JPH05235747A - ダイナミックplaの低消費電力化方法 - Google Patents
ダイナミックplaの低消費電力化方法Info
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- JPH05235747A JPH05235747A JP4033763A JP3376392A JPH05235747A JP H05235747 A JPH05235747 A JP H05235747A JP 4033763 A JP4033763 A JP 4033763A JP 3376392 A JP3376392 A JP 3376392A JP H05235747 A JPH05235747 A JP H05235747A
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- 238000000034 method Methods 0.000 title description 17
- 230000002265 prevention Effects 0.000 claims abstract description 16
- 238000007493 shaping process Methods 0.000 claims description 10
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 7
- 102100026918 Phospholipase A2 Human genes 0.000 description 2
- 101710096328 Phospholipase A2 Proteins 0.000 description 2
- 230000001360 synchronised effect Effects 0.000 description 2
- 101150052012 PPP1R14B gene Proteins 0.000 description 1
- 101100013829 Zea mays PHI1 gene Proteins 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
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- Power Sources (AREA)
- Logic Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 マイクロプロセッサが特定の命令を実行する
際に使用されるダイナミックPLAにおいて、ダイナミ
ックPLAを機能的に使用しない場合に、機能的に意味
のない入力信号が印加されても余分な電力の消費を防止
する。 【構成】 プリチャージ防止用トランジスタ6は、AN
D平面トランジスタアレイ3とプリチャージ用Pチャン
ネルトランジスタ7との間に備えられている。プリチャ
ージ防止用トランジスタ11は、OR平面トランジスタ
アレイ10とプリチャージ用Pチャンネルトランジスタ
13との間に備えられている。プリチャージ防止用トラ
ンジスタ6,11は、マイクロプロセッサの命令をデコ
ードする命令デコーダにより出力されるPLA制御信号
4により、動作が制御される。
際に使用されるダイナミックPLAにおいて、ダイナミ
ックPLAを機能的に使用しない場合に、機能的に意味
のない入力信号が印加されても余分な電力の消費を防止
する。 【構成】 プリチャージ防止用トランジスタ6は、AN
D平面トランジスタアレイ3とプリチャージ用Pチャン
ネルトランジスタ7との間に備えられている。プリチャ
ージ防止用トランジスタ11は、OR平面トランジスタ
アレイ10とプリチャージ用Pチャンネルトランジスタ
13との間に備えられている。プリチャージ防止用トラ
ンジスタ6,11は、マイクロプロセッサの命令をデコ
ードする命令デコーダにより出力されるPLA制御信号
4により、動作が制御される。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、ダイナミックPLAの
低消費電力化方法に関し、特にマイクロプロセッサが特
定の命令を実行する際に使用されるダイナミックPLA
の低消費電力化方法に関する。
低消費電力化方法に関し、特にマイクロプロセッサが特
定の命令を実行する際に使用されるダイナミックPLA
の低消費電力化方法に関する。
