JPH0614189B2 - 電子写真用光導電部材 - Google Patents
電子写真用光導電部材Info
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- JPH0614189B2 JPH0614189B2 JP58064525A JP6452583A JPH0614189B2 JP H0614189 B2 JPH0614189 B2 JP H0614189B2 JP 58064525 A JP58064525 A JP 58064525A JP 6452583 A JP6452583 A JP 6452583A JP H0614189 B2 JPH0614189 B2 JP H0614189B2
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording-members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat or to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/02—Charge-receiving layers
- G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
- G03G5/08—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic
- G03G5/082—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic and not being incorporated in a bonding material, e.g. vacuum deposited
- G03G5/08214—Silicon-based
- G03G5/08221—Silicon-based comprising one or two silicon based layers
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording-members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat or to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/10—Bases for charge-receiving or other layers
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Description
【発明の詳細な説明】 本発明は、光（ここでは広義の光で、紫外光線、可視光
線、赤外光線、Ｘ線、γ線等を示す）のような電磁波に
感受性のある電子写真用光導電部材に関する。
線、赤外光線、Ｘ線、γ線等を示す）のような電磁波に
感受性のある電子写真用光導電部材に関する。
像形成分野における電子写真用像形成部材に於ける光導
電層を形成する光導電材料としては、高感度で、ＳＮ比
［光電流(Ip)/(Id)］が高く、照射する電磁波のスペク
トル特性にマッチングした吸収スペクトル特性を有する
こと、光応答性が速く、所望の暗抵抗値を有すること、
使用度において人体に対して無公害であること等の特性
が要求される。殊に、事務機としてオフィスで使用され
る電子写真装置内に組込まれる電子写真用像形成部材の
場合には、上記の使用時における無公害性は重要な点で
ある。
電層を形成する光導電材料としては、高感度で、ＳＮ比
［光電流(Ip)/(Id)］が高く、照射する電磁波のスペク
トル特性にマッチングした吸収スペクトル特性を有する
こと、光応答性が速く、所望の暗抵抗値を有すること、
使用度において人体に対して無公害であること等の特性
が要求される。殊に、事務機としてオフィスで使用され
る電子写真装置内に組込まれる電子写真用像形成部材の
場合には、上記の使用時における無公害性は重要な点で
ある。
このような観点に立脚して最近注目されている光導電材
料に、水素(H)やハロゲン原子(X)等の一価の元素でダン
グリングボンドが修飾されたアモルファスシリコン（以
後a-Si(H,X)と表記する）があり、例えば独国公開第274
6967号公報、同第2855718号公報には電子写真用像形成
部材への応用が記載されており、その優れた光導電性、
耐摩耗性、耐熱性及び大面積化が比較的容易であること
から電子写真用像形成部材への応用が期待されている。
料に、水素(H)やハロゲン原子(X)等の一価の元素でダン
グリングボンドが修飾されたアモルファスシリコン（以
後a-Si(H,X)と表記する）があり、例えば独国公開第274
6967号公報、同第2855718号公報には電子写真用像形成
部材への応用が記載されており、その優れた光導電性、
耐摩耗性、耐熱性及び大面積化が比較的容易であること
から電子写真用像形成部材への応用が期待されている。
一般に、a-Si(H,X)を含有する光導電材料を有する電子
