JPH05335255A - 膜形成方法 - Google Patents
膜形成方法Info
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- JPH05335255A JPH05335255A JP4141525A JP14152592A JPH05335255A JP H05335255 A JPH05335255 A JP H05335255A JP 4141525 A JP4141525 A JP 4141525A JP 14152592 A JP14152592 A JP 14152592A JP H05335255 A JPH05335255 A JP H05335255A
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- solid
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 被成膜体と膜とのストレスを生じることな
く、良好な膜質をもって膜を形成する方法を提供する。 【構成】 基体１上に、揮発性物質を含有する固体膜２
を形成した後、この固体膜２上に成膜すべき材料層３を
被着形成し、材料層３に対向して被成膜体４を設置し
て、基体１の裏面１Ｒから固体膜２の吸収するエネルギ
ービームを照射してこの固体膜２から材料層３を剥離し
て、被成膜体４上に材料層３から成る膜５を被着形成す
る。
く、良好な膜質をもって膜を形成する方法を提供する。 【構成】 基体１上に、揮発性物質を含有する固体膜２
を形成した後、この固体膜２上に成膜すべき材料層３を
被着形成し、材料層３に対向して被成膜体４を設置し
て、基体１の裏面１Ｒから固体膜２の吸収するエネルギ
ービームを照射してこの固体膜２から材料層３を剥離し
て、被成膜体４上に材料層３から成る膜５を被着形成す
る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、例えば各種半導体装置
における膜の形成に適用して好適な膜形成方法に係わ
る。
における膜の形成に適用して好適な膜形成方法に係わ
る。
【０００２】
【従来の技術】膜の形成方法としては、化学的気相成長
法（ＣＶＤ法）、蒸着法、スパッタリング法等が用いら
れている。これらの成膜法において良質な膜を得るため
には、これを被着する基体を高温に加熱して成膜する必
要がある。このため、膜と基体との間に大きなストレス
が生じるという問題がある。
法（ＣＶＤ法）、蒸着法、スパッタリング法等が用いら
れている。これらの成膜法において良質な膜を得るため
には、これを被着する基体を高温に加熱して成膜する必
要がある。このため、膜と基体との間に大きなストレス
が生じるという問題がある。
【０００３】また、プラズマＣＶＤ法、ＥＣＲ（電子サ
イクロトロン共鳴）プラズマＣＶＤ法を用いる場合は、
低温成膜が可能であるが、プラズマによって発生するイ
オンの衝撃が結果的に膜質の劣化を招くという問題があ
る。
イクロトロン共鳴）プラズマＣＶＤ法を用いる場合は、
低温成膜が可能であるが、プラズマによって発生するイ
オンの衝撃が結果的に膜質の劣化を招くという問題があ
る。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】本発明は基体とこの上
に成膜された膜とのストレスを生じることなく、良好な
膜質をもって形成し得る膜形成方法を提供する。
に成膜された膜とのストレスを生じることなく、良好な
膜質をもって形成し得る膜形成方法を提供する。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明膜形成方法は、そ
の一例の工程図を図１Ａ〜Ｃに示すように、基体１上