【0002】
【従来の技術】従来のダイナミックPLAとしては、図
5に示すような回路がある。図5に示す従来のダイナミ
ックPLAは、AND平面トランジスタアレイ3、OR
平面トランジスタアレイ10、波形整形回路9、入力バ
ッファ2、出力バッファ14、プリチャージ用Pチャン
ネルトランジスタ7,13、及びマスク回路17で構成
されている。入力信号1は、入力バッファ2を介してA
ND平面トランジスタアレイ3に入力されAND平面出
力ライン8に結果が出力される。AND平面における出
力結果は、波形整形回路9で波形整形されてOR平面ト
ランジスタアレイ10に出力され、OR平面ライン12
に結果が出力される。ダイナミックPLAを機能的に使
用しない場合は、出力バッファ14の出力をマスク信号
18及びマスク回路17で制御して、ダイナミックPL
Aに入力された機能的に意味のない入力信号に対してダ
イナミックPLAの出力が変化することを防いでいる。
5に示すような回路がある。図5に示す従来のダイナミ
ックPLAは、AND平面トランジスタアレイ3、OR
平面トランジスタアレイ10、波形整形回路9、入力バ
ッファ2、出力バッファ14、プリチャージ用Pチャン
ネルトランジスタ7,13、及びマスク回路17で構成
されている。入力信号1は、入力バッファ2を介してA
ND平面トランジスタアレイ3に入力されAND平面出
力ライン8に結果が出力される。AND平面における出
力結果は、波形整形回路9で波形整形されてOR平面ト
ランジスタアレイ10に出力され、OR平面ライン12
に結果が出力される。ダイナミックPLAを機能的に使
用しない場合は、出力バッファ14の出力をマスク信号
18及びマスク回路17で制御して、ダイナミックPL
Aに入力された機能的に意味のない入力信号に対してダ
イナミックPLAの出力が変化することを防いでいる。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
た従来のダイナミックPLAでは、ダイナミックPLA
を機能的に使用しない場合においても機能的に意味のな
い入力信号に応じてダイナミックPLA内部のトランジ
スタアレイ等が動作し、AND平面出力ライン8及びO
R平面ライン12においてプリチャージ及びディスチャ
ージが繰り返され、不必要な動作により余分な電力を消
費してしまうという問題点がある。
た従来のダイナミックPLAでは、ダイナミックPLA
を機能的に使用しない場合においても機能的に意味のな
い入力信号に応じてダイナミックPLA内部のトランジ
スタアレイ等が動作し、AND平面出力ライン8及びO
R平面ライン12においてプリチャージ及びディスチャ
ージが繰り返され、不必要な動作により余分な電力を消
費してしまうという問題点がある。
【0004】本発明はかかる問題点に鑑みてなされたも
のであって、マイクロプロセッサが特定の命令を実行す
る際に使用されるダイナミックPLAにおいて、ダイナ
ミックPLAを機能的に使用しない場合に、機能的に意
味のない入力信号が印加されても余分な電力を消費しな
いダイナミックPLAの低消費電力化方法を提供するこ
とを目的とする。
のであって、マイクロプロセッサが特定の命令を実行す
る際に使用されるダイナミックPLAにおいて、ダイナ
ミックPLAを機能的に使用しない場合に、機能的に意
味のない入力信号が印加されても余分な電力を消費しな
いダイナミックPLAの低消費電力化方法を提供するこ
とを目的とする。
【0005】
【課題を解決するための手段】本発明に係るダイナミッ
クPLAの低消費電力化方法は、マイクロプロセッサの
命令デコード時にPLA制御信号を生成する手段と、A
ND平面トランジスタアレイと、OR平面トランジスタ
アレイと、前記AND平面トランジスタアレイの出力ラ
インをプリチャージするトランジスタと、前記OR平面
トランジスタアレイの出力ラインをプリチャージするト
ランジスタと、前記AND平面トランジスタアレイの出
力を入力し波形整形して前記OR平面トランジスタアレ
イに出力する波形整形手段とを有するダイナミックPL
Aにおいて、前記AND平面トランジスタアレイと前記
AND平面トランジスタアレイの出力ラインをプリチャ
ージするトランジスタとの間にかつ前記AND平面トラ
ンジスタアレイの出力ラインに対して直角に接続され前
記PLA制御信号によりゲートを制御されるAND平面
プリチャージ防止用トランジスタと、前記OR平面トラ
ンジスタアレイと前記OR平面トランジスタアレイの出
