JPH05114381A - イオン・ビーム装置 - Google Patents
イオン・ビーム装置Info
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- JPH05114381A JPH05114381A JP3273549A JP27354991A JPH05114381A JP H05114381 A JPH05114381 A JP H05114381A JP 3273549 A JP3273549 A JP 3273549A JP 27354991 A JP27354991 A JP 27354991A JP H05114381 A JPH05114381 A JP H05114381A
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- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 title claims abstract description 51
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims abstract description 52
- 230000007547 defect Effects 0.000 claims abstract description 11
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 13
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 13
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 13
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 claims description 10
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 7
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 32
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical group [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000007737 ion beam deposition Methods 0.000 description 5
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 5
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 5
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 4
- -1 gallium ions Chemical class 0.000 description 4
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 4
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 4
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 4
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 3
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 3
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 3
- CKHJYUSOUQDYEN-UHFFFAOYSA-N gallium(3+) Chemical compound [Ga+3] CKHJYUSOUQDYEN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 3
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 125000002524 organometallic group Chemical group 0.000 description 3
- POILWHVDKZOXJZ-ARJAWSKDSA-M (z)-4-oxopent-2-en-2-olate Chemical compound C\C([O-])=C\C(C)=O POILWHVDKZOXJZ-ARJAWSKDSA-M 0.000 description 2
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- AUFHQOUHGKXFEM-UHFFFAOYSA-N C[Au]C Chemical compound C[Au]C AUFHQOUHGKXFEM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PPBRXRYQALVLMV-UHFFFAOYSA-N Styrene Chemical compound C=CC1=CC=CC=C1 PPBRXRYQALVLMV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 2
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 2
