JPH06132083A

JPH06132083A - 薄膜ｅｌ表示装置およびその製造方法

Info

Publication number: JPH06132083A
Application number: JP4278871A
Authority: JP
Inventors: Katsuji Okibayashi; 勝司沖林; Takashi Ogura; 隆小倉
Original assignee: Sharp Corp
Current assignee: Sharp Corp
Priority date: 1992-10-16
Filing date: 1992-10-16
Publication date: 1994-05-13

Abstract

(57)【要約】【目的】薄膜ＥＬ表示装置の絶縁破壊性能の改善や向
上を可能とする。【構成】ガラス基板１上に金属やＩＴＯから成る複数
の帯状の第１電極２を形成し、使用した第１電極の種類
に応じて当該第１電極の各々の端部２ａを覆うＳｉ
０₂、Ｔａ₂Ｏ₅ 、アルミナから成る絶縁体３を形成す
る。また、前記絶縁体３および前記第１電極２を覆うＳ
ｉＯ₂膜４ａとＳｉ₃Ｎ₄ 膜４ｂとから成る第１絶縁層４
を形成し、当該第１絶縁層４に母体材料ＺｎＳに発光中
心としてＭｎをドープしたＺｎＳ：Ｍｎ膜のＥＬ発光層
５と、Ｓｉ₃Ｎ₄膜６ａとＡｌ₂Ｏ₃膜６ｂとから成る第２
絶縁層６を順次積層する。さらに、前記第２絶縁層６の
表面に前記第１電極２と直交する方向に、複数の帯状の
透光性を有するＩＴＯから成る第２電極７を形成する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、絶縁破壊性能の向上を
目的とする薄膜ＥＬ表示装置およびその製造方法に関す
る。

【０００２】

【従来の技術】図９は、従来例である薄膜ＥＬ表示装置
９１の構造を示す断面図である。この薄膜ＥＬ表示装置
９１は、たとえば有機カラーフィルタを用いたカラーＥ
Ｌディスプレイに適したいわゆる反転構造から成り、ガ
ラス基板８１上にＥＬ（エレクトロルミネッセント）発
光層８５と、このＥＬ発光層８５を挟む第１絶縁層８４
および第２絶縁層８６と、この両絶縁層８４，８６の外
側に設けられた第１電極８２および第２電極８７とを備
えている。

【０００３】前記ＥＬ発光層８５は、たとえば母体材料
ＺｎＳに発光中心としてＭｎをドープした厚さ約１μｍ
のＺｎＳ：Ｍｎ膜から成る。第１絶縁層８４は、たとえ
ば厚さ３０〜８０ｎｍのＳｉＯ₂膜８４ａと厚さ２００
〜３００ｎｍのＳｉ₃Ｎ₄ 膜８４ｂとから成る。また第
２絶縁層８６は、たとえば厚さ１００〜２００ｎｍのＳ
ｉ₃Ｎ₄膜８６ａと厚さ３０〜５０ｎｍのＡｌ₂Ｏ₃膜８６
ｂとから成る。さらに第１電極８２と第２電極８７と
は、それぞれ金属Ｍｏ膜およびＩＴＯ（錫添加酸化イン
ジウム）膜などから成り、背面電極、透明電極と呼ばれ
る。

【０００４】図１０は、従来技術の薄膜ＥＬ表示装置９
１の作製手順を示す工程図である。まず工程ｃ１におい
て、ガラス基板８１上に金属Ｍｏ膜をスパッタ蒸着法な
どで成膜して、フォトリソグラフィ法などで複数の互い
に平行な帯状の第１電極８２を形成する。次に工程ｃ２
において、反応性スパッタ法などによってＳｉＯ₂ 膜８
４ａ、Ｓｉ₃Ｎ₄膜８４ｂを形成して第１絶縁層８４の形
成を行う。次に工程ｃ３において、電子ビーム蒸着法ま
たはＣＶＤ法などによってＥＬ発光層８５を形成し、そ
の後、必要に応じて熱処理によって表面処理を行う。さ
らに工程ｃ４において、反応性スパッタ法などによって
Ｓｉ₃Ｎ₄膜８６ａ、Ａｌ₂Ｏ₃膜８６ｂを形成して第２絶
縁層８６を形成し、工程ｃ５において、ＩＴＯをスパッ
タ蒸着法などで成膜し、フォトリソグラフィ法などによ
って第１電極８２と直交する方向に複数の互いに平行な
帯状の第２電極８７を形成する。次に、シリコン樹脂８
８などを塗布して加熱乾燥によって硬化させる。