力ラインをプリチャージするトランジスタとの間にかつ
前記OR平面トランジスタアレイの出力ラインに対して
直角に接続され前記PLA制御信号によりゲートを制御
されるOR平面プリチャージ防止用トランジスタとを有
することを特徴とする。
クPLAの低消費電力化方法は、マイクロプロセッサの
命令デコード時にPLA制御信号を生成する手段と、A
ND平面トランジスタアレイと、OR平面トランジスタ
アレイと、前記AND平面トランジスタアレイの出力ラ
インをプリチャージするトランジスタと、前記OR平面
トランジスタアレイの出力ラインをプリチャージするト
ランジスタと、前記AND平面トランジスタアレイの出
力を入力し波形整形して前記OR平面トランジスタアレ
イに出力する波形整形手段とを有するダイナミックPL
Aにおいて、前記AND平面トランジスタアレイと前記
AND平面トランジスタアレイの出力ラインをプリチャ
ージするトランジスタとの間にかつ前記AND平面トラ
ンジスタアレイの出力ラインに対して直角に接続され前
記PLA制御信号によりゲートを制御されるAND平面
プリチャージ防止用トランジスタと、前記OR平面トラ
ンジスタアレイと前記OR平面トランジスタアレイの出
力ラインをプリチャージするトランジスタとの間にかつ
前記OR平面トランジスタアレイの出力ラインに対して
直角に接続され前記PLA制御信号によりゲートを制御
されるOR平面プリチャージ防止用トランジスタとを有
することを特徴とする。
【0006】
【作用】本発明に係るダイナミックPLAの低消費電力
化方法においては、マイクロプロセッサが特定の命令を
実行する際に使用されるダイナミックPLAにおいて、
PLA制御信号を生成する手段は、マイクロプロセッサ
の命令をデコードしてダイナミックPLAを機能的に使
用しない場合にPLA制御信号を出力する。AND平面
プリチャージ防止用トランジスタは、PLA制御信号を
入力するとAND平面トランジスタアレイ及びAND平
面トランジスタアレイの出力ラインがプリチャージされ
るのを防止する。OR平面プリチャージ防止用トランジ
スタは、PLA制御信号を入力するとOR平面トランジ
スタアレイ及びOR平面トランジスタアレイの出力ライ
ンがプリチャージされるのを防止する。これらにより、
本発明に係るダイナミックPLAの低消費電力化方法を
用いたダイナミックPLAは、このダイナミックPLA
を機能的に使用しない場合に、ダイナミックPLAを構
成するトランジスタアレイに対するプリチャージを阻止
するため、ダイナミックPLAにおける無意味な動作を
阻止してダイナミックPLAにおける消費電力を殆どゼ
ロまで低減することができる。
化方法においては、マイクロプロセッサが特定の命令を
実行する際に使用されるダイナミックPLAにおいて、
PLA制御信号を生成する手段は、マイクロプロセッサ
の命令をデコードしてダイナミックPLAを機能的に使
用しない場合にPLA制御信号を出力する。AND平面
プリチャージ防止用トランジスタは、PLA制御信号を
入力するとAND平面トランジスタアレイ及びAND平
面トランジスタアレイの出力ラインがプリチャージされ
るのを防止する。OR平面プリチャージ防止用トランジ
スタは、PLA制御信号を入力するとOR平面トランジ
スタアレイ及びOR平面トランジスタアレイの出力ライ
ンがプリチャージされるのを防止する。これらにより、
本発明に係るダイナミックPLAの低消費電力化方法を
用いたダイナミックPLAは、このダイナミックPLA
を機能的に使用しない場合に、ダイナミックPLAを構
成するトランジスタアレイに対するプリチャージを阻止
するため、ダイナミックPLAにおける無意味な動作を
阻止してダイナミックPLAにおける消費電力を殆どゼ
ロまで低減することができる。
【0007】
【実施例】次に、本発明の実施例について添付の図面を
参照して説明する。
参照して説明する。
【0008】図1は、本発明の第1の実施例に係るダイ
ナミックPLAの低消費電力化方法を示す回路図であ
る。なお図1において、図5に示す従来のダイナミック
PLAと同一の構成部には、同一符号を付して説明を省
略する。図1に示す本第1の実施例に係るダイナミック
PLAにおいて、図5に示す従来のダイナミックPLA
に対して異なる構成部分は、図5におけるマスク回路1
7及びマスク信号18が削除されている部分と、AND
平面出力ライン8とプリチャージ用Pチャンネルトラン
ジスタ7との間にプリチャージ防止用トランジスタ6が