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 2
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical group [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- HIDBROSJWZYGSZ-UHFFFAOYSA-N 1-phenylpyrrole-2,5-dione Chemical compound O=C1C=CC(=O)N1C1=CC=CC=C1 HIDBROSJWZYGSZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QGHDLJAZIIFENW-UHFFFAOYSA-N 4-[1,1,1,3,3,3-hexafluoro-2-(4-hydroxy-3-prop-2-enylphenyl)propan-2-yl]-2-prop-2-enylphenol Chemical group C1=C(CC=C)C(O)=CC=C1C(C(F)(F)F)(C(F)(F)F)C1=CC=C(O)C(CC=C)=C1 QGHDLJAZIIFENW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LSDPWZHWYPCBBB-UHFFFAOYSA-N Methanethiol Chemical compound SC LSDPWZHWYPCBBB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YMOONIIMQBGTDU-VOTSOKGWSA-N [(e)-2-bromoethenyl]benzene Chemical compound Br\C=C\C1=CC=CC=C1 YMOONIIMQBGTDU-VOTSOKGWSA-N 0.000 description 1
- 238000007792 addition Methods 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- FQNHWXHRAUXLFU-UHFFFAOYSA-N carbon monoxide;tungsten Chemical group [W].[O+]#[C-].[O+]#[C-].[O+]#[C-].[O+]#[C-].[O+]#[C-].[O+]#[C-] FQNHWXHRAUXLFU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 1
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001338 liquidmetal Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 229910052754 neon Inorganic materials 0.000 description 1
- GKAOGPIIYCISHV-UHFFFAOYSA-N neon atom Chemical compound [Ne] GKAOGPIIYCISHV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000007935 neutral effect Effects 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
- 229910052724 xenon Inorganic materials 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
- H01J37/317—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for changing properties of the objects or for applying thin layers thereon, e.g. for ion implantation
- H01J37/3178—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for changing properties of the objects or for applying thin layers thereon, e.g. for ion implantation for applying thin layers on objects
-
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- H01J37/3002—Details
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-
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- H01J37/3053—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for casting, melting, evaporating, or etching for evaporating or etching
- H01J37/3056—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for casting, melting, evaporating, or etching for evaporating or etching for microworking, e. g. etching of gratings or trimming of electrical components
