JPH0495844A - 光ファイバー障害点探索器用発光・受光一体型モジュール - Google Patents
光ファイバー障害点探索器用発光・受光一体型モジュールInfo
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- JPH0495844A JPH0495844A JP21331490A JP21331490A JPH0495844A JP H0495844 A JPH0495844 A JP H0495844A JP 21331490 A JP21331490 A JP 21331490A JP 21331490 A JP21331490 A JP 21331490A JP H0495844 A JPH0495844 A JP H0495844A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- optical fiber
- semiconductor laser
- avalanche photodiode
- diode
- peltier cooler
- Prior art date
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- 239000013307 optical fiber Substances 0.000 title claims abstract description 36
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 28
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 16
- 238000001816 cooling Methods 0.000 abstract description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
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- Testing Of Optical Devices Or Fibers (AREA)
- Optical Couplings Of Light Guides (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は発光・受光用モジュールに間し、特に光ファイ
バー障害点探索器用発光・受光一体型モジュールに関す
る。
バー障害点探索器用発光・受光一体型モジュールに関す
る。
従来、光ファイバー障害点探索器（ＯＴＤＲ）に用いら
れた発光・受光素子は、第３図（ａ）に示すような高出
力半導体レーザ１のモジュールと、第３図（ｂ）に示す
アバランシェホトダイオード６のモジュールとに個別に
構成されていた。第２図に光ファイバー障害点探索器の
構成を示す。
れた発光・受光素子は、第３図（ａ）に示すような高出
力半導体レーザ１のモジュールと、第３図（ｂ）に示す
アバランシェホトダイオード６のモジュールとに個別に
構成されていた。第２図に光ファイバー障害点探索器の
構成を示す。
光ファイバー障害点探索器（ＯＴＤＲ）の基本的な動作
としては、高出力半導体レーザ１をパルス駆動部１３に
よりパルス駆動し、その光パルス信号を光ファイバー４
を通じて方向性結合器１４に通した後、被測定光ファイ
バー１５の障害点からの反射光を再度方向性結合器１４
に通して受光器であるアバランシェホトダイオード６に
戻して光ファイバー１５の障害点を探索するものである
。この種の装置においては測定のダイナミックレンジを
いかに大きくとれるかが装置性能のきめてになるわけで
あり、そのためには高出力の光パルス及びＬＯＷノイズ
の受光器が必要となる。
としては、高出力半導体レーザ１をパルス駆動部１３に
よりパルス駆動し、その光パルス信号を光ファイバー４
を通じて方向性結合器１４に通した後、被測定光ファイ
バー１５の障害点からの反射光を再度方向性結合器１４
に通して受光器であるアバランシェホトダイオード６に
戻して光ファイバー１５の障害点を探索するものである
。この種の装置においては測定のダイナミックレンジを
いかに大きくとれるかが装置性能のきめてになるわけで
あり、そのためには高出力の光パルス及びＬＯＷノイズ
の受光器が必要となる。
しかしながら、障害点探索器としての要求特性である広
ダイナミツクレンジ化という観点からして、従来の受光
モジュールであるアバランシェホトダイオード６は、冷
却装置であるペルチェクーラーを備えておらず、低暗電
流化を図ることが、素子特性に依存せざるを得す実現が
誼しい面があり、結果的に０ＴＤＲとしての性能を限定
せざるを得ないことがあった。
ダイナミツクレンジ化という観点からして、従来の受光
モジュールであるアバランシェホトダイオード６は、冷
却装置であるペルチェクーラーを備えておらず、低暗電
