイオード用の第2の導電型の半導体層と
電気的に接続されてなることを特徴とする太陽電池。3. The solar cell according to claim 1 or 2, comprising:
A solar cell characterized in that the second conductivity type semiconductor layer for forming the solar cell is electrically connected to the second conductivity type semiconductor layer for the protection diode.
て、上記基板の一方の面の一端は、少なくとも上記太陽
電池を構成するための第1の導電型の半導体層と上記保
護ダイオード用の第2の導電型の半導体層とが形成され
、上記基板の一方の面の該一端と対向する端は、少なく
とも上記太陽電池を構成するための第2の導電型の半導
体層と上記保護ダイオード用の第1の導電型の半導体層
とが形成されてなることを特徴とする太陽電池。4. The solar cell according to claim 1, wherein one end of one surface of the substrate includes at least a semiconductor layer of a first conductivity type for forming the solar cell and a semiconductor layer for forming the protection diode. A semiconductor layer of a second conductivity type for forming the solar cell is formed, and an end opposite to the one end of one surface of the substrate is formed with a semiconductor layer of a second conductivity type for forming the solar cell and a semiconductor layer of the protection diode. A solar cell characterized in that a semiconductor layer of a first conductivity type is formed.
られ、太陽電池を構成するための第1の導電型の第1半
導体層及び第2の導電型の第2半導体層並びに該第2半
導体層と保護ダイオードを構成するために、該一方の面
に設けられた第1の導電型の第3半導体層からなること
を特徴とする太陽電池。5. A semiconductor substrate, a first semiconductor layer of a first conductivity type, a second semiconductor layer of a second conductivity type, and the second semiconductor layer provided on one surface of the substrate to constitute a solar cell. A solar cell comprising a third semiconductor layer of a first conductivity type provided on one surface of the semiconductor layer to constitute a protection diode.
板の一方の面の一端は、少なくとも上記第1半導体層が
形成され、上記基板の一方の面の該一端と対向する端は
、少なくとも上記第2半導体層と上記第3半導体層とが
形成されてなることを特徴とする太陽電池。6. The solar cell according to claim 5, wherein at least one end of one surface of the substrate is formed with at least the first semiconductor layer, and an end of one surface of the substrate opposite to the one end is formed with at least one end of one surface of the substrate. A solar cell comprising the second semiconductor layer and the third semiconductor layer.
池を複数個有し、該太陽電池の太陽電池を構成するため
の第1の導電型の半導体層は、隣接する太陽電池の太陽
電池を構成するための第2の導電型の半導体層と電気的
に接続されてなることを特徴とする太陽電池モジュール
。7. A plurality of solar cells according to claim 1, wherein the semiconductor layer of the first conductivity type for constituting the solar cell is a semiconductor layer of the adjacent solar cell. A solar cell module characterized in that it is electrically connected to a second conductivity type semiconductor layer for forming a solar cell.
て、上記太陽電池の保護ダイオード用の第2の導電型の
半導体層は、上記隣接する太陽電池の保護ダイオード用
の第1の導電型の半導体層と電気的に接続されてなるこ
とを特徴とする太陽電池モジュール。8. The solar cell module according to claim 7, wherein the second conductivity type semiconductor layer for the protection diode of the solar cell is a semiconductor layer of the first conductivity type for the protection diode of the adjacent solar cell. A solar cell module characterized by being electrically connected to a layer.
し、太陽電池の上記第1半導体層は、隣接する太陽電池
の第2半導体層と電気的に接続されてなることを特徴と
する太陽電池モジュール。9. A solar cell comprising a plurality of solar cells according to claim 5 or 6, wherein the first semiconductor layer of the solar cell is electrically connected to the second semiconductor layer of an adjacent solar cell. solar cell module.
