JPH0556470B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0556470B2 JPH0556470B2 JP58201739A JP20173983A JPH0556470B2 JP H0556470 B2 JPH0556470 B2 JP H0556470B2 JP 58201739 A JP58201739 A JP 58201739A JP 20173983 A JP20173983 A JP 20173983A JP H0556470 B2 JPH0556470 B2 JP H0556470B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- amorphous semiconductor
- ray
- conductive layer
- window
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01T—MEASUREMENT OF NUCLEAR OR X-RADIATION
- G01T1/00—Measuring X-radiation, gamma radiation, corpuscular radiation, or cosmic radiation
- G01T1/16—Measuring radiation intensity
- G01T1/20—Measuring radiation intensity with scintillation detectors
- G01T1/2018—Scintillation-photodiode combinations
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- High Energy & Nuclear Physics (AREA)
- Molecular Biology (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Measurement Of Radiation (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
(イ) 産業上の利用分野
この発明は、Ｘ線自動露出制御装置等に用いる
のに最適な半導体Ｘ線検出器に関する。
のに最適な半導体Ｘ線検出器に関する。
(ロ) 従来技術
Ｘ線自動露出制御装置に用いる場合、Ｘ線検出
器は、通常、被検体とＸ線フイルムとの間に配置
される。ところで近年、単結晶半導体を用いてＸ
線検出器が使用され始めている。しかし、従来の
単結晶半導体を用いたＸ線検出器は、半導体とそ
の支持具材とのＸ線吸収差によつてＸ線フイルム
に濃度差が生じ、Ｘ線写真の読影時に障害となる
という欠点があつた。この濃度差が生じないよう
な構造の半導体Ｘ線検出器も提案されている（特
開昭55−146071号公報参照）が、Ｘ線検出器全体
の構造が複雑になつている。
器は、通常、被検体とＸ線フイルムとの間に配置
される。ところで近年、単結晶半導体を用いてＸ
線検出器が使用され始めている。しかし、従来の
単結晶半導体を用いたＸ線検出器は、半導体とそ
の支持具材とのＸ線吸収差によつてＸ線フイルム
に濃度差が生じ、Ｘ線写真の読影時に障害となる
という欠点があつた。この濃度差が生じないよう
な構造の半導体Ｘ線検出器も提案されている（特
開昭55−146071号公報参照）が、Ｘ線検出器全体
の構造が複雑になつている。
まだ、Ｘ線検出器は、特定の臓器等の診断部位
に対応した形状の大きな面積のものが好ましい
が、従来の半導体Ｘ線検出器では任意の大きさの
ものや任意の形状のものを製作することは非常に
困難である。
に対応した形状の大きな面積のものが好ましい
が、従来の半導体Ｘ線検出器では任意の大きさの
ものや任意の形状のものを製作することは非常に
困難である。
(ハ) 目的
この発明は、簡単な構造でありながら半導体と
その支持具材とのＸ線吸収差による陰影を取り除
き、しかもＸ線に対する有感部を診断部位に対応
した形状・大きさとすることが容易な半導体Ｘ線
検出器を提供することを目的とする。
その支持具材とのＸ線吸収差による陰影を取り除
き、しかもＸ線に対する有感部を診断部位に対応
した形状・大きさとすることが容易な半導体Ｘ線
検出器を提供することを目的とする。
(ニ) 構成
この発明による半導体Ｘ線検出器は、Ｘ線吸収
の少ない均一な基板と、該基板上の全面に形成さ
れた第１の導電層と、該導電層上の全面に形成さ
れた非晶質半導体層と、該非晶質半導体層上の全
面に、所定領域の窓部を残して形成された絶縁層
と、該絶縁層の全面および上記窓部の上に形成さ
れ、窓部において上記非晶質半導体層に接触する