【０００５】続いて、緑色または赤色の顔料が感光性樹
脂に分散されたフィルタ原料をシールガラス９０上に塗
布した後、フォトリソグラフィ法などでモザイク状に加
工する。この工程を緑色および赤色用フィルタ膜毎に繰
返し、カラーフィルタ８９を形成し、最後にガラス基板
８１とシールガラス９０とを貼合わせる。

【０００６】以上のようにして作成された薄膜ＥＬ表示
装置９１の第１電極８２と第２電極８７とに、予め定め
る交流電圧を印加することによって第１電極８２と第２
電極８７との間に挟まれた一絵素を構成するＥＬ発光層
８５が発光し、これによって表示が行われる。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】前述したような第１電
極８２が金属製のいわゆる反転構造素子では、電極の端
部形状が鋭角的になり、第１絶縁層５４による電極端段
差部８４ｃのステップカバレージ性能が悪くなり、局所
的な電界集中も相俟って、この部分での絶縁破壊性能が
低下し、絵素破壊や断線などが生じやすくなる。

【０００８】また、第１電極８２が透過率、比抵抗で良
好なＩＴＯを用いた透明電極であっても、従来技術によ
る薄膜ＥＬ表示装置９１では、以下に示すような課題を
有する。第１電極８２が透明電極である薄膜ＥＬ表示装
置９１を大型サイズパネルに用いた場合には、ＩＴＯ自
身の配線抵抗の影響が無視できなくなり、配線の長短で
輝度のむらができる。そこで、透明電極８２の膜厚を厚
くして配線抵抗を下げるような対策をとるが、第１絶縁
層８４の電極端段差部８４ｃのステップカバレージ性能
がさらに悪くなり、上述と同様の問題が生じる。

【０００９】本発明の目的は、第１絶縁層のステップカ
バレージ性能や絶縁破壊性能を改善し、より信頼性の高
い薄膜ＥＬ表示装置およびその製造方法を提供すること
である。

【００１０】

【課題を解決するための手段】本発明は、基板上に複数
の帯状の第１電極と第１絶縁層とＥＬ発光層と第２絶縁
層と前記第１電極と直交する複数の帯状の第２電極とを
順次積層して成る薄膜ＥＬ表示装置において、前記第１
電極と前記第１絶縁層との間の第１電極端段差部に絶縁
体を形成したことを特徴とする薄膜ＥＬ表示装置であ
る。

【００１１】また本発明は、基板上に複数の帯状の第１
電極を形成する工程と、前記第１電極の各々の端部を覆
う絶縁体を形成する工程と、前記絶縁体および前記第１
電極を覆う第１絶縁層を形成する工程と、前記第１絶縁
層のほぼ全面にわたってＥＬ発光層を形成する工程と、
前記ＥＬ発光層のほぼ全面にわたって第２絶縁層を形成
する工程と、前記第２絶縁層の表面に前記第１電極と直
交する方向に複数の透光性を有する帯状の第２電極を形
成する工程とを含むことを特徴とする薄膜ＥＬ表示装置
の製造方法である。

【００１２】

【作用】本発明に従えば、基板上に複数の帯状の第１電
極と絶縁体と第１絶縁層とＥＬ発光層と第２絶縁層と第
２電極とが順次積層されて二重絶縁構造の薄膜ＥＬ表示
装置を構成している。

【００１３】前記基板上にたとえばスパッタ蒸着法など
によって膜が形成された後、たとえばフォトリソグラフ
ィ法やドライエッチング法によって複数の互いに平行な
帯状の前記第１電極が形成され、当該第１電極の各々の
端部を覆うように前記絶縁体が形成される。当該絶縁体
および前記第１電極を覆うように、たとえばスパッタ蒸
着法などによって第１絶縁層が形成され、当該第１絶縁
層のほぼ全面にわたって、たとえば電子ビーム蒸着法や
化学的気相成長法などによって前記ＥＬ発光層が形成さ
れる。さらに当該ＥＬ発光層のほぼ全面にわたって、前
記第１絶縁層の形成方法と同様にして第２絶縁層が形成
される。また、当該第２絶縁層の表面に前記第１電極の
形成方法と同様にして、第１電極と直交する方向に複数
の透光性を有する帯状の前記第２電極が形成される。

