JPH05110415A - Tri-state output circuit - Google Patents
Tri-state output circuitInfo
- Publication number
- JPH05110415A JPH05110415A JP3266002A JP26600291A JPH05110415A JP H05110415 A JPH05110415 A JP H05110415A JP 3266002 A JP3266002 A JP 3266002A JP 26600291 A JP26600291 A JP 26600291A JP H05110415 A JPH05110415 A JP H05110415A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- pull
- output
- circuit
- mos transistor
- gate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 claims 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 7
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Metal-Oxide And Bipolar Metal-Oxide Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
- Logic Circuits (AREA)
Abstract
Description
【0001】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、3ステート出力回路に
関し、特に、3ステート出力回路の回路 成に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a 3-state output circuit, and more particularly to circuit construction of a 3-state output circuit.
【0002】[0002]
【従来の技術】従来の3ステート出力回路は、図3に示
すように信号Eの逆相信号−Eを発生させるインバータ
1と、データ信号Dとコントロール信号−Eを入力とす
るNANDゲート9と、データ信号Dとコントロール信
号Eを入力とするNORゲート10と、NANDゲート
9の出力を受け電源VDD側に駆動するP型MOSトラン
ジスタ7と、NORゲート10の出力を受け接地側に駆
動するN型MOSトランジスタ8からなり、P型MOS
トランジスタ7とN型MOSトランジスタ8のそれぞれ
のドレインを接続して出力Xとした構造を有している。2. Description of the Related Art As shown in FIG. 3, a conventional three-state output circuit includes an inverter 1 for generating a reverse phase signal -E of a signal E, a NAND gate 9 for receiving a data signal D and a control signal -E. , A NOR gate 10 that receives the data signal D and the control signal E, a P-type MOS transistor 7 that receives the output of the NAND gate 9 and drives it to the power supply VDD side, and an N type that receives the output of the NOR gate 10 and drives it to the ground side. Type MOS transistor 8 and P type MOS
It has a structure in which the drains of the transistor 7 and the N-type MOS transistor 8 are connected to form an output X.
【0003】コントロール信号Eが“L”のとき、NA
NDゲート9とNORゲート10はともにデータ信号D
の逆相を出力し、出力Xにはデータ信号Dの同相が出力
される。また、コントロール信号Eが“H”のときには
データ信号DにかかわらずNANDゲート9は“H”を
出力し、P型MOSトランジスタ7は“オフ”となり、
NORゲート10は“L”を出力し、N型MOSトラン
ジスタ8も“オフ”となり、出力Xはハイインピーダン
ス状態となる。この回路の真理値図を図4に示す。When the control signal E is "L", NA
Both the ND gate 9 and the NOR gate 10 receive the data signal D
, And the in-phase of the data signal D is output to the output X. When the control signal E is "H", the NAND gate 9 outputs "H" regardless of the data signal D, and the P-type MOS transistor 7 is "off".
The NOR gate 10 outputs "L", the N-type MOS transistor 8 is also "off", and the output X is in a high impedance state. The truth diagram of this circuit is shown in FIG.
【0004】[0004]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、この従
来の3ステート出力回路では、回路構成が複雑で素子数
が多いために、チップ中における出力回路の占有面積が
大きくなり、マスク設計の際にチップサイズが大きくな
ってしまうという課題があった。However, in this conventional 3-state output circuit, since the circuit configuration is complicated and the number of elements is large, the output circuit occupies a large area in the chip, and the chip is not designed for mask design. There was a problem that the size became large.
【0005】本発明は従来の上記実情に鑑みてなされた
ものであり、従って本発明の目的は、従来の技術に内在
する上記課題を解決することを可能とした新規な3ステ
ート出力回路を提供することにある。The present invention has been made in view of the above-mentioned conventional circumstances, and therefore an object of the present invention is to provide a novel three-state output circuit which can solve the above-mentioned problems inherent in the prior art. To do.
【0006】[0006]
【課題を解決するための手段】上記目的を達成する為
に、本発明に係る3ステート出力回路は、コントロール
信号を入力しその信号に応じて動作するトランスファー
ゲートと、このトランスファーゲートとは逆相に動作す
るプルアップ及びプルダウンスイッチと、データ信号に
応じて動作するプルアップ及びプルダウンスイッチとを
用いることにより、出力を制御する構造を備えている。In order to achieve the above object, a three-state output circuit according to the present invention has a transfer gate which receives a control signal and operates according to the signal, and a transfer gate having a reverse phase. The output control is provided by using the pull-up and pull-down switches that operate in accordance with the above, and the pull-up and pull-down switches that operate according to the data signal.
