JPH04340523A - 配線基板の製法 - Google Patents
配線基板の製法Info
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- JPH04340523A JPH04340523A JP11278091A JP11278091A JPH04340523A JP H04340523 A JPH04340523 A JP H04340523A JP 11278091 A JP11278091 A JP 11278091A JP 11278091 A JP11278091 A JP 11278091A JP H04340523 A JPH04340523 A JP H04340523A
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- polymer material
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、コンピュータ、ワード
プロセッサなどのＯＡ機器に用いられる液晶表示装置の
基板の製法に関する。さらに詳しくは透明な基板上に形
成された薄膜配線、部品、高分子材料からなる配線基板
の高分子材料を選択的に除去し、この高分子材料によっ
て、被覆、埋設された電気的に不良な部品を交換し修復
する配線基板の製法に関する。
プロセッサなどのＯＡ機器に用いられる液晶表示装置の
基板の製法に関する。さらに詳しくは透明な基板上に形
成された薄膜配線、部品、高分子材料からなる配線基板
の高分子材料を選択的に除去し、この高分子材料によっ
て、被覆、埋設された電気的に不良な部品を交換し修復
する配線基板の製法に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、液晶を用いた画像表示デバイスが
陰極線管（Ｃａｔｈｏｄｅ Ｒａｙ Ｔｕｂｅ）と比較
して、薄くさらに軽いので、コンピュータ、ワードプロ
セッサなどのＯＡ（Ｏｆｆｉｃｅ Ａｕｔｏｍａｔｉｏ
ｎ）機器に数多く採用されている。 液晶表示装置（図３にその概略構造を示す）は、薄膜形
成された２枚の透明ガラス基材のあいだに液晶を封入し
、薄膜配線に表示用信号すなわち駆動信号を印加して液
晶を駆動する。駆動信号を供給するために、通常複数個
のＬＳＩなどの部品を必要とする。従来、この駆動用Ｌ
ＳＩはガラス基材１とは異なる他の基材１４に搭載した
のちに、透明基材１と他の基材１４を接続していた。こ
の方法では、他の基材１４が余分に必要であるから、液
晶表示装置の小型化を制限していた。最近、この駆動用
ＬＳＩを他の基材を介することなく、直接透明基材、た
とえばガラス基材１にＬＳＩを実装、搭載する方式が検
討されている。とくに、モールドしていないＬＳＩチッ
プを直接実装、搭載する方法（ＣＯＧ：Ｃｈｉｐ Ｏｎ
Ｇｌａｓｓ）が最も小型化を達成する方法として注目
されている。電気的な接続には、ＬＳＩチップの入出力
端子と薄膜配線を微細なはんだの突起電極にて接続、搭
載する方法（フリップチップ法）が有望である。搭載し
たのちに、ＬＳＩチップを保護するため、ＬＳＩチップ
上を高分子材料にて、被覆、埋設する。
陰極線管（Ｃａｔｈｏｄｅ Ｒａｙ Ｔｕｂｅ）と比較
して、薄くさらに軽いので、コンピュータ、ワードプロ
セッサなどのＯＡ（Ｏｆｆｉｃｅ Ａｕｔｏｍａｔｉｏ
ｎ）機器に数多く採用されている。 液晶表示装置（図３にその概略構造を示す）は、薄膜形
成された２枚の透明ガラス基材のあいだに液晶を封入し
、薄膜配線に表示用信号すなわち駆動信号を印加して液
晶を駆動する。駆動信号を供給するために、通常複数個
のＬＳＩなどの部品を必要とする。従来、この駆動用Ｌ
ＳＩはガラス基材１とは異なる他の基材１４に搭載した
のちに、透明基材１と他の基材１４を接続していた。こ
の方法では、他の基材１４が余分に必要であるから、液
晶表示装置の小型化を制限していた。最近、この駆動用
ＬＳＩを他の基材を介することなく、直接透明基材、た
とえばガラス基材１にＬＳＩを実装、搭載する方式が検
討されている。とくに、モールドしていないＬＳＩチッ
プを直接実装、搭載する方法（ＣＯＧ：Ｃｈｉｐ Ｏｎ
Ｇｌａｓｓ）が最も小型化を達成する方法として注目
されている。電気的な接続には、ＬＳＩチップの入出力
端子と薄膜配線を微細なはんだの突起電極にて接続、搭
載する方法（フリップチップ法）が有望である。搭載し