【００１４】したがって発光に関する特性を変えること
なく、第１電極端段差部のステップカバレージを改善す
るとともに、前記絶縁体に覆われた前記第１電極の各々
の端部に印加される電界を、覆われていない絵素面に比
べて低くすることができ、絶縁破壊性能を改善すること
ができる。また、絶縁体で覆われている絵素面と覆われ
ていない絵素面とでは、発光開始電圧が異なるため階調
表示に適した薄膜ＥＬ表示装置を作製することができ
る。さらに、絶縁体の材料（誘電率εが異なる）や膜厚
を変化させることによって発光開始電圧自体も変化させ
ることができる。

【００１５】

【実施例】図１は、本発明の第１の実施例の薄膜ＥＬ表
示装置１１の構造を示す断面図である。この薄膜ＥＬ表
示装置１１は、有機カラーフィルタを用いたカラーＥＬ
ディスプレイに適したいわゆる反転構造から成り、ガラ
ス基板１上にＥＬ発光層５と、このＥＬ発光層５を挟む
第１絶縁層４および第２絶縁層６と、この両絶縁層４，
６の外側に設けられた第１電極２および第２電極７とを
備えている。さらに、第１電極２間には、第１電極端段
差部２ａを保護するために第１電極２の段差部２ａを覆
うように絶縁体３が形成されている。

【００１６】図１に示されるｗ１からｗ５までの参照符
号は、それぞれの寸法を示す参照符号であり、具体的な
数値としてはｗ１が２２０μｍ、ｗ２が１８０〜１９０
μｍ、ｗ３が１５〜２０μｍ、ｗ４が１１０〜１２０μ
ｍ、ｗ５が８０μｍである。

【００１７】前記ＥＬ発光層５は、たとえば母体材料Ｚ
ｎＳに発光中心としてＭｎをドープした厚さ約１μｍの
ＺｎＳ：Ｍｎ膜から成る。また、絶縁体３は厚さ２００
〜６００ｎｍのＳｉＯ₂膜から成る。第１絶縁層４は、
厚さ３０〜８０ｎｍのＳｉＯ₂膜４ａと厚さ２００〜３
００ｎｍのＳｉ₃Ｎ₄膜４ｂとから成る。また第２絶縁層
６は、厚さ１００〜２００ｎｍのＳｉ₃Ｎ₄膜６ａと厚さ
３０〜５０ｎｍのＡｌ₂Ｏ₃膜６ｂとから成る。第１電極
２は、Ｍｏ（モリブデン）膜から成り、背面電極とも呼
ばれる。また、第２電極は７は、ＩＴＯ膜から成り、透
明電極とも呼ばれる。この複数の第１電極２と第２電極
７とに、予め定める交流電圧を印加することによって、
両電極に挟持された一絵素を構成するＥＬ発光層５が発
光し、表示が行われる。

【００１８】図２は、薄膜ＥＬ表示装置１１の作製手順
を示す工程図である。なお、用いる材料や膜形成の方法
が異なるが、作業工程としては以下に説明する全実施例
とも図２と同様である。まず工程ａ１において、ガラス
基板１上にＭｏ膜をスパッタ蒸着して、フォトリソグラ
フィ法で所定の帯状に加工して第１電極２を形成する。

【００１９】次に工程ａ２において、ＳｉＯ₂膜を２５
０ｎｍの厚みで反応性スパッタ法によって蒸着し、フォ
トリソグラフィ法とドライエッチング法とで少なくとも
第１電極２の端部２ａが覆われるように加工して、絶縁
体３を形成する。このときのドライエッチング法では、
ドライエッチングガスとしてＣＦ₄ を用い、エッチング
速度は、絶縁体３が約３５０Å／ｍｉｎであり、第１電
極２が約２０Å／ｍｉｎであり、選択的エッチングが可
能である。

