JPH06132424A - スイッチング半導体装置 - Google Patents
スイッチング半導体装置Info
- Publication number
- JPH06132424A JPH06132424A JP4277586A JP27758692A JPH06132424A JP H06132424 A JPH06132424 A JP H06132424A JP 4277586 A JP4277586 A JP 4277586A JP 27758692 A JP27758692 A JP 27758692A JP H06132424 A JPH06132424 A JP H06132424A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- switching
- metal case
- switching semiconductor
- semiconductor device
- noise
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
- H02M—APPARATUS FOR CONVERSION BETWEEN AC AND AC, BETWEEN AC AND DC, OR BETWEEN DC AND DC, AND FOR USE WITH MAINS OR SIMILAR POWER SUPPLY SYSTEMS; CONVERSION OF DC OR AC INPUT POWER INTO SURGE OUTPUT POWER; CONTROL OR REGULATION THEREOF
- H02M7/00—Conversion of AC power input into DC power output; Conversion of DC power input into AC power output
- H02M7/003—Constructional details, e.g. physical layout, assembly, wiring or busbar connections
Landscapes
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】本来のスイッチング特性を損なうことなしに、
スイッチング動作に伴って発生するノイズの大幅な低減
化が図れるようにしたスイッチング半導体装置を提供す
る。 【構成】スイッチング半導体素子１とリードフレーム２
との組立体をモールド樹脂３で封止するとともに、その
周囲にシールド用金属ケース４で覆い、かつ金属ケース
にグランド端子４ａを設けて構成する。そして、スイッ
チング動作に伴って発生するノイズを金属ケースとの間
の静電容量，および金属ケースを通じてグラング側に逃
がし、ノイズが周辺に伝播するのを防止する。
スイッチング動作に伴って発生するノイズの大幅な低減
化が図れるようにしたスイッチング半導体装置を提供す
る。 【構成】スイッチング半導体素子１とリードフレーム２
との組立体をモールド樹脂３で封止するとともに、その
周囲にシールド用金属ケース４で覆い、かつ金属ケース
にグランド端子４ａを設けて構成する。そして、スイッ
チング動作に伴って発生するノイズを金属ケースとの間
の静電容量，および金属ケースを通じてグラング側に逃
がし、ノイズが周辺に伝播するのを防止する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、スイッチング電源，イ
ンバータなどに用いるスイッチングパワーデバイスを対
象としたスイッチング半導体装置に関する。
ンバータなどに用いるスイッチングパワーデバイスを対
象としたスイッチング半導体装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】スイッチング電源，ＰＷＭ制御インバー
タなどでは小型，高効率化を押し進めるために、スイッ
チング素子にパワートランジスタを用いたスイッチング
パワーデバイスが広く採用されている。また、かかるス
イッチングパワーデバイスは、高機能化とともにスイッ
チング周波数がますます高くなる傾向にあるが、一方で
は、スイッチングパワーデバイスのスイッチング動作に
伴って高周波ノイズの発生し、これが誘導ノイズとして
周囲に伝播して周辺回路，周辺機器にノイズ障害を及ぼ
すことが知られており、しかもスイッチング周波数の高
まりに伴いノイズ障害の影響も大きくなることから、そ
のノイズ低減対策がスイッチング半導体装置に課せられ
た重要課題の一つとなっている。
タなどでは小型，高効率化を押し進めるために、スイッ
チング素子にパワートランジスタを用いたスイッチング
パワーデバイスが広く採用されている。また、かかるス
イッチングパワーデバイスは、高機能化とともにスイッ
チング周波数がますます高くなる傾向にあるが、一方で
は、スイッチングパワーデバイスのスイッチング動作に
伴って高周波ノイズの発生し、これが誘導ノイズとして
周囲に伝播して周辺回路，周辺機器にノイズ障害を及ぼ
すことが知られており、しかもスイッチング周波数の高
まりに伴いノイズ障害の影響も大きくなることから、そ
のノイズ低減対策がスイッチング半導体装置に課せられ
た重要課題の一つとなっている。
【０００３】一方、スイッチング半導体装置のノイズ低
減対策として、スイッチングパワーデバイスのリード端
子にフェライトビーズ（チョークコイルの一種）を挿入
したり、ゲート抵抗を接続して調整するなどしたノイズ
低減策が従来より知られている。
減対策として、スイッチングパワーデバイスのリード端
子にフェライトビーズ（チョークコイルの一種）を挿入
したり、ゲート抵抗を接続して調整するなどしたノイズ
低減策が従来より知られている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ところで、前記した従
来のノイズ低減対策では、部品点数，組立，調整工数が
増えるのみならず、スイッチングパワーデバイスのスイ
ッチング特性の面でスイッチング周波数が低く抑えられ
たり、スイッチング損失の増加を招くといった問題があ
る。
来のノイズ低減対策では、部品点数，組立，調整工数が
増えるのみならず、スイッチングパワーデバイスのスイ
ッチング特性の面でスイッチング周波数が低く抑えられ
たり、スイッチング損失の増加を招くといった問題があ
る。
【０００５】本発明は上記の点にかんがみなされたもの
であり、その目的は本来のスイッチング特性を損なうこ