構成され、OR平面出力ライン12とプリチャージ用P
チャンネルトランジスタ13との間にプリチャージ防止
用トランジスタ11が構成されている部分である。
ナミックPLAの低消費電力化方法を示す回路図であ
る。なお図1において、図5に示す従来のダイナミック
PLAと同一の構成部には、同一符号を付して説明を省
略する。図1に示す本第1の実施例に係るダイナミック
PLAにおいて、図5に示す従来のダイナミックPLA
に対して異なる構成部分は、図5におけるマスク回路1
7及びマスク信号18が削除されている部分と、AND
平面出力ライン8とプリチャージ用Pチャンネルトラン
ジスタ7との間にプリチャージ防止用トランジスタ6が
構成され、OR平面出力ライン12とプリチャージ用P
チャンネルトランジスタ13との間にプリチャージ防止
用トランジスタ11が構成されている部分である。
【0009】図3は、本発明の第1の実施例に係るダイ
ナミックPLAの低消費電力化方法を用いたマイクロコ
ンピュータシステムを示すブロック図である。図3に示
すマイクロコンピュータシステムは、マイクロコードR
OM23,マイクロプログラムカウンタ24及び命令デ
コーダ22により構成されるマイクロシーケンサと、命
令デコーダ22の出力信号を入力として非例外処理時に
データパス19に対して制御信号を出力する非例外処理
用ダイナミックPLA20と、命令デコーダ22の出力
信号を入力として例外処理時にデータパス19に対して
制御信号を出力する例外処理用ダイナミックPLA21
とで構成されている。例外処理用ダイナミックPLA2
1は、図1に示すような構成になっている。
ナミックPLAの低消費電力化方法を用いたマイクロコ
ンピュータシステムを示すブロック図である。図3に示
すマイクロコンピュータシステムは、マイクロコードR
OM23,マイクロプログラムカウンタ24及び命令デ
コーダ22により構成されるマイクロシーケンサと、命
令デコーダ22の出力信号を入力として非例外処理時に
データパス19に対して制御信号を出力する非例外処理
用ダイナミックPLA20と、命令デコーダ22の出力
信号を入力として例外処理時にデータパス19に対して
制御信号を出力する例外処理用ダイナミックPLA21
とで構成されている。例外処理用ダイナミックPLA2
1は、図1に示すような構成になっている。
【0010】次に、上述の如く構成された本第1の実施
例に係るダイナミックPLAの低消費電力化方法の動作
について説明する。図3における命令デコーダ22は、
例外処理を必要としない命令をデコードしたとき、PL
A制御信号4を用いて例外処理用ダイナミックPLA2
1の消費電力を低減させるような制御をする。PLA制
御信号4は、命令デコーダ22において例外処理用ダイ
ナミックPLA21を機能的に使用する命令を処理する
期間中は“H”となっている。
例に係るダイナミックPLAの低消費電力化方法の動作
について説明する。図3における命令デコーダ22は、
例外処理を必要としない命令をデコードしたとき、PL
A制御信号4を用いて例外処理用ダイナミックPLA2
1の消費電力を低減させるような制御をする。PLA制
御信号4は、命令デコーダ22において例外処理用ダイ
ナミックPLA21を機能的に使用する命令を処理する
期間中は“H”となっている。
【0011】PLA制御信号4が“H”のときは、図1
におけるプリチャージ防止用トランジスタ6及び11を
構成するNチャンネルトランジスタは導通状態となり、
図1に示すダイナミックPLAは入力信号1に応じて出
力信号15を生成する通常のダイナミックPLAとして
動作する。
におけるプリチャージ防止用トランジスタ6及び11を
構成するNチャンネルトランジスタは導通状態となり、
図1に示すダイナミックPLAは入力信号1に応じて出
力信号15を生成する通常のダイナミックPLAとして
動作する。
【0012】このときの動作について図2を参照して説
明する。図2は、図1に示す本第1の実施例に係るダイ
ナミックPLAの各部の動作タイミングを示すタイミン
グチャートである。PHI1信号に同期したプリチャー
ジ用クロック信号5で駆動されるプリチャージ用Pチャ
ンネルトランジスタ7及び13は、AND平面トランジ
スタアレイ3及びOR平面トランジスタアレイ10にお
けるAND平面出力ライン8及びOR平面出力ライン1
2を“H”にプリチャージする。PHI2信号に同期し
た入力信号1は、入力バッファ2を介してAND平面ト
ランジスタアレイ3におけるNチャンネルトランジスタ