に、揮発性物質を含有する固体膜２を形成した後、この
固体膜２上に成膜すべき材料層３を被着形成し、材料層
３に対向して被成膜体４を設置して、基体１の裏面１Ｒ
から固体膜２の吸収するエネルギービームを照射してこ
の固体膜２から材料層３を剥離して、被成膜体４上に材
料層３から成る膜５を被着形成する。
の一例の工程図を図１Ａ〜Ｃに示すように、基体１上
に、揮発性物質を含有する固体膜２を形成した後、この
固体膜２上に成膜すべき材料層３を被着形成し、材料層
３に対向して被成膜体４を設置して、基体１の裏面１Ｒ
から固体膜２の吸収するエネルギービームを照射してこ
の固体膜２から材料層３を剥離して、被成膜体４上に材
料層３から成る膜５を被着形成する。
【０００６】また本発明は、上述の膜形成方法におい
て、図２にその一工程図を示すように、上述の固体膜２
上に、分離層１４を介して成膜すべき材料層３を被着形
成する。
て、図２にその一工程図を示すように、上述の固体膜２
上に、分離層１４を介して成膜すべき材料層３を被着形
成する。
【０００７】
【作用】上述したように、本発明によれば一旦基体１上
に揮発性物質を含有する固体膜２を介して材料層３を形
成した後、基体１の裏面側からエネルギービームを照射
することにより固体膜２中の揮発性物質を蒸発させ、こ
れにより固体膜２上の材料層３を剥離させるのみなら
ず、これを固体膜２上に成膜された状態で対向する被成
膜体４上に被着させて膜５を形成することができた。以
下これを説明する。
に揮発性物質を含有する固体膜２を介して材料層３を形
成した後、基体１の裏面側からエネルギービームを照射
することにより固体膜２中の揮発性物質を蒸発させ、こ
れにより固体膜２上の材料層３を剥離させるのみなら
ず、これを固体膜２上に成膜された状態で対向する被成
膜体４上に被着させて膜５を形成することができた。以
下これを説明する。
【０００８】先ず、図３Ａに示すように石英ガラスより
成る基体１上に、プラズマＣＶＤ法により水素化アモル
ファスＳｉ膜（ａ−Ｓｉ：Ｈ）１２を全面的に厚さ５０
０Å程度として成膜した。ａ−Ｓｉ：Ｈ膜１２は膜中に
約１０％の多量の水素を含有して成る。これに対し、そ
の基体１上の半面にＸｅＣｌエキシマレーザを照射して
結晶化し、多結晶Ｓｉ（ｐｏｌｙ−Ｓｉ）膜１３を形成
した。この多結晶Ｓｉ膜１３はレーザ加熱時に水素が蒸
発するために、膜中には水素は含有されない。そしてこ
の後Ｓｉ膜１２及び１３上に全面的にＡｌ等の材料層３
を厚さ３０００Åとして蒸着し、幅ｗ及び間隔ｓを２０
μｍとしてＲＩＥ（反応性イオンエッチング）等の異方
性エッチングによりパターニングを行った。その後、こ
の材料層３と対向して、固体膜２の上面から１ｍｍ程度
の間隔Ｌを保持するように、ガラスより成る被成膜体４
を対向して設置し、真空チャンバー内に配置した。
成る基体１上に、プラズマＣＶＤ法により水素化アモル
ファスＳｉ膜（ａ−Ｓｉ：Ｈ）１２を全面的に厚さ５０
０Å程度として成膜した。ａ−Ｓｉ：Ｈ膜１２は膜中に
約１０％の多量の水素を含有して成る。これに対し、そ
の基体１上の半面にＸｅＣｌエキシマレーザを照射して
結晶化し、多結晶Ｓｉ（ｐｏｌｙ−Ｓｉ）膜１３を形成
した。この多結晶Ｓｉ膜１３はレーザ加熱時に水素が蒸
発するために、膜中には水素は含有されない。そしてこ
の後Ｓｉ膜１２及び１３上に全面的にＡｌ等の材料層３
を厚さ３０００Åとして蒸着し、幅ｗ及び間隔ｓを２０
μｍとしてＲＩＥ（反応性イオンエッチング）等の異方
性エッチングによりパターニングを行った。その後、こ
の材料層３と対向して、固体膜２の上面から１ｍｍ程度
の間隔Ｌを保持するように、ガラスより成る被成膜体４
を対向して設置し、真空チャンバー内に配置した。
【０００９】そして真空中で基体１の裏面１Ｒ側から矢
印Ｅで示すようにＸｅＣｌエキシマレーザ等のエネルギ