【００２０】次に工程ａ３において、反応性スパッタ法
によってＳｉＯ₂膜４ａ、Ｓｉ₃Ｎ₄膜４ｂを順次形成
し、第１絶縁層４を形成する。次に工程ａ４において、
電子ビーム蒸着法またはＣＶＤ法によってＥＬ発光層５
を形成し、その後必要に応じて熱処理による表面処理を
行う。さらに、工程ａ５において反応性スパッタ法によ
ってＳｉ₃Ｎ₄膜６ａ、Ａｌ₂Ｏ₃膜６ｂを順次形成して第
２絶縁層を形成し、工程ａ６においてＩＴＯをスパッタ
法によって蒸着して、フォトリソグラフィ法で第１電極
と直交する方向に帯状の第２電極７を形成する。

【００２１】次に、シリコン樹脂８を塗布して加熱乾燥
して硬化させ、緑色または赤色の顔料が感光性樹脂に分
散されたフィルタ原料をシールガラス１０上に塗布した
後、フォトリソグラフィ法でモザイク状に加工する。こ
の工程を緑色用および赤色用フィルタ膜毎に繰返し、カ
ラーフィルタ９を形成し、最後にガラス基板１とシール
ガラス１０とを張合わせる。

【００２２】以上のようにして作製された薄膜ＥＬ表示
装置１１と従来の薄膜ＥＬ表示装置９１とを実際に駆動
させ、電圧を徐々に上げながら素子を破壊する評価法で
破壊特性を調べて比較した場合、従来のものは第１電極
端部８２ａから生じるプロパゲイト破壊の破壊電圧は２
７０Ｖであるのに対し、本実施例の第１電極端部２ａの
破壊電圧は３５０Ｖであった。したがって、絶縁体３を
形成したことによって第１電極端部８２ａのステップカ
バレージ性能が向上し、絶縁破壊や断線が生じにくくな
り、薄膜ＥＬ表示装置１１の信頼性が向上する。

【００２３】次に、本発明の第２実施例を説明する。本
実施例の特徴は、絶縁体２３を陽極酸化法で形成したこ
とである。図３は、本発明の第２の実施例に用いられる
陽極酸化装置の側面図であり、図４は、本実施例の処理
過程を示す工程図であり、図５は、その工程に対応した
基板の断面図である。なお、第２実施例以降で第１実施
例と同様の材料を用いる場合は同一の参照符号を付す。

【００２４】陽極酸化液３３である１％の酒石酸アンモ
ニウム溶液が入れられた陽極酸化槽３２内に設けられた
電極の陰極側にステンレス板が接続され、陽極側に基板
３６が接続される。この陽極酸化が行われる基板３６は
以下の手順で作製される。

【００２５】工程ｂ１においてガラス基板１の全面に第
１電極２２としてのＴａ（タンタル）がスパッタ法で蒸
着された後、工程ｂ２においてタンタル層の全面にわた
ってフォトレジスト３４が塗布される。次に工程ｂ３に
おいて、図５（１）に示されるように破線部３４ａと破
線部３４ｂとの間および破線部３４ｃと破線部３４ｄと
の間を残し、フォトリソグラフィ法でフォトレジスト３
４がパターニングされ、同様に工程ｂ４において、ドラ
イエッチング法でタンタル層がエッチングされて図５
（２）に示すように、第１電極２２上にフォトレジスト
３４が残留した状態となる。この状態のものを基板３６
とする。

【００２６】次に工程ｂ５において、基板３６を前述の
図３に示す陽極酸化装置を用いて酸化電圧８０Ｖで酸化
処理を行うと、酸化反応は陽極酸化液３３と接している
第１電極端部２２ａで進行し、図５（３）に示すように
第１電極端部２２ａには陽極酸化膜であるＴａ₂Ｏ₅から
成る絶縁体２３が形成される。その後、工程ｂ６におい
て、図５（４）に示すように第１電極２２上に残留して
いたフォトレジスト３４を除去する。第１絶縁層以降の
形成は、第１の実施例と同様に行う。

【００２７】本実施例においても前述の第１実施例と同
様の効果がある。さらに、陽極酸化法によって絶縁体２
３を作製することによって、ピンホールの少ない緻密な
絶縁体２３を形成することができる。また、スパッタ法
などの真空装置を用いる方法と比べると、設備が単純で
量産性に優れるという特徴を有し、さらに絶縁体２３を
形成した後に加工を行わなくてもよいという利点を有し
ている。

