JPH04348089A - 磁気センサ - Google Patents

磁気センサ

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JPH04348089A
JPH04348089A JP3002849A JP284991A JPH04348089A JP H04348089 A JPH04348089 A JP H04348089A JP 3002849 A JP3002849 A JP 3002849A JP 284991 A JP284991 A JP 284991A JP H04348089 A JPH04348089 A JP H04348089A
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JP
Japan
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voltage value
neutral voltage
magnetoresistive element
resistor
magnetic sensor
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Yorihisa Nakamura
順寿 中村
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Murata Manufacturing Co Ltd
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Murata Manufacturing Co Ltd
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】この発明は、磁気センサに関し、
さらに詳しくは、磁気抵抗素子を用いた磁気センサに関
する。
【0002】
【従来の技術】図5は、従来の磁気センサの一例の等価
回路図である。この磁気センサ51aは、2個の磁気抵
抗素子M1,M2を直列接続した磁気抵抗素子組と2個
の磁気抵抗素子M3,M4を直列接続した磁気抵抗素子
組の2組の磁気抵抗素子組を、電源ライン−Gndライ
ン間にはしご状に接続し、磁気抵抗素子M1,M4に抵
抗器R1,R4を並列接続して、各磁気抵抗素子組の中
性電圧値Va,Vbが電源電圧Viのほぼ1/2となる
ように調整した構成である。
【0003】この磁気センサ51aでは、抵抗器R1,
R4がないと、中性電圧値Va<Vi/2,中性電圧値
Vb>Vi/2となるため、抵抗器R1により中性電圧
値Vaをプルアップし、抵抗R4により中性電圧値Vb
をプルダウンしている。
【0004】しかし、製造上のバラツキにより、中性電
圧値Va>Vi/2,中性電圧値Vb<Vi/2となる
場合もある。この場合には、図6に示す磁気センサ51
bのように、抵抗器R2により中性電圧値Vaをプルダ
ウンし、抵抗R3により中性電圧値Vbをプルアップし
て、中性電圧値Va,Vbが電源電圧Viのほぼ1/2
となるように調整する。
【0005】同様に、中性電圧値Va<Vi/2,中性
電圧値Vb<Vi/2となる場合には、図7に示す磁気
センサ51cのように、抵抗器R1により中性電圧値V
aをプルアップし、抵抗R3により中性電圧値Vbをプ
ルアップする。また、中性電圧値Va>Vi/2,中性
電圧値Vb>Vi/2となる場合には、図8に示す磁気
センサ51dのように、抵抗器R2により中性電圧値V
aをプルダウンし、抵抗R4により中性電圧値Vbをプ
ルダウンする。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】上記従来の磁気センサ
51a〜51dでは、各磁気抵抗素子組ごとに抵抗器を
接続しているが、抵抗器を接続すると、中性電圧値のピ
ークツピークが小さくなってしまい、感度が低下する問
題点がある。また、図5〜図7の4通りの構造の各々で
温度特性が異なるが、いずれの構造となるかは製造上の
バラツキで決り,不定であるため、ユーザ側でどの様な
温度特性を想定すればよいか決められず、対処が困難と
なる問題点がある。
【0007】そこで、この発明の第1の目的は、中性電
圧値のピークツピークが大きい磁気センサを提供するこ
とにある。また、この発明の第2の目的は、温度特性を
揃えることが出来る磁気センサを提供することにある。
【0008】
【課題を解決するための手段】この発明の磁気センサは
、2個の磁気抵抗素子を直列接続した磁気抵抗素子組を
電源ライン側−Gndライン側間に複数組はしご状に接
続し、各磁気抵抗素子組の中で中性電圧値が最高値(ま
たは最低値)のもの以外の磁気抵抗素子組の電源ライン