流化を図ることが、素子特性に依存せざるを得す実現が
誼しい面があり、結果的に０ＴＤＲとしての性能を限定
せざるを得ないことがあった。
また高出力半導体レーザ及びそのドライバー受光素子で
あるアバランシェホトダイオード及びその増幅回路チッ
プは、全て個別に構成されており、装置の全体的コスト
アップを招いていた。
あるアバランシェホトダイオード及びその増幅回路チッ
プは、全て個別に構成されており、装置の全体的コスト
アップを招いていた。
本発明の目的は高出力化、広ダイナミツクレンジ化等を
図る光ファイバー障害点探索器用発光・受光一体型モジ
ュールを提供することにある。
図る光ファイバー障害点探索器用発光・受光一体型モジ
ュールを提供することにある。
前記目的を達成するため、本発明に係る光ファイバー障
害点探索器用発光・受光一体型モジュールにおいては、
少なくともパッケージと、高出力半導体レーザと、アバ
ランシェホトダイオードと、ペルチェクーラーとを有す
る光ファイバー障害点探索器用発光・受光一体型モジュ
ールであって、パッケージは、高出力半導体レーザと、
アバランシェホトダイオードと、ペルチェクーラーとが
一体に組込まれたものであり、 高出力半導体レーザは、光ファイバーの障害点探索用光
信号を出力するものであり、 アバランシェホトダイオードは、光ファイバーの障害点
からの反射光信号を電流に変換するものであり、 ペルチェクーラーは、高出力半導体レーザと、アバラン
シェホトダイオードとを冷却するものである。
害点探索器用発光・受光一体型モジュールにおいては、
少なくともパッケージと、高出力半導体レーザと、アバ
ランシェホトダイオードと、ペルチェクーラーとを有す
る光ファイバー障害点探索器用発光・受光一体型モジュ
ールであって、パッケージは、高出力半導体レーザと、
アバランシェホトダイオードと、ペルチェクーラーとが
一体に組込まれたものであり、 高出力半導体レーザは、光ファイバーの障害点探索用光
信号を出力するものであり、 アバランシェホトダイオードは、光ファイバーの障害点
からの反射光信号を電流に変換するものであり、 ペルチェクーラーは、高出力半導体レーザと、アバラン
シェホトダイオードとを冷却するものである。
また、前記パッケージは、前記各素子に加えて、レーザ
ドライバーチップと、受信増幅器チップとを有するもの
であり、 レーザドライバーチップは、外部からの制御信号に基い
て高出力半導体レーザを駆動するものであり、 受信増幅器チップは、アバランシェホトダイオードの出
力電流を増幅するものである。
ドライバーチップと、受信増幅器チップとを有するもの
であり、 レーザドライバーチップは、外部からの制御信号に基い
て高出力半導体レーザを駆動するものであり、 受信増幅器チップは、アバランシェホトダイオードの出
力電流を増幅するものである。
高出力半導体レーザとアバランシェホトダイオードとを
１つのペルチェクーラー上に搭載することにより、高光
出力化、低暗電流化を実現する。
１つのペルチェクーラー上に搭載することにより、高光
出力化、低暗電流化を実現する。
さらに一体型モジュールとすることにより、コスト的な
メリットを図る。
メリットを図る。
次に本発明について図面を参照して説明する。
第１図は本発明の一実施例を示す構成図である。
本発明の対象になっている装置は光ファイバー障害点探
索器（ＯＴＤＲ）である、第２図に示すように光ファイ
バー障害点探索器の基本的な動作としては、高出力半導
体レーザ１をパルス駆動部１３によりパルス駆動し、そ
の光パルス信号を光ファイバー４ａを通じて方向性結合
器１４に通した後、被測定光ファイバー１５の障害点か
らの反射光を再度方向性結合器１４に通して受光器であ
るアバランシェホトダイオード６に光ファイバー４ｂに
より戻して光ファイバー１５の障害点を探索するもので
ある。この種の装置においては、測定のダイナミックレ
ンジをいかに大きくとれるかが装置性能のきめてになる
わけであり、そのためには高出力の光パルス及びＬｏｗ
ノイズの受光器が必要となる。
索器（ＯＴＤＲ）である、第２図に示すように光ファイ
バー障害点探索器の基本的な動作としては、高出力半導
体レーザ１をパルス駆動部１３によりパルス駆動し、そ
の光パルス信号を光ファイバー４ａを通じて方向性結合
器１４に通した後、被測定光ファイバー１５の障害点か
らの反射光を再度方向性結合器１４に通して受光器であ
るアバランシェホトダイオード６に光ファイバー４ｂに
より戻して光ファイバー１５の障害点を探索するもので
ある。この種の装置においては、測定のダイナミックレ
ンジをいかに大きくとれるかが装置性能のきめてになる
わけであり、そのためには高出力の光パルス及びＬｏｗ
ノイズの受光器が必要となる。
そこで、第１図に示すように本発明は、外部からの制御
信号（パルス点灯のための信号）に基いて高出力半導体
レーザ１を駆動するレーザドライバーチップ９と、レー
ザドライバーチップ９により駆動されるチップキャリヤ
１２に搭載された高出力半導体レーザ１と、半導体レー