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Abstract
(57)【要約】
【構造】 イオン・ビーム装置には、容器の各々上およ
び底壁の中心を通る第１及び第２アパーチャを有する円
筒形缶などのガス容器を含んでおり、この缶には、試料
から放出された電子などの二次荷電粒子を電子検出手段
に向けて、この構造が画像システムとして機能するよう
に、電圧および/または磁界を加えるための偏向手段を
も含めることができる。 【効果】 第１タイプの粒子(金原子、タングステン原
子、等)を含むガスが、下部アパーチャから缶を出て、
缶のすぐ下に置かれたマスクまたはチップまたは他の製
造品目などの目標試料表面に吸着される。第２タイプの
粒子(ガリウム・イオン)を含むイオン・ビームは、最小
相互作用でガスを通過し、目標試料表面に当たって吸着
ガスおよび第１タイプ粒子を分解して、試料表面の修理
などの修整をもたらす。
び底壁の中心を通る第１及び第２アパーチャを有する円
筒形缶などのガス容器を含んでおり、この缶には、試料
から放出された電子などの二次荷電粒子を電子検出手段
に向けて、この構造が画像システムとして機能するよう
に、電圧および/または磁界を加えるための偏向手段を
も含めることができる。 【効果】 第１タイプの粒子(金原子、タングステン原
子、等)を含むガスが、下部アパーチャから缶を出て、
缶のすぐ下に置かれたマスクまたはチップまたは他の製
造品目などの目標試料表面に吸着される。第２タイプの
粒子(ガリウム・イオン)を含むイオン・ビームは、最小
相互作用でガスを通過し、目標試料表面に当たって吸着
ガスおよび第１タイプ粒子を分解して、試料表面の修理
などの修整をもたらす。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、イオン・ビーム蒸着
およびエッチング・システムに関し、より詳しくは、目
標物を修整するためにイオン・ビームを目標物表面に向
けるためのシステムに関する。
およびエッチング・システムに関し、より詳しくは、目
標物を修整するためにイオン・ビームを目標物表面に向
けるためのシステムに関する。
【０００２】
【従来の技術】米国特許第４５８５９４５号明細書は、
第１タイプの粒子を含むガスが、１つの側面に第１開口
部を有する円筒形閉込め手段に入れられ、上記開口部に
第２タイプの粒子の高エネルギー・ビームが向けられる
ようにした構造を開示する。第２タイプの粒子の高エネ
ルギー・ビームは缶の中のガスの第１タイプの粒子と相
互作用し、第１タイプの粒子は円筒形閉込め手段の他の
側面にある第２開口部を通り、目標物に達して蒸着され
る。
第１タイプの粒子を含むガスが、１つの側面に第１開口
部を有する円筒形閉込め手段に入れられ、上記開口部に
第２タイプの粒子の高エネルギー・ビームが向けられる
ようにした構造を開示する。第２タイプの粒子の高エネ
ルギー・ビームは缶の中のガスの第１タイプの粒子と相
互作用し、第１タイプの粒子は円筒形閉込め手段の他の
側面にある第２開口部を通り、目標物に達して蒸着され
る。
【０００３】従来技術特許には、円筒形閉込め手段が、
ガスを凝縮させるための冷却コイルにより囲まれ、コリ
メータおよび加熱手段などの他の機能的追加物を含める
ことも開示されている。
ガスを凝縮させるための冷却コイルにより囲まれ、コリ
メータおよび加熱手段などの他の機能的追加物を含める
ことも開示されている。
【０００４】米国特許第４１１９８８１号明細書は、平
行なイオン・ビームが予め定められた角度で目標に集束
され、選択的ベベル・エッチングをもたらす円錐台形の
イオン・ビーム発生器のためのグリッドシステムを開示
する。
行なイオン・ビームが予め定められた角度で目標に集束
され、選択的ベベル・エッチングをもたらす円錐台形の
イオン・ビーム発生器のためのグリッドシステムを開示
する。
【０００５】米国特許第４１０８７５１号明細書は、蒸
着すべき材料から成るターゲットにイオンのビームを向
けることにより、ターゲットから基板に向けて中性粒子
およびイオン化粒子がスパッタされて、材料が基板に蒸
着され注入される。イオン化粒子は、基板に入り込むの
に充分なエネルギーに加速され、注入されて強い結合を
もたらす。充分なエネルギーの粒子による基板表面のス
パッタ・クリーニングも行われる。
着すべき材料から成るターゲットにイオンのビームを向
けることにより、ターゲットから基板に向けて中性粒子
およびイオン化粒子がスパッタされて、材料が基板に蒸
着され注入される。イオン化粒子は、基板に入り込むの
に充分なエネルギーに加速され、注入されて強い結合を
もたらす。充分なエネルギーの粒子による基板表面のス
パッタ・クリーニングも行われる。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】この発明の目的は、イ
オン・ビーム蒸着、エッチングおよび他の目標物修整の
ための改良形ガス送出システムを提供することにある。
オン・ビーム蒸着、エッチングおよび他の目標物修整の
ための改良形ガス送出システムを提供することにある。
【０００７】この発明の別の目的は、目標表面の画像を
描き目標物表面を修整することのできる改良形イオン・
ビーム蒸着システムを提供することにある。
描き目標物表面を修整することのできる改良形イオン・
ビーム蒸着システムを提供することにある。
【０００８】この発明の他の目的は、目標マスクまたは
チップ上の欠陥を検出し、検出した欠陥を修整するよう
に機能する改良形イオン・ビーム蒸着システムを提供す