側および/またはGndライン側の磁気抵抗素子に抵抗
器を並列に接続し、全ての磁気抵抗素子組の中性電圧値
がほぼ前記最高値(または前記最低値)となるように調
整したことを構成上の特徴とするものである。
【0009】
【作用】この発明の磁気センサでは、各磁気抵抗素子組
の中で中性電圧値が最高値(または最低値)のもの以外
の磁気抵抗素子組には抵抗器を接続するが、中性電圧値
が最高値(または最低値)のものには抵抗器を接続しな
い。
【0010】このため、中性電圧値のピークツピークが
抵抗器により小さくなってしまうことが防止され、高い
感度が得られる。また、抵抗器が電源ライン側の磁気抵
抗素子に接続されるか,または,Gndライン側の磁気
抵抗素子に接続され、両者が混在することがないので、
温度特性を揃えることが出来る。
【0011】
【実施例】以下、図に示す実施例に基づいてこの発明を
さらに詳細に説明する。なお、これによりこの発明が限
定されるものではない。
【0012】図1は、この発明の一実施例の磁気センサ
1aの等価回路図である。この磁気センサ1aは、2個
の磁気抵抗素子M1,M2を直列接続した磁気抵抗素子
組と2個の磁気抵抗素子M3,M4を直列接続した磁気
抵抗素子組の2組の磁気抵抗素子組を、電源ライン−G
ndライン間にはしご状に接続し、磁気抵抗素子M3に
抵抗器R3を並列接続して、中性電圧値Vbが中性電圧
値Vaにほぼ一致するように調整した構成である。
【0013】なお、抵抗器R3がないと中性電圧値Va
>中性電圧値Vbとなるため、中性電圧値の低い方の磁
気抵抗素子組の電源ライン側の磁気抵抗素子M3に抵抗
器R3を並列接続して中性電圧値Vbをプルアップして
いるが、もし、抵抗器R3がないと中性電圧値Va<中
性電圧値Vbとなるなら、中性電圧値の低い方の磁気抵
抗素子組の電源ライン側の磁気抵抗素子M1に抵抗器R
1を並列接続し、中性電圧値Vaをプルアップすればよ
い。しかし、これらは実質的に同一の構成である。
【0014】以上の磁気センサ1aでは、中性電圧値の
高い方の磁気抵抗素子組には抵抗器が接続されないため
、ピークツピークが抵抗器により小さくなることが防止
され、高い感度が得られる。また、構造が1通りである
ため、温度特性も1通りに決り、ユーザ側で容易に対処
することが可能となる。
【0015】図2は、この発明の他の実施例の磁気セン
サ1bの等価回路図である。この磁気センサ1bは、2
個の磁気抵抗素子M1,M2を直列接続した磁気抵抗素
子組と2個の磁気抵抗素子M3,M4を直列接続した磁
気抵抗素子組の2組の磁気抵抗素子組を、電源ライン−
Gndライン間にはしご状に接続し、磁気抵抗素子M4
に抵抗器R4を並列接続して、中性電圧値Vbが中性電
圧値Vaにほぼ一致するように調整した構成である。
【0016】抵抗器R4がないと中性電圧値Va<中性
電圧値Vbとなるため、中性電圧値の高い方の磁気抵抗
素子組のGndライン側の磁気抵抗素子M4に抵抗器R
4を並列接続して中性電圧値Vbをプルダウンしている
が、もし、抵抗器R4がないと中性電圧値Va>中性電
圧値Vbとなるなら、中性電圧値の低い方の磁気抵抗素
子組の電源ライン側の磁気抵抗素子M2に抵抗器R2を
並列接続し、中性電圧値Vaをプルダウンすればよい。 しかし、これらは実質的に同一の構成である。
【0017】以上の磁気センサ1bでは、中性電圧値の
低い方の磁気抵抗素子組には抵抗器が接続されないため
、ピークツピークが抵抗器により小さくなることが防止
され、高い感度が得られる。また、構造が1通りである
ため、温度特性も1通りに決り、ユーザ側で容易に対処
することが可能となる。
【0018】図3は、この発明のさらに他の実施例の磁
気センサ1cの等価回路図である。この磁気センサ1c
は、2個の磁気抵抗素子M1,M2を直列接続した磁気
抵抗素子組と2個の磁気抵抗素子M3,M4を直列接続
した磁気抵抗素子組の2組の磁気抵抗素子組を、電源ラ
イン−Gndライン間にはしご状に接続し、磁気抵抗素
子M3,M4に抵抗器R3,R4を並列接続して、中性
電圧値Vbが中性電圧値Vaにほぼ一致するように調整
した構成である。
【0019】抵抗器R3,R4がないと中性電圧値Va
>中性電圧値Vbとなるため、中性電圧値の低い方の磁
気抵抗素子組の電源ライン側の磁気抵抗素子M3に比較
的小さな抵抗器R3を並列接続し,Gndライン側の磁
気抵抗素子M4に比較的大きな抵抗器R4を並列接続し
て中性電圧値Vbをプルアップしているが、もし、抵抗
器R3,R4がないと中性電圧値Va<中性電圧値Vb
となるなら、中性電圧値の低い方の磁気抵抗素子組の電
源ライン側の磁気抵抗素子M1に比較的小さな抵抗器R
1を並列接続し,Gndライン側の磁気抵抗素子M2に