写真用の感光体ドラムを製造する場合には、良好な光導
電特性を得るために、a-Si(H,X)膜堆積装置内で、ドラ
ム状金属基体を200℃〜350℃のSe系の場合に比べて極め
て高い温度に加熱し続けるという条件でドラム状金属基
体上にa-Si(H,X)膜堆積を１〜100μの膜厚に形成してい
る。この基体の高温加熱維持は電子写真特性に優れたa-
Si系感光ドラムを製造する上で必要であり、a-Si(H,X)
膜の堆積速度を考慮すれば、この高温加熱維持は、数時
間から十数時間までに及ぶのが現状である。そして、ド
ラム状金属基体とa-Si(H,X)膜の熱膨張係数に差がある
ことと、a-Si(H,X)膜の内部応力が大きいこととから、
前記のようにドラム状金属基体を高温加熱維持するa-Si
(H,X)膜の堆積中だけでなく、堆積後外気温度まで冷却
する際にも、堆積したa-Si(H,X)膜がドラム状金属基体
から剥離することが認められることが少なくなかった。
更に、電子写真用の感光ドラムとしての使用時に使用環
境温度如何によってはドラムが加熱されることによって
もa-Si(H,X)膜が剥れる場合が少なくはなかった。本発
明者等の多くの実験によれば、a-Si(H,X)膜の場合の膜
剥れは、a-Si(H,X)膜の膜厚が厚くなればなる程生じや
すく、また従来のSe系電子写真用感光ドラムでは膜剥れ
が生じない程度のドラム状金属基体の熱変形（殊に、光
導電層の形成時に起り易すい）によっても、a-Si(H,X)
系感光体ドラムの場合には前記熱膨張係数の差とa-Si
(H,X)膜の内部応力の大きさとの理由から膜剥れが生じ
る場合が少なくはなかった。a-Si(H,X)膜の内部応力に
ついては、a-Si(H,X)膜の製造条件（原料ガスの種類、
ガス流量比、放電パワー、基体の加熱温度、製造装置の
内部構造等）によって、ある程度は緩和することはでき
るが、生産性、量産性のことを考慮すると未だ不充分で
ある。そして、この膜剥れは、電子写真用感光体ドラム
として使用した場合には、画像欠陥の原因となり致命的
なものである。
写真用の感光体ドラムを製造する場合には、良好な光導
電特性を得るために、a-Si(H,X)膜堆積装置内で、ドラ
ム状金属基体を200℃〜350℃のSe系の場合に比べて極め
て高い温度に加熱し続けるという条件でドラム状金属基
体上にa-Si(H,X)膜堆積を１〜100μの膜厚に形成してい
る。この基体の高温加熱維持は電子写真特性に優れたa-
Si系感光ドラムを製造する上で必要であり、a-Si(H,X)
膜の堆積速度を考慮すれば、この高温加熱維持は、数時
間から十数時間までに及ぶのが現状である。そして、ド
ラム状金属基体とa-Si(H,X)膜の熱膨張係数に差がある
ことと、a-Si(H,X)膜の内部応力が大きいこととから、
前記のようにドラム状金属基体を高温加熱維持するa-Si
(H,X)膜の堆積中だけでなく、堆積後外気温度まで冷却
する際にも、堆積したa-Si(H,X)膜がドラム状金属基体
から剥離することが認められることが少なくなかった。
更に、電子写真用の感光ドラムとしての使用時に使用環
境温度如何によってはドラムが加熱されることによって
もa-Si(H,X)膜が剥れる場合が少なくはなかった。本発
明者等の多くの実験によれば、a-Si(H,X)膜の場合の膜
剥れは、a-Si(H,X)膜の膜厚が厚くなればなる程生じや
すく、また従来のSe系電子写真用感光ドラムでは膜剥れ
が生じない程度のドラム状金属基体の熱変形（殊に、光
導電層の形成時に起り易すい）によっても、a-Si(H,X)
系感光体ドラムの場合には前記熱膨張係数の差とa-Si
(H,X)膜の内部応力の大きさとの理由から膜剥れが生じ
る場合が少なくはなかった。a-Si(H,X)膜の内部応力に
ついては、a-Si(H,X)膜の製造条件（原料ガスの種類、
ガス流量比、放電パワー、基体の加熱温度、製造装置の
内部構造等）によって、ある程度は緩和することはでき
るが、生産性、量産性のことを考慮すると未だ不充分で
ある。そして、この膜剥れは、電子写真用感光体ドラム
として使用した場合には、画像欠陥の原因となり致命的
なものである。
また、a-Si(H,X)膜の製造時に於けるドラム状金属基体
の長時間にわたる高温加熱は、上記の膜剥れの原因とな
るばかりでなく、ドラム状金属基体の熱変形をも生じさ
せやすく、この熱変形は、a-Si(H,X)堆積膜の製造時の
放電の不均一を引き起こして、これによりa-Si(H,X)堆
積膜の膜厚の均一性が失われ、画像欠陥の原因となる。
の長時間にわたる高温加熱は、上記の膜剥れの原因とな
るばかりでなく、ドラム状金属基体の熱変形をも生じさ
せやすく、この熱変形は、a-Si(H,X)堆積膜の製造時の
放電の不均一を引き起こして、これによりa-Si(H,X)堆
積膜の膜厚の均一性が失われ、画像欠陥の原因となる。
本発明は上記の諸点に鑑み成されたもので、a-Si(H,X)
に関し電子写真用像形成部材に使用される光導電部材と
しての適用性とその応用性という観点から総括的に鋭意
研究検討を重ねた結果、特定の厚みを有するドラム状金