のゲートを制御し、プリチャージされたAND平面出力
ライン8の電荷をディスチャージする。AND平面出力
ライン8における信号は、波形整形回路9を経てOR平
面トランジスタアレイ10におけるNチャンネルトラン
ジスタのゲートを制御し、プリチャージされたOR平面
出力ライン12の電荷をディスチャージする。OR平面
出力ライン12における信号は、PHI2信号に同期し
た動作をする出力バッファ14により出力端子15に出
力される。
明する。図2は、図1に示す本第1の実施例に係るダイ
ナミックPLAの各部の動作タイミングを示すタイミン
グチャートである。PHI1信号に同期したプリチャー
ジ用クロック信号5で駆動されるプリチャージ用Pチャ
ンネルトランジスタ7及び13は、AND平面トランジ
スタアレイ3及びOR平面トランジスタアレイ10にお
けるAND平面出力ライン8及びOR平面出力ライン1
2を“H”にプリチャージする。PHI2信号に同期し
た入力信号1は、入力バッファ2を介してAND平面ト
ランジスタアレイ3におけるNチャンネルトランジスタ
のゲートを制御し、プリチャージされたAND平面出力
ライン8の電荷をディスチャージする。AND平面出力
ライン8における信号は、波形整形回路9を経てOR平
面トランジスタアレイ10におけるNチャンネルトラン
ジスタのゲートを制御し、プリチャージされたOR平面
出力ライン12の電荷をディスチャージする。OR平面
出力ライン12における信号は、PHI2信号に同期し
た動作をする出力バッファ14により出力端子15に出
力される。
【0013】一方、PLA制御信号4が“L”のとき
は、図2に示すマイクロコンピュータシステムにおいて
は例外処理用ダイナミックPLA21を機能的に使用し
ない命令を処理する期間であるため、この期間に例外処
理用ダイナミックPLA21を動作させることは電力を
無駄に消費させることになる。PLA制御信号4が
“L”のとき、プリチャージ防止用トランジスタ6及び
11のNチャンネルトランジスタは遮断状態となるた
め、プリチャージ用Pチャンネルトランジスタ7により
プリチャージされるAND平面出力ラインの区間はプリ
チャージ用Pチャンネルトランジスタ7と波形整形回路
9との間となり、同様にしてプリチャージ用Pチャンネ
ルトランジスタ13によりプリチャージされるOR平面
出力ラインの区間はプリチャージ用Pチャンネルトラン
ジスタ13と出力バッファ14との間に制限される。従
って、このときAND平面トランジスタアレイ3を構成
するNチャンネルトランジスタが機能的に無意味な入力
信号1によって動作しても、AND平面出力ライン8に
おいては、プリチャージされないため一度ディスチャー
ジが発生すると平面出力ライン8の電荷がゼロとなり、
電荷の移動が発生しなくなる。
は、図2に示すマイクロコンピュータシステムにおいて
は例外処理用ダイナミックPLA21を機能的に使用し
ない命令を処理する期間であるため、この期間に例外処
理用ダイナミックPLA21を動作させることは電力を
無駄に消費させることになる。PLA制御信号4が
“L”のとき、プリチャージ防止用トランジスタ6及び
11のNチャンネルトランジスタは遮断状態となるた
め、プリチャージ用Pチャンネルトランジスタ7により
プリチャージされるAND平面出力ラインの区間はプリ
チャージ用Pチャンネルトランジスタ7と波形整形回路
9との間となり、同様にしてプリチャージ用Pチャンネ
ルトランジスタ13によりプリチャージされるOR平面
出力ラインの区間はプリチャージ用Pチャンネルトラン
ジスタ13と出力バッファ14との間に制限される。従
って、このときAND平面トランジスタアレイ3を構成
するNチャンネルトランジスタが機能的に無意味な入力
信号1によって動作しても、AND平面出力ライン8に
おいては、プリチャージされないため一度ディスチャー
ジが発生すると平面出力ライン8の電荷がゼロとなり、
電荷の移動が発生しなくなる。
【0014】また、PLA制御信号4が“L”のとき
は、プリチャージ防止用トランジスタ6と波形整形回路
9との間は常にプリチャージされた状態にあるため波形
整形回路9の出力は“L”となり、OR平面トランジス
タアレイ10を構成する全てのNチャンネルトランジス
タは常にOFF状態となり、OR平面出力ライン12は
ディスチャージされなくなる。このとき、OR平面出力
ライン12は、プリチャージ防止用トランジスタにより
プリチャージが防止されているため、プリチャージもデ