たのちに、ＬＳＩチップを保護するため、ＬＳＩチップ
上を高分子材料にて、被覆、埋設する。
【０００３】ＬＳＩチップを搭載したのちの工程や、液
晶表示装置を実際に使用している際、外部から印加され
る静電気や熱応力の影響で、ＬＳＩが電気的に故障した
り、はんだ突起電極にき裂が生じたりして外れるなどの
不良が生じることがある。この際には、不良のＬＳＩチ
ップを基材から取り外して、正常に動作するＬＳＩチッ
プと交換、修復する必要がある。
晶表示装置を実際に使用している際、外部から印加され
る静電気や熱応力の影響で、ＬＳＩが電気的に故障した
り、はんだ突起電極にき裂が生じたりして外れるなどの
不良が生じることがある。この際には、不良のＬＳＩチ
ップを基材から取り外して、正常に動作するＬＳＩチッ
プと交換、修復する必要がある。
【０００４】不良のＬＳＩチップを取り外し、配線基板
の修復をする従来の方法としては、図２に示す慣用的な
方法が考えられてきた。図において、１は透明基材、た
とえばガラス基材、２は透明基材上に形成された配線、
たとえばインジウム− 錫の複合酸化物（ＩＴＯ；Ｉｎ
ｄｉｕｍ Ｔｈｉｎ Ｏｘｉｄｅ）からなる薄膜配線、
３は薄膜配線２と電気的に接続し、透明基材１上に配置
された部品、たとえばＬＳＩ（Ｌａｒｇｅ Ｓｃａｌｅ
Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ Ｃｉｒｃｕｉｔｅ）チップ、４
は薄膜配線２と部品３を電気的に接続する接合部材、た
とえばはんだ、５は部品３を被覆、埋設する高分子材料
、たとえばエポキシ樹脂、１２はエポキシ樹脂を化学的
に溶解、除去する作用を有する溶剤、たとえば水酸化ナ
トリウム溶液、１３は溶剤１２を満たすための箱である
。この方法では、部品であるＬＳＩチップ３に不良の生
じた配線基板を溶剤１２内に浸漬して部品３を被覆、埋
設する高分子材料を除去し、ＬＳＩチップを交換する。
の修復をする従来の方法としては、図２に示す慣用的な
方法が考えられてきた。図において、１は透明基材、た
とえばガラス基材、２は透明基材上に形成された配線、
たとえばインジウム− 錫の複合酸化物（ＩＴＯ；Ｉｎ
ｄｉｕｍ Ｔｈｉｎ Ｏｘｉｄｅ）からなる薄膜配線、
３は薄膜配線２と電気的に接続し、透明基材１上に配置
された部品、たとえばＬＳＩ（Ｌａｒｇｅ Ｓｃａｌｅ
Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ Ｃｉｒｃｕｉｔｅ）チップ、４
は薄膜配線２と部品３を電気的に接続する接合部材、た
とえばはんだ、５は部品３を被覆、埋設する高分子材料
、たとえばエポキシ樹脂、１２はエポキシ樹脂を化学的
に溶解、除去する作用を有する溶剤、たとえば水酸化ナ
トリウム溶液、１３は溶剤１２を満たすための箱である
。この方法では、部品であるＬＳＩチップ３に不良の生
じた配線基板を溶剤１２内に浸漬して部品３を被覆、埋
設する高分子材料を除去し、ＬＳＩチップを交換する。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】ところが、複数個搭載
されたＬＳＩチップのなかから不良チップの高分子材料
だけを除去するために、選択的にこの高分子材料を溶剤
に浸漬することは困難である。さらに、一般に高分子材
料を溶解、除去する作用を有する溶剤はＩＴＯなどの薄
膜配線を同時に溶解するなど悪い影響与えるため、従来
慣用的に考えられてきたこの方法では部分的な部品交換
は不可能であり、現実には搭載したＬＳＩチップに不良
が発生した配線基板や液晶表示装置は廃棄しているのが
現状である。
されたＬＳＩチップのなかから不良チップの高分子材料
だけを除去するために、選択的にこの高分子材料を溶剤
に浸漬することは困難である。さらに、一般に高分子材
料を溶解、除去する作用を有する溶剤はＩＴＯなどの薄
膜配線を同時に溶解するなど悪い影響与えるため、従来
慣用的に考えられてきたこの方法では部分的な部品交換
は不可能であり、現実には搭載したＬＳＩチップに不良
が発生した配線基板や液晶表示装置は廃棄しているのが
現状である。
【０００６】本発明はかかる問題を解決するためになさ
れたもので、透明基材上に搭載、実装された部品を被覆
、埋設する高分子材料を選択的に除去する方法を開示す
ることを目的とする。さらにこの方法によって、透明基
材上の配線になんらダメージを与えることなく、選択的