比較的大きな抵抗器R2を並列接続して中性電圧値Va
をプルアップすればよい。しかし、これらは実質的に同
一の構成である。
【0020】以上の磁気センサ1cでは、中性電圧値の
高い方の磁気抵抗素子組には抵抗器が接続されないため
、ピークツピークが抵抗器により小さくなることが防止
され、高い感度が得られる。また、構造が1通りである
ため、温度特性も1通りに決り、ユーザ側で容易に対処
することが可能となる。さらに、抵抗器が2個あるため
、調整の自由度が増えて、中性電圧値をより高精度に一
致させることが出来る。
【0021】図4は、この発明のさらにまた他の実施例
の磁気センサ1dの等価回路図である。この磁気センサ
1dは、2個の磁気抵抗素子M1,M2を直列接続した
磁気抵抗素子組と2個の磁気抵抗素子M3,M4を直列
接続した磁気抵抗素子組の2組の磁気抵抗素子組を、電
源ライン−Gndライン間にはしご状に接続し、磁気抵
抗素子M3,M4に抵抗器R3,R4を並列接続して、
中性電圧値Vbが中性電圧値Vaにほぼ一致するように
調整した構成である。
【0022】抵抗器R3,R4がないと中性電圧値Va
<中性電圧値Vbとなるため、中性電圧値の高い方の磁
気抵抗素子組の電源ライン側の磁気抵抗素子M3に比較
的大きな抵抗器R3を並列接続し,Gndライン側の磁
気抵抗素子M4に比較的小さな抵抗器R4を並列接続し
て中性電圧値Vbをプルダウンしているが、もし、抵抗
器R3,R4がないと中性電圧値Va>中性電圧値Vb
となるなら、中性電圧値の高い方の磁気抵抗素子組の電
源ライン側の磁気抵抗素子M1に比較的大きな抵抗器R
1を並列接続し,Gndライン側の磁気抵抗素子M2に
比較的小さな抵抗器R2を並列接続して中性電圧値Va
をプルダウンすればよい。しかし、これらは実質的に同
一の構成である。
【0023】以上の磁気センサ1dでは、中性電圧値の
低い方の磁気抵抗素子組には抵抗器が接続されないため
、ピークツピークが抵抗器により小さくなることが防止
され、高い感度が得られる。また、構造が1通りである
ため、温度特性も1通りに決り、ユーザ側で容易に対処
することが可能となる。さらに、抵抗器が2個あるため
、調整の自由度が増えて、中性電圧値をより高精度に一
致させることが出来る。
【0024】
【発明の効果】この発明の磁気センサによれば、中性電
圧値の最高値または最低値の磁気抵抗素子組には抵抗器
が接続されないため、ピークツピークが抵抗器により小
さくなることが防止され、高い感度が得られる。
【0025】また、構造が1通りとなるため、温度特性
も1通りに決り、ユーザ側で容易に対処することが可能
となり、システムとしての温度特性を改善できる。
【図面の簡単な説明】
【図1】この発明の一実施例の磁気センサの等価回路図
である。
【図2】この発明の他の実施例の磁気センサの等価回路
図である。
【図3】この発明のさらに他の実施例の磁気センサの等
価回路図である。
【図4】この発明のさらにまた他の実施例の磁気センサ
の等価回路図である。
【図5】従来の磁気センサの一例の等価回路図である。
【図6】従来の磁気センサの他の一例の等価回路図であ
る。
【図7】従来の磁気センサのさらに他の一例の等価回路
図である。
【図8】従来の磁気センサのさらにまた他の一例の等価
回路図である。
【符号の説明】
1a    磁気センサ 1b    磁気センサ 1c    磁気センサ 1d    磁気センサ M1    磁気抵抗素子 M2    磁気抵抗素子 M3    磁気抵抗素子 M4    磁気抵抗素子 R1      抵抗 R2      抵抗 R3      抵抗 R4      抵抗 Va    中性電圧値 Vb    中性電圧値 Vi    電源電圧値

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】  2個の磁気抵抗素子を直列接続した磁
    気抵抗素子組を電源ライン側−Gndライン側間に複数
    組はしご状に接続し、各磁気抵抗素子組の中で中性電圧
    値が最高値または最低値のもの以外の磁気抵抗素子組の
    電源ライン側の磁気抵抗素子および/またはGndライ
    ン側の磁気抵抗素子に抵抗器を並列に接続し、全ての磁
    気抵抗素子組の中性電圧値がほぼ前記最高値または最低
    値となるように調整したことを特徴とする磁気センサ。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5495108B2 (ja) * 2007-10-25 2014-05-21 富士電機株式会社 スピンバルブ素子及びその製造方法

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