ービームパルスを照射した。ａ−Ｓｉ：Ｈ膜１２に２０
０ｍＪ／ｃｍ2 のエネルギー密度のレーザを照射したと
き材料層３が矢印ａで示すように剥離して、図３Ｂに示
すように対向する被成膜体４に材料層３のパターンが転
写されて膜５が形成された。これに対して、多結晶Ｓｉ
膜１３上の材料層３はレーザを照射しても剥離されなか
った。
印Ｅで示すようにＸｅＣｌエキシマレーザ等のエネルギ
ービームパルスを照射した。ａ−Ｓｉ：Ｈ膜１２に２０
０ｍＪ／ｃｍ2 のエネルギー密度のレーザを照射したと
き材料層３が矢印ａで示すように剥離して、図３Ｂに示
すように対向する被成膜体４に材料層３のパターンが転
写されて膜５が形成された。これに対して、多結晶Ｓｉ
膜１３上の材料層３はレーザを照射しても剥離されなか
った。
【００１０】またこのようにして成膜した膜５に対し、
アセトン超音波処理を施しても被成膜体４から剥離され
ることなく、充分な密着性をもって転写形成されること
を確認した。
アセトン超音波処理を施しても被成膜体４から剥離され
ることなく、充分な密着性をもって転写形成されること
を確認した。
【００１１】即ちこの結果から、レーザ等のエネルギー
ビームを固体膜に照射することによってこの固体膜中の
加熱された揮発性物質、この場合水素の内圧が高まり、
この水素が蒸発する圧力によって材料層３この場合Ａｌ
膜が剥離して、対向する被成膜体４に被着されて充分な
密着性をもって転写形成されるものと考えられる。
ビームを固体膜に照射することによってこの固体膜中の
加熱された揮発性物質、この場合水素の内圧が高まり、
この水素が蒸発する圧力によって材料層３この場合Ａｌ
膜が剥離して、対向する被成膜体４に被着されて充分な
密着性をもって転写形成されるものと考えられる。
【００１２】また他の本発明においては、図２に示すよ
うに、固体膜２上に分離層１４を介して成膜すべき材料
層３を被着形成し、この後基板１の裏面１Ｒ側から矢印
Ｅで示すようにエネルギービームを照射することによ
り、この分離層１４及びこれの上の材料層３を、被成膜
体４に転写させることができる。この場合、成膜すべき
材料層３と揮発性物質を含有する固体膜２とが同材料よ
り成る場合においても、確実に材料層３を固体膜２上か
ら剥離させることができる。
うに、固体膜２上に分離層１４を介して成膜すべき材料
層３を被着形成し、この後基板１の裏面１Ｒ側から矢印
Ｅで示すようにエネルギービームを照射することによ
り、この分離層１４及びこれの上の材料層３を、被成膜
体４に転写させることができる。この場合、成膜すべき
材料層３と揮発性物質を含有する固体膜２とが同材料よ
り成る場合においても、確実に材料層３を固体膜２上か
ら剥離させることができる。
【００１３】このように本発明によれば、被成膜体４上
に直接的に膜を成膜することなく、別体の基板１上に成
膜した材料層３を転写して形成することができることか
ら、被成膜体４自体が高温に加熱されることがなく、膜
５と被成膜体４とのストレスが生じることを回避でき
る。またこの場合プラズマイオン等による衝撃をも回避
でき、良好な膜質をもって膜を形成することができる。
に直接的に膜を成膜することなく、別体の基板１上に成
膜した材料層３を転写して形成することができることか
ら、被成膜体４自体が高温に加熱されることがなく、膜
５と被成膜体４とのストレスが生じることを回避でき
る。またこの場合プラズマイオン等による衝撃をも回避
でき、良好な膜質をもって膜を形成することができる。
【００１４】
【実施例】以下本発明膜形成方法を図面を参照して詳細
に説明する。本発明方法は、先ず図１Ａに示すように、
石英ガラス等より成る基体１上に、プラズマＣＶＤ法等
により揮発性物質を含有する固体膜２、例えば水素を膜
中に約１０％含有する水素化アモルファスＳｉより成る