となしに、スイッチング動作に伴って発生するノイズの
大幅な低減化が図れるようにしたスイッチング半導体装
置を提供することにある。
であり、その目的は本来のスイッチング特性を損なうこ
となしに、スイッチング動作に伴って発生するノイズの
大幅な低減化が図れるようにしたスイッチング半導体装
置を提供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明のスイッチング半導体装置は、スイッチング
半導体素子とフレームとの組立体を樹脂で封止するとと
もに、その周囲にシールド用金属ケースを被覆して構成
するものとする。また、前記構成の実施態様として、金
属ケースにグランド端子を設けた構成がある。
め、本発明のスイッチング半導体装置は、スイッチング
半導体素子とフレームとの組立体を樹脂で封止するとと
もに、その周囲にシールド用金属ケースを被覆して構成
するものとする。また、前記構成の実施態様として、金
属ケースにグランド端子を設けた構成がある。
【０００７】
【作用】上記の構成によれば、スイッチング半導体素子
と金属ケースとの間には封止樹脂を誘電体とする静電容
量が形成され、ここで金属ケースをグランドに接地する
ことにより金属ケースはゼロ電位（大地電位）に保持さ
れる。したがってスイッチング素子のスイッチング動作
により発生したノイズは前記静電容量，金属ケースを介
してグランド側に逃げる。つまり、金属ケースが電磁シ
ールドとして機能するので、特にフェライトビーズなど
のノイズ抑制部品などを使用することなく、スイッチン
グ半導体装置から周辺に伝播するノイズを大幅に低減で
きる。なお、該金属ケースは外来ノイズに対する電磁シ
ールドとしても機能し、スイッチング素子を外来ノイズ
から保護するように働く。
と金属ケースとの間には封止樹脂を誘電体とする静電容
量が形成され、ここで金属ケースをグランドに接地する
ことにより金属ケースはゼロ電位（大地電位）に保持さ
れる。したがってスイッチング素子のスイッチング動作
により発生したノイズは前記静電容量，金属ケースを介
してグランド側に逃げる。つまり、金属ケースが電磁シ
ールドとして機能するので、特にフェライトビーズなど
のノイズ抑制部品などを使用することなく、スイッチン
グ半導体装置から周辺に伝播するノイズを大幅に低減で
きる。なお、該金属ケースは外来ノイズに対する電磁シ
ールドとしても機能し、スイッチング素子を外来ノイズ
から保護するように働く。
【０００８】また、金属ケースに設けたグランド端子
は、スイッチング半導体装置をスイッチング電源などに
組み込む際のアース端子として使用される。
は、スイッチング半導体装置をスイッチング電源などに
組み込む際のアース端子として使用される。
【０００９】
【実施例】以下、本発明の実施例を図面に基づいて説明
する。図１，図２において、１はパワートランジスタな
どのスイッチング半導体素子、２はリードフレーム、２
ａはリードフレーム２から引出した外部リード、３はス
イッチング半導体素子１とリードフレーム２の組立体周
囲を封止したモールド樹脂、４はモールド樹脂３の周囲
を取り囲んだシールド用の金属ケースであり、該金属ケ
ース４には外部リード２ａと同方向にグランド端子４ａ
が引出してある。そして、当該スイッチング半導体装置
をスイッチング電源，インバータなどのプリント配線板
に実装する際に同時にグランド端子４ａがグランド側に
接続される。
する。図１，図２において、１はパワートランジスタな
どのスイッチング半導体素子、２はリードフレーム、２
ａはリードフレーム２から引出した外部リード、３はス
イッチング半導体素子１とリードフレーム２の組立体周
囲を封止したモールド樹脂、４はモールド樹脂３の周囲
を取り囲んだシールド用の金属ケースであり、該金属ケ
ース４には外部リード２ａと同方向にグランド端子４ａ
が引出してある。そして、当該スイッチング半導体装置
をスイッチング電源，インバータなどのプリント配線板
に実装する際に同時にグランド端子４ａがグランド側に
接続される。
【００１０】
【発明の効果】以上述べたように、本発明によれば、ス
イッチング半導体素子とフレームとの組立体を樹脂で封
止するとともに、その周囲にシールド用金属ケースを被
覆して構成したことにより、高いスイッチング特性を維
持しつつ、しかもスイッチング動作に伴って発生するノ
イズをグランド側に逃がして周辺に伝播するのを防止す
ることができるとともに、金属ケースは外来ノイズに対
するシールドとしても機能してスイッチング半導体素子
を保護する。これにより、従来装置におけるフェライト
ビーズ，ゲート抵抗などの部品を省ぶくことができ、安
価で、ノイズに対する信頼性の高いスイッチング半導体
装置が提供できる。
イッチング半導体素子とフレームとの組立体を樹脂で封
止するとともに、その周囲にシールド用金属ケースを被
覆して構成したことにより、高いスイッチング特性を維
持しつつ、しかもスイッチング動作に伴って発生するノ
イズをグランド側に逃がして周辺に伝播するのを防止す
ることができるとともに、金属ケースは外来ノイズに対
するシールドとしても機能してスイッチング半導体素子
を保護する。これにより、従来装置におけるフェライト
ビーズ，ゲート抵抗などの部品を省ぶくことができ、安
価で、ノイズに対する信頼性の高いスイッチング半導体
装置が提供できる。
【図１】本発明の実施例によるスイッチング半導体装置
の構成図
の構成図
【図２】図１の断面図
１ スイッチング半導体素子 ２ リードフレーム ２ａ 外部リード ３ モールド樹脂 ４ 金属ケース ４ａ グランド端子
Claims (2)
- 【請求項１】スイッチング半導体素子とフレームとの組
立体を樹脂で封止するとともに、その周囲にシールド用
金属ケースを被覆して構成したことを特徴とするスイッ
チング半導体装置。 - 【請求項２】請求項１記載のスイッチング半導体装置に
おいて、金属ケースにグランド端子を設けたことを特徴
とするスイッチング半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4277586A JPH06132424A (ja) | 1992-10-16 | 1992-10-16 | スイッチング半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4277586A JPH06132424A (ja) | 1992-10-16 | 1992-10-16 | スイッチング半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06132424A true JPH06132424A (ja) | 1994-05-13 |