いて、上記第3半導体層は、上記隣接する太陽電池の第
2半導体層と電気的に接続されてなることを特徴とする
太陽電池モジュール。10. The solar cell module according to claim 9, wherein the third semiconductor layer is electrically connected to the second semiconductor layer of the adjacent solar cell.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3071463A JPH0793454B2 (en) | 1991-04-04 | 1991-04-04 | Solar cell and solar cell module using the same |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3071463A JPH0793454B2 (en) | 1991-04-04 | 1991-04-04 | Solar cell and solar cell module using the same |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04307771A true JPH04307771A (en) | 1992-10-29 |
| JPH0793454B2 JPH0793454B2 (en) | 1995-10-09 |
Family
ID=13461313
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3071463A Expired - Fee Related JPH0793454B2 (en) | 1991-04-04 | 1991-04-04 | Solar cell and solar cell module using the same |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0793454B2 (en) |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5257792A (en) * | 1975-11-07 | 1977-05-12 | Agency Of Ind Science & Technol | Photoelectric converting element |
| JPS5994881A (en) * | 1982-11-24 | 1984-05-31 | Fuji Electric Corp Res & Dev Ltd | Thin film solar battery |
| JPS6167968A (en) * | 1984-09-11 | 1986-04-08 | Sharp Corp | Gaas solar cell element |
| JPH01260864A (en) * | 1988-04-12 | 1989-10-18 | Mitsubishi Electric Corp | Photovoltaic generating element |
-
1991
- 1991-04-04 JP JP3071463A patent/JPH0793454B2/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5257792A (en) * | 1975-11-07 | 1977-05-12 | Agency Of Ind Science & Technol | Photoelectric converting element |
| JPS5994881A (en) * | 1982-11-24 | 1984-05-31 | Fuji Electric Corp Res & Dev Ltd | Thin film solar battery |
| JPS6167968A (en) * | 1984-09-11 | 1986-04-08 | Sharp Corp | Gaas solar cell element |
| JPH01260864A (en) * | 1988-04-12 | 1989-10-18 | Mitsubishi Electric Corp | Photovoltaic generating element |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0793454B2 (en) | 1995-10-09 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN106159020B (en) | Use the two-sided photovoltaic module of heterojunction solar battery | |
| US4513168A (en) | Three-terminal solar cell circuit | |
| US5034068A (en) | Photovoltaic cell having structurally supporting open conductive back electrode structure, and method of fabricating the cell | |
| KR100825621B1 (en) | Method for manufacturing solar cell module, solar cell and solar module | |
| EP2494610B1 (en) | Thin film solar cell module | |
| WO1998053500A1 (en) | Interdigitated photovoltaic power conversion device | |
| JPH0577308B2 (en) | ||
| KR20160140771A (en) | Photovoltaic module with bypass diodes | |
| KR101923658B1 (en) | Solar cell module | |
| JP7609904B2 (en) | Photovoltaic module and method of manufacturing same | |
| JPH0747878Y2 (en) | Solar cell | |
| FR3131804A3 (en) | SOLAR MODULE | |
| CN105261662A (en) | Solar battery chip having diffused junction bypass diode | |
| KR101284278B1 (en) | Solar cell module and interconnector used in solar cell module | |
| JPS63211773A (en) | Compound semiconductor sloar cell | |
| AU2024219330A1 (en) | Back Contact Solar Cell And Photovoltaic Module | |
| KR20110045246A (en) | Solar cell and solar module having same | |
| JP2017175032A (en) | Solar cell, solar cell module, and method for manufacturing solar cell | |
| TWI506801B (en) | Solar battery pack | |
| US11515441B2 (en) | Solar cells having junctions retracted from cleaved edges | |
| JP4781074B2 (en) | Solar cell module | |
| KR20230093447A (en) | solar module | |
| US20260114054A1 (en) | Solar module with three-terminal tandem solar cells | |
| JPH04307771A (en) | Solar cells and solar cell modules using them | |
| JP4210124B2 (en) | Solar cell element and solar cell module |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |