JPH0582051U - 半導体装置の放熱構造 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 半導体装置の放熱性能を向上させる。 【構成】 半導体装置３の上部にカバー４を設けた半導
体装置の放熱構造であって、前記カバー４は半導体装置
３側に屈曲された放熱用舌片５を備えており、この放熱
用舌片５の先端５ａが半導体装置３に当接している半導
体装置の放熱構造。なお、放熱用舌片５はカバー４の一
部を切り起こして形成するのが好ましい。

Description

【考案の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】

本考案は、例えば、チューナを構成する半導体装置のように、上部にカバーが 設けられた半導体装置の放熱構造に関する。

【０００２】

【従来の技術】

昨今の電子機器の小型化要求とそれに応えた半導体技術の進歩によって、種々 の回路をひとつの半導体チップの中にまとめて組み込む、いわゆるワンチップ化 が進んできている。そして、このように技術はチューナにも応用されている。

【０００３】 このワンチップ化されたチューナは、チューナを構成する混合器、局部発振器 、ＩＦ出力部等の構成回路を一つのＩＣチップの中に組み込み、このＩＣチップ を回路基板に搭載するとともに、この回路基板をカバーを備えたシールドケース で覆って構成されている。

【０００４】

【考案が解決しようとする課題】

ところで、このように構成されたチューナにおいては、放熱が十分でなく、そ のために特性が悪化するという問題があった。というのも、搭載されるワンチッ プＩＣは前記した各回路をすべて駆動させるため、回路電流が数十〜１００ｍＡ と大きく、したがってＩＣ自体の発熱量も大きい。そのうえ、チューナの小型， 薄型化要求に対応するため、ワンチップＩＣは、ＳＯＰ（ｓｍｏｌｌ ｏｕｔｌ ｉｎｅ ｐａｃｋａｇｅ）と呼ばれる面実装タイプのものが多い。このような面 実装タイプのＩＣチップでは、ＩＣをほとんど基板表面に密着させて実装するの で放熱可能面積が少なくなり放熱性は極めて悪い。つまり、ワンチップＩＣを用い たチューナは、それ自身の発熱量が大きいうえ、実装形態上も放熱性が極めて悪 く、ＩＣの異常昇温を防止することが困難であった。

【０００５】 このような状態ではチューナの局部発振器の発振安定性が悪くなってしまい、 高温環境下における局発停止電圧の劣化や、温度上昇によるドリフトの劣化とい った不具合を発生させる原因となっていた。 本考案はこのような課題に鑑みてなされたものであって、半導体装置の放熱性 能を向上させることを目的としている。

【０００６】

【課題を解決するための手段】

上記目的を達成するために、本考案の半導体装置の放熱構造は、半導体装置の 上部にカバーを設けた半導体装置の放熱構造であって、前記カバーは半導体装置 側に屈曲された放熱用舌片を備えており、この放熱用舌片の先端が半導体装置に 当接していることに特徴を有している。

【０００７】 また、放熱用舌片はカバーの一部を切り起こして形成されていることが好まし い。

【０００８】

【作用】

半導体装置に生じた熱は、当接する放熱用舌片によってカバーに伝わり、そこ から外部に放熱されることになる。さらに、カバーの一部を切り起こして放熱用 舌片を形成すると、切り起しによりカバーに放熱用開口が生じることになり、こ の開口からも熱が外部に放熱されるようになる。

【０００９】

【実施例】

以下、本考案を図面に示す実施例に基づいて詳細に説明する。図1は本考案の 一実施例の平面図てであり、図２は図１のＡ−Ａ線断面図である。 このチューナ１は、回路基板２と、この回路基板２上に面実装されたＩＣチッ プ３とを備えている。ＩＣチップ３は、チューナ１の構成回路である混合器、局 部発振器、ＩＦ出力部等の種々の回路をひとつに組み込んだいわゆるワンチップ ＩＣであり、形状はＳＯＰ型といわれる面実装タイプのパッケージ形状をしてい る。そして、回路基板２とＩＣチップ３とはシールドケース内に収納され、金属 板からなるカバーによってその上方が覆われている。

【００１０】 このカバー４には、本考案の特徴となる放熱用舌片５が備えられている。放熱 用舌片５は、カバー４を構成する金属板をＩＣチップ側に切り起こして形成され ており、ＩＣチップ３の上方に設けられている。放熱用舌片５は屈曲されており 、ＩＣチップ３に向かって延出している。舌片先端５ａはＩＣチップ３の上面に 当接している。放熱用舌片５はカバー４を構成する金属板の一部であり弾性を備 えている。そのため、その弾性力によって舌片先端５ａは確実にＩＣチップ３に 当接している。また、放熱用舌片５を切り起こすため、ＩＣチップ３上方のカバ ーには舌片の形に応じた放熱用開口６が形成されている。

【００１１】 このように構成されたチューナ１を駆動するとＩＣチップ３は発熱するが、舌 片５やカバー４が金属製で熱伝導率が高いため、ＩＣチップ３が生じさせる熱の 多くが放熱用舌片５からカバー４に伝わる。カバー４に伝わった熱は、カバー４ の表面積が大きいため、チューナ１外部に確実に放熱される。なお、本実施例で は、ＩＣ３上方のカバー４には放熱用開口６が形成されている。そのため、舌片 ５に伝わらずに、ＩＣ３表面から直に放熱した熱もこの開口６からチューナ１外 部に放散されることになり、より確実に放熱が行える。

【００１２】 なお、本実施例では、放熱用舌片５をカバー４を切り起こすことによって形成 していたが、これに限るわけではなく、カバー４とは別体に舌片５を形成してお き、その舌片５をカバー４に取り付けるようにしてもよい。

【００１３】 さらに、舌片５とＩＣチップ３との密着性を高めるためにＩＣチップ３の上面 にシリコングリス等を塗布してもよい。

【００１４】

【考案の効果】

以上のように、本考案によれば、半導体装置に生じた熱は、当接する放熱用舌 片によってカバーに伝わり、そこから外部に放熱されることになった。

【００１５】 さらに、カバーの一部を切り起こして放熱用舌片を形成した場合には、切り起 しにより半導体装置上方のカバーに開口が形成されることになり、放熱用舌片を 介してだけでは放熱しきれずにＩＣチップ表面から直に放散された熱も、この開 口から放熱されるようになって、さらに効率よく放熱することができるようにな った。

【００１６】 そして、このような放熱性能の改善より、ワンチップ化や面実装といった従来 では放熱不良から電気的特性の劣化を引き起こしていたやり方によって半導体装 置の小型化や薄型化が図れるようになった。

【図面の簡単な説明】

【図１】本考案の一実施例の放熱構造を示す平面図であ
る。

【図２】図１のＡ−Ａ線断面図である。

【符号の説明】

３ 半導体装置 ４ カバー ５ 放熱用舌片 ５ａ 舌片先端 ６ 放熱用開口

Claims (2)

【実用新案登録請求の範囲】
1. 【請求項１】 半導体装置（３）の上部にカバー（４）
   を設けた半導体装置の放熱構造であって、 前記カバー（４）は半導体装置（３）側に屈曲された放
   熱用舌片（５）を備えており、この放熱用舌片（５）の
   先端（５ａ）が半導体装置（３）に当接していることを
   特徴とする半導体装置の放熱構造。
2. 【請求項２】 前記放熱用舌片（５）はカバー（４）の
   一部を切り起こして形成されていることを特徴とする請
   求項１記載の半導体装置の放熱構造。