にこの部品を除去交換できる。
れたもので、透明基材上に搭載、実装された部品を被覆
、埋設する高分子材料を選択的に除去する方法を開示す
ることを目的とする。さらにこの方法によって、透明基
材上の配線になんらダメージを与えることなく、選択的
にこの部品を除去交換できる。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明は前記目的を達成
するため、少なくとも二主面を有する透明基材の一主面
上に形成された電気的な薄膜配線、該薄膜配線と電気的
に接続し、該透明基材上に配置された部品、前記薄膜配
線と該部品を埋設または被覆する高分子材料からなる配
線基板の製法であって、前記透明基材の他の一主面から
、該透明基材を介して前記高分子材料に光エネルギーを
照射することによって、前記高分子材料と前記透明基材
の界面付近の前記高分子材料を選択的に光化学的または
熱的に変質させ、前記高分子材料を選択的に除去すると
共に、前記部品を交換し高分子材料で埋設することを特
徴とする配線基板の製法にある。
するため、少なくとも二主面を有する透明基材の一主面
上に形成された電気的な薄膜配線、該薄膜配線と電気的
に接続し、該透明基材上に配置された部品、前記薄膜配
線と該部品を埋設または被覆する高分子材料からなる配
線基板の製法であって、前記透明基材の他の一主面から
、該透明基材を介して前記高分子材料に光エネルギーを
照射することによって、前記高分子材料と前記透明基材
の界面付近の前記高分子材料を選択的に光化学的または
熱的に変質させ、前記高分子材料を選択的に除去すると
共に、前記部品を交換し高分子材料で埋設することを特
徴とする配線基板の製法にある。
【０００８】
【作用】透明基材と高分子材料は何らかの化学的な結合
力によって接合している。なぜならば、ガラス板に代表
される透明基材はその表面は平滑であり、高分子材料と
のあいだにいわゆるアンカー（楔効果）はほとんど介在
しない。光のエネルギーはその波長に逆比例し、波長が
短いほど光、言い換えればフォトン（光子）のエネルギ
ーは高くなる。高分子材料は一般に光の波長が短くなる
と、吸収係数が増加する。この光学的な特性は高分子材
料の分子構造と密接な関係がある。透明基材と高分子材
料の接合である基材と高分子材料の化学的な結合力は、
光のエネルギーで切断される。この結果、透明基材上に
形成された高分子材料は、裏面から光エネルギーを照射
することによって、照射された部分のみを選択的に除去
できる。よってこの高分子材料にて被覆、埋設され部品
を除去できる。
力によって接合している。なぜならば、ガラス板に代表
される透明基材はその表面は平滑であり、高分子材料と
のあいだにいわゆるアンカー（楔効果）はほとんど介在
しない。光のエネルギーはその波長に逆比例し、波長が
短いほど光、言い換えればフォトン（光子）のエネルギ
ーは高くなる。高分子材料は一般に光の波長が短くなる
と、吸収係数が増加する。この光学的な特性は高分子材
料の分子構造と密接な関係がある。透明基材と高分子材
料の接合である基材と高分子材料の化学的な結合力は、
光のエネルギーで切断される。この結果、透明基材上に
形成された高分子材料は、裏面から光エネルギーを照射
することによって、照射された部分のみを選択的に除去
できる。よってこの高分子材料にて被覆、埋設され部品
を除去できる。
【０００９】しかし、本発明において考慮すべき点は、
短波長の光の高分子材料に対する相互作用が大きいから
といって、直ちに短波長の光が本発明に有利とは限らな
いことである。なぜならば、透明基材も高分子材料と同
様に光の波長が短くなると、一般的な傾向として吸収係
数が増加する。光の波長が短くなればそれに伴い、透明
基材を介して高分子材料に照射された光エネルギーは透
明基材で吸収され、言い換えれば、直ちに熱エネルギー
に転換される割合は増加する。このため、高分子材料に
投入されるエネルギーは減少する。したがって、照射さ
れる全エネルギーの内、透明基材と高分子材料の界面を
はく離することにかかわる割合は減少する。しかし、そ
の化学的な反応を考えると、反応温度が上昇することに
なるので、反応の頻度、言い換えれば、反応の速度はお
のずと増加する。この反応時の温度は照射される光エネ
ルギーだけによらずとも、透明基材や高分子材料の温度
を積極的に制御することによっても同様に制御できる。 このように、本発明においては、照射される光エネルギ