【0007】[0007]
【実施例】次に本発明をその好ましい各実施例について
図面を参照して具体的に説明する。BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION The present invention will now be specifically described with reference to the drawings for each of its preferred embodiments.
【0008】図1は本発明による第1の実施例を示す回
路構成図である。FIG. 1 is a circuit configuration diagram showing a first embodiment according to the present invention.
【0009】図1を参照するに、コントロール信号Eが
“L”のとき、トランスファーゲート4は“オン”し、
同時にP型MOSトランジスタ5とN型MOSトランジ
スタ6が“オフ”するために、データ信号Dの反転信号
がP型MOSトランジスタ7のゲートとN型MOSトラ
ンジスタ8のゲートに伝えられるために、出力Xには、
データ信号Dと同相の信号が出力される。Referring to FIG. 1, when the control signal E is "L", the transfer gate 4 is "on",
At the same time, since the P-type MOS transistor 5 and the N-type MOS transistor 6 are turned “off”, the inverted signal of the data signal D is transmitted to the gate of the P-type MOS transistor 7 and the gate of the N-type MOS transistor 8, and thus the output X Has
A signal in phase with the data signal D is output.
【0010】コントロール信号Eが“H”のときにはト
ランスファーゲート4は“オフ”し、同時にP型MOS
トランジスタ5とN型MOSトランジスタ6が“オン”
するために、データ信号DにかかわらずP型MOSトラ
ンジスタ7は“オフ”し、N型MOSトランジスタ8も
“オフ”するために、出力Xはハイインピーダンス状態
となる。When the control signal E is "H", the transfer gate 4 is "off".
Transistor 5 and N-type MOS transistor 6 are "on"
Therefore, regardless of the data signal D, the P-type MOS transistor 7 is "off" and the N-type MOS transistor 8 is also "off", so that the output X is in a high impedance state.
【0011】従来回路では回路構成に12素子必要とし
たが、この第1の実施例の回路では10素子で構成する
ことができる。Although the conventional circuit requires 12 elements for the circuit configuration, the circuit of the first embodiment can be configured with 10 elements.
【0012】図2は本発明による第2の実施例を示す回
路構成図である。FIG. 2 is a circuit configuration diagram showing a second embodiment according to the present invention.
【0013】図2を参照するに、この第2の実施例によ
る回路は、コントロール信号E1つでn個の3ステート
出力回路を制御させる回路であり、インバータ1とP型
MOSトランジスタ5とN型MOSトランジスタ6を共
通化させて各々の3ステート出力回路を制御する構造を
している。Referring to FIG. 2, the circuit according to the second embodiment is a circuit for controlling n 3-state output circuits by one control signal E, and includes an inverter 1, a P-type MOS transistor 5 and an N-type. The MOS transistor 6 is commonly used to control each 3-state output circuit.
【0014】従来回路ではインバータ1しか共通化でき
ないので回路構成に必要な素子数が10n+2個なのに
対し、この第2の実施例の回路ではプルアップスイッチ
であるP型MOSトランジスタ5とプルダウンスイッチ
であるN型MOSトランジスタ6も共通化できるために
必要素子数は6n+4個となる。In the conventional circuit, since only the inverter 1 can be shared, the number of elements required for the circuit configuration is 10n + 2, whereas in the circuit of the second embodiment, the P-type MOS transistor 5 which is a pull-up switch and the pull-down switch. Since the N-type MOS transistor 6 can be shared, the number of required elements is 6n + 4.
【0015】つまりこの第2の実施例の回路では必要素
子数を4n−2個分減らすことができる。That is, in the circuit of the second embodiment, the required number of elements can be reduced by 4n-2.
【0016】[0016]
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
NANDゲート及びNORゲートの代わりに、トランス
ファーゲートとプルアップ及びプルダウン用のスイッチ
を用いることにより、回路構成に必要な素子数を減らし
たので、チップ中における出力回路の占有面積を減らす
ことができ、マスク設計の際にチップサイズを小さくす
ることができるという効果が得られる。As described above, according to the present invention,
By using the transfer gate and the pull-up and pull-down switches instead of the NAND gate and the NOR gate, the number of elements necessary for the circuit configuration is reduced, so that the area occupied by the output circuit in the chip can be reduced. The effect that the chip size can be reduced in the mask design is obtained.
【図1】本発明による第1の実施例を示す回路構成図で
ある。FIG. 1 is a circuit configuration diagram showing a first embodiment according to the present invention.
【図2】本発明による第2の実施例を示す回路構成図で
ある。FIG. 2 is a circuit configuration diagram showing a second embodiment according to the present invention.