【００２８】図６は、本発明の第３の実施例の薄膜ＥＬ
表示装置５１の構造を示す断面図である。本実施例の特
徴は、第１電極４２としてＩＴＯ膜から成る透明電極を
用いたことである。それ以外の構成要素および各部分の
寸法などは第１の実施例と同様である。

【００２９】薄膜ＥＬ表示装置５１の作製方法として
は、基板ガラス１に錫を添加した酸化インジウムを焼結
ターゲットとして採用した反応性スパッタ法によって第
１電極４２を３０００Åの膜厚に形成する。その後、必
要に応じて減圧状態で熱処理で表面処理を行い、フォト
リソグラフィ法によってパターニングを施す。次に、ア
ルコキシ系アルミニウムを出発原料とする減圧ＣＶＤ法
でアルミナの絶縁体４３を形成し、フォトリソグラフィ
法で第１電極の端部４２ａを覆う部分を残すように加工
する。第１絶縁層４から第２電極７までの形成の過程
は、第１の実施例と同様である。

【００３０】次に基板のシール法であるが、ＥＬ部分に
対する掘り込みが形成されたシールガラス１０とガラス
基板１とを張合わせた後、この空間５３にシリカゲル粉
末を混入したオイル５３ａを注入する。このオイル５３
ａを注入することによって、外部から侵入あるいは膜中
から放出される水分をシリカゲルとオイルが吸収し水分
に起因するＥＬ発光層５と第２絶縁層６との間の吸湿剥
離を防止できる。

【００３１】本実施例においても、前述の第１実施例と
同様の効果がある。さらに、絶縁体４３を形成する際に
ＳｉＯ₂ のスパッタ法ではなく、減圧ＣＶＤ法を用いる
ことによってよりステップカバレージ性能に優れた絶縁
体４３を形成することが可能になる。

【００３２】図７は、本発明の第４の実施例の薄膜ＥＬ
表示装置７１の構造を示す平面図および断面図である。
薄膜ＥＬ表示装置７１を構成している要素およびその作
製方法については、第３の実施例と全く同様である。第
３の実施例と異なる点は、第１電極の端部４２ａを覆う
ように形成された絶縁体４３の幅が広く、第１から第３
の実施例のものの約３倍近くあり、絵素の半分を覆って
おり、図７（１）に示されるように１絵素内で発光開始
電圧値の異なる領域Ａ，Ｂが生じることである。図７中
の参照符号ｗ７からｗ１０で示されている寸法の具体的
な数値としては、ｗ７が２２０μｍ、ｗ８が１１０μ
ｍ、ｗ９が５０μｍ、ｗ１０が８０μｍに選ばれる。

【００３３】図８は、本実施例の薄膜ＥＬ表示装置７１
と従来のものとの輝度−電圧特性を示したグラフであ
る。図８（１）のグラフに示されている２つの曲線α
１，β１は、薄膜ＥＬ表示装置７１内の異なる絵素にお
ける輝度の測定値であり、この差はＥＬ発光層および絶
縁体を作製する上での膜厚分布の違いに起因する。図８
（２）のグラフに示されている２つの曲線α２，β２
は、従来のＥＬ表示装置における測定値である。

【００３４】図８（２）に示すように従来の薄膜ＥＬ表
示装置の輝度−電圧特性を示す曲線の特徴は、輝度ｈ５
から輝度ｈ６までの範囲ｋ５で示される低輝度部の急峻
な立上がりと、輝度ｈ６から輝度ｈ７までの範囲ｋ６で
示される高輝度部で飽和状態となる点とである。それに
比べて図８（１）に示すようにＥＬ表示装置７１におい
ては、輝度ｈ０から輝度ｈ１までの範囲ｋ１と輝度ｈ２
から輝度ｈ３までの範囲ｋ３とで示される急峻な立上が
り部分があり、輝度ｈ１から輝度ｈ２までの範囲ｋ２
と、輝度ｈ３から輝度ｈ４までの範囲ｋ４とで示される
飽和部分とが見られる。つまり、本実施例においては、
急峻な立上がり部分と飽和部分とが２段に分かれてい
る。これは、同一絵素内において絶縁体が被覆する領域
とそうでない領域とで異なる発光開始電圧を有するため
である。