固体膜２を全面的に厚さ５００Å程度として成膜し、更
にこの上にＡｌ等より成る所定のパターンの材料層３を
形成した。この材料層３は、例えば厚さ３０００Åとし
て蒸着した後、幅ｗ及び間隔ｓを２０μｍとしてＲＩＥ
（反応性イオンエッチング）等の異方性エッチングによ
りパターニングを行って形成した。
に説明する。本発明方法は、先ず図１Ａに示すように、
石英ガラス等より成る基体１上に、プラズマＣＶＤ法等
により揮発性物質を含有する固体膜２、例えば水素を膜
中に約１０％含有する水素化アモルファスＳｉより成る
固体膜２を全面的に厚さ５００Å程度として成膜し、更
にこの上にＡｌ等より成る所定のパターンの材料層３を
形成した。この材料層３は、例えば厚さ３０００Åとし
て蒸着した後、幅ｗ及び間隔ｓを２０μｍとしてＲＩＥ
（反応性イオンエッチング）等の異方性エッチングによ
りパターニングを行って形成した。
【００１５】そしてこの後図１Ｂに示すように、この材
料層３と対向して、固体膜２の上面から１ｍｍ程度の間
隔Ｌを保持するように、ガラスより成る被成膜体４を対
向して設置し、真空チャンバー内に配置した。そして真
空中で基体１の裏面１Ｒ側から矢印Ｅで示すようにＸｅ
Ｃｌエキシマレーザ等のエネルギービームをパルス照射
した。
料層３と対向して、固体膜２の上面から１ｍｍ程度の間
隔Ｌを保持するように、ガラスより成る被成膜体４を対
向して設置し、真空チャンバー内に配置した。そして真
空中で基体１の裏面１Ｒ側から矢印Ｅで示すようにＸｅ
Ｃｌエキシマレーザ等のエネルギービームをパルス照射
した。
【００１６】材料層３に２００ｍＪ／ｃｍ2 のエネルギ
ー密度のレーザを照射したとき、この材料層３が矢印ａ
で示すように剥離して、図１Ｃに示すように対向する被
成膜体４上に、固体膜２上に成膜したパターンと同パタ
ーンの材料層３が転写されて膜５が形成された。
ー密度のレーザを照射したとき、この材料層３が矢印ａ
で示すように剥離して、図１Ｃに示すように対向する被
成膜体４上に、固体膜２上に成膜したパターンと同パタ
ーンの材料層３が転写されて膜５が形成された。
【００１７】このような転写は、膜５の材料がＳｉＯ2
等の他の場合においても同様に行うことができた。ま
た、固体膜２としても例えば水素を大量に含有できるＰ
ｄ等の金属膜を用いることもできる。
等の他の場合においても同様に行うことができた。ま
た、固体膜２としても例えば水素を大量に含有できるＰ
ｄ等の金属膜を用いることもできる。
【００１８】また、例えば固体膜２として上述したよう
に水素化アモルファスＳｉを用いて、Ｓｉより成る材料
層３を成膜する場合は、図２に示すように、固体膜２と
材料層３との間に例えばＳｉＯ2 等の固体膜２に比し高
融点の分離層１４を設けることによって、この分離層１
４とこれの上の材料層３とを同時に転写させることによ
り、膜を形成することができる。
に水素化アモルファスＳｉを用いて、Ｓｉより成る材料
層３を成膜する場合は、図２に示すように、固体膜２と
材料層３との間に例えばＳｉＯ2 等の固体膜２に比し高
融点の分離層１４を設けることによって、この分離層１
４とこれの上の材料層３とを同時に転写させることによ
り、膜を形成することができる。
【００１９】次に、このような膜形成方法を適用して薄
膜トランジスタを形成する場合について図４Ａ〜Ｃの製
造工程図を参照して詳細に説明する。この場合、先ず図
４Ａに示すように、薄膜トランジスタを構成するガラス
等より成る基体２１上に、Ｓｉ等より成る不純物含有半
導体層１５をＣＶＤ法等により被着形成して、後述する
工程においてチャネル領域となる部分を除去してパター
ニングし、更にこの上にＳｉ等より成る半導体層１６を
全面的に被着する。そしてこの半導体層１６の上面上か
ら全面的にパルスレーザを照射して結晶化を行う。
膜トランジスタを形成する場合について図４Ａ〜Ｃの製