Family
ID=17585532
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4277586A Pending JPH06132424A (ja) | 1992-10-16 | 1992-10-16 | スイッチング半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06132424A (ja) |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06254633A (ja) * | 1993-03-08 | 1994-09-13 | Uchinuki:Kk | 打抜き加工装置 |
| JP2000091475A (ja) * | 1998-09-09 | 2000-03-31 | Shindengen Electric Mfg Co Ltd | 半導体装置 |
| JP2001083174A (ja) * | 1999-09-14 | 2001-03-30 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 加速度センサ |
| WO2002063695A1 (fr) * | 2001-02-02 | 2002-08-15 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Transistor bipolaire à grille isolée, dispositif à semi-conducteurs, et procédés de fabrication correspondants |
| US6538319B2 (en) | 1997-09-02 | 2003-03-25 | Oki Electric Industry Co., Ltd. | Semiconductor device |
| US7205574B2 (en) | 2003-10-16 | 2007-04-17 | Sharp Kabushiki Kaisha | Optical semiconductor device |
| WO2010147202A1 (ja) * | 2009-06-19 | 2010-12-23 | 株式会社安川電機 | 電力変換装置 |
| CN102460694A (zh) * | 2009-06-19 | 2012-05-16 | 株式会社安川电机 | 电力变换装置 |
| JP2018117256A (ja) * | 2017-01-18 | 2018-07-26 | 新電元工業株式会社 | クランプ型半導体装置及びスイッチング電源装置 |
-
1992
- 1992-10-16 JP JP4277586A patent/JPH06132424A/ja active Pending
Cited By (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06254633A (ja) * | 1993-03-08 | 1994-09-13 | Uchinuki:Kk | 打抜き加工装置 |
| US6538319B2 (en) | 1997-09-02 | 2003-03-25 | Oki Electric Industry Co., Ltd. | Semiconductor device |
| KR100404159B1 (ko) * | 1997-09-02 | 2004-02-05 | 오끼 덴끼 고오교 가부시끼가이샤 | 반도체장치 |
| JP2000091475A (ja) * | 1998-09-09 | 2000-03-31 | Shindengen Electric Mfg Co Ltd | 半導体装置 |
| JP2001083174A (ja) * | 1999-09-14 | 2001-03-30 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 加速度センサ |
| WO2002063695A1 (fr) * | 2001-02-02 | 2002-08-15 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Transistor bipolaire à grille isolée, dispositif à semi-conducteurs, et procédés de fabrication correspondants |
| US6734497B2 (en) | 2001-02-02 | 2004-05-11 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Insulated gate bipolar transistor, semiconductor device, method of manufacturing insulated-gate bipolar transistor, and method of manufacturing semiconductor device |
| JPWO2002063695A1 (ja) * | 2001-02-02 | 2004-06-10 | 三菱電機株式会社 | 絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ、半導体装置、絶縁ゲート型バイポーラトランジスタの製造方法、および半導体装置の製造方法 |
| US7205574B2 (en) | 2003-10-16 | 2007-04-17 | Sharp Kabushiki Kaisha | Optical semiconductor device |
| WO2010147202A1 (ja) * | 2009-06-19 | 2010-12-23 | 株式会社安川電機 | 電力変換装置 |
| CN102460694A (zh) * | 2009-06-19 | 2012-05-16 | 株式会社安川电机 | 电力变换装置 |
| JP2018117256A (ja) * | 2017-01-18 | 2018-07-26 | 新電元工業株式会社 | クランプ型半導体装置及びスイッチング電源装置 |
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