ィスチャージもされない状態となり、電荷の移動が発生
しなくなる。
は、プリチャージ防止用トランジスタ6と波形整形回路
9との間は常にプリチャージされた状態にあるため波形
整形回路9の出力は“L”となり、OR平面トランジス
タアレイ10を構成する全てのNチャンネルトランジス
タは常にOFF状態となり、OR平面出力ライン12は
ディスチャージされなくなる。このとき、OR平面出力
ライン12は、プリチャージ防止用トランジスタにより
プリチャージが防止されているため、プリチャージもデ
ィスチャージもされない状態となり、電荷の移動が発生
しなくなる。
【0015】これらのように、本第1の実施例に係るダ
イナミックPLAの低消費電力化方法を施した回路は、
ダイナミックPLAを機能的に使用しない場合において
は命令デコーダ22より出力されるPLA制御信号4に
よってトランジスタアレイに対するプリチャージを阻止
するため、機能的に無意味な入力信号1が印加されても
不必要な電荷の移動を防ぐことができて、消費電力を低
減できる。
イナミックPLAの低消費電力化方法を施した回路は、
ダイナミックPLAを機能的に使用しない場合において
は命令デコーダ22より出力されるPLA制御信号4に
よってトランジスタアレイに対するプリチャージを阻止
するため、機能的に無意味な入力信号1が印加されても
不必要な電荷の移動を防ぐことができて、消費電力を低
減できる。
【0016】図4は、本発明の第2の実施例に係るダイ
ナミックPLAの低消費電力化方法を示す回路図であ
る。本第2の実施例では、AND平面トランジスタアレ
イ16を構成するトランジスタセルがAND平面出力ラ
イン8に対して並列に接続されているため、プリチャー
ジは常にAND平面出力ライン全体に対してする必要が
ある。そして、本第2の実施例では、入力信号1の数が
多くなるほど消費電力も増大するため、プリチャージ防
止用トランジスタ6によりAND平面出力ライン8のプ
リチャージを防止することにより、より大きな低消費電
力化を実現することができる。
ナミックPLAの低消費電力化方法を示す回路図であ
る。本第2の実施例では、AND平面トランジスタアレ
イ16を構成するトランジスタセルがAND平面出力ラ
イン8に対して並列に接続されているため、プリチャー
ジは常にAND平面出力ライン全体に対してする必要が
ある。そして、本第2の実施例では、入力信号1の数が
多くなるほど消費電力も増大するため、プリチャージ防
止用トランジスタ6によりAND平面出力ライン8のプ
リチャージを防止することにより、より大きな低消費電
力化を実現することができる。
【0017】
【発明の効果】以上説明したように本発明に係るダイナ
ミックPLAの低消費電力化方法によれば、マイクロプ
ロセッサが特定の命令を実行する際に使用されるダイナ
ミックPLAにおいて、ダイナミックPLAを機能的に
使用しない場合に、マイクロプロセッサ等から出力され
る信号に応じてダイナミックPLAを構成するトランジ
スタアレイに対するプリチャージを阻止するため、ダイ
ナミックPLAにおける無意味な動作を阻止してダイナ
ミックPLAにおける消費電力を殆どゼロまで低減する
ことができる。
ミックPLAの低消費電力化方法によれば、マイクロプ
ロセッサが特定の命令を実行する際に使用されるダイナ
ミックPLAにおいて、ダイナミックPLAを機能的に
使用しない場合に、マイクロプロセッサ等から出力され
る信号に応じてダイナミックPLAを構成するトランジ
スタアレイに対するプリチャージを阻止するため、ダイ
ナミックPLAにおける無意味な動作を阻止してダイナ
ミックPLAにおける消費電力を殆どゼロまで低減する
ことができる。
【図1】本発明の第1の実施例に係るダイナミックPL
Aの低消費電力化方法を示す回路図である。
Aの低消費電力化方法を示す回路図である。
【図2】図1に示す本第1の実施例に係るダイナミック
PLAの各部の動作タイミングを示すタイミングチャー
トである。
PLAの各部の動作タイミングを示すタイミングチャー
トである。
【図3】本発明の第1の実施例に係るダイナミックPL
Aの低消費電力化方法を用いたマイクロコンピュータシ
ステムを示すブロック図である。
Aの低消費電力化方法を用いたマイクロコンピュータシ
ステムを示すブロック図である。
【図4】本発明の第2の実施例に係るダイナミックPL
Aの低消費電力化方法を示す回路図である。
Aの低消費電力化方法を示す回路図である。
【図5】従来のダイナミックPLAの一例を示す回路図