造工程図を参照して詳細に説明する。この場合、先ず図
４Ａに示すように、薄膜トランジスタを構成するガラス
等より成る基体２１上に、Ｓｉ等より成る不純物含有半
導体層１５をＣＶＤ法等により被着形成して、後述する
工程においてチャネル領域となる部分を除去してパター
ニングし、更にこの上にＳｉ等より成る半導体層１６を
全面的に被着する。そしてこの半導体層１６の上面上か
ら全面的にパルスレーザを照射して結晶化を行う。
【００２０】そしてこれら半導体層１５及び１６をフォ
トリソグラフィ等の適用により所定のパターンにパター
ニングしてソース及びドレイン領域２２Ｓ及び２２Ｄを
形成し、この上に、本発明膜形成方法によりソース及び
ドレイン電極を転写形成する。即ち、図４Ｂに示すよう
に、石英ガラス等より成る基体１上に、水素化アモルフ
ァスＳｉ等より成る固体膜２とこの上にＡｌ等より成る
電極材料がパターニング形成された材料層３とが被着さ
れて成り、この材料層３がソース／ドレイン領域２２Ｓ
及び２２Ｄ上に対向配置されるように持ち来し、真空中
において基体１の裏面１Ｒ側から、ＸｅＣｌエキシマレ
ーザ等のエネルギービームを矢印Ｅで示すようにパルス
照射して、材料層３を矢印ａで示すように、ソース／ド
レイン領域２２Ｓ及び２２Ｄ上に転写形成する。このよ
うに本発明方法を適用することによって、チャネル領域
２２上に金属層が被着されることなく電極をパターニン
グ形成することができるため、このチャネル領域２２の
金属汚染を回避することができ、薄膜トランジスタの特
性の向上をはかることができる。
トリソグラフィ等の適用により所定のパターンにパター
ニングしてソース及びドレイン領域２２Ｓ及び２２Ｄを
形成し、この上に、本発明膜形成方法によりソース及び
ドレイン電極を転写形成する。即ち、図４Ｂに示すよう
に、石英ガラス等より成る基体１上に、水素化アモルフ
ァスＳｉ等より成る固体膜２とこの上にＡｌ等より成る
電極材料がパターニング形成された材料層３とが被着さ
れて成り、この材料層３がソース／ドレイン領域２２Ｓ
及び２２Ｄ上に対向配置されるように持ち来し、真空中
において基体１の裏面１Ｒ側から、ＸｅＣｌエキシマレ
ーザ等のエネルギービームを矢印Ｅで示すようにパルス
照射して、材料層３を矢印ａで示すように、ソース／ド
レイン領域２２Ｓ及び２２Ｄ上に転写形成する。このよ
うに本発明方法を適用することによって、チャネル領域
２２上に金属層が被着されることなく電極をパターニン
グ形成することができるため、このチャネル領域２２の
金属汚染を回避することができ、薄膜トランジスタの特
性の向上をはかることができる。
【００２１】そして更にこの上に、本発明膜形成方法を
利用して、ＳｉＯ2 等より成る絶縁層を全面的に転写形
成する。即ち図４Ｃに示すように、基体１上に揮発性物
質を含有する固体膜２、ＳｉＯ2 等の材料層１７が順次
被着されて成り、これを同様にソース／ドレイン電極２
３Ｓ及び２３Ｄ上に持ち来して、同様にパルスレーザ等
のエネルギービームを基体１の裏面１Ｒ上から照射し
て、材料層１７を全面的に被着してゲート絶縁膜を形成
する。通常ＳｉＯ2 等の絶縁層を被着する場合は、プラ
ズマＣＶＤ法等を用いて被着形成するものであるが、本
発明膜形成方法を適用することによって、基体２１を高
温に加熱することを回避し、またプラズマイオンによる
汚損を回避して、良好なゲート絶縁膜を形成することが
できる。
利用して、ＳｉＯ2 等より成る絶縁層を全面的に転写形
成する。即ち図４Ｃに示すように、基体１上に揮発性物
質を含有する固体膜２、ＳｉＯ2 等の材料層１７が順次
被着されて成り、これを同様にソース／ドレイン電極２
３Ｓ及び２３Ｄ上に持ち来して、同様にパルスレーザ等
のエネルギービームを基体１の裏面１Ｒ上から照射し