属基体をa-Si(H,X)堆積膜の支持体として使用すること
によって、膜剥れ等の上記問題点を解決できることを見
い出しことに基づくものである。
に関し電子写真用像形成部材に使用される光導電部材と
しての適用性とその応用性という観点から総括的に鋭意
研究検討を重ねた結果、特定の厚みを有するドラム状金
属基体をa-Si(H,X)堆積膜の支持体として使用すること
によって、膜剥れ等の上記問題点を解決できることを見
い出しことに基づくものである。
本発明は、a-Si(H,X)堆積膜の膜剥れによる白抜け等の
画像欠陥が少なく、高品質な画像を得ることができる電
子写真用の光導電部材を提供することを目的とする。
画像欠陥が少なく、高品質な画像を得ることができる電
子写真用の光導電部材を提供することを目的とする。
本発明の他の目的は、電気的、光学的、光導電的特性が
常時安定し、繰り返し使用に際しても劣化現象を起さ
ず、耐久性に優れた電子写真用光導電部材を提供するこ
とにある。
常時安定し、繰り返し使用に際しても劣化現象を起さ
ず、耐久性に優れた電子写真用光導電部材を提供するこ
とにある。
すなわち本発明の光導電部材は、ドラム状金属基体と、
この基体上に設けられ、ケイ素原子を母体とする非晶質
材料を含有する光導電層とを有する電子写真用光導電部
材に於いて、前記ドラム状金属基体に接して障壁層を有
し、前記光導電層の上に表面電荷注入防止層あるいは保
護層としての上部層を有し、前記基体がアルミニウム又
はアルミニウム系合金からなり、2.5mm以上の厚さを有
することを特徴とする。
この基体上に設けられ、ケイ素原子を母体とする非晶質
材料を含有する光導電層とを有する電子写真用光導電部
材に於いて、前記ドラム状金属基体に接して障壁層を有
し、前記光導電層の上に表面電荷注入防止層あるいは保
護層としての上部層を有し、前記基体がアルミニウム又
はアルミニウム系合金からなり、2.5mm以上の厚さを有
することを特徴とする。
本発明の電子写真用光導電部材は、その好ましい実施態
様例に於いては、電子写真用光導電部材の金属製の支持
体としてのドラム状、すなわち円筒状のAlもしくはAl合
金等の金属基体（以下Al系基体という）と、このドラム
状Al系金属基体状に設けられ、ケイ素原子を母体とし、
好ましくは水素原子及びハロゲン原子のいずれか少なく
とも一方をその構成原子として含む非晶質材料を含有す
る光導電層とが形成されて構成される。該光導電層は、
ドラム状金属基体に接して障壁層、更には該光導電層の
表面に表面障壁層を有してもよい。
様例に於いては、電子写真用光導電部材の金属製の支持
体としてのドラム状、すなわち円筒状のAlもしくはAl合
金等の金属基体（以下Al系基体という）と、このドラム
状Al系金属基体状に設けられ、ケイ素原子を母体とし、
好ましくは水素原子及びハロゲン原子のいずれか少なく
とも一方をその構成原子として含む非晶質材料を含有す
る光導電層とが形成されて構成される。該光導電層は、
ドラム状金属基体に接して障壁層、更には該光導電層の
表面に表面障壁層を有してもよい。
本発明におけるドラム状金属基体は、その厚さが2.5mm
以上のものである。すなわち、2.5mm以上の厚さを有す
るものを使用することによって、光導電部材の製造時に
a-Si(H,X)膜堆積装置内で、あるいは電子写真用の感光
体ドラムとしての使用時にドラム状金属基体が加熱され
ても、ドラム状金属基体の熱変形の程度を十分小さくお
さえることができるので、a-Si(H,X)堆積膜の膜剥れの
程度を実用範囲内に於いては問題がない程度以下に減少
させ、あるいは皆無にすることが可能である。生産性、
量産性をより向上させるにはドラム状金属基体は、3.5m
m以上の厚さを有することがより好ましい。
以上のものである。すなわち、2.5mm以上の厚さを有す
るものを使用することによって、光導電部材の製造時に
a-Si(H,X)膜堆積装置内で、あるいは電子写真用の感光
体ドラムとしての使用時にドラム状金属基体が加熱され
ても、ドラム状金属基体の熱変形の程度を十分小さくお
さえることができるので、a-Si(H,X)堆積膜の膜剥れの
程度を実用範囲内に於いては問題がない程度以下に減少
させ、あるいは皆無にすることが可能である。生産性、
量産性をより向上させるにはドラム状金属基体は、3.5m
m以上の厚さを有することがより好ましい。
本発明において好ましく用いられるドラム状金属基体の
基材は、例えば、NiCr、ステンレス、Al、Cr、Mo、Au、Nb、T
a、V、Ti、Pt、Pd等の金属又はこれ等の合金が挙げられ、殊
に、Al及びAl系合金が好適に用いられる。
基材は、例えば、NiCr、ステンレス、Al、Cr、Mo、Au、Nb、T
a、V、Ti、Pt、Pd等の金属又はこれ等の合金が挙げられ、殊
に、Al及びAl系合金が好適に用いられる。
ドラム状基体の基材としてアルミニウム又はアルミニウ
ム系合金を使用するのが好ましいのは、比較的簡易に真
円性、表面平滑性等の精度のよいものが得られ、製造時
のa-Si(H,X)の堆積表面部の温度制御が容易であり、か