ザより出射される光信号を効率よく光ファイバーに入射
するためのロッドレンズ２ａと、方向性結合器１４に至
るまでの光ファイバー４ａと、方向性結合器１４からの
光信号を伝送する光ファイバー４ｂと、光信号を電流に
変換するアバランシェホトダイオード６と、光ファイバ
ー４ｂからの光信号をアバランシェホトダイオード６に
入射させるロッドレンズ２ｂと、アバランシェホトダイ
オード６の出力電流を増幅する受信増幅器チップ７と、
高出力半導体レーザ１とアバランシェホトダイオード６
とを冷却するペルチェクーラー８と、温度検出用のサー
ミスタ１１とパッケージ１０に内蔵し、かつ高出力半導
体レーザ１とアバランシェホトタイオード６とを同一の
ペルチェクーラー８上に搭載したものである。
信号（パルス点灯のための信号）に基いて高出力半導体
レーザ１を駆動するレーザドライバーチップ９と、レー
ザドライバーチップ９により駆動されるチップキャリヤ
１２に搭載された高出力半導体レーザ１と、半導体レー
ザより出射される光信号を効率よく光ファイバーに入射
するためのロッドレンズ２ａと、方向性結合器１４に至
るまでの光ファイバー４ａと、方向性結合器１４からの
光信号を伝送する光ファイバー４ｂと、光信号を電流に
変換するアバランシェホトダイオード６と、光ファイバ
ー４ｂからの光信号をアバランシェホトダイオード６に
入射させるロッドレンズ２ｂと、アバランシェホトダイ
オード６の出力電流を増幅する受信増幅器チップ７と、
高出力半導体レーザ１とアバランシェホトダイオード６
とを冷却するペルチェクーラー８と、温度検出用のサー
ミスタ１１とパッケージ１０に内蔵し、かつ高出力半導
体レーザ１とアバランシェホトタイオード６とを同一の
ペルチェクーラー８上に搭載したものである。
また、光ファイバー４ａ、４ｂはパッケージ１０に光フ
ァイバー固定部５ａ、５ｂにより固定保持されており、
パッケージ１０には、内蔵した各素子に電源供給及び信
号の入出力を行うための複数の端子３．３・・・が取付
けである。
ァイバー固定部５ａ、５ｂにより固定保持されており、
パッケージ１０には、内蔵した各素子に電源供給及び信
号の入出力を行うための複数の端子３．３・・・が取付
けである。
本発明によれば、高出力半導体レーザ１とアバランシェ
ホトダイオード６とをペルチェクーラー８により冷却し
て、その温度を室温あるいはそれ以下の温度に一定に保
持しておくものである。半導体レーザ１は、温度の低下
に伴なって高出力が得られ、しかもアバランシェホトダ
イオード６についても、雑音に結びつく暗電流成分を減
少することが可能になり、光ファイバー障害点探索器自
体のダイナミックレンジの拡大が可能になる。
ホトダイオード６とをペルチェクーラー８により冷却し
て、その温度を室温あるいはそれ以下の温度に一定に保
持しておくものである。半導体レーザ１は、温度の低下
に伴なって高出力が得られ、しかもアバランシェホトダ
イオード６についても、雑音に結びつく暗電流成分を減
少することが可能になり、光ファイバー障害点探索器自
体のダイナミックレンジの拡大が可能になる。
さらに半導体レーザ１の駆動用のドライバーチップ９と
、アバランシェホトダイオード６の受信増幅回路チップ
７を同時にモジュール内に内蔵したため、使いやすくな
ると同時に発光・受光素子を一体型にしてしまうことに
より、装置としてのコストメリットがある。
、アバランシェホトダイオード６の受信増幅回路チップ
７を同時にモジュール内に内蔵したため、使いやすくな
ると同時に発光・受光素子を一体型にしてしまうことに
より、装置としてのコストメリットがある。
以上説明したように本発明は高出力半導体レーザとアバ
ランシェホトダイオードとをペルチェクーラーにより冷
却するため、半導体レーザの光出力を高出力化でき、か
つアバランシェホトダイオードの雑音成分である暗電流
を低減でき、装置としての広ダイナミツクレンジ化を図
ることかできる。また、発光・受光デバイスを一体に組
込んだため、従来のように個々に用いる必要がなく、体
型モジュール１つで装置のキーデバイス部を構成でき、
装置全体としてのコストダウンを図ることかできるとい
う効果を有する。
ランシェホトダイオードとをペルチェクーラーにより冷
却するため、半導体レーザの光出力を高出力化でき、か
つアバランシェホトダイオードの雑音成分である暗電流
を低減でき、装置としての広ダイナミツクレンジ化を図
ることかできる。また、発光・受光デバイスを一体に組
込んだため、従来のように個々に用いる必要がなく、体
型モジュール１つで装置のキーデバイス部を構成でき、
装置全体としてのコストダウンを図ることかできるとい
う効果を有する。
第１図は本発明の一実緒例を示す構成図、第２図は光フ
ァイバー障害点探索器を示す構成図、第３図（ａ）は従
来の半導体レーザモジュールを示す図、第３図（ｂ）は
従来のアバランシェホトダイオードモジュールを示す図
である。 １・・・高出力半導体レーザ ２・・・ロッドレンズ ３・・・端子４ａ、４ｂ・