て、材料層１７を全面的に被着してゲート絶縁膜を形成
する。通常ＳｉＯ2 等の絶縁層を被着する場合は、プラ
ズマＣＶＤ法等を用いて被着形成するものであるが、本
発明膜形成方法を適用することによって、基体２１を高
温に加熱することを回避し、またプラズマイオンによる
汚損を回避して、良好なゲート絶縁膜を形成することが
できる。
【００２２】そしてこの後、図５に示すように、チャネ
ル領域２２上のゲート絶縁膜２４上に、Ａｌ等より成る
ゲート電極２５を例えば上述したように本発明膜形成方
法を適用して形成し、薄膜トランジスタを形成すること
ができる。
ル領域２２上のゲート絶縁膜２４上に、Ａｌ等より成る
ゲート電極２５を例えば上述したように本発明膜形成方
法を適用して形成し、薄膜トランジスタを形成すること
ができる。
【００２３】このように本発明方法を薄膜トランジスタ
の製造工程に適用する場合は、ソース／ドレイン電極２
３Ｓ及び２３Ｄ、ゲート絶縁膜２４、又ゲート電極２５
等の各薄膜の形成とパターニングを、トランジスタを製
造する工程とは別工程として並行して行うことができる
ことから、トランジスタ作成工程の簡略化をはかること
ができる。
の製造工程に適用する場合は、ソース／ドレイン電極２
３Ｓ及び２３Ｄ、ゲート絶縁膜２４、又ゲート電極２５
等の各薄膜の形成とパターニングを、トランジスタを製
造する工程とは別工程として並行して行うことができる
ことから、トランジスタ作成工程の簡略化をはかること
ができる。
【００２４】尚、上述の実施例においては、各例共に、
単層の材料層３を転写して膜を形成する場合を示すが、
２層以上の複数の材料層を１回のレーザ照射で転写する
こともできる。また材料層としては、上述したようにパ
ターンでも膜でも同様に転写することができる。
単層の材料層３を転写して膜を形成する場合を示すが、
２層以上の複数の材料層を１回のレーザ照射で転写する
こともできる。また材料層としては、上述したようにパ
ターンでも膜でも同様に転写することができる。
【００２５】また本発明は上述の実施例に限ることなく
その他種々の材料構成、転写態様を採ることができ、ま
た薄膜トランジスタ製造工程に限ることなく、種々の半
導体装置の製造にあたって本発明方法を適用し得ること
はいうまでもない。
その他種々の材料構成、転写態様を採ることができ、ま
た薄膜トランジスタ製造工程に限ることなく、種々の半
導体装置の製造にあたって本発明方法を適用し得ること
はいうまでもない。
【００２６】
【発明の効果】本発明によれば、被成膜体を高温に加熱
することなく膜を形成することができて、被成膜体と膜
とのストレスを回避することができ、またプラズマイオ
ン等による膜質の劣化を回避することができる。
することなく膜を形成することができて、被成膜体と膜
とのストレスを回避することができ、またプラズマイオ
ン等による膜質の劣化を回避することができる。
【００２７】更に、他の本発明によれば、固体膜上に分
離層を介して材料層を形成することから、この分離層と
共に材料層を転写させることによって、揮発性物質を含
有する固体膜の材料と転写すべき膜の材料とが同材料で
ある場合においても、確実に材料層を剥離させて被成膜
体上に転写して成膜することができる。
離層を介して材料層を形成することから、この分離層と
共に材料層を転写させることによって、揮発性物質を含
有する固体膜の材料と転写すべき膜の材料とが同材料で
ある場合においても、確実に材料層を剥離させて被成膜
体上に転写して成膜することができる。
【００２８】また、本発明を薄膜トランジスタの製造に
適用するときには、チャネル領域への金属汚染、ゲート
絶縁膜作成の際の熱処理工程を回避することができ、ト
ランジスタ特性の向上をはかることができる。更に、電
極、ゲート絶縁膜等の形成工程を、トランジスタの形成