ーの条件、たとえば、波長、パワー、照射時間、照射面
積、温度などは使用される透明基材と高分子材料の材質
や形状に依存する。したがって、それらの条件は使用材
料によって適宜決定せられる。
短波長の光の高分子材料に対する相互作用が大きいから
といって、直ちに短波長の光が本発明に有利とは限らな
いことである。なぜならば、透明基材も高分子材料と同
様に光の波長が短くなると、一般的な傾向として吸収係
数が増加する。光の波長が短くなればそれに伴い、透明
基材を介して高分子材料に照射された光エネルギーは透
明基材で吸収され、言い換えれば、直ちに熱エネルギー
に転換される割合は増加する。このため、高分子材料に
投入されるエネルギーは減少する。したがって、照射さ
れる全エネルギーの内、透明基材と高分子材料の界面を
はく離することにかかわる割合は減少する。しかし、そ
の化学的な反応を考えると、反応温度が上昇することに
なるので、反応の頻度、言い換えれば、反応の速度はお
のずと増加する。この反応時の温度は照射される光エネ
ルギーだけによらずとも、透明基材や高分子材料の温度
を積極的に制御することによっても同様に制御できる。 このように、本発明においては、照射される光エネルギ
ーの条件、たとえば、波長、パワー、照射時間、照射面
積、温度などは使用される透明基材と高分子材料の材質
や形状に依存する。したがって、それらの条件は使用材
料によって適宜決定せられる。
【００１０】
【実施例】以下、本発明の実施例を図に基づいて説明す
る。図１は配線基板の修復の方法を示す概略図である。 図において、１は透明基材、たとえばガラス基材、２は
透明基材上に形成された配線、たとえばインジウム−
錫の複合酸化物（ＩＴＯ；Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｈｉｎ Ｏ
ｘｉｄｅ）からなる薄膜配線、３は薄膜配線２と電気的
に接続し、透明基材１上に配置された部品、たとえばＬ
ＳＩチップ、４は薄膜配線２と部品３を電気的に接続す
る接合部材、たとえばはんだ、５は部品３を被覆、埋設
する高分子材料、たとえばエポキシ樹脂、６は紫外光域
に発振波長を有するレーザ発振器であり、たとえばエキ
シマレーザ発振器、７はエキシマレーザを集光するため
の光学系、８はエキシマレーザまたはガラス基材を走査
する駆動系、９はエキシマレーザのＯＮ／ＯＦＦ、出力
、駆動系を制御するコントローラである。
る。図１は配線基板の修復の方法を示す概略図である。 図において、１は透明基材、たとえばガラス基材、２は
透明基材上に形成された配線、たとえばインジウム−
錫の複合酸化物（ＩＴＯ；Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｈｉｎ Ｏ
ｘｉｄｅ）からなる薄膜配線、３は薄膜配線２と電気的
に接続し、透明基材１上に配置された部品、たとえばＬ
ＳＩチップ、４は薄膜配線２と部品３を電気的に接続す
る接合部材、たとえばはんだ、５は部品３を被覆、埋設
する高分子材料、たとえばエポキシ樹脂、６は紫外光域
に発振波長を有するレーザ発振器であり、たとえばエキ
シマレーザ発振器、７はエキシマレーザを集光するため
の光学系、８はエキシマレーザまたはガラス基材を走査
する駆動系、９はエキシマレーザのＯＮ／ＯＦＦ、出力
、駆動系を制御するコントローラである。
【００１１】この構成でレーザ発振器６により発生した
光エネルギーを光学系７で集光して、不良の部品３があ
る部分の透明基材１の裏面から照射する。その結果、前
述したように、高エネルギーの光を照射することによっ
て、透明基材と高分子材料の化学的な結合力が切断され
るから、高分子材料は透明基材からはく離する。この後
、この高分子材料を選択的に加熱すると容易に除去でき
る。加熱の手段としては、はんだこてなどのヒートツー
ル、ランプ、温風送風器、レーザが応用可能であるが、
他の加熱手段であってもよい。不良の部品３を除去した
のちに新たに部品３を搭載、実装することにより配線基
板を製造することができる。
光エネルギーを光学系７で集光して、不良の部品３があ
る部分の透明基材１の裏面から照射する。その結果、前
述したように、高エネルギーの光を照射することによっ
て、透明基材と高分子材料の化学的な結合力が切断され
るから、高分子材料は透明基材からはく離する。この後
、この高分子材料を選択的に加熱すると容易に除去でき
る。加熱の手段としては、はんだこてなどのヒートツー