【図3】従来の回路図である。FIG. 3 is a conventional circuit diagram.
【図4】真理値図である。FIG. 4 is a truth diagram.
1…インバータ 2、5、7…P型MOSトランジスタ 3、6、8…N型MOSトランジスタ 4…トランスファーゲート 9…NANDゲート 10…NORゲート 1 ... Inverter 2, 5, 7 ... P-type MOS transistor 3, 6, 8 ... N-type MOS transistor 4 ... Transfer gate 9 ... NAND gate 10 ... NOR gate
Claims (2)
のトランスファーゲートと、このトランスファーゲート
とは逆相に動作するプルアップスイッチ及びプルダウン
スイッチと、データ信号に応じて互いに相補に動作する
プルアップスイッチ及びプルダウンスイッチと、電源間
に互いに相補に接続されたMOSトランジスタとを備
え、前記トランスファーゲートの一方の出力を前記双方
のプルアップスイッチの出力部及び前記MOSトランジ
スタの一方のゲートに接続し、もう一方の出力を前記双
方のプルダウンスイッチの出力部及び前記MOSトラン
ジスタのもう一方のゲートに接続することにより出力を
制御することを特徴とする3ステート出力回路。1. A transfer gate that operates according to a control signal, a pull-up switch and a pull-down switch that operate in opposite phases to the transfer gate, and a pull-up switch that operates complementarily to each other according to a data signal. A pull-down switch and a MOS transistor complementary connected to each other between power supplies are provided, and one output of the transfer gate is connected to an output part of the both pull-up switches and one gate of the MOS transistor, and A three-state output circuit, wherein the output is controlled by connecting the outputs of the two to the output parts of the both pull-down switches and the other gate of the MOS transistor.
正の整数)個の3ステート出力回路を制御する回路を構
成する場合に、インバータと、前記トランスファーゲー
トと逆相に動作する前記プルアップ及びプルダウンスイ
ッチとを共通に使用することを更に特徴とする請求項1
に記載の3ステート出力回路。2. When forming a circuit for controlling n (n is a positive integer) number of 3-state output circuits by one control signal, an inverter and the pull-up that operates in a phase opposite to that of the transfer gate. And a pull-down switch are commonly used.
The 3-state output circuit described in 1.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3266002A JPH05110415A (en) | 1991-10-15 | 1991-10-15 | Tri-state output circuit |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3266002A JPH05110415A (en) | 1991-10-15 | 1991-10-15 | Tri-state output circuit |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05110415A true JPH05110415A (en) | 1993-04-30 |
Family
ID=17425005
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3266002A Pending JPH05110415A (en) | 1991-10-15 | 1991-10-15 | Tri-state output circuit |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05110415A (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2014107771A (en) * | 2012-11-29 | 2014-06-09 | Toshiba Corp | Tristate control circuit |
-
1991
- 1991-10-15 JP JP3266002A patent/JPH05110415A/en active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2014107771A (en) * | 2012-11-29 | 2014-06-09 | Toshiba Corp | Tristate control circuit |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5013937A (en) | Complementary output circuit for logic circuit | |
| JP2878072B2 (en) | CMOS off-chip driver circuit | |
| JP3120492B2 (en) | Semiconductor integrated circuit | |
| JPH05283984A (en) | 2-stage cmos latch circuit having single wire clock | |
| JP2749185B2 (en) | Composite logic circuit | |
| JPH05110415A (en) | Tri-state output circuit | |
| JPH1174764A (en) | Latch circuit and flip-flop circuit with voltage level conversion function | |
| US5495182A (en) | Fast-fully restoring polarity control circuit | |
| JPS60236322A (en) | MOS transistor circuit | |
| KR100264204B1 (en) | Latch circuit | |
| KR100278992B1 (en) | Full adder | |
| JP2864949B2 (en) | Level conversion circuit | |
| JPH04369920A (en) | Latch circuit with input selection function | |
| JPH0983343A (en) | Signal level conversion circuit | |
| JPS63204757A (en) | Output buffer circuit of cmos ic | |
| JPH04307809A (en) | Rs flip-flop | |
| KR100308130B1 (en) | Data Transfer Circuit | |
| JPH02123826A (en) | Cmos inverter circuit | |
| JPS59200524A (en) | Cmos multiplexer | |
| KR100256229B1 (en) | D-type flipflop circuit with low power consumption | |
| JPH0431630Y2 (en) | ||
| JPH03201620A (en) | Level shift circuit | |
| JPH08228146A (en) | Cmos integrated circuit | |
| JPH02205110A (en) | Flip-flop circuit device | |
| JPH0254617A (en) | Input/output buffer circuit |