ることにある。
チップ上の欠陥を検出し、検出した欠陥を修整するよう
に機能する改良形イオン・ビーム蒸着システムを提供す
ることにある。
【０００９】この発明のさらに別の目的は、目標物表面
の画像を形成するために集められた二次電子またはイオ
ンを目標物表面から放出するように、イオン・ビームが
機能する改良形イオン・ビーム・システムを提供するこ
とにある。
の画像を形成するために集められた二次電子またはイオ
ンを目標物表面から放出するように、イオン・ビームが
機能する改良形イオン・ビーム・システムを提供するこ
とにある。
【００１０】イオン・ビーム構造体には、容器の各々上
および底壁の中心を通る第１及び第２アパーチャを有す
る円筒形の缶などのガス容器を含んでおり、細いイオン
・ビームは、アパーチャおよび缶の中心軸を通り、缶の
底のすぐ下に置かれたマスクまたはチップまたは他の製
造物などの目標試料に達する。この缶には、試料から放
出された電子などの二次荷電粒子を電子検出手段に向け
て、本構造が画像システムとして機能するように、缶上
の位置(上、底、側面)に電圧および/または磁界を加え
るための偏向手段をも含めることができる。電界および
/または磁界は、検出器の収集効率を高めるために用い
て、それによりSN比を増加させることにより画像の品質
を高めることができる。二次荷電粒子により作成された
収集画像が、修理または他の修整を行うことの必要性を
示している場合には、ガスが、管を通してガス・タンク
から缶に入れられる。第１タイプの粒子(金の原子、タ
ングステンの原子、等)を含むガスが、下部アパーチャ
から缶を出て、近くの目標試料表面に吸着される。第２
タイプの粒子(ガリウム・イオン)を含むイオン・ビーム
は、最小相互作用でガスを通過し、目標試料表面に当た
って吸着ガスおよび分解第１タイプ粒子を分解して、試
料(マスクまたはチップ)表面の修理などの修整をもたら
す。
および底壁の中心を通る第１及び第２アパーチャを有す
る円筒形の缶などのガス容器を含んでおり、細いイオン
・ビームは、アパーチャおよび缶の中心軸を通り、缶の
底のすぐ下に置かれたマスクまたはチップまたは他の製
造物などの目標試料に達する。この缶には、試料から放
出された電子などの二次荷電粒子を電子検出手段に向け
て、本構造が画像システムとして機能するように、缶上
の位置(上、底、側面)に電圧および/または磁界を加え
るための偏向手段をも含めることができる。電界および
/または磁界は、検出器の収集効率を高めるために用い
て、それによりSN比を増加させることにより画像の品質
を高めることができる。二次荷電粒子により作成された
収集画像が、修理または他の修整を行うことの必要性を
示している場合には、ガスが、管を通してガス・タンク
から缶に入れられる。第１タイプの粒子(金の原子、タ
ングステンの原子、等)を含むガスが、下部アパーチャ
から缶を出て、近くの目標試料表面に吸着される。第２
タイプの粒子(ガリウム・イオン)を含むイオン・ビーム
は、最小相互作用でガスを通過し、目標試料表面に当た
って吸着ガスおよび分解第１タイプ粒子を分解して、試
料(マスクまたはチップ)表面の修理などの修整をもたら
す。
【００１１】この発明では、イオン・ビームと缶の中の
ガス原子との間に実質的に何の相互作用もない。イオン
・ビームは非常に小さな直径に集束され、相互作用を避
けるためにガス圧は最小である。ガスは、缶の下の目標
物表面に吸着され、イオン・ビームは、吸着されたガス
粒子と相互作用して、吸着されたガスを分解し、金属原
子を目標物表面に蒸着させる。
ガス原子との間に実質的に何の相互作用もない。イオン
・ビームは非常に小さな直径に集束され、相互作用を避
けるためにガス圧は最小である。ガスは、缶の下の目標
物表面に吸着され、イオン・ビームは、吸着されたガス
粒子と相互作用して、吸着されたガスを分解し、金属原
子を目標物表面に蒸着させる。
【００１２】
【実施例】第１図は、目標物表面の画像を描き、目標物
表面を修整するように機能するこの発明の実施例の概略
側面図である。第１図の構造体は、目標マスクまたはチ
ップ表面の欠陥を画像に描き出し検出して、検出後に上
記欠陥を修理するように機能する。
表面を修整するように機能するこの発明の実施例の概略
側面図である。第１図の構造体は、目標マスクまたはチ
ップ表面の欠陥を画像に描き出し検出して、検出後に上
記欠陥を修理するように機能する。
【００１３】検出機能では、イオン・ビームが、マスク
またはチップなどの品目の目標物表面に向けられ、二次
荷電粒子、すなわちイオンまたは電子を放出する。二次
荷電粒子は、収集されて目標物表面の画像を形成し、例
えば、修理または他の種類の修整が必要であるかどうか
が決定される。画像は、走査電子顕微鏡と類似した方法
で作り出される。イオン・ビームは、従来の陰極線管で
電子ビームを同時に走査する間にサンプル上をラスター
走査される。画像は、検出器により生成される信号の振
幅に基づいてCRTビームの強度を調節して形成される。
またはチップなどの品目の目標物表面に向けられ、二次
荷電粒子、すなわちイオンまたは電子を放出する。二次
荷電粒子は、収集されて目標物表面の画像を形成し、例
えば、修理または他の種類の修整が必要であるかどうか
が決定される。画像は、走査電子顕微鏡と類似した方法
で作り出される。イオン・ビームは、従来の陰極線管で
電子ビームを同時に走査する間にサンプル上をラスター
走査される。画像は、検出器により生成される信号の振
幅に基づいてCRTビームの強度を調節して形成される。
【００１４】蒸着方式では、上記イオン・ビームが、目
標試料表面にガスから吸着された有機金属粒子(原子)と
相互作用し、粒子を分解して、目標試料表面を修理す
る。
