JPH05132771A - スパツタ装置およびその方法 - Google Patents
スパツタ装置およびその方法Info
- Publication number
- JPH05132771A JPH05132771A JP29614691A JP29614691A JPH05132771A JP H05132771 A JPH05132771 A JP H05132771A JP 29614691 A JP29614691 A JP 29614691A JP 29614691 A JP29614691 A JP 29614691A JP H05132771 A JPH05132771 A JP H05132771A
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- Japan
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- sputtering
- target
- magnet
- magnetic field
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 スパッタ装置およびその方法に関し，安定し
た膜質を得ることを目的とする。 【構成】 １）スパッタ室１内にセットされたスパッタ
材料であるターゲット７と該ターゲットの裏面に設けら
れ且つ該ターゲット表面に磁場を与える磁石５との距離
を可変にできる該磁石の移動装置13を有するように構成
する。 ２）上記のスパッタ装置を用い，スパッタ中放電電力を
一定に保ち, 放電電圧が一定になるように前記ターゲッ
ト７と前記磁石５との距離を制御するように構成する。
た膜質を得ることを目的とする。 【構成】 １）スパッタ室１内にセットされたスパッタ
材料であるターゲット７と該ターゲットの裏面に設けら
れ且つ該ターゲット表面に磁場を与える磁石５との距離
を可変にできる該磁石の移動装置13を有するように構成
する。 ２）上記のスパッタ装置を用い，スパッタ中放電電力を
一定に保ち, 放電電圧が一定になるように前記ターゲッ
ト７と前記磁石５との距離を制御するように構成する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はスパッタ装置およびその
方法に関する。スパッタ装置は半導体装置やLCD 装置の
製造プロセスにおいて，種々の膜の成膜に広く用いられ
ている。
方法に関する。スパッタ装置は半導体装置やLCD 装置の
製造プロセスにおいて，種々の膜の成膜に広く用いられ
ている。
【０００２】近年，スパッタによる成膜工程では，マグ
ネトロンスパッタの磁場強度や, 放電電圧および放電電
力等によっても膜質が変化することが分かってきた。す
なわち被着膜の結晶粒径, 配向性, 比抵抗, スパッタガ
スの吸蔵量等が変化する。
ネトロンスパッタの磁場強度や, 放電電圧および放電電
力等によっても膜質が変化することが分かってきた。す
なわち被着膜の結晶粒径, 配向性, 比抵抗, スパッタガ
スの吸蔵量等が変化する。
【０００３】本来, スパッタ法は比較的安定な成膜方法
であるが, スパッタの進行に伴いターゲットの厚さは変
化していき, それに伴って系のインピーダンスが変化
し，通常は放電電力一定で制御しているので磁場強度お
よび放電電圧は変化してしまうことになる。
であるが, スパッタの進行に伴いターゲットの厚さは変
化していき, それに伴って系のインピーダンスが変化
し，通常は放電電力一定で制御しているので磁場強度お
よび放電電圧は変化してしまうことになる。
【０００４】
【従来の技術】従来は, 上記の磁場強度および放電電圧
の変化は成り行きのままスパッタを行っていた。
の変化は成り行きのままスパッタを行っていた。
【０００５】図２は従来例によるプレーナ型マグネトロ
ンスパッタ装置の断面図である。図において，１はスパ
ッタ室，２はガス導入口，３は排気口，４はバッキング
プレート，５は永久磁石，６はモータ，７はターゲッ
ト，８は被成膜サブストレートである。
ンスパッタ装置の断面図である。図において，１はスパ
ッタ室，２はガス導入口，３は排気口，４はバッキング
プレート，５は永久磁石，６はモータ，７はターゲッ
ト，８は被成膜サブストレートである。
【０００６】プレーナ型では，全面エロージョン化する
方法として殆どが永久磁石５を回転させる構造がとられ
ている。
方法として殆どが永久磁石５を回転させる構造がとられ
ている。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】従来例ではスパッタ中
は放電電力一定で制御しているので磁場強度および放電
電圧は変化してしまい，成膜の膜質が安定しなかった。
は放電電力一定で制御しているので磁場強度および放電
電圧は変化してしまい，成膜の膜質が安定しなかった。
【０００８】本発明はターゲット表面での磁場強度およ
び放電電圧を一定に制御できるスパッタ装置を提供し，
安定した膜質を得ることを目的とする。
び放電電圧を一定に制御できるスパッタ装置を提供し，
安定した膜質を得ることを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】上記課題の解決は， １）スパッタ室１内にセットされたスパッタ材料である