である。
である。
1 ;入力信号 3 ;AND平面トランジスタアレイ 4 ;PLA制御信号 6,11 ;プリチャージ防止用トランジスタ 7,13 ;プリチャージ用Pチャンネルトランジスタ 10 ;OR平面トランジスタアレイ
Claims (1)
- 【請求項1】 マイクロプロセッサの命令デコード時に
PLA制御信号を生成する手段と、AND平面トランジ
スタアレイと、OR平面トランジスタアレイと、前記A
ND平面トランジスタアレイの出力ラインをプリチャー
ジするトランジスタと、前記OR平面トランジスタアレ
イの出力ラインをプリチャージするトランジスタと、前
記AND平面トランジスタアレイの出力を入力し波形整
形して前記OR平面トランジスタアレイに出力する波形
整形手段とを有するダイナミックPLAにおいて、前記
AND平面トランジスタアレイと前記AND平面トラン
ジスタアレイの出力ラインをプリチャージするトランジ
スタとの間にかつ前記AND平面トランジスタアレイの
出力ラインに対して直角に接続され前記PLA制御信号
によりゲートを制御されるAND平面プリチャージ防止
用トランジスタと、前記OR平面トランジスタアレイと
前記OR平面トランジスタアレイの出力ラインをプリチ
ャージするトランジスタとの間にかつ前記OR平面トラ
ンジスタアレイの出力ラインに対して直角に接続され前
記PLA制御信号によりゲートを制御されるOR平面プ
リチャージ防止用トランジスタとを有することを特徴と
するダイナミックPLAの低消費電力化方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4033763A JPH05235747A (ja) | 1992-02-20 | 1992-02-20 | ダイナミックplaの低消費電力化方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4033763A JPH05235747A (ja) | 1992-02-20 | 1992-02-20 | ダイナミックplaの低消費電力化方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05235747A true JPH05235747A (ja) | 1993-09-10 |
Family
ID=12395477
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4033763A Pending JPH05235747A (ja) | 1992-02-20 | 1992-02-20 | ダイナミックplaの低消費電力化方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05235747A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0856149A (ja) * | 1994-02-18 | 1996-02-27 | Sgs Thomson Microelettronica Spa | 半導体の不揮発性メモリ、特にフラッシュeprom用プログラマブル・ロジック・アレイ構造物 |
| US7474122B2 (en) | 2006-02-21 | 2009-01-06 | Samsung Electronics Co., Ltd. | High-performance static programmable logic array |
-
1992
- 1992-02-20 JP JP4033763A patent/JPH05235747A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0856149A (ja) * | 1994-02-18 | 1996-02-27 | Sgs Thomson Microelettronica Spa | 半導体の不揮発性メモリ、特にフラッシュeprom用プログラマブル・ロジック・アレイ構造物 |
| US7474122B2 (en) | 2006-02-21 | 2009-01-06 | Samsung Electronics Co., Ltd. | High-performance static programmable logic array |
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