標試料表面にガスから吸着された有機金属粒子(原子)と
相互作用し、粒子を分解して、目標試料表面を修理す
る。
【００１５】第１図の、構造体の実施例には、上端16及
び下端18の中心を通るアパーチャ12および14を有する円
筒形缶などのガス容器10があり、細いイオン・ビーム20
が、アパーチャ12及び14及び缶の中心軸を通り、缶の下
部18のすぐ下に置かれた目標物22(マスクまたはチップ)
に達する。缶には、構造が画像システムとして機能する
ように、目標物22から放出された二次荷電粒子、すなわ
ちイオンまたは電子を検出手段30に向けるために、電圧
および/または磁界を缶上のポイント(上、下、側面)に
加えるための手段42も含めることができる。電界および
/または磁界は、検出器の収集効率を高めるために用い
られ、それによりSN比を高めることにより画像品質を向
上させる。本技術分野に於いて入手可能な検出手段にお
いては、磁界または電界をもたらすための手段を含むも
のであるので、第１図の実施例において手段42は必ずし
も必要とされるものではない。
び下端18の中心を通るアパーチャ12および14を有する円
筒形缶などのガス容器10があり、細いイオン・ビーム20
が、アパーチャ12及び14及び缶の中心軸を通り、缶の下
部18のすぐ下に置かれた目標物22(マスクまたはチップ)
に達する。缶には、構造が画像システムとして機能する
ように、目標物22から放出された二次荷電粒子、すなわ
ちイオンまたは電子を検出手段30に向けるために、電圧
および/または磁界を缶上のポイント(上、下、側面)に
加えるための手段42も含めることができる。電界および
/または磁界は、検出器の収集効率を高めるために用い
られ、それによりSN比を高めることにより画像品質を向
上させる。本技術分野に於いて入手可能な検出手段にお
いては、磁界または電界をもたらすための手段を含むも
のであるので、第１図の実施例において手段42は必ずし
も必要とされるものではない。
【００１６】イオン・ビーム20は、この技術分野で知ら
れた液体金属イオン源などのイオン源32を含むイオン・
ビーム・コラムにより従来の方法で発生される。イオン
・ビーム20は、最新技術水準のレンズ手段34および偏向
手段36により従来の方法で形成及び偏向される。
れた液体金属イオン源などのイオン源32を含むイオン・
ビーム・コラムにより従来の方法で発生される。イオン
・ビーム20は、最新技術水準のレンズ手段34および偏向
手段36により従来の方法で形成及び偏向される。
【００１７】イオン・ビーム20は、アパーチャ12及び14
に向けられ、目標物22に当り、二次荷電粒子28を放出す
る。二次荷電粒子は、容器10を通して検出器手段30に送
られて、目標表面の画像をもたらす。本技術分野におい
ては、本発明を二次イオンを用いて実施してもよいが一
部の以下の説明では二次電子が使用される。光電検知手
段である検出器手段30は、二次目標電子の画像またはパ
ターンに対応する電気信号をデジタル・コンピュータ手
段38に与え、上記コンピュータ手段は、ラスター機能に
よって、デイスプレイ手段40に該目標表面の表示をす
る。
に向けられ、目標物22に当り、二次荷電粒子28を放出す
る。二次荷電粒子は、容器10を通して検出器手段30に送
られて、目標表面の画像をもたらす。本技術分野におい
ては、本発明を二次イオンを用いて実施してもよいが一
部の以下の説明では二次電子が使用される。光電検知手
段である検出器手段30は、二次目標電子の画像またはパ
ターンに対応する電気信号をデジタル・コンピュータ手
段38に与え、上記コンピュータ手段は、ラスター機能に
よって、デイスプレイ手段40に該目標表面の表示をす
る。
【００１８】デイスプレイ手段40に収集された画像が修
理などの修整を必要とすることを示す場合、ガス・タン
ク24から管26を通り缶にガスが送り込まれる。第１タイ
プの粒子(金の原子、タングステンの原子、等)を含むガ
スは、下部アパーチャ14を通して缶10から出て、すぐ近
くの目標物表面22に吸着される。第２タイプの粒子(ガ
リウム・イオン)を含むイオン・ビーム20は、最小相互
作用でガスを通過し、目標物表面22に当り、吸着ガスを
分解して、分解された第１タイプの粒子(金属原子)がマ
スクまたはチップ表面22の修理を行う。
理などの修整を必要とすることを示す場合、ガス・タン
ク24から管26を通り缶にガスが送り込まれる。第１タイ
プの粒子(金の原子、タングステンの原子、等)を含むガ
スは、下部アパーチャ14を通して缶10から出て、すぐ近
くの目標物表面22に吸着される。第２タイプの粒子(ガ
リウム・イオン)を含むイオン・ビーム20は、最小相互
作用でガスを通過し、目標物表面22に当り、吸着ガスを
分解して、分解された第１タイプの粒子(金属原子)がマ
スクまたはチップ表面22の修理を行う。
【００１９】第１図に示す実施例では、320 pAのイオン
電流をサンプルに向けて得られる直径が約0.25ミクロン
で20 keVのガリウム・イオン・ビームを用いて、金のイ
オン・ビーム蒸着を行った。有機金属ガス(ジメチル金
ヘキサフルオロ・アセチルアセトネート)が、ガス送出
システムから流された。缶10のガス圧は約8ミリトール
であった。ガス缶の下部18とサンプル22の間の間隙は約
100 μmであった。分解時のイオン・ビーム蒸着材料は
約50原子％の金、50原子％の炭素であった。蒸着速度
は、１個の入射ガリウム・イオンあたり50個の蒸着原子
の歩留りに対応した毎秒約2立方ミクロンであった。サ
ンプルの画像は、イオン・ビームをサンプルの表面上で
ラスター走査したときに、サンプルから放出される二次
電子を検出することにより得られた。
電流をサンプルに向けて得られる直径が約0.25ミクロン