ターゲット７と該ターゲットの裏面に設けられ且つ該タ
ーゲット表面に磁場を与える磁石５との距離を可変にで
きる該磁石の移動装置13を有するスパッタ装置, あるい
は ２）前記１）記載のスパッタ装置を用い，スパッタ中放
電電力を一定に保ち,放電電圧が一定になるように前記
ターゲット７と前記磁石５との距離を制御するスパッタ
方法により達成される。
ターゲット７と該ターゲットの裏面に設けられ且つ該タ
ーゲット表面に磁場を与える磁石５との距離を可変にで
きる該磁石の移動装置13を有するスパッタ装置, あるい
は ２）前記１）記載のスパッタ装置を用い，スパッタ中放
電電力を一定に保ち,放電電圧が一定になるように前記
ターゲット７と前記磁石５との距離を制御するスパッタ
方法により達成される。
【００１０】
【作用】本発明者は，ターゲット材料，ガス種，ガス圧
力，放電電力が一定ならば，磁場強度と放電電圧は簡単
な関係を持つことに着目して，本発明はターゲットが消
耗していったときのターゲットの厚さの変化による磁場
の変化をなくすることにより，放電電圧を一定に保つこ
とができることを利用した。しかし，実際には磁場強度
をモニタすることは困難であるので，或る放電電力に対
する適性な放電電圧になるように磁石の位置を制御する
ようにした。
力，放電電力が一定ならば，磁場強度と放電電圧は簡単
な関係を持つことに着目して，本発明はターゲットが消
耗していったときのターゲットの厚さの変化による磁場
の変化をなくすることにより，放電電圧を一定に保つこ
とができることを利用した。しかし，実際には磁場強度
をモニタすることは困難であるので，或る放電電力に対
する適性な放電電圧になるように磁石の位置を制御する
ようにした。
【００１１】以上により，ターゲット材料，ガス種，ガ
ス圧力，放電電力が一定ならばスパッタ面の磁場強度と
放電電圧の安定化がはかれる。この結果，安定した膜質
の成膜が可能となる。
ス圧力，放電電力が一定ならばスパッタ面の磁場強度と
放電電圧の安定化がはかれる。この結果，安定した膜質
の成膜が可能となる。
【００１２】
【実施例】図１は本発明の実施例によるプレーナ型マグ
ネトロンスパッタ装置の断面図である。
ネトロンスパッタ装置の断面図である。
【００１３】図において，１はスパッタ室，２はガス導
入口，３は排気口，４はバッキングプレート，５は永久
磁石，６は磁石回転用モータ，７はターゲット，８はサ
ブストレート，９はスパッタ電源，10はコンピュータ,
11はモータ制御回路, 12は磁石移動用モータ, 13は磁石
移動装置である。
入口，３は排気口，４はバッキングプレート，５は永久
磁石，６は磁石回転用モータ，７はターゲット，８はサ
ブストレート，９はスパッタ電源，10はコンピュータ,
11はモータ制御回路, 12は磁石移動用モータ, 13は磁石
移動装置である。
【００１４】スパッタ電源９は出力電力または出力電流
を一定に保つように制御できる電源装置であり，その出
力量はコンピュータまたは電源装置自身で設定できる。
コンピュータ10は制御すべき電圧値を設定し，スパッタ
電源９の出力電圧をモニタし，電圧値が設定値になるよ
うにマグネットの位置を変えるようにモータ制御回路11
に指令を与える。
を一定に保つように制御できる電源装置であり，その出
力量はコンピュータまたは電源装置自身で設定できる。
コンピュータ10は制御すべき電圧値を設定し，スパッタ
電源９の出力電圧をモニタし，電圧値が設定値になるよ
うにマグネットの位置を変えるようにモータ制御回路11
に指令を与える。
【００１５】また, モータ制御回路11はモータを動かす
ための制御装置であり, 磁石移動用モータ12はマグネッ
トを移動するためのモータであり，磁石移動装置13はマ
グネットを直線上に移動するための移動機構である。
ための制御装置であり, 磁石移動用モータ12はマグネッ
トを移動するためのモータであり，磁石移動装置13はマ
グネットを直線上に移動するための移動機構である。
【００１６】
【発明の効果】本発明によれば，ターゲット表面での磁
場強度および放電電圧を一定に制御でき，安定した膜質
を得ることができるようになった。この結果,ターゲッ
トの厚さの変化による膜質の変化が抑制され，被着膜の
結晶粒径,配向性, 比抵抗, スパッタガスの吸蔵量等が
安定化する。
場強度および放電電圧を一定に制御でき，安定した膜質
を得ることができるようになった。この結果,ターゲッ
トの厚さの変化による膜質の変化が抑制され，被着膜の
結晶粒径,配向性, 比抵抗, スパッタガスの吸蔵量等が
安定化する。
【図１】 本発明の実施例によるプレーナ型マグネトロ
ンスパッタ装置の断面図
ンスパッタ装置の断面図
【図２】 従来例によるプレーナ型マグネトロンスパッ
タ装置の断面図
タ装置の断面図
１ スパッタ室 ２ ガス導入口 ３ スパッタ室の排気口 ４ バッキングプレート ５ 永久磁石 ６ 磁石回転用モータ ７ ターゲット ８ サブストレート ９ スパッタ電源 10 コンピュータ 11 モータ制御回路 12 磁石移動用モータ 13 磁石移動装置
Claims (2)
- 【請求項１】 スパッタ室(1) 内にセットされたスパッ
タ材料であるターゲット(7) と該ターゲットの裏面に設
けられ且つ該ターゲット表面に磁場を与える磁石(5) と