つ経済的であるからである。
ム系合金を使用するのが好ましいのは、比較的簡易に真
円性、表面平滑性等の精度のよいものが得られ、製造時
のa-Si(H,X)の堆積表面部の温度制御が容易であり、か
つ経済的であるからである。
本発明の光導電部材の光導電層中に含有されてもよいハ
ロゲン原子(X)としては、具体的にはフッ素、塩素、臭
素、ヨウ素が挙げられるが、特に塩素、とりわけフッ素
を好適なものとして挙げることができる。光導電層中に
含有されるケイ素原子、水素原子、ハロゲン原子以外の
成分としては、フェルミ単位や禁止帯幅等を調整する成
分として、ホウ素、ガリウム等の周期律表第III族原
子、（III族原子という）、窒素、リン、ヒ素等の周期
律表第Ｖ族原子、（Ｖ族原子という）、酸素原子、炭素
原子、ゲルマニウム原子等を単独若しくは適宜組み合わ
せて含有させることができる。
ロゲン原子(X)としては、具体的にはフッ素、塩素、臭
素、ヨウ素が挙げられるが、特に塩素、とりわけフッ素
を好適なものとして挙げることができる。光導電層中に
含有されるケイ素原子、水素原子、ハロゲン原子以外の
成分としては、フェルミ単位や禁止帯幅等を調整する成
分として、ホウ素、ガリウム等の周期律表第III族原
子、（III族原子という）、窒素、リン、ヒ素等の周期
律表第Ｖ族原子、（Ｖ族原子という）、酸素原子、炭素
原子、ゲルマニウム原子等を単独若しくは適宜組み合わ
せて含有させることができる。
障壁層は、光導電層とドラム状金属基体との密着性向上
あるいは電荷受容能の調整等の目的で設置されるもので
あり、該障壁層は目的に応じてIII族原子、Ｖ族原子、
酸素原子、炭素原子、ゲルマニウム原子等を含むa-Si
(H,X)層若しくは多結晶−Si層で、一層あるいは多層に
構成される。
あるいは電荷受容能の調整等の目的で設置されるもので
あり、該障壁層は目的に応じてIII族原子、Ｖ族原子、
酸素原子、炭素原子、ゲルマニウム原子等を含むa-Si
(H,X)層若しくは多結晶−Si層で、一層あるいは多層に
構成される。
また、光導電層の上部に表面電荷注入防止層あるいは保
護層として、シリコン原子を母体とし、炭素原子、窒素
原子、酸素原子等を、好ましくは多量に含有し、必要に
応じて水素原子又はハロゲン原子を含有する非晶質材料
からなる層あるいは高抵抗有機物質からなる層を設置し
てもよい。
護層として、シリコン原子を母体とし、炭素原子、窒素
原子、酸素原子等を、好ましくは多量に含有し、必要に
応じて水素原子又はハロゲン原子を含有する非晶質材料
からなる層あるいは高抵抗有機物質からなる層を設置し
てもよい。
本発明において、a-Si(H,X)で構成される光導電層を形
成するには、例えばグロー放電法、スパッタリング法、
あるいはイオンプレーティング法等の従来公知の種々の
放電現象を利用する真空堆積法が適用される。
成するには、例えばグロー放電法、スパッタリング法、
あるいはイオンプレーティング法等の従来公知の種々の
放電現象を利用する真空堆積法が適用される。
次にグロー放電分解法によって作成される電子写真用の
光導電部材の製造方法の例について説明する。
光導電部材の製造方法の例について説明する。
第１図にグロー放電分解法による電子写真用光導電部材
の製造装置を示す。堆積槽１は、ベースプレート２と槽
壁３とトッププレート４とから構成され、この堆積槽１
内には、カソード電極５が設けられており、a-Si(H,X)
堆積膜が形成されるドラム状金属基体６はカソード電極
５の中央部に設置され、アノード電極も兼ねている。
の製造装置を示す。堆積槽１は、ベースプレート２と槽
壁３とトッププレート４とから構成され、この堆積槽１
内には、カソード電極５が設けられており、a-Si(H,X)
堆積膜が形成されるドラム状金属基体６はカソード電極
５の中央部に設置され、アノード電極も兼ねている。
この製造装置を使用してa-Si(H,X)堆積膜をドラム状金
属基体上に形成するには、まず、原料ガス流入バルブ７
及びリークバルブ８を閉じ、排気バルブ９を開け、堆積
槽１内を排気する。真空計１０の読みが約５×１０-6to
rrになった時点で原料ガス流入バルブ７を開いて、マス
フローコントローラ１１内で所定の混合比に調整され
た、例えばSiH4ガス、Si2H6ガス、SiF4ガス等の原料混
合ガスを堆積槽１内に流入させる。このとき堆積槽１内
の圧力が所望の値になるように真空計１０の読みを見な
がら排気バルブ９の開口度を調整する。そしてドラム状
金属基体６の表面温度が加熱ヒーター１２により所定の
温度に設定されていることを確認した後、高周波電源１
３を所望の電力設定して堆積槽１内にグロー放電を生起
させる。
属基体上に形成するには、まず、原料ガス流入バルブ７
及びリークバルブ８を閉じ、排気バルブ９を開け、堆積
槽１内を排気する。真空計１０の読みが約５×１０-6to
rrになった時点で原料ガス流入バルブ７を開いて、マス
フローコントローラ１１内で所定の混合比に調整され
た、例えばSiH4ガス、Si2H6ガス、SiF4ガス等の原料混
合ガスを堆積槽１内に流入させる。このとき堆積槽１内