透明な第２の導電層と、該第２の導電層上の全面
に形成された蛍光層とを有することによつて構成
されている。
の少ない均一な基板と、該基板上の全面に形成さ
れた第１の導電層と、該導電層上の全面に形成さ
れた非晶質半導体層と、該非晶質半導体層上の全
面に、所定領域の窓部を残して形成された絶縁層
と、該絶縁層の全面および上記窓部の上に形成さ
れ、窓部において上記非晶質半導体層に接触する
透明な第２の導電層と、該第２の導電層上の全面
に形成された蛍光層とを有することによつて構成
されている。
(ホ) 実施例
第１図Ａ，Ｂにおいて、基板１１はＸ線吸収の
少ない均一な薄いシート状物、たとえばポリイミ
ドフイルムなどの樹脂フイルムからなり、その大
きさはＸ線フイルムのサイズと同等若しくはそれ
より大きいものとする。そしてこの基板１１の表
面に電極をなすアルミニウムなどの蒸着層（図示
しない）が設けられており、さらにその上に全面
にわたつて非晶質半導体層（アモルフアス半導体
層）１２が数十〜数百μｍの厚さに一様に形成さ
れている。この非晶質半導体層１２は、たとえ
ば、Si、AsGa、Geに必要なドープ剤を混入した
ものまたはこれらの混合物あるい化合物を用いた
PIN（Ｐ層−絶縁層−Ｎ層）構造とする。この非
晶質半導体層１２の全面上に設けられた図示しな
い透明電極の上に、必要な大きさ・形状の孔が切
り抜かれている遮光シートを貼り付けるかあるい
は蒸着などの手段により透明窓部１４を有する遮
光層１３が形成されている。さらにこの遮光層１
３上には蛍光層１５が設けられている。この蛍光
層１５はＸ線を可視光に変換するものであり、遮
光層１３はこの可視光を遮るもので、透明窓部１
４は可視光に対して透明な部分である。なお、基
板１１は非晶質半導体層１２の一方の電極を兼ね
たアルミニウム板で構成することもできる。
少ない均一な薄いシート状物、たとえばポリイミ
ドフイルムなどの樹脂フイルムからなり、その大
きさはＸ線フイルムのサイズと同等若しくはそれ
より大きいものとする。そしてこの基板１１の表
面に電極をなすアルミニウムなどの蒸着層（図示
しない）が設けられており、さらにその上に全面
にわたつて非晶質半導体層（アモルフアス半導体
層）１２が数十〜数百μｍの厚さに一様に形成さ
れている。この非晶質半導体層１２は、たとえ
ば、Si、AsGa、Geに必要なドープ剤を混入した
ものまたはこれらの混合物あるい化合物を用いた
PIN（Ｐ層−絶縁層−Ｎ層）構造とする。この非
晶質半導体層１２の全面上に設けられた図示しな
い透明電極の上に、必要な大きさ・形状の孔が切
り抜かれている遮光シートを貼り付けるかあるい
は蒸着などの手段により透明窓部１４を有する遮
光層１３が形成されている。さらにこの遮光層１
３上には蛍光層１５が設けられている。この蛍光
層１５はＸ線を可視光に変換するものであり、遮
光層１３はこの可視光を遮るもので、透明窓部１
４は可視光に対して透明な部分である。なお、基
板１１は非晶質半導体層１２の一方の電極を兼ね
たアルミニウム板で構成することもできる。
こうして形成される半導体Ｘ線検出器は、その
蛍光層１５の前面端よりＸ線が入射するようにし
て使用される。入射したＸ線は蛍光層１５により
可視光に変換される。この可視光は遮光層１３の
透明窓部１４のみを通過し、非晶質半導体層１２
に入射し、この非晶質半導体層１２によつて電気
量に変換される。この非晶質半導体層１２はＸ線
に対してはほとんど感度を有さないが、可視光に
対しては良好な感度を持つているので、蛍光層１
５でＸ線を一旦可視光に変換してこの可視光に感
応させるようにしているのである。
蛍光層１５の前面端よりＸ線が入射するようにし
て使用される。入射したＸ線は蛍光層１５により
可視光に変換される。この可視光は遮光層１３の
透明窓部１４のみを通過し、非晶質半導体層１２
に入射し、この非晶質半導体層１２によつて電気
量に変換される。この非晶質半導体層１２はＸ線
に対してはほとんど感度を有さないが、可視光に
対しては良好な感度を持つているので、蛍光層１
５でＸ線を一旦可視光に変換してこの可視光に感
応させるようにしているのである。
そして、透明窓部１４以外は遮光層１３で遮光
されるため、この透明窓部１４の部分がＸ線に対
する有感部となる。
されるため、この透明窓部１４の部分がＸ線に対
する有感部となる。
次に第２の実施例について第２図Ａ，Ｂを参照
しながら説明する。この第２図Ａ，Ｂにおいて、
基板２１、非晶質半導体層２２および蛍光層２５
は第１の実施例の基板１１、非晶質半導体層１２
および蛍光層１５と同様なものからなる。この第
２図Ｂでは導電層２６が描かれているが、この導
電層２６は蒸着などによつて基板２１の全面に設
けられ、非晶質半導体層２２の一方の電極および
引き出し線を兼ねたものとして機能する。非晶質