・・光ファイバー ５ａ、５ｂ・・・光ファイバー固定部 ６・・・アバランシェホトダイオード ７・・・受光増幅器チップ ８・・・ペルチェクーラー ９・・・レーザドライバーチップ １０・・・パッケージ １１・・・サーミスタ１
２・・・チップキャリヤ
ァイバー障害点探索器を示す構成図、第３図（ａ）は従
来の半導体レーザモジュールを示す図、第３図（ｂ）は
従来のアバランシェホトダイオードモジュールを示す図
である。 １・・・高出力半導体レーザ ２・・・ロッドレンズ ３・・・端子４ａ、４ｂ・
・・光ファイバー ５ａ、５ｂ・・・光ファイバー固定部 ６・・・アバランシェホトダイオード ７・・・受光増幅器チップ ８・・・ペルチェクーラー ９・・・レーザドライバーチップ １０・・・パッケージ １１・・・サーミスタ１
２・・・チップキャリヤ
Claims (2)
- （１）少なくともパッケージと、高出力半導体レーザと
、アバランシェホトダイオードと、ペルチェクーラーと
を有する光ファイバー障害点探索器用発光・受光一体型
モジュールであって、 パッケージは、高出力半導体レーザと、アバランシェホ
トダイオードと、ペルチェクーラーとが一体に組込まれ
たものであり、 高出力半導体レーザは、光ファイバーの障害点探索用光
信号を出力するものであり、 アバランシェホトダイオードは、光ファイバーの障害点
からの反射光信号を電流に変換するものであり、 ペルチェクーラーは、高出力半導体レーザと、アバラン
シェホトダイオードとを冷却するものであることを特徴
とする光ファイバー障害点探索器用発光・受光一体型モ
ジュール。 - （２）前記パッケージは、前記各素子に加えて、レーザ
ドライバーチップと、受信増幅器チップとを有するもの
であり、 レーザドライバーチップは、外部からの制御信号に基い
て高出力半導体レーザを駆動するものであり、 受信増幅器チップは、アバランシェホトダイオードの出
力電流を増幅するものであることを特徴とする光ファイ
バー障害点探索器用発光・受光一体型モジュール。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2213314A JP3052351B2 (ja) | 1990-08-10 | 1990-08-10 | 光ファイバー障害点探索器用発光・受光一体型モジュール |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2213314A JP3052351B2 (ja) | 1990-08-10 | 1990-08-10 | 光ファイバー障害点探索器用発光・受光一体型モジュール |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0495844A true JPH0495844A (ja) | 1992-03-27 |
| JP3052351B2 JP3052351B2 (ja) | 2000-06-12 |
Family
ID=16637092
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2213314A Expired - Lifetime JP3052351B2 (ja) | 1990-08-10 | 1990-08-10 | 光ファイバー障害点探索器用発光・受光一体型モジュール |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3052351B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009175432A (ja) * | 2008-01-24 | 2009-08-06 | Anritsu Corp | 光送受信モジュールおよび光パルス試験器 |
| CN118161257A (zh) * | 2024-03-21 | 2024-06-11 | 中聚科技股份有限公司 | 一种超脉冲掺铥光纤激光治疗设备及其照射方法 |
-
1990
- 1990-08-10 JP JP2213314A patent/JP3052351B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009175432A (ja) * | 2008-01-24 | 2009-08-06 | Anritsu Corp | 光送受信モジュールおよび光パルス試験器 |
| CN118161257A (zh) * | 2024-03-21 | 2024-06-11 | 中聚科技股份有限公司 | 一种超脉冲掺铥光纤激光治疗设备及其照射方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3052351B2 (ja) | 2000-06-12 |
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