で20 keVのガリウム・イオン・ビームを用いて、金のイ
オン・ビーム蒸着を行った。有機金属ガス(ジメチル金
ヘキサフルオロ・アセチルアセトネート)が、ガス送出
システムから流された。缶10のガス圧は約8ミリトール
であった。ガス缶の下部18とサンプル22の間の間隙は約
100 μmであった。分解時のイオン・ビーム蒸着材料は
約50原子％の金、50原子％の炭素であった。蒸着速度
は、１個の入射ガリウム・イオンあたり50個の蒸着原子
の歩留りに対応した毎秒約2立方ミクロンであった。サ
ンプルの画像は、イオン・ビームをサンプルの表面上で
ラスター走査したときに、サンプルから放出される二次
電子を検出することにより得られた。
【００２０】第１図に示す発明の実施例でも、他の条件
下でガス送出を用いてイオン・ビーム蒸着を行った。タ
ングステン・カルボニル、ジメチル金トリフルオロ・ア
セチルアセトネート、およびトリメチルアミン・アルミ
ニウム・ハイドレートなどの有機金属ガス、およびスチ
レン、ブロモスチレン、Nフェニル・マレイミド、およ
びメルカプタンなどの有機ガスを使用した。缶10の代表
的なガス圧は、0.1〜20ミリトールの範囲であった。5〜
100 keVのビーム・エネルギーおよび10 pA〜10nAのガリ
ウム・イオン電流で、0.5ミクロン〜30ミクロンのビー
ム径を用いた。ガリウムは集束イオン・ビーム・システ
ムにおいて最も一般的に使用するイオン種であるが、任
意のイオン種を蒸着のために使用することができる。例
えば、2〜10 keVのヘリウム、ネオン、アルゴンおよび
キセノン・イオンの広い面積のビーム(直径約1 mm)を用
いて金を蒸着した。
下でガス送出を用いてイオン・ビーム蒸着を行った。タ
ングステン・カルボニル、ジメチル金トリフルオロ・ア
セチルアセトネート、およびトリメチルアミン・アルミ
ニウム・ハイドレートなどの有機金属ガス、およびスチ
レン、ブロモスチレン、Nフェニル・マレイミド、およ
びメルカプタンなどの有機ガスを使用した。缶10の代表
的なガス圧は、0.1〜20ミリトールの範囲であった。5〜
100 keVのビーム・エネルギーおよび10 pA〜10nAのガリ
ウム・イオン電流で、0.5ミクロン〜30ミクロンのビー
ム径を用いた。ガリウムは集束イオン・ビーム・システ
ムにおいて最も一般的に使用するイオン種であるが、任
意のイオン種を蒸着のために使用することができる。例
えば、2〜10 keVのヘリウム、ネオン、アルゴンおよび
キセノン・イオンの広い面積のビーム(直径約1 mm)を用
いて金を蒸着した。
【００２１】第２図は、発明のもう１つの実施例を示し
てあるが、これはガス送出システムを実現するための非
常に単純な方法で、中央に穴52を明けた１つの円筒形管
50を組み込んでいる。ここでは、第１図の電界または磁
界を含まないので、組立がより簡単になる。サンプル22
の近くの管50の表面は平らではなく丸いので、サンプル
と平行になるように充分に整列させる必要はなく、取扱
が簡単である。第２図の実施例は、管50に印加電界およ
び磁界がなくても、サンプルの適切な画像を検出器30
(第２図には示してない)にもたらすことができる。二次
電子が電界および磁界内で方向付けされなくても、画像
を得ることができる理由は、二次電子が、管の穴52を通
過する他に、管50の外側を通ることができるので、印加
電界および磁界はそれほど重要ではない。
てあるが、これはガス送出システムを実現するための非
常に単純な方法で、中央に穴52を明けた１つの円筒形管
50を組み込んでいる。ここでは、第１図の電界または磁
界を含まないので、組立がより簡単になる。サンプル22
の近くの管50の表面は平らではなく丸いので、サンプル
と平行になるように充分に整列させる必要はなく、取扱
が簡単である。第２図の実施例は、管50に印加電界およ
び磁界がなくても、サンプルの適切な画像を検出器30
(第２図には示してない)にもたらすことができる。二次
電子が電界および磁界内で方向付けされなくても、画像
を得ることができる理由は、二次電子が、管の穴52を通
過する他に、管50の外側を通ることができるので、印加
電界および磁界はそれほど重要ではない。
【００２２】本発明は、マスクまたはチップなどの目標
物における欠陥の画像による検出、および該欠陥の修理
に関して述べてきたが、本発明は当該申請書の内容に限
定されない。本発明は、品目を画像化して該品目の表面
の修整を行うことができ、品目の製造においても実用的
に用いることができる。例えば、この発明は画像化され
た目標物をエッチングするために用いることができる。
物における欠陥の画像による検出、および該欠陥の修理
に関して述べてきたが、本発明は当該申請書の内容に限
定されない。本発明は、品目を画像化して該品目の表面
の修整を行うことができ、品目の製造においても実用的
に用いることができる。例えば、この発明は画像化され
た目標物をエッチングするために用いることができる。
【図１】本発明の原理に基づくイオン・ビーム装置の概
略側面図である。
略側面図である。
【図２】本発明の原理に基づくイオン・ビーム装置のガ
ス容器部分のもう１つの実施例の概略側面図である。
ス容器部分のもう１つの実施例の概略側面図である。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 21/302 Ｄ 7353−4Ｍ Ｈ０５Ｈ 3/06 9014−2Ｇ (72)発明者 ジエームズ・ピーター・レビン アメリカ合衆国バーモント州ジエリチヨ、 クリスト・レーン22番地 (72)発明者 アルフレツド・ワーグナー アメリカ合衆国ニユーヨーク州ブレスタ ー、オーバールツク・ドライブ（番地な し）