【００３５】また、本実施例では範囲ｋ２付近の中間調
領域で緩やかな曲線を示し、階調表示に適していること
を示している。このことをより明確にするため、２つの
曲線α１，β１；α２，β２の各輝度差Ｌ１，Ｌ２（Ｌ
１＝α１−β１，Ｌ２＝α２−β２）を求め、その輝度
差−電圧特性を図８（１），（２）の各々上部に示し
た。まず従来の薄膜ＥＬ表示装置では、範囲ｋ５で示さ
れる低輝度部において輝度差Ｌ２が大きいことを示す極
大値ｍがあり、視覚によっても輝度差が認識できてしま
い階調レベルの差が目立つ。これに対し本実施例では、
輝度差Ｌ１が大きな部分が複数箇所にわかれており、値
としても従来の極大値ｍよりもかなり小さく改善されて
いる。この特性は、絶縁体を複数層形成することによっ
てさらに向上させることができる。

【００３６】

【発明の効果】以上のように本発明によれば、第１電極
と第１絶縁層との間の第１電極端段差部に絶縁体を形成
することによって、前記段差部分のステップカバレージ
性能が改善されるとともに、前記絶縁体に覆われた前記
第１電極の各々の端部付近に印加される電界を、絶縁体
に覆われていない絵素面に比べて低くすることができ、
絶縁破壊性能を改善することができ、絵素破壊や断線を
防止することができる。

【００３７】また、第１電極に金属電極を用いたいわゆ
る反転構造のものでは絶縁破壊が生じにくくなる一方、
第１電極に透明電極を用いた場合には配線抵抗を従来に
比べて低減した大型パネルが作製でき、配線の長短に起
因して生じる輝度のばらつきを改善することができ、信
頼性の高い薄膜ＥＬ表示装置を提供することができる。

【００３８】さらに、同一絵素内で絶縁体で覆われてい
る部分と覆われていない部分とでは、発光開始電圧が異
なるため、階調表示に適した薄膜ＥＬ表示装置を作製す
ることができる。また、絶縁体の材料や膜厚を変えるこ
とによっても発光開始電圧を変えることができ、階調表
示に利用することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１の実施例の薄膜ＥＬ表示装置１１
の構造を示す断面図である。

【図２】薄膜ＥＬ表示装置１１の作製手順を示す工程図
である。

【図３】本発明の第２の実施例に用いられる陽極酸化装
置の側面図である。

【図４】第２実施例における絶縁体２３の形成手順を示
す工程図である。

【図５】第２実施例における絶縁体２３の形成手順を示
す基板の断面図である。

【図６】本発明の第３の実施例の薄膜ＥＬ表示装置４１
の構造を示す断面図である。

【図７】本発明の第４の実施例の薄膜ＥＬ表示装置７１
の構造を示す断面図である。

【図８】本発明の薄膜ＥＬ表示装置７１と従来技術のも
のとの輝度−電圧特性を示したグラフである。

【図９】従来技術の薄膜ＥＬ表示装置９１の構造を示す
断面図である。

【図１０】従来技術の薄膜ＥＬ表示装置９１の作製手順
を示す工程図である。

【符号の説明】

１ガラス基板２，２ａ，２２，２２ａ，４２，４２ａ第１電極３，２３，４３絶縁体４，４ａ，４ｂ第１絶縁層５ＥＬ発光層６，６ａ，６ｂ第２絶縁層７第２電極１１，５１，７１薄膜ＥＬ表示装置

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】基板上に複数の帯状の第１電極と第１絶
縁層とＥＬ発光層と第２絶縁層と前記第１電極と直交す
る複数の帯状の第２電極とを順次積層して成る薄膜ＥＬ
表示装置において、前記第１電極と前記第１絶縁層との間の第１電極端段差
部に絶縁体を形成したことを特徴とする薄膜ＥＬ表示装
置。
【請求項２】基板上に複数の帯状の第１電極を形成す
る工程と、前記第１電極の各々の端部を覆う絶縁体を形成する工程
と、前記絶縁体および前記第１電極を覆う第１絶縁層を形成
する工程と、前記第１絶縁層のほぼ全面にわたってＥＬ発光層を形成
する工程と、前記ＥＬ発光層のほぼ全面にわたって第２絶縁層を形成
する工程と、前記第２絶縁層の表面に前記第１電極と直交する方向に
複数の透光性を有する帯状の第２電極を形成する工程と
を含むことを特徴とする薄膜ＥＬ表示装置の製造方法。