半導体層２２の他方（図では上方）の面上には窓
部２４を有するよう絶縁層２７が形成される。こ
の絶縁層２７は蒸着などの手段によつて形成して
もよいし、あるいは必要な位置に必要な大きさ・
形状の孔を有する薄い絶縁シートを貼り付けて形
成してもよい。この絶縁層２７および窓部２４の
上には全面にわたつて蒸着などにより透明導電層
２８が形成されており、この透明導電層２８は窓
部２４においてのみ非晶質半導体層２２と接触し
ている。そしてこのような構造の全体は遮光膜２
９で完全に覆われている。
しながら説明する。この第２図Ａ，Ｂにおいて、
基板２１、非晶質半導体層２２および蛍光層２５
は第１の実施例の基板１１、非晶質半導体層１２
および蛍光層１５と同様なものからなる。この第
２図Ｂでは導電層２６が描かれているが、この導
電層２６は蒸着などによつて基板２１の全面に設
けられ、非晶質半導体層２２の一方の電極および
引き出し線を兼ねたものとして機能する。非晶質
半導体層２２の他方（図では上方）の面上には窓
部２４を有するよう絶縁層２７が形成される。こ
の絶縁層２７は蒸着などの手段によつて形成して
もよいし、あるいは必要な位置に必要な大きさ・
形状の孔を有する薄い絶縁シートを貼り付けて形
成してもよい。この絶縁層２７および窓部２４の
上には全面にわたつて蒸着などにより透明導電層
２８が形成されており、この透明導電層２８は窓
部２４においてのみ非晶質半導体層２２と接触し
ている。そしてこのような構造の全体は遮光膜２
９で完全に覆われている。
この場合、非晶質半導体層２２は面方向には導
電性が非常に悪いので、電極が接触している窓部
２４の部分で生じた光電流出力が２つの導電層２
６，２８より取り出される。したがつて、Ｘ線が
入射して蛍光層２５が発光すると、絶縁層２７が
なく透明導電層２８が直接接触している窓部２４
の部分での光電流出力が得られるので、この窓部
２４の部分がＸ線に対する有感部ということにな
る。
電性が非常に悪いので、電極が接触している窓部
２４の部分で生じた光電流出力が２つの導電層２
６，２８より取り出される。したがつて、Ｘ線が
入射して蛍光層２５が発光すると、絶縁層２７が
なく透明導電層２８が直接接触している窓部２４
の部分での光電流出力が得られるので、この窓部
２４の部分がＸ線に対する有感部ということにな
る。
なお、窓部２４は１箇所だけに限らず、必要な
ら第２図Ａに示すように複数個設けて複数個の有
感部を形成することも可能である。この場合透明
導電層２８を第２図Ａに示すように分割してそれ
ぞれの有感部からの出力を別個独立に取り出して
それらを加算したり平均したりまたは最大値や最
小値を求めるなどしてＸ線フイルム濃度をよりき
め細かに制御することもできるし、分割しなけれ
ば複数個の有感部の出力の総和に対応する出力を
取り出すことができる。第１の実施例ではこのこ
とについて触れなかつたが、第１の実施例でも同
様であることは勿論である。
ら第２図Ａに示すように複数個設けて複数個の有
感部を形成することも可能である。この場合透明
導電層２８を第２図Ａに示すように分割してそれ
ぞれの有感部からの出力を別個独立に取り出して
それらを加算したり平均したりまたは最大値や最
小値を求めるなどしてＸ線フイルム濃度をよりき
め細かに制御することもできるし、分割しなけれ
ば複数個の有感部の出力の総和に対応する出力を
取り出すことができる。第１の実施例ではこのこ
とについて触れなかつたが、第１の実施例でも同
様であることは勿論である。
(ヘ) 効果
この発明による半導体Ｘ線検出器は、Ｘ線吸収
の少ない均一な基板上に非晶質半導体層を形成
し、さらにその上に蛍光層を形成してなるので、
構造がきわめて簡単であり大面積のものが容易に
製造できる。また、非晶質半導体を用いているの
で、単結晶半導体を用いた場合に比べて1/10程度
の厚さで済み、Ｘ線吸収が少なく、Ｘ線フイルム
上に陰影を生じることがない。しかも第２の導電
層と非晶質半導体層との間に、窓部を有する絶縁
層を介在させるというきわめて簡単な構成であ
り、さらに、その絶縁層の窓部の面積・形状を所
望のものにするだけで、Ｘ線に対する有感部を診
断部位に応じた形状とすることが簡単にできると
ともに、このようにしてもフイルム上に陰影が現
われることがない。
の少ない均一な基板上に非晶質半導体層を形成
し、さらにその上に蛍光層を形成してなるので、
構造がきわめて簡単であり大面積のものが容易に
製造できる。また、非晶質半導体を用いているの
で、単結晶半導体を用いた場合に比べて1/10程度
の厚さで済み、Ｘ線吸収が少なく、Ｘ線フイルム
上に陰影を生じることがない。しかも第２の導電
層と非晶質半導体層との間に、窓部を有する絶縁
層を介在させるというきわめて簡単な構成であ
り、さらに、その絶縁層の窓部の面積・形状を所