の圧力が所望の値になるように真空計１０の読みを見な
がら排気バルブ９の開口度を調整する。そしてドラム状
金属基体６の表面温度が加熱ヒーター１２により所定の
温度に設定されていることを確認した後、高周波電源１
３を所望の電力設定して堆積槽１内にグロー放電を生起
させる。
また、層形成を行っている間は、層形成の均一化を計る
ためにドラム状金属基体６をモーター１４により一定速
度で回転させる。このようにしてドラム状金属基体６上
に、a-Si(H,X)堆積膜を形成することができる。
ためにドラム状金属基体６をモーター１４により一定速
度で回転させる。このようにしてドラム状金属基体６上
に、a-Si(H,X)堆積膜を形成することができる。
以下、本発明を実施例に基づきより詳細に説明する。
実施例１ 第１図に示した電子写真用光導電部材の製造装置を用
い、先に詳述したグロー放電分解法に従い、外径８０mm
φで、それぞれ肉厚の異る６種のアルミニウム製のドラ
ム状基体上に、下記の条件によりa-Si：H堆積膜を形成
した。
い、先に詳述したグロー放電分解法に従い、外径８０mm
φで、それぞれ肉厚の異る６種のアルミニウム製のドラ
ム状基体上に、下記の条件によりa-Si：H堆積膜を形成
した。
ドラム状基体温度：２５０℃ 堆積膜形成時の堆積室内内圧：0.03Torr 放電周波数：13.56MHz 堆積膜形成速度：２０Å／sec 放電電力：0/18W／cm2 こうして得られた電子写真感光体ドラムの膜剥れの状態
を観察した後、キャノン（株）製400RE複写装置を実験
用に改造した実験用複写装置にこれら感光体ドラを設置
して画出しを行ない、膜剥れの影響を表わすために画像
評価を実施した。その結果を第１表に示す。
を観察した後、キャノン（株）製400RE複写装置を実験
用に改造した実験用複写装置にこれら感光体ドラを設置
して画出しを行ない、膜剥れの影響を表わすために画像
評価を実施した。その結果を第１表に示す。
また、肉厚が1.5mmと2.0mmの上記感光体ドラムの真円度
を測定したところ、一番へこんでいる箇所と一番突出し
ている箇所の差が１００μｍ近くあったのに対して、肉
厚2.5mmおよび3.0mmの感光体ドラムではその差は約３０
μｍ、肉厚3.5mm及び5.0mmの感光体ドラムでは１０〜２
０μｍであった。
を測定したところ、一番へこんでいる箇所と一番突出し
ている箇所の差が１００μｍ近くあったのに対して、肉
厚2.5mmおよび3.0mmの感光体ドラムではその差は約３０
μｍ、肉厚3.5mm及び5.0mmの感光体ドラムでは１０〜２
０μｍであった。
実施例２ 外径が８０mmφ出、肉厚が3.0mmのアルミニウム製のド
ラム状基体上に、第２層目のa-Si：Ｈ堆積膜の形成に際
して、SiH4ガスに代えSi2H6ガスを使用したことを除
き、実施例１と同様操作により電子写真感光体ドラムを
作製した。この電子写真感光体ドラムにつき、実施例１
と同様にして膜剥れの状態の評価と実験用複写装置に設
置しての画像評価を実施したが、いづれも実施例１の肉
厚3.0mmの感光体ドラムの場合と同様に良好な結果が得
られた。
ラム状基体上に、第２層目のa-Si：Ｈ堆積膜の形成に際
して、SiH4ガスに代えSi2H6ガスを使用したことを除
き、実施例１と同様操作により電子写真感光体ドラムを
作製した。この電子写真感光体ドラムにつき、実施例１
と同様にして膜剥れの状態の評価と実験用複写装置に設
置しての画像評価を実施したが、いづれも実施例１の肉
厚3.0mmの感光体ドラムの場合と同様に良好な結果が得
られた。
参考例１ 第１図に示した電子写真用光導電部材の製造装置を用
い、先に詳述したグロー放電分解法に従い、外径８０mm
φで、肉厚が異る７種のアルミニウム製のドラム状基体
上に、下記の条件によりa-Si堆積膜を形成した。
い、先に詳述したグロー放電分解法に従い、外径８０mm
φで、肉厚が異る７種のアルミニウム製のドラム状基体
上に、下記の条件によりa-Si堆積膜を形成した。
使用原料ガス SiH4(10%)／H2 膜厚 ３５μｍ ドラム状基体温度 ２５０℃ 堆積膜形成時の堆積室内内圧： 0.03Torr 放電周波数： 13.56MHz 堆積膜形成速度： ２０Å／sec 放電電力： 0.18W／cm2 成膜後、１０分かけて徐々にリークさせ大気圧とし、取
り出して室温まで自然冷却した。
り出して室温まで自然冷却した。
比較例１ 参考例１と同様のアルミニウム製ドラム状基体を用意
し、通常使用されている真空蒸着装置を用いて、各基体
上に以下の条件でＳｅ−Ｔｅ合金を蒸着して、光導電層
を形成した。
し、通常使用されている真空蒸着装置を用いて、各基体
上に以下の条件でＳｅ−Ｔｅ合金を蒸着して、光導電層
を形成した。
蒸着原料 Ｓｅ−Ｔｅ合金(99.999%) 蒸発源温度 ２９０℃ 基板温度 ６５℃ 層形成時真空度 １×１０-5Torr 成膜後、１０分かけて徐々にリークさせ大気圧とし、取
り出して室温まで自然冷却した。
り出して室温まで自然冷却した。
比較例２ 比較例１と同様の条件で成膜した後、１０分かけて徐々
にリークさせ大気圧とし、取り出してすぐにドライアイ