Claims (19)
- 【請求項１】（a）第１アパーチャを有する上側部及び
上記第１アパーチャと同一直線上にある第２アパーチャ
を有する下側部を有する目標試料上に置かれたガス容器
手段と、（b）集束イオン・ビームが上記第１及び第２
アパーチャを通過して上記試料に達し、上記目標試料か
ら二次荷電粒子を放出させ、上記の放出された二次荷電
粒子が上記目標試料から上記第２及び第１アパーチャを
通して移動するところの、上記ガス容器手段の上に置か
れた集束イオン・ビームを発生させるためのイオン・ビ
ーム発生器と、（c）電子信号表示をもたらすように上
記第１のアパーチャを通り偏向されて移動する上記荷電
粒子を検出するための、上記容器手段の上記上側部の上
記第１アパーチャの近辺に置かれた荷電粒子検出手段と
を具備する、 イオン・ビーム装置。 - 【請求項２】上記の二次荷電粒子を各々上記下側部及び
上側部の上記第２及び第１アパーチャを通して上記目標
試料から離れるように偏向させるために、上記容器手段
内に荷電粒子偏向場を作り出すための上記容器手段に接
続された偏向手段をさらに具備する請求項１のイオン・
ビーム装置。 - 【請求項３】上記試料から放出される上記二次荷電粒子
が上記目標試料表面のパターンに対応するように上記荷
電粒子偏向手段が上記試料の表面上にラスター・パター
ンで上記イオン・ビームを偏向させる構成を具備する請
求項１のイオン・ビーム装置。 - 【請求項４】上記荷電粒子検出手段が、上記目標試料表
面の上記パターンに対応した電子信号を生成するため
に、上記検出手段上に偏向される上記二次荷電粒子に反
応する放射線感応手段を具備する請求項１のイオン・ビ
ーム装置。 - 【請求項５】上記荷電粒子検出手段が、上記二次荷電粒
子により生成される上記電子信号から得られる上記試料
表面の画像を生成して、上記試料表面の欠陥の有無を含
む上記試料表面のデイスプレイ表示をもたらすための、
上記放射線感応手段に接続されたデイスプレイ手段をさ
らに具備する請求項４のイオン・ビーム装置。 - 【請求項６】上記試料表面に吸着すべきガス含有体を上
記ガス容器手段に導くための上記容器に接続されたガス
供給手段をさらに具備し、上記ガスが、上記試料表面に
吸着するように、上記容器手段の上記下側部の上記第２
アパーチャを通過するように構成した請求項５のイオン
・ビーム装置。 - 【請求項７】金属原子を含んだガスを上記ガス容器手段
に導くための上記容器に接続されたガス供給手段を具備
し、上記金属原子を含んだ上記ガスが、上記試料表面に
吸着するように上記容器手段の上記下側の上記第２アパ
ーチャを通過し、 上記集束イオン・ビームが、上記吸着ガス及び上記試料
表面に吸着された金属原子に向けられて、上記金属原子
及び上記ガスを分解し、上記金属原子を上記試料表面に
蒸着させるよう構成した請求項６のイオン・ビーム装
置。 - 【請求項８】反応種を含んだガスを上記ガス容器手段に
入れるための上記容器に接続されたガス供給手段を具備
し、上記反応種を含んだ上記ガスが、上記試料表面に吸
着するように上記容器の上記下側部の上記第２アパーチ
ャを通過し、 上記集束イオン・ビームが、上記吸着ガスおよび上記試
料表面に吸着された反応種に向けられて、上記試料表面
を修整する様構成した請求項６のイオン・ビーム装置。 - 【請求項９】上記集束イオン・ビームが、上記試料表面
の上記欠陥へ上記偏向手段により偏向され、上記試料表
面の欠陥位置に、上記金属原子が付着する様構成した請
求項７のイオン・ビーム装置。 - 【請求項10】上記集束イオン・ビームの方向が上記目標
試料の表面に対して略垂直である請求項７のイオン・ビ
ーム装置。 - 【請求項11】上記荷電粒子が電子である請求項７のイオ
ン・ビーム構造。 - 【請求項12】上記ガス容器が平行な上側部及び下側部を
有する円筒形の缶である請求項７のイオン・ビーム装
置。 - 【請求項13】上記ガス容器が、上側部及び下側部に上記
第１及び第２アパーチャを有する上記試料上に置かれた
弧状の管である請求項７のイオン・ビーム装置。 - 【請求項14】上記目標試料表面から二次荷電粒子を放出
させるために、集束イオン・ビームをガス容器の第１及
び第２アパーチャを通り上記目標試料に達するように指
向するステップと、 上記二次荷電粒子を、上記目標試料から上記ガス容器の
上記第２及び第１アパーチャを通過するように偏向させ
るステップ、および上記第１アパーチャを通り偏向され
た上記二次荷電粒子を検出するステップとを含む、 目標試料表面を画像処理及び修整するための方法。 - 【請求項15】上記偏向ステップにおいて、上記イオン・
ビームがラスター・パターンで上記目標試料の表面上に
偏向され、上記目標試料から放出される上記二次荷電粒
子が上記目標試料表面のパターンに対応する請求項１４
の方法。 - 【請求項16】上記荷電粒子検出ステップが、上記目標試
料表面の上記パターンに対応する電子信号を生成するた
めの上記二次荷電粒子の検出を含む請求項１５の方法。 - 【請求項17】上記荷電粒子検出ステップが、上記二次荷
電粒子により生成される上記電子信号から得られる上記
試料表面の画像の生成及び表示をさらに含む請求項１６
の方法。 - 【請求項18】上記金属原子を含んだ上記ガスが上記第２
アパーチャを通過し、上記目標試料表面に吸着されるよ
うに、金属原子を含むガスを上記ガス容器に入れるステ
ップと、 上記金属原子及び上記ガスを分解させ、上記金属原子を
上記目標試料表面に付着させるために、上記集束イオン
・ビームを上記吸着ガスおよび上記目標試料表面に吸着
された金属原子に指向させるステップとをさらに含む請
求項１７の方法。 - 【請求項19】上記反応種を含んだ上記ガスが上記第２ア
パーチャを通過して上記目標試料表面に吸着されるよう