の距離を可変にできる該磁石の移動装置(13)を有するこ
とを特徴とするスパッタ装置。 - 【請求項２】 請求項１記載のスパッタ装置を用い，ス
パッタ中放電電力を一定に保ち, 放電電圧が一定になる
ように前記ターゲット(7) と前記磁石(5) との距離を制
御することを特徴とするスパッタ方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29614691A JPH05132771A (ja) | 1991-11-13 | 1991-11-13 | スパツタ装置およびその方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29614691A JPH05132771A (ja) | 1991-11-13 | 1991-11-13 | スパツタ装置およびその方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05132771A true JPH05132771A (ja) | 1993-05-28 |
Family
ID=17829747
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP29614691A Withdrawn JPH05132771A (ja) | 1991-11-13 | 1991-11-13 | スパツタ装置およびその方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05132771A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2006019981A3 (en) * | 2004-07-16 | 2006-10-05 | Dexter Magnetic Technologies I | Sputtering magnetron control devices |
| JP2010031383A (ja) * | 2009-11-09 | 2010-02-12 | Canon Anelva Corp | プラズマ支援スパッタ成膜装置 |
| WO2010076862A1 (ja) * | 2008-12-29 | 2010-07-08 | キヤノンアネルバ株式会社 | 均一膜厚分布のためのスパッタ装置の磁界制御 |
| US9066004B2 (en) | 2007-04-12 | 2015-06-23 | Sony Corporation | Auto-focus apparatus, image pick-up apparatus, and auto-focus method for focusing using evaluation values |
| JP2020026539A (ja) * | 2018-08-09 | 2020-02-20 | 株式会社アルバック | イオンビームスパッタリング装置及びイオンビームスパッタリング方法 |
-
1991
- 1991-11-13 JP JP29614691A patent/JPH05132771A/ja not_active Withdrawn
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2006019981A3 (en) * | 2004-07-16 | 2006-10-05 | Dexter Magnetic Technologies I | Sputtering magnetron control devices |
| US9066004B2 (en) | 2007-04-12 | 2015-06-23 | Sony Corporation | Auto-focus apparatus, image pick-up apparatus, and auto-focus method for focusing using evaluation values |
| WO2010076862A1 (ja) * | 2008-12-29 | 2010-07-08 | キヤノンアネルバ株式会社 | 均一膜厚分布のためのスパッタ装置の磁界制御 |
| JP4763857B2 (ja) * | 2008-12-29 | 2011-08-31 | キヤノンアネルバ株式会社 | 均一膜厚分布のためのスパッタ装置の磁界制御 |
| US8778145B2 (en) | 2008-12-29 | 2014-07-15 | Canon Anelva Corporation | Magnetic field control for uniform film thickness distribution in sputter apparatus |
| JP2010031383A (ja) * | 2009-11-09 | 2010-02-12 | Canon Anelva Corp | プラズマ支援スパッタ成膜装置 |
| JP2020026539A (ja) * | 2018-08-09 | 2020-02-20 | 株式会社アルバック | イオンビームスパッタリング装置及びイオンビームスパッタリング方法 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19990204 |