スとアルコールの冷媒（−７７℃）につけて約１００℃
ほどの強制冷却を行った。これは、ａ−Ｓｉ膜堆積後の
冷却の際に起こる歪をＳｅ−Ｔｅ膜にも与えるためであ
るが、Ｓｅ−Ｔｅ膜の堆積はａ−Ｓｉ膜堆積時のような
高温では行えないため冷媒を用いて強制冷却を行う方法
をとった。
にリークさせ大気圧とし、取り出してすぐにドライアイ
スとアルコールの冷媒（−７７℃）につけて約１００℃
ほどの強制冷却を行った。これは、ａ−Ｓｉ膜堆積後の
冷却の際に起こる歪をＳｅ−Ｔｅ膜にも与えるためであ
るが、Ｓｅ−Ｔｅ膜の堆積はａ−Ｓｉ膜堆積時のような
高温では行えないため冷媒を用いて強制冷却を行う方法
をとった。
参考例１、比較例１および比較例２で得られた電子写真
感光体ドラムの膜剥れの状態を室温下で観察した後、キ
ャノン（株）製４００RE複写装置を実験用に改造した実
験用複写装置にこれら感光体ドラムを設置して画出しを
行ない、膜剥れの影響を表すための画像評価を実施し
た。その結果を第２表に示した。
感光体ドラムの膜剥れの状態を室温下で観察した後、キ
ャノン（株）製４００RE複写装置を実験用に改造した実
験用複写装置にこれら感光体ドラムを設置して画出しを
行ない、膜剥れの影響を表すための画像評価を実施し
た。その結果を第２表に示した。
第２表から明らかなように、ａ−Ｓｉ堆積膜を形成させ
た電子写真感光体ドラムの場合には、基体の厚さが2.5m
m未満の場合には、2.4mmの厚さの基体であっても膜はが
れが多く、その画質も実用上問題があるが、厚さが2.5m
m以上のものでは膜剥れの個数が少なく、その画質もほ
ぼ良好であることがわかる。
た電子写真感光体ドラムの場合には、基体の厚さが2.5m
m未満の場合には、2.4mmの厚さの基体であっても膜はが
れが多く、その画質も実用上問題があるが、厚さが2.5m
m以上のものでは膜剥れの個数が少なく、その画質もほ
ぼ良好であることがわかる。
一方、Ｓｅ−Ｔｅ堆積膜を形成させた従来用いられてい
た電子写真感光体ドラムの場合には、自然冷却の場合に
おいても、強制冷却してあえてａ−Ｓｉ膜と同様の歪を
与えた場合においても、どの厚さの感光体とも膜剥れが
起っていない。
た電子写真感光体ドラムの場合には、自然冷却の場合に
おいても、強制冷却してあえてａ−Ｓｉ膜と同様の歪を
与えた場合においても、どの厚さの感光体とも膜剥れが
起っていない。
すなわち、Ｓｅ−Ｔｅ膜の場合には、膜剥れがドラム状
金属基体の厚さに依存しないが、ａ−Ｓｉ堆積膜の場合
には、その膜質に起因して、膜剥がれがドラム状金属基
体の厚さに依存し、厚さを2.5mm以上とする必要がある
ことを示している。
金属基体の厚さに依存しないが、ａ−Ｓｉ堆積膜の場合
には、その膜質に起因して、膜剥がれがドラム状金属基
体の厚さに依存し、厚さを2.5mm以上とする必要がある
ことを示している。
第１図は、グロー放電分解法による光導電部材の製造装
置を示した図である。 １：堆積槽、２：ベースプレート ３：槽壁、４：トッププレート ５：カソード電極、６：ドラム状金属基体 ７：原料ガス流入バルブ、８：リークバルブ ９：排気バルブ、１０：真空計 １１：マスフローコントローラ １２：加熱ヒータ、１３：高周波電源 １４：モーター
置を示した図である。 １：堆積槽、２：ベースプレート ３：槽壁、４：トッププレート ５：カソード電極、６：ドラム状金属基体 ７：原料ガス流入バルブ、８：リークバルブ ９：排気バルブ、１０：真空計 １１：マスフローコントローラ １２：加熱ヒータ、１３：高周波電源 １４：モーター
Claims (9)
- 【請求項１】ドラム状金属基体と、この基体上に設けら
れ、ケイ素原子を母体とする非晶質材料を含有する光導
電層とを有する電子写真用光導電部材に於て、 前記ドラム状金属基体に接して障壁層を有し、前記光導
電層の上に表面電荷注入防止層あるいは保護層としての
上部層を有し、 前記基体がアルミニウム又はアルミニウム系合金からな
り、２．５mm以上の厚さを有することを特徴とする電子
写真用光導電部材。 - 【請求項２】前記光導電層がＨおよびハロゲン原子のう
ちの少なくとも１種類を含有する特許請求の範囲第１項
に記載の電子写真用光導電部材。 - 【請求項３】前記光導電層が周期律表第III族および第
Ｖ族の原子のうちの少なくとも１種類を含有する特許請
求の範囲第１項に記載の電子写真用光導電部材。 - 【請求項４】前記光導電層が酸素、炭素およびゲルマニ
ウム原子のうちの少なくとも１種類を含有する特許請求
の範囲第１項に記載の電子写真用光導電部材。 - 【請求項５】前記障壁層が周期律表第III族および第Ｖ
族の原子のうちの少なくとも１種類を含有する特許請求
の範囲第１項に記載の電子写真用光導電部材。 - 【請求項６】前記障壁層が酸素、炭素およびゲルマニウ
ム原子のうちの少なくとも１種類を含有する特許請求の
範囲第１項に記載の電子写真用光導電部材。 - 【請求項７】前記表面電荷注入防止層は、炭素原子、窒
素原子、酸素原子の少なくとも１種類を含みシリコン原
子を母体とする非晶質材料からなる特許請求の範囲第１