望のものにするだけで、Ｘ線に対する有感部を診
断部位に応じた形状とすることが簡単にできると
ともに、このようにしてもフイルム上に陰影が現
われることがない。
第１図Ａ，Ｂはこの発明の第１の実施例に係る
もので、第１図Ａは平面図、第１図Ｂは第１図Ａ
のＢ−Ｂ線で断面した断面図、第２図Ａ，Ｂはこ
の発明の第２の実施例に係るもので、第２図Ａは
平面図、第２図Ｂは第２図ＡのＢ−Ｂ線で断面し
た断面図である。 １１，２１……基板、１２，２２……非晶質半
導体層、１３……遮光層、１４，２４……窓部、
１５，２５……蛍光層、２６……導電層、２７…
…絶縁層、２８……透明導電層、２９……遮光
膜。
もので、第１図Ａは平面図、第１図Ｂは第１図Ａ
のＢ−Ｂ線で断面した断面図、第２図Ａ，Ｂはこ
の発明の第２の実施例に係るもので、第２図Ａは
平面図、第２図Ｂは第２図ＡのＢ−Ｂ線で断面し
た断面図である。 １１，２１……基板、１２，２２……非晶質半
導体層、１３……遮光層、１４，２４……窓部、
１５，２５……蛍光層、２６……導電層、２７…
…絶縁層、２８……透明導電層、２９……遮光
膜。
Claims (1)
- １ Ｘ線吸収の少ない均一な基板と、該基板上の
全面に形成された第１の導電層と、該導電層上の
全面に形成された非晶質半導体層と、該非晶質半
導体層上の全面に、所定領域の窓部を残して形成
された絶縁層と、該絶縁層の全面および上記窓部
の上に形成され、窓部において上記非晶質半導体
層に接触する透明な第２の導電層と、該第２の導
電層上の全面に形成された蛍光層とを有してなる
半導体Ｘ線検出器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58201739A JPS6093372A (ja) | 1983-10-27 | 1983-10-27 | 半導体ｘ線検出器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58201739A JPS6093372A (ja) | 1983-10-27 | 1983-10-27 | 半導体ｘ線検出器 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6093372A JPS6093372A (ja) | 1985-05-25 |
| JPH0556470B2 true JPH0556470B2 (ja) | 1993-08-19 |
Family
ID=16446131
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58201739A Granted JPS6093372A (ja) | 1983-10-27 | 1983-10-27 | 半導体ｘ線検出器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6093372A (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6271881A (ja) * | 1985-09-26 | 1987-04-02 | Toshiba Corp | 放射線検出器 |
| NL8503153A (nl) * | 1985-11-15 | 1987-06-01 | Optische Ind De Oude Delft Nv | Dosismeter voor ioniserende straling. |
| JPS63243781A (ja) * | 1987-03-30 | 1988-10-11 | Kanegafuchi Chem Ind Co Ltd | Ｘ線検出装置 |
| JP2638914B2 (ja) * | 1988-04-22 | 1997-08-06 | 富士通株式会社 | 露光用ｘ線の強度測定方法 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS55146071A (en) * | 1979-05-02 | 1980-11-14 | Toshiba Corp | Radiant ray detector of semiconductor |
| JPS57172273A (en) * | 1981-04-17 | 1982-10-23 | Toshiba Corp | Radiation detector |
-
1983
- 1983-10-27 JP JP58201739A patent/JPS6093372A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6093372A (ja) | 1985-05-25 |
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