に、反応種を含んだガスを上記ガス容器に導くステップ
と、 上記試料表面を修整させるために、上記集束イオン・ビ
ームを上記吸着ガス及び上記目標試料表面に吸着された
反応種に指向させる、ステップとをさらに含む請求項１
７の方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US07/605,601 US5149974A (en) | 1990-10-29 | 1990-10-29 | Gas delivery for ion beam deposition and etching |
| US605601 | 1990-10-29 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05114381A true JPH05114381A (ja) | 1993-05-07 |
| JP2519361B2 JP2519361B2 (ja) | 1996-07-31 |
Family
ID=24424390
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3273549A Expired - Lifetime JP2519361B2 (ja) | 1990-10-29 | 1991-09-26 | イオン・ビ―ム装置 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5149974A (ja) |
| EP (1) | EP0483517A3 (ja) |
| JP (1) | JP2519361B2 (ja) |
Families Citing this family (33)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| US5873985A (en) * | 1991-04-11 | 1999-02-23 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Process of making squid device having tilt-boundary junction |
| DE4340956C2 (de) * | 1993-12-01 | 2002-08-22 | Advantest Corp | Verfahren und Vorrichtung zur Bearbeitung einer Probe |
| JP3310136B2 (ja) * | 1994-09-17 | 2002-07-29 | 株式会社東芝 | 荷電ビーム装置 |
| US5700526A (en) * | 1995-05-04 | 1997-12-23 | Schlumberger Technologies Inc. | Insulator deposition using focused ion beam |
| JP3464320B2 (ja) * | 1995-08-02 | 2003-11-10 | 株式会社荏原製作所 | 高速原子線を用いた加工方法及び加工装置 |
| US5851413A (en) * | 1996-06-19 | 1998-12-22 | Micrion Corporation | Gas delivery systems for particle beam processing |
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| US6949756B2 (en) | 2000-01-21 | 2005-09-27 | Fei Company | Shaped and low density focused ion beams |
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| US7258901B1 (en) * | 2000-09-08 | 2007-08-21 | Fei Company | Directed growth of nanotubes on a catalyst |
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1990
- 1990-10-29 US US07/605,601 patent/US5149974A/en not_active Expired - Fee Related
-
1991
- 1991-09-26 JP JP3273549A patent/JP2519361B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 1991-09-27 EP EP19910116508 patent/EP0483517A3/en not_active Withdrawn
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01181528A (ja) * | 1988-01-11 | 1989-07-19 | Seiko Instr & Electron Ltd | イオンビーム加工装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0483517A3 (en) | 1992-05-27 |
| JP2519361B2 (ja) | 1996-07-31 |
| EP0483517A2 (en) | 1992-05-06 |
| US5149974A (en) | 1992-09-22 |
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