項に記載の電子写真用光導電部材。 - 【請求項８】前記表面電荷注入防止層は、水素原子又は
ハロゲン原子を含む非晶質材料からなる特許請求の範囲
第７項に記載の電子写真用光導電部材。 - 【請求項９】前記基体は３．５mm以上の厚さを有する特
許請求の範囲第１項に記載の電子写真用光導電部材。
Priority Applications (6)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58064525A JPH0614189B2 (ja) | 1983-04-14 | 1983-04-14 | 電子写真用光導電部材 |
| GB08409527A GB2141552B (en) | 1983-04-14 | 1984-04-12 | Photoconductive member for electrophotography |
| FR8405880A FR2544515B1 (fr) | 1983-04-14 | 1984-04-13 | Element photoconducteur pour electrophotographie |
| DE19843414099 DE3414099A1 (de) | 1983-04-14 | 1984-04-13 | Fotoleitfaehiges aufzeichnungselement und substrat fuer das fotoleitfaehige aufzeichnungselement |
| GB08613614A GB2176624B (en) | 1983-04-14 | 1986-06-05 | Electrophotographic photoconductive member |
| US07/154,462 US4814248A (en) | 1983-04-14 | 1988-02-08 | Photoconductive member and support for said photoconductive member |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58064525A JPH0614189B2 (ja) | 1983-04-14 | 1983-04-14 | 電子写真用光導電部材 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7008907A Division JP2719502B2 (ja) | 1995-01-24 | 1995-01-24 | 電子写真光受容部材の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59191065A JPS59191065A (ja) | 1984-10-30 |
| JPH0614189B2 true JPH0614189B2 (ja) | 1994-02-23 |
Family
ID=13260717
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58064525A Expired - Lifetime JPH0614189B2 (ja) | 1983-04-14 | 1983-04-14 | 電子写真用光導電部材 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4814248A (ja) |
| JP (1) | JPH0614189B2 (ja) |
| DE (1) | DE3414099A1 (ja) |
| FR (1) | FR2544515B1 (ja) |
| GB (2) | GB2141552B (ja) |
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| DE3789462T2 (de) * | 1986-02-04 | 1994-08-04 | Canon Kk | Lichtempfindliches Element für Elektrophotographie. |
| EP0241111B1 (en) * | 1986-02-05 | 1991-04-10 | Canon Kabushiki Kaisha | Light-receiving member for electrophotography |
| US4818655A (en) * | 1986-03-03 | 1989-04-04 | Canon Kabushiki Kaisha | Electrophotographic light receiving member with surface layer of a-(Six C1-x)y :H1-y wherein x is 0.1-0.99999 and y is 0.3-0.59 |
| FR2664713B1 (fr) * | 1990-07-13 | 1994-07-29 | Canon Kk | Cartouche de traitement et appareil de formation d'images l'utilisant. |
| US5392098A (en) * | 1991-05-30 | 1995-02-21 | Canon Kabushiki Kaisha | Electrophotographic apparatus with amorphous silicon-carbon photosensitive member driven relative to light source |
| DE69929371T2 (de) * | 1998-05-14 | 2006-08-17 | Canon K.K. | Elektrophotographischer Bildherstellungsapparat |
Family Cites Families (7)
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|---|---|---|---|---|
| AU530905B2 (en) * | 1977-12-22 | 1983-08-04 | Canon Kabushiki Kaisha | Electrophotographic photosensitive member |
| JPS55159447A (en) * | 1979-05-31 | 1980-12-11 | Fujitsu Ltd | Cylindrical electrically conductive support |
| JPS56159680A (en) * | 1980-05-14 | 1981-12-09 | Canon Inc | Image bearing member |
| JPS5763548A (en) * | 1980-10-03 | 1982-04-17 | Hitachi Ltd | Electrophotographic receptor and its manufacture |
| US4464451A (en) * | 1981-02-06 | 1984-08-07 | Canon Kabushiki Kaisha | Electrophotographic image-forming member having aluminum oxide layer on a substrate |
| US4438188A (en) * | 1981-06-15 | 1984-03-20 | Fuji Electric Company, Ltd. | Method for producing photosensitive film for electrophotography |
| US4466380A (en) * | 1983-01-10 | 1984-08-21 | Xerox Corporation | Plasma deposition apparatus for photoconductive drums |
-
1983
- 1983-04-14 JP JP58064525A patent/JPH0614189B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1984
- 1984-04-12 GB GB08409527A patent/GB2141552B/en not_active Expired
- 1984-04-13 FR FR8405880A patent/FR2544515B1/fr not_active Expired
- 1984-04-13 DE DE19843414099 patent/DE3414099A1/de active Granted
-
1986
- 1986-06-05 GB GB08613614A patent/GB2176624B/en not_active Expired
-
1988
- 1988-02-08 US US07/154,462 patent/US4814248A/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| GB2141552B (en) | 1987-06-03 |
| US4814248A (en) | 1989-03-21 |
| GB8613614D0 (en) | 1986-07-09 |
| GB2141552A (en) | 1984-12-19 |
| JPS59191065A (ja) | 1984-10-30 |
| FR2544515B1 (fr) | 1987-02-20 |
| FR2544515A1 (fr) | 1984-10-19 |
| DE3414099C2 (ja) | 1989-11-02 |
| GB2176624B (en) | 1987-06-03 |
| GB8409527D0 (en) | 1984-05-23 |
| GB2176624A (en) | 1986-12-31 |
| DE3414099A1 (de) | 1984-10-18 |
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