工程と別工程として並行処理を行うことができ、薄膜ト
ランジスタ等の各種半導体装置の製造にあたってその製
造の簡易化をはかることができるという多大な効果を有
する。
適用するときには、チャネル領域への金属汚染、ゲート
絶縁膜作成の際の熱処理工程を回避することができ、ト
ランジスタ特性の向上をはかることができる。更に、電
極、ゲート絶縁膜等の形成工程を、トランジスタの形成
工程と別工程として並行処理を行うことができ、薄膜ト
ランジスタ等の各種半導体装置の製造にあたってその製
造の簡易化をはかることができるという多大な効果を有
する。
【図１】本発明膜形成方法の一例の製造工程図である。
【図２】本発明膜形成方法の他の例の一製造工程図であ
る。
る。
【図３】本発明膜形成方法の説明図である。
【図４】薄膜トランジスタの製造工程図である。
【図５】薄膜トランジスタ一例の略線的拡大断面図であ
る。
る。
１ 基体 ２ 固体膜 ３ 材料層 ４ 被成膜体 ５ 膜 １４ 分離層
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 // Ｈ０１Ｌ 21/336 29/784 (72)発明者 碓井 節夫 東京都品川区北品川６丁目７番35号 ソニ ー株式会社内
Claims (2)
- 【請求項１】 基体上に、揮発性物質を含有する固体膜
を形成した後、上記固体膜上に成膜すべき材料層を被着
形成し、 上記材料層に対向して被成膜体を設置して、上記基体の
裏面から上記固体膜の吸収するエネルギービームを照射
して上記固体膜から上記材料層を剥離して、上記被成膜
体上に上記材料層から成る膜を被着形成することを特徴
とする膜形成方法。 - 【請求項２】 上記固体膜上に、分離層を介して成膜す
べき材料層を被着形成することを特徴とする上記請求項
１に記載の膜形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP04141525A JP3106690B2 (ja) | 1992-06-02 | 1992-06-02 | 膜形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
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| JP2014138106A (ja) * | 2013-01-17 | 2014-07-28 | Yamagata Univ | 電子デバイス及びその製造方法 |
| JP2014143440A (ja) * | 2003-10-27 | 2014-08-07 | E Ink Corp | 電気光学ディスプレイ |
| WO2018061336A1 (ja) * | 2016-09-29 | 2018-04-05 | 日本発條株式会社 | 基板載置台、および基板載置台の作製方法 |
-
1992
- 1992-06-02 JP JP04141525A patent/JP3106690B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| JP2008052268A (ja) * | 2006-07-28 | 2008-03-06 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 表示装置の作製方法 |
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| WO2018061336A1 (ja) * | 2016-09-29 | 2018-04-05 | 日本発條株式会社 | 基板載置台、および基板載置台の作製方法 |
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