ル、ランプ、温風送風器、レーザが応用可能であるが、
他の加熱手段であってもよい。不良の部品３を除去した
のちに新たに部品３を搭載、実装することにより配線基
板を製造することができる。
【００１２】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の配線基板
の製法によれば、透明基材を介して高分子材料に選択的
にレーザなどの光エネルギーを投入するようにしたので
、不良の部品の部分だけ高分子材料を除去でき、正常に
動作する部品との交換が容易にできる。その結果透明基
材、配線基板上に形成された薄膜配線、他の高分子材料
、それに被覆、埋設される部品になんら影響を及ぼさな
い。また、他の部分はそのまま再使用でき、配線基板の
製造コスト引き下げに寄与し、ひいては液晶表示装置の
コストダウンに寄与する。
の製法によれば、透明基材を介して高分子材料に選択的
にレーザなどの光エネルギーを投入するようにしたので
、不良の部品の部分だけ高分子材料を除去でき、正常に
動作する部品との交換が容易にできる。その結果透明基
材、配線基板上に形成された薄膜配線、他の高分子材料
、それに被覆、埋設される部品になんら影響を及ぼさな
い。また、他の部分はそのまま再使用でき、配線基板の
製造コスト引き下げに寄与し、ひいては液晶表示装置の
コストダウンに寄与する。
【図１】本発明の配線基板の製法の概略説明図である。
【図２】従来の配線基板の製法の概略説明図である。
【図３】従来の液晶装置の概略分解斜視図である。
１ 透明基材
２ 薄膜配線
３ 部品
４ 接合部材
５ 高分子材料
６ レーザ発振器
７ 光学系
８ 駆動系
９ コントローラ
Claims (1)
- 【請求項１】 少なくとも二主面を有する透明基材の
一主面に電気的な薄膜配線を形成し、該薄膜配線と電気
的に接続して前記透明基材上に部品を配置し、前記薄膜
配線と該部品を高分子材料で埋設または被覆する配線基
板の製法であって、前記透明基材の他の一主面から、該
透明基材を介して前記高分子材料に光エネルギーを照射
することによって、前記高分子材料と前記透明基材の界
面付近の前記高分子材料を選択的に光化学的または熱的
に変質させ、該高分子材料を除去すると共に、前記部品
を交換することを特徴とする配線基板の製法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11278091A JPH04340523A (ja) | 1991-05-17 | 1991-05-17 | 配線基板の製法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11278091A JPH04340523A (ja) | 1991-05-17 | 1991-05-17 | 配線基板の製法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04340523A true JPH04340523A (ja) | 1992-11-26 |
Family
ID=14595314
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11278091A Pending JPH04340523A (ja) | 1991-05-17 | 1991-05-17 | 配線基板の製法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04340523A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN114710891A (zh) * | 2022-04-02 | 2022-07-05 | 中国科学院福建物质结构研究所 | 一种在透明材料上打印电路的设备和方法 |
-
1991
- 1991-05-17 JP JP11278091A patent/JPH04340523A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN114710891A (zh) * | 2022-04-02 | 2022-07-05 | 中国科学院福建物质结构研究所 | 一种在透明材料上打印